JP2014130853A5 - - Google Patents

Description

〔１〕
（Ａ）フッ素原子又はシリコン原子を有するラジカル重合性モノマー又はオリゴマー、（Ｂ）高分子化合物、及び、（Ｃ）ラジカル重合開始剤を含有する半導体装置製造用仮接着剤。
〔２〕
更に、（Ｄ）前記ラジカル重合性モノマー又はオリゴマー（Ａ）とは異なる、ラジカル重合性モノマー又はオリゴマーを含有する、上記〔１〕に記載の半導体装置製造用仮接着剤。
〔３〕
前記ラジカル重合性モノマー又はオリゴマー（Ａ）が、２個以上のラジカル重合性官能基を有する、上記〔１〕又は〔２〕に記載の半導体装置製造用仮接着剤。
〔４〕
前記ラジカル重合性モノマー又はオリゴマー（Ａ）が、フッ素原子を有するモノマー又はオリゴマーである、上記〔１〕〜〔３〕のいずれか１項に記載の半導体装置製造用仮接着剤。
〔５〕
前記ラジカル重合開始剤（Ｃ）が、光ラジカル重合開始剤である、上記〔１〕〜〔４〕のいずれか１項に記載の半導体装置製造用仮接着剤。
〔６〕
前記ラジカル重合開始剤（Ｃ）として、光ラジカル重合開始剤と熱ラジカル重合開始剤とを含有する、上記〔１〕〜〔５〕のいずれか１項に記載の半導体装置製造用仮接着剤。
〔７〕
基板と、前記基板上に、上記〔１〕〜〔６〕のいずれか１項に記載の半導体装置製造用仮接着剤により形成された接着性層とを有する接着性支持体。
〔８〕
被処理部材の第１の面と基板とを、上記〔１〕〜〔６〕のいずれか１項に記載の半導体装置製造用仮接着剤により形成された接着性層を介して接着させる工程、
前記被処理部材の前記第１の面とは異なる第２の面に対して、機械的又は化学的な処理を施し、処理済部材を得る工程、及び、
前記接着性層から前記処理済部材の第１の面を脱離する工程
を有する、前記処理済部材を有する半導体装置の製造方法。
〔９〕
前記被処理部材の第１の面と基板とを前記接着性層を介して接着させる工程の前に、前記接着性層の、前記被処理部材の第１の面に接着される面に対して、活性光線若しくは放射線又は熱を照射する工程を更に有する、上記〔８〕に記載の半導体装置の製造方法。
〔１０〕
被処理部材の第１の面と基板とを前記接着性層を介して接着させる工程の後、かつ、前記被処理部材の前記第１の面とは異なる第２の面に対して、機械的又は化学的な処理を施し、処理済部材を得る工程の前に、前記接着性層を５０℃〜３００℃の温度で加熱する工程を更に有する、上記〔８〕又は〔９〕に記載の半導体装置の製造方法。
〔１１〕
前記接着性層から前記処理済部材の第１の面を脱離する工程が、前記接着性層に剥離液を接触させる工程を含む、上記〔８〕〜〔１０〕のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
〔１２〕
前記被処理部材が、被処理基材と、前記被処理基材の第１の面の上に設けられた保護層とを有してなり、
前記保護層の、前記被処理基材とは反対側の面を、前記被処理部材の前記第１の面とし、
前記被処理基材の前記第１の面とは異なる第２の面を、前記被処理部材の前記第２の面とする、上記〔８〕〜〔１１〕のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。

Claims (12)

1. （Ａ）フッ素原子又はシリコン原子を有するラジカル重合性モノマー又はオリゴマー、（Ｂ）高分子化合物、及び、（Ｃ）ラジカル重合開始剤を含有する半導体装置製造用仮接着剤。
2. 更に、（Ｄ）前記ラジカル重合性モノマー又はオリゴマー（Ａ）とは異なる、ラジカル重合性モノマー又はオリゴマーを含有する、請求項１に記載の半導体装置製造用仮接着剤。
3. 前記ラジカル重合性モノマー又はオリゴマー（Ａ）が、２個以上のラジカル重合性官能基を有する、請求項１又は２に記載の半導体装置製造用仮接着剤。
4. 前記ラジカル重合性モノマー又はオリゴマー（Ａ）が、フッ素原子を有するモノマー又はオリゴマーである、請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体装置製造用仮接着剤。
5. 前記ラジカル重合開始剤（Ｃ）が、光ラジカル重合開始剤である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体装置製造用仮接着剤。
6. 前記ラジカル重合開始剤（Ｃ）として、光ラジカル重合開始剤と熱ラジカル重合開始剤とを含有する、請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体装置製造用仮接着剤。
7. 基板と、前記基板上に、請求項１〜６のいずれか１項に記載の半導体装置製造用仮接着剤により形成された接着性層とを有する接着性支持体。
8. 被処理部材の第１の面と基板とを、請求項１〜６のいずれか１項に記載の半導体装置製造用仮接着剤により形成された接着性層を介して接着させる工程、
   前記被処理部材の前記第１の面とは異なる第２の面に対して、機械的又は化学的な処理を施し、処理済部材を得る工程、及び、
   前記接着性層から前記処理済部材の第１の面を脱離する工程
   を有する、前記処理済部材を有する半導体装置の製造方法。
9. 前記被処理部材の第１の面と基板とを前記接着性層を介して接着させる工程の前に、前記接着性層の、前記被処理部材の第１の面に接着される面に対して、活性光線若しくは放射線又は熱を照射する工程を更に有する、請求項８に記載の半導体装置の製造方法。
10. 被処理部材の第１の面と基板とを前記接着性層を介して接着させる工程の後、かつ、前記被処理部材の前記第１の面とは異なる第２の面に対して、機械的又は化学的な処理を施し、処理済部材を得る工程の前に、前記接着性層を５０℃〜３００℃の温度で加熱する工程を更に有する、請求項８又は９に記載の半導体装置の製造方法。
11. 前記接着性層から前記処理済部材の第１の面を脱離する工程が、前記接着性層に剥離液を接触させる工程を含む、請求項８〜１０のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
12. 前記被処理部材が、被処理基材と、前記被処理基材の第１の面の上に設けられた保護層とを有してなり、
    前記保護層の、前記被処理基材とは反対側の面を、前記被処理部材の前記第１の面とし、
    前記被処理基材の前記第１の面とは異なる第２の面を、前記被処理部材の前記第２の面とする、請求項８〜１１のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。