TW202235576A - 電子零件之製造方法、顯示裝置之製造方法、及支持帶 - Google Patents

電子零件之製造方法、顯示裝置之製造方法、及支持帶 Download PDF

Info

Publication number
TW202235576A
TW202235576A TW110142192A TW110142192A TW202235576A TW 202235576 A TW202235576 A TW 202235576A TW 110142192 A TW110142192 A TW 110142192A TW 110142192 A TW110142192 A TW 110142192A TW 202235576 A TW202235576 A TW 202235576A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
mentioned
adhesive layer
ultraviolet
electronic component
support tape
Prior art date
Application number
TW110142192A
Other languages
English (en)
Inventor
杉田大平
畠井宗宏
上田洸造
Original Assignee
日商積水化學工業股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商積水化學工業股份有限公司 filed Critical 日商積水化學工業股份有限公司
Publication of TW202235576A publication Critical patent/TW202235576A/zh

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J5/00—Adhesive processes in general; Adhesive processes not provided for elsewhere, e.g. relating to primers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0095—Post-treatment of devices, e.g. annealing, recrystallisation or short-circuit elimination
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/318—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for the production of liquid crystal displays
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/40—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the presence of essential components
    • C09J2301/416—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the presence of essential components use of irradiation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/50—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by process specific features
    • C09J2301/502—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by process specific features process for debonding adherents
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2433/00—Presence of (meth)acrylic polymer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68368—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used in a transfer process involving at least two transfer steps, i.e. including an intermediate handle substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/81001—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector involving a temporary auxiliary member not forming part of the bonding apparatus
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/95001—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips involving a temporary auxiliary member not forming part of the bonding apparatus, e.g. removable or sacrificial coating, film or substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

本發明之目的在於提供一種能夠抑制糊劑殘留於晶片零件且以較好之良率轉印晶片零件的電子零件之製造方法、使用該電子零件之製造方法之顯示裝置之製造方法、及該製造方法中所使用之支持帶。本發明之電子零件之製造方法具有以下之步驟：步驟（1），其係於至少一表面具有硬化型黏著劑層之支持帶之上述硬化型黏著劑層上配置晶片零件；步驟（2），其係自配置有上述晶片零件之上述支持帶之與上述晶片零件所積層之面為相反側之面照射能量線；及步驟（3），其係自上述支持帶之與上述晶片零件所積層之面為相反側之面施加刺激，使晶片零件自支持帶轉印至下一構件；且上述硬化型黏著劑層含有聚合性聚合物及反應起始劑，上述硬化型黏著劑層之上述能量線照射前之於365 nm之波長之紫外線吸收率為95%以上，上述能量線照射後之於365 nm之波長之紫外線吸收率為95%以上。

Description

電子零件之製造方法、顯示裝置之製造方法、及支持帶
本發明係關於一種電子零件之製造方法、顯示裝置之製造方法、及該製造方法中所使用之支持帶。
微型LED顯示器係如下顯示裝置，即，構成像素之晶片為一個個微細之發光二極體（LED，Light Emitting Diode）晶片，藉由該微型LED晶片自發光來顯示圖像。微型LED顯示器之對比度較高，應答速度較快，且由於無需液晶顯示器、有機EL顯示器等中所使用之彩色濾光片等，而亦能夠實現薄型化，因此作為下一代之顯示裝置備受關注。
於微型LED顯示器中，平面狀且高密度地鋪滿大量微型LED晶片。當製造此類微型LED顯示器時，進行以下之步驟：自於具有黏著劑層之轉印用基板上配置有大量微型LED晶片之轉印用積層體，將微型LED晶片轉印至驅動電路基板上，而進行電性連接。 於微型LED晶片之轉印步驟中，於使轉印用積層體之配置有LED晶片之面與驅動電路基板之形成有電極之面對向之狀態下，使微型LED晶片自轉印用積層體剝離而進行轉印。
作為使微型LED晶片自轉印用積層體剝離之方法，例如已知有如下方法：藉由自轉印用積層體之基板之背面以聚焦於黏著劑層之方式照射雷射光，從而使微型LED晶片剝離（例如，專利文獻1）。又，亦已知有如下方法：藉由使用摻合有熱膨脹性粒子、熱膨脹性微膠囊等之黏著劑層，將轉印用積層體與驅動電路基板進行熱壓接合而使熱膨脹性粒子、熱膨脹性微膠囊等熱膨脹，從而使黏著劑層變形，使接著面積減小而使微型LED晶片剝離（例如，專利文獻2、3）。 [先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本特開2019-138949號公報 專利文獻2：日本特開2019-15899號公報 專利文獻3：日本特開2003-7986號公報
[發明所欲解決之課題]
然而，於如專利文獻1～3中所記載之照射雷射光之方法或使用熱膨脹性粒子、熱膨脹性微膠囊等之方法中，存在黏著劑層之殘渣附著於微型LED晶片之問題。又，於以往之照射雷射光之方法中，有時會因剝離不良而導致無法剝離微型LED晶片，較難以較好之良率轉印微型LED晶片。
本發明之目的在於提供一種能夠抑制糊劑殘留於晶片零件且以較好之良率轉印晶片零件的電子零件之製造方法、使用該電子零件之製造方法之顯示裝置之製造方法、及該製造方法中所使用之支持帶。 [解決課題之技術手段]
本發明係一種電子零件之製造方法，其具有以下之步驟：步驟（1），其係於至少一表面具有硬化型黏著劑層之支持帶之上述硬化型黏著劑層上配置晶片零件；步驟（2），其係自配置有上述晶片零件之上述支持帶之與上述晶片零件所積層之面為相反側之面照射能量線；及步驟（3），其係自上述支持帶之與上述晶片零件所積層之面為相反側之面施加刺激，使晶片零件自支持帶轉印至下一構件；且上述硬化型黏著劑層含有聚合性聚合物及反應起始劑，上述硬化型黏著劑層之上述能量線照射前之於365 nm之波長之紫外線吸收率為95%以上，上述能量線照射後之於365 nm之波長之紫外線吸收率為95%以上。 以下，對本發明進行詳細說明。
本發明之電子零件之製造方法中，首先進行步驟（1），其係於至少一表面具有硬化型黏著劑層之支持帶之上述硬化型黏著劑層上配置晶片零件。 上述步驟（1）之具體方法並無特別限定，例如可列舉以下之方法：將各晶片零件個別地配置於支持帶上之方法；將晶圓貼附於支持帶上並進行單片化之方法；或將配置於基板或黏著帶等構件上之晶片零件轉印至支持帶上之方法等。其中，基於生產效率優異而言，較佳為將配置於構件上之晶片零件轉印至支持帶上之方法。更具體而言，上述步驟（1）較佳為以下之步驟：使配置有上述晶片零件之構件之上述晶片零件側之面與上述支持帶貼合並移除上述構件，藉此將晶片零件配置於上述支持帶之上述硬化型黏著劑層上。
此處，將示意性地表示上述步驟（1）中將上述晶片零件轉印並配置於支持帶上之方法之情況之圖示於圖1、2。上述步驟（1）中，如圖1所示，首先將配置有晶片零件1之構件之晶片零件1排列之面貼合於具有硬化型黏著劑層之支持帶3之硬化型黏著劑層上。即，將晶片零件1之背面貼合於支持帶3之硬化型黏著劑層上。其後，利用剝離等方法移除構件2，藉此如圖2所示，將晶片零件1轉印至支持帶3之硬化型黏著劑層上。上述支持帶3可為單面黏著帶亦可為雙面黏著帶，且可具有基材亦可不具有基材，於上述支持帶3為雙面黏著帶之情形時，與供上述晶片零件1轉印之面為相反側之面較佳為貼附於玻璃等支持體4。上述構件2並無特別限定，例如可列舉：玻璃基板、藍寶石基板、矽基板、金屬基板、有機基板等。 上述支持體4並無特別限定，例如可列舉：玻璃基板、藍寶石基板、矽基板、金屬基板、有機基板等。
上述晶片零件並無特別限定，例如可列舉：微型LED晶片、影像感測器之光學晶片等。其中，由於本發明之電子零件之製造方法對於較難做到無糊劑殘留且以較好之良率剝離之極小晶片構件而言，效果尤其高，因此上述晶片零件較佳為微型LED。
本發明之電子零件之製造方法中，接著進行步驟（2），其係自配置有上述晶片零件之上述支持帶之與上述晶片零件所積層之面為相反側之面照射能量線。 此處，將示意性地表示上述步驟（2）之情況之圖示於圖3。如圖3所示，上述步驟（2）中，自於硬化型黏著劑層上配置有晶片零件之支持帶之與晶片零件所積層之面為相反側之面照射能量線。藉由照射能量線而使支持帶3之硬化型黏著劑層硬化，因此支持帶3之黏著力下降，從而能夠一面抑制糊劑殘留於晶片零件1，一面剝離晶片零件1。又，由於可轉印無糊劑殘留之正常之晶片，因此可減少不良製品之數量，可提高良率。 上述能量線只要可使上述硬化型黏著劑層硬化，則並無特別限定，例如可列舉：超音波、光等。其中，基於硬化容易進行而言，上述能量線較佳為300 nm以上450 nm以下之波長之光。再者，由於上述能量線之能量係可使上述硬化型黏著劑層硬化之程度，因此遠遠小於後述之刺激之能量。
於上述能量線為300 nm以上450 nm以下之波長之光之情形時，上述步驟（2）中，較佳為以5 mW/cm 2以上之照度照射波長365 nm之光，更佳為以10 mW/cm 2以上之照度進行照射，進而較佳為以20 mW/cm 2以上之照度進行照射，特佳為以50 mW/cm 2以上之照度進行照射。又，較佳為以300 mJ/cm 2以上之累計照度照射波長365 nm之光，更佳為以500 mJ/cm 2以上10000 mJ/cm 2以下之累計照度進行照射，進而較佳為以500 mJ/cm 2以上7500 mJ/cm 2以下之累計照度進行照射，特佳為以1000 mJ/cm 2以上5000 mJ/cm 2以下之累計照度進行照射。
本發明之電子零件之製造方法中，接著進行步驟（3），其係自上述支持帶之與上述晶片零件所積層之面為相反側之面施加刺激，使晶片零件自支持帶轉印至下一構件。 此處，將示意性地表示上述步驟（3）之情況之圖示於圖4。如圖4所示，上述步驟（3）中，自配置有晶片零件1之支持帶3之與晶片零件所積層之面為相反側之面、即支持帶之背面，例如藉由自光照射裝置6所照射之光6a而施加刺激。若將上述刺激施加於支持帶3，則硬化型黏著劑之分子藉由熱而斷開從而低分子化，並瞬間蒸發，或者藉由高溫而昇華，因此支持帶之光6a所照射之部分被燒盡。因此，藉由向支持帶3之晶片零件1上之位置施加上述刺激，使得支持帶被燒盡，晶片零件1自支持帶3剝離，從而晶片零件1轉印至下一構件5上。此時，由於藉由上述步驟（2）使得支持帶3之硬化型黏著劑層硬化，因此不易造成糊劑殘留於晶片零件1，且能夠以更輕之力剝離晶片零件。其結果為，能夠不易發生糊劑殘留地轉印晶片零件，因此可提高良率。又，藉由上述刺激來剝離晶片零件之方法可剝離極小之範圍，因此即便於排列有如微型LED般極小之晶片零件之情形時，仍可個別地且以較好之良率進行剝離。進而，如後文所述，由於上述支持帶3之硬化型黏著劑層對於特定波長之紫外線之吸收率較高，可將上述刺激高效率地轉換為熱或振動，因此可更均勻且確實地燒盡支持帶，進而抑制糊劑殘留，並且亦可抑制剝離不良。再者，圖4中將下一構件5描繪為基板，但上述下一構件5並無特別限定，例如可列舉：玻璃基板、藍寶石基板、矽基板、金屬基板、有機基板、或驅動電路基板、黏著帶等。
上述刺激只要可使上述晶片零件剝離，則並無特別限定，例如可列舉：光、熱、電磁波或電子束等。其中，基於即便是微型LED等極小之晶片構件，仍可個別地且以較好之良率進行剝離而言，上述刺激較佳為雷射，更佳為300 nm以上370 nm以下之波長之雷射，進而較佳為350 nm以上370 nm以下之波長之雷射。再者，由於上述刺激之能量係可燒盡支持帶之程度，因此遠遠大於上述能量線之能量。
上述步驟（3）中，可對整個支持帶施加上述刺激，亦可對上述支持帶之每個要剝離之晶片零件區域施加刺激。關於對上述整個支持帶施加刺激之情形，基於可一次轉印複數個上述晶片零件之觀點而言較佳，關於對上述支持帶之每個要剝離之晶片零件區域施加刺激之情形，基於可選擇性地僅轉印目標之上述晶片零件之觀點而言較佳。
於上述刺激為雷射之情形時，上述雷射之輸出藉由脈衝照射以5 nsec/脈衝來計，較佳為50 mJ/cm 2以上1500 mJ/cm 2以下。 藉由使雷射之輸出為上述範圍，可僅將目標之晶片零件上之支持帶充分地燒盡，可更無糊劑殘留且確實地剝離晶片零件。又，容易選擇性地僅轉印目標之上述晶片零件。上述雷射之輸出更佳為100 mJ/cm 2以上，且更佳為1000 mJ/cm 2以下。
上述硬化型黏著劑層含有聚合性聚合物及反應起始劑。 藉由黏著劑層含有聚合性聚合物及反應起始劑，即含有硬化型黏著劑，在上述步驟（1）中能夠以充分之黏著力固定晶片零件，且藉由在上述步驟（2）中使硬化型黏著劑層硬化，在上述步驟（3）中可無糊劑殘留地轉印晶片零件。
上述反應起始劑並無特別限定，例如可列舉光反應起始劑、熱反應起始劑等，其中，由於可藉由照射能量線而發生活化，使硬化型黏著劑層硬化，故而較佳為光反應起始劑，基於亦起到作為後述之紫外線吸收劑之作用而言，可較佳地使用利用紫外線之光反應起始劑。
上述聚合性聚合物例如可藉由下述方式獲得，即，預先合成分子內具有官能基之(甲基)丙烯酸系聚合物（以下，稱為含官能基之(甲基)丙烯酸系聚合物），使其與分子內具有與上述官能基反應之官能基、及自由基聚合性之不飽和鍵之化合物（以下，稱為含官能基之不飽和化合物）進行反應。再者，(甲基)丙烯酸係指丙烯酸或甲基丙烯酸，(甲基)丙烯酸酯係指丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯。
上述含官能基之(甲基)丙烯酸系聚合物例如可藉由下述方式獲得，即，使烷基之碳數為通常之2～18範圍內之丙烯酸烷基酯及/或甲基丙烯酸烷基酯、含官能基之單體、進而視需要之能夠與該等共聚之其他改質用單體共聚。
上述含官能基之(甲基)丙烯酸系聚合物之重量平均分子量並無特別限定，通常為20萬～200萬左右。 再者，重量平均分子量可使用凝膠滲透層析法來決定，例如可使用HSPgel HR MB-M 6.0×150 mm作為管柱，使用THF作為析出液，於40℃進行測定，並根據聚苯乙烯標準來決定。
作為上述含官能基之單體，例如可列舉：丙烯酸、甲基丙烯酸等含羧基之單體；丙烯酸羥基乙酯、甲基丙烯酸羥基乙酯等含羥基之單體；丙烯酸環氧丙酯、甲基丙烯酸環氧丙酯等含環氧基之單體。又，作為上述含官能基之單體，例如亦可列舉：丙烯酸異氰酸基乙酯、甲基丙烯酸異氰酸基乙酯等含異氰酸基之單體；丙烯酸胺基乙酯、甲基丙烯酸胺基乙酯等含胺基之單體等。
作為上述能夠共聚之其他改質用單體，例如可列舉通常用於(甲基)丙烯酸系聚合物之各種單體，如：乙酸乙烯酯、丙烯腈、苯乙烯等。
為了獲得上述含官能基之(甲基)丙烯酸系聚合物，只要使原料單體於聚合起始劑之存在下進行自由基反應即可。作為使上述原料單體進行自由基反應之方法、即聚合方法，使用以往公知之方法，例如可列舉：溶液聚合（沸點聚合或恆溫聚合）、乳化聚合、懸濁聚合、塊狀聚合等。 作為用於獲得上述含官能基之(甲基)丙烯酸系聚合物之自由基反應中所使用之聚合起始劑，並無特別限定，例如可列舉：有機過氧化物、偶氮化合物等。作為上述有機過氧化物，例如可列舉：1,1-雙(第三己基過氧化)-3,3,5-三甲基環己烷、過氧化三甲基乙酸第三己酯、過氧化三甲基乙酸第三丁酯、2,5-二甲基-2,5-雙(2-乙基己醯基過氧化)己烷、過氧化-2-乙基己酸第三己酯、過氧化-2-乙基己酸第三丁酯、過氧化異丁酸第三丁酯、過氧化-3,5,5-三甲基己酸第三丁酯、過氧化月桂酸第三丁酯等。作為上述偶氮化合物，例如可列舉：偶氮雙異丁腈、偶氮雙環己烷甲腈等。該等聚合起始劑可單獨使用，亦可併用2種以上。
作為與上述含官能基之(甲基)丙烯酸系聚合物反應之含官能基之不飽和化合物，根據上述含官能基之(甲基)丙烯酸系聚合物之官能基，可使用與上述含官能基之單體相同者。例如，於上述含官能基之(甲基)丙烯酸系聚合物之官能基為羧基之情形時，使用含環氧基之單體或含異氰酸基之單體。於上述含官能基之(甲基)丙烯酸系聚合物之官能基為羥基之情形時，使用含異氰酸基之單體。於上述含官能基之(甲基)丙烯酸系聚合物之官能基為環氧基之情形時，使用含羧基之單體或丙烯醯胺等含醯胺基之單體。於上述含官能基之(甲基)丙烯酸系聚合物之官能基為胺基之情形時，使用含環氧基之單體。
上述硬化型黏著劑層亦可含有自由基聚合性之多官能低聚物或單體。藉由含有自由基聚合性之多官能低聚物或單體，使得上述硬化型黏著劑層之光硬化性提高。 上述多官能低聚物或單體並無特別限定，較佳為重量平均分子量為1萬以下。基於藉由光照射或加熱使得上述硬化型黏著劑層高效率地形成三維網狀而言，上述多官能低聚物或單體較佳為重量平均分子量為5000以下且分子內之自由基聚合性之不飽和鍵之數量為2～20個。
作為上述多官能低聚物或單體，例如可列舉：三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四丙烯酸酯、新戊四醇三丙烯酸酯、新戊四醇四丙烯酸酯、二新戊四醇單羥基五丙烯酸酯、二新戊四醇六丙烯酸酯、及其等之甲基丙烯酸酯等。又，作為上述多官能低聚物或單體，例如亦可列舉：1,4-丁二醇二丙烯酸酯、1,6-己二醇二丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯、市售之寡酯丙烯酸酯、及其等之甲基丙烯酸酯等。該等多官能低聚物或單體可單獨使用，亦可併用2種以上。
上述硬化型黏著劑層較佳為含有紫外線吸收劑。 藉由硬化型黏著劑層含有紫外線吸收劑，可使後述之紫外線吸收率容易調節為特定之範圍。其結果為，上述步驟（3）中，可更無糊劑殘留地剝離晶片零件，可進一步提高良率。再者，於本說明書中，所謂紫外線吸收劑，只要可吸收波長200 nm～400 nm之光，則並無特別限定。又，上述利用紫外線之光反應起始劑係上述反應起始劑，同時亦涵蓋於上述紫外線吸收劑。
上述硬化型黏著劑層較佳為含有利用紫外線之光反應起始劑及利用紫外線之光反應起始劑以外之紫外線吸收劑。藉由使用上述利用紫外線之光反應起始劑，不僅起到作為上述反應起始劑之作用，而且當硬化型黏著劑層硬化時未進行反應而殘留下來之利用紫外線之反應起始劑在剝離時亦可用作紫外線吸收劑。進而，藉由亦併用光反應起始劑以外之紫外線吸收劑，即便當硬化型黏著劑層硬化時光反應起始劑被大量地消耗，仍可抑制紫外線吸收性之下降，可使後述之能量線照射後之紫外線吸收率容易調節為特定之範圍。
作為上述利用紫外線之光反應起始劑，例如可列舉藉由照射350～370 nm之波長之光而發生活化者。作為此類光聚合起始劑，例如可列舉：甲氧基苯乙酮等苯乙酮衍生物化合物；安息香丙醚、安息香異丁醚等安息香醚系化合物；二苯乙二酮二甲基縮酮、苯乙酮二乙基縮酮等縮酮衍生物化合物；膦氧化物衍生物化合物。又，亦可列舉：雙(η5-環戊二烯基)二茂鈦衍生物化合物、二苯甲酮、米其勒酮、氯-9-氧硫𠮿
Figure 110142192-001
（chlorothioxanthone）、十二烷基-9-氧硫𠮿
Figure 110142192-001
、二甲基-9-氧硫𠮿
Figure 110142192-001
、二乙基-9-氧硫𠮿
Figure 110142192-001
、α-羥基環己基苯基酮、2-羥甲基苯基丙烷等。該等利用紫外線之光反應起始劑可單獨使用，亦可併用2種以上。
上述利用紫外線之光反應起始劑之含量相對於上述聚合性聚合物100重量份，較佳為1重量份以上。 藉由使利用紫外線之光反應起始劑之含量為上述範圍，可使硬化型黏著劑層更確實地硬化，並且可使硬化後殘留下來之未反應之光反應起始劑之量容易調節為滿足後述紫外線吸收率之範圍之程度之量。相對於上述聚合性聚合物100重量份之上述利用紫外線之光反應起始劑之含量更佳為2重量份以上，進而較佳為3重量份以上。相對於上述聚合性聚合物100重量份之上述利用紫外線之光反應起始劑之含量之上限並無特別限定，例如較佳為10重量份以下、5重量份以下。
上述利用紫外線之光反應起始劑之含量相對於上述紫外線吸收劑之合計100重量%，較佳為50重量%以下。 藉由使利用紫外線之光反應起始劑之含量為上述範圍，即便當硬化型黏著劑層硬化時上述利用紫外線之光反應起始劑被大量地消耗，仍可充分地維持紫外線吸收性。相對於上述紫外線吸收劑之合計100重量%之上述利用紫外線之光反應起始劑之含量更佳為40重量%以下，進而較佳為30重量%以下。相對於上述紫外線吸收劑之合計之上述利用紫外線之光反應起始劑之含量之下限並無特別限定，例如較佳為15重量%。
作為上述利用紫外線之光反應起始劑以外之紫外線吸收劑，並無特別限定，例如除了可列舉苯并三唑系或羥基苯基三
Figure 110142192-002
系以外，還可列舉：甲氧基桂皮酸乙基己酯、甲氧基桂皮酸辛酯、對甲氧基桂皮酸乙基己酯、二乙基胺基羥基苯甲醯苯甲酸己酯、雙乙基己氧基苯酚甲氧基苯基三
Figure 110142192-002
、第三丁基甲氧基二苯甲醯甲烷等。其中，基於向黏著劑之摻合適用性優異而言，較佳為苯并三唑系或羥基苯基三
Figure 110142192-002
系。上述利用紫外線之光反應起始劑以外之紫外線吸收劑可單獨使用，亦可併用2種以上。
上述紫外線吸收劑之合計含量相對於上述聚合性聚合物100重量份，較佳為6重量份以上。 藉由使上述紫外線吸收劑之總含量為上述範圍，從而於上述步驟（3）時，可將刺激更有效率地使轉換為熱或振動，因此可更確實地剝離晶片零件。上述紫外線吸收劑之合計含量更佳為10重量份以上，進而較佳為15重量份以上。上述紫外線吸收劑之合計含量之上限並無特別限定，基於確保上述步驟（1）時之黏著力之觀點而言，較佳為30重量份以下。
上述硬化型黏著劑層亦可進而含有發煙二氧化矽（fumed silica）等無機填料。藉由含有無機填料，使得上述硬化型黏著劑層之凝聚力提昇，能夠以充分之黏著力貼附於被黏著體，從而可充分地固定被黏著體。
上述硬化型黏著劑層較佳為含有交聯劑。藉由含有交聯劑，使得上述硬化型黏著劑層之凝聚力提昇，能夠以充分之黏著力貼附於被黏著體，從而可充分地固定被黏著體。 上述交聯劑並無特別限定，例如可列舉：異氰酸酯系交聯劑、環氧系交聯劑、吖𠰂（aziridine）系交聯劑、金屬螯合物系交聯劑等。其中，基於黏著力進一步提高而言，較佳為異氰酸酯系交聯劑。
上述交聯劑之含量相對於構成上述硬化型黏著劑層之黏著劑100重量份，較佳為0.01重量份以上20重量份以下。藉由使上述交聯劑之含量為上述範圍內，可使上述黏著劑適度地交聯而提高黏著力。基於進一步提高黏著力之觀點而言，上述交聯劑之含量之更佳之下限為0.05重量份，更佳之上限為15重量份，進而較佳之下限為0.1重量份，進而較佳之上限為10重量份。
上述硬化型黏著劑層還可含有塑化劑、樹脂、界面活性劑、蠟、微粒子填充劑等公知之添加劑。該等添加劑可單獨使用，亦可併用2種以上。
上述硬化型黏著劑層之上述能量線照射前之於365 nm之波長之紫外線吸收率為95%以上。 藉由使能量線照射前之於365 nm之波長之紫外線吸收率為上述範圍，於使用利用紫外線之光反應起始劑作為紫外線吸收劑之情形時，即便當硬化型黏著劑層硬化時利用紫外線之光反應起始劑被消耗，仍可維持上述步驟（3）時可無糊劑殘留且容易地剝離晶片零件之程度的紫外線吸收性。上述能量線照射前之於365 nm之波長之紫外線吸收率較佳為98%以上，更佳為99%以上，進而較佳為99.5%以上。上述能量線照射前之於365 nm之波長之紫外線吸收率之上限並無特別限定，越高則越佳，但通常為100%以下。上述能量線照射前之於365 nm之波長之紫外線吸收率可藉由聚合性聚合物之種類或使用紫外線吸收劑來進行調節。再者，於上述支持帶為雙面黏著帶，且於兩面具有硬化型黏著劑層之情形時，上述紫外線吸收率係指與上述晶片零件相接之硬化型黏著劑層之紫外線吸收率。 上述能量線照射前之於365 nm之波長之紫外線吸收率可藉由使用紫外線照度計（EYE GRAPHICS公司製造、UVPF-A2、或其同等品）及UV燈來測定於365 nm之紫外線之吸收率（初始紫外線吸收率）而獲得。 更具體而言，首先，調整UV燈，以使於測定樣品之一面，於波長365 nm之照射量為20 mW/cm 2。利用紫外線照度計，對測定樣品之紫外線照射面（透射前）及另一面（透射後）之紫外線量進行測定，根據下述式算出紫外線吸收率。再者，照射UV燈30秒鐘後進行測定。 紫外線吸收率＝{（透射前紫外線量）－（透射後紫外線量）}/（透射前紫外線量）×100（%）
上述硬化型黏著劑層之上述能量線照射後之於365 nm之波長之紫外線吸收率為95%以上。 以往之製造方法中，若照射雷射來剝離晶片零件，則有時晶片零件中殘留有未被雷射燒盡之黏著劑，從而成為產生不良製品的原因。又，在以往之方法中，若黏著劑未燒盡，則有時亦無法剝離晶片零件。本發明中，藉由使能量線照射後之於365 nm之波長之紫外線吸收率為上述範圍，在上述步驟（3）中，可將刺激高效率地轉換為熱或振動，可使支持帶更確實地燒盡，可無糊劑殘留地剝離晶片零件。又，若可使支持帶更確實地燒盡，則可進一步提高良率。上述能量線照射後之於365 nm之波長之紫外線吸收率較佳為96%以上，更佳為99%以上。上述能量線照射前之於365 nm之波長之紫外線吸收率之上限並無特別限定，越高則越佳，但通常為100%以下。上述能量線照射後之於365 nm之波長之紫外線吸收率可藉由聚合性聚合物之種類或使用紫外線吸收劑來進行調節。再者，上述能量線照射後之於365 nm之波長之紫外線吸收率可藉由下述方式獲得，即，使用超高壓水銀紫外線照射器，向測定樣品以累計照射量為3000 mJ/cm 2之方式照射365 nm之紫外線之後，進行與上述能量線照射前之於365 nm之波長之紫外線吸收率相同之測定。
上述硬化型黏著劑層之上述能量線照射前之凝膠分率較佳為20重量%以上70重量%以下。藉由能量線照射前之凝膠分率為上述範圍內，能夠以充分之黏著力貼附於被黏著體，從而可充分地固定被黏著體。基於使黏著力變得良好之觀點而言，上述硬化型黏著劑層之凝膠分率更佳為30重量%以上，進而較佳為60重量%以下。
上述硬化型黏著劑層之上述能量線照射後之凝膠分率較佳為90%以上。 藉由能量線照射後之凝膠分率為上述範圍內，更不易造成糊劑殘留於晶片零件，並且能夠以更輕之力剝離晶片零件。上述能量線照射後之凝膠分率更佳為93%以上，進而較佳為95%以上。上述能量線照射後之凝膠分率之上限並無特別限定，基於抑制目標外之晶片零件之剝離之觀點而言，較佳為99%以下。
上述凝膠分率之測定可利用以下方法來進行。 自支持帶僅刮取硬化型黏著劑層，稱量後將其浸漬於乙酸乙酯50 ml中，藉由振盪機，於溫度23度、200 rpm之條件下振盪24小時（以下，將所刮取之黏著劑層稱為黏著劑組合物）。振盪後，使用金屬篩網（網眼#200目），使乙酸乙酯與吸收了乙酸乙酯而發生膨潤之黏著劑組合物分離。將分離後之黏著劑組合物於110℃之條件下乾燥1小時，測定乾燥後之包含金屬篩網之黏著劑組合物之重量。使用下述式算出硬化型黏著劑層之凝膠分率。 凝膠分率（重量%）＝100×（W1－W2）/W0 （W0：初始黏著劑組合物重量、W1：乾燥後之包含金屬篩網之黏著劑組合物重量、W2：金屬篩網之初始重量） 再者，能量線照射後之凝膠分率之測定係藉由下述方式進行：使用超高壓水銀紫外線照射器，自支持帶之基材側以累計照射量為3000 mJ/cm 2之方式照射365 nm之紫外線，而使硬化型黏著劑層硬化後，測定上述凝膠分率。
上述硬化型黏著劑層之上述能量線照射後之剝離力較佳為0.5 N/25 mm以下。 藉由使硬化型黏著劑層之能量線照射後之剝離力為上述範圍，能夠抑制糊劑殘留且容易地剝離晶片零件，因此可提高良率。上述硬化型黏著劑層之能量線照射後之剝離力更佳為0.3 N/25 mm以下，進而較佳為0.2 N/25 mm以下。再者，上述剝離力可藉由下述方式測定：使用超高壓水銀紫外線照射器，向測定樣品以累計照射量為3000 mJ/cm 2之方式照射365 nm之紫外線後，依據JIS Z0237，於23℃、50%濕度之環境下，以拉伸速度300 mm/分鐘之條件進行180°方向之剝離試驗。
上述硬化型黏著劑層之厚度並無特別限定，較佳為200 μm以下。若上述厚度為200 μm以下，則可進一步抑制上述硬化型黏著劑層之殘渣，並且可剝離上述晶片零件。上述厚度之更佳之上限為50 μm，進而較佳之上限為20 μm。上述厚度之下限並無特別限定，基於一面保持上述晶片零件一面良好地剝離之觀點而言，較佳之下限為2 μm，更佳之下限為5 μm。
上述支持帶可為單面黏著帶，亦可為雙面黏著帶。其中，於使用支持體之情形時，基於可簡便地貼合於支持體而言，上述支持帶較佳為雙面黏著帶。於上述支持帶為雙面黏著帶之情形時，上述支持帶只要至少單面為上述硬化型黏著劑層即可，另一單面可為硬化型黏著劑層亦可為非硬化型之黏著劑層。又，雙面黏著帶之黏著劑層中，兩面可均使用相同成分之黏著劑，亦可使用不同成分之黏著劑。
於上述支持帶為雙面黏著帶之情形時，上述雙面黏著帶之未配置上述晶片零件之面之於300～450 nm之能量線透射率較佳為90%以上。 藉由使雙面黏著帶之未配置晶片零件之面之於300～450 nm之能量線透射率為90%以上，即便於支持帶為由2種黏著劑層所構成之雙面黏著帶之情形時，於上述步驟（2）時，仍可使上述硬化型黏著劑層更確實地硬化。 上述雙面黏著帶之未配置上述晶片零件之面之於300～450 nm之能量線透射率更佳為95%以上。
又，上述支持帶可為具有基材之支承型，亦可為不具有基材之無支承型，但基於容易進行操作及裁剪而言，較佳為具有基材。上述基材並無特別限定，基於在上述步驟（2）中使上述硬化型黏著劑層更確實地硬化之觀點而言，於300～450 nm之能量線透射率較佳為90%以上，更佳為95%以上。
作為上述基材之材料，例如可列舉：聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚縮醛、聚醯胺、聚碳酸酯、聚伸苯醚（polyphenylene ether）、聚對苯二甲酸丁二酯、超高分子量聚乙烯、間規聚苯乙烯、聚芳酯、聚碸、聚醚碸、聚苯硫醚、聚醚醚酮、聚醯亞胺、聚醚醯亞胺、氟樹脂、液晶聚合物等。其中，基於耐熱性優異而言，較佳為聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯。
上述基材之厚度並無特別限定，較佳之下限為5 μm，較佳之上限為188 μm。藉由上述基材之厚度為上述範圍內，可製成具有適度之塑性，且操作性優異之支持帶。上述基材之厚度之更佳之下限為12 μm，更佳之上限為125 μm。
本發明之電子零件之製造方法之用途並無特別限定，無論是使用了何種晶片零件之電子零件，均能夠以較好之良率進行製造，由於本發明不易造成糊劑殘留於晶片零件，且能夠以更輕之力度剝離晶片零件，因此對於較難做到無糊劑殘留且以較好之良率轉印之極小之晶片零件而言，效果尤其高。因此，本發明適於使用微型LED作為晶片零件之顯示裝置之製造。 此種顯示裝置之製造方法亦為本發明之一，其具有以下之步驟：步驟（1），其係於至少一表面具有硬化型黏著劑層之支持帶之上述硬化型黏著劑層上配置微型LED晶片；步驟（2），其係自配置有上述微型LED晶片之上述支持帶之與上述微型LED晶片所積層之面為相反側之面照射能量線；及步驟（3），其係自上述支持帶之與上述微型LED晶片所積層之面為相反側之面施加刺激，使微型LED晶片自支持帶轉印至下一構件；且上述硬化型黏著劑層含有聚合性聚合物及反應起始劑，上述硬化型黏著劑層之上述能量線照射前之於365 nm之波長之紫外線吸收率為99%以上，上述能量線照射後之於365 nm之波長之紫外線吸收率為95%以上。 再者，關於硬化型黏著劑層、支持帶及各步驟之詳情，可使用與上述電子零件之製造方法相同者及方法。
本發明之電子零件之製造方法及顯示裝置之製造方法中，藉由使用能量線照射前後之於365 nm之波長之紫外線吸收率為特定範圍之支持帶，可抑制糊劑殘留於晶片零件及微型LED晶片，並且可自支持帶更確實地剝離晶片零件及微型LED晶片，從而可提高良率。 又，此種支持帶亦為本發明之一，其於至少一表面具有硬化型黏著劑層，且上述硬化型黏著劑層含有聚合性聚合物及反應起始劑，上述硬化型黏著劑層之能量線照射前之於365 nm之波長之紫外線吸收率為95%以上，上述能量線照射後之於365 nm之波長之紫外線吸收率為95%以上。
關於構成本發明之支持帶之上述硬化型黏著劑層之上述聚合性聚合物、上述反應起始劑及其他成分之組成或結構、上述支持帶之上述硬化型黏著劑層以外之構成或結構、上述能量線照射前之於365 nm之波長之紫外線吸收率及上述能量線照射後之於365 nm之波長之紫外線吸收率之測定方法，可使用與本發明之電子零件之製造方法相同者及方法。
本發明之支持帶之製造方法並無特別限定，例如可藉由下述方式進行製造：於上述聚合性聚合物之溶液中添加上述反應起始劑及視需要之紫外線吸收劑等其他添加劑並加以混合，藉此製備黏著劑溶液，將黏著劑溶液塗佈於脫模膜並加以乾燥，藉此製造由硬化型黏著劑層所構成之無支承型之支持帶。又，藉由將利用上述方法所製造之硬化型黏著劑層與基材貼合，或將上述黏著劑溶液塗佈於基材並加以乾燥，亦可製造支承型之單面及雙面支持帶。 [發明之效果]
根據本發明，可提供一種能夠抑制糊劑殘留於晶片零件且以較好之良率轉印晶片零件的電子零件之製造方法、使用該電子零件之製造方法之顯示裝置之製造方法、及該製造方法中所使用之支持帶。
以下，舉出實施例對本發明之形態進而詳細地進行說明，但本發明並不僅限定於該等實施例。
（聚合性聚合物之合成） 準備具備溫度計、攪拌機、冷卻管之反應器。於該反應器內加入作為(甲基)丙烯酸烷基酯之丙烯酸2-乙基己酯51重量份、丙烯酸異莰基酯37重量份、作為含官能基之單體之丙烯酸1重量份、甲基丙烯酸羥基乙酯19重量份、月桂硫醇0.01重量份、及乙酸乙酯80重量份之後，對反應器進行加熱而開始回流。接下來，於上述反應器內添加作為聚合起始劑之1,1-雙(第三己基過氧化)-3,3,5-三甲基環己烷0.01重量份，於回流下開始聚合。接著，自聚合開始起1小時後及2小時後，亦以0.01重量份為單位添加1,1-雙(第三己基過氧化)-3,3,5-三甲基環己烷，進而，自聚合開始起4小時後，添加過氧化三甲基乙酸第三己酯0.05重量份而使聚合反應繼續。然後，自聚合開始起8小時後，獲得固形物成分55重量%、重量平均分子量60萬之含官能基之(甲基)丙烯酸系聚合物之乙酸乙酯溶液。 相對於所獲得之含有含官能基之(甲基)丙烯酸系聚合物之乙酸乙酯溶液之樹脂固形物成分100重量份，添加甲基丙烯酸2-異氰酸基乙酯12重量份而進行反應，從而獲得(甲基)丙烯酸系聚合物（聚合性聚合物）之乙酸乙酯溶液。
（實施例1） （1）支持帶之製造1 相對於所獲得之聚合性聚合物之乙酸乙酯溶液之樹脂固形物成分（聚合性聚合物）100重量份，混合交聯劑（S-DINE硬化劑UA、SEKISUI FULLER公司製造）1.25重量份、光反應起始劑（利用紫外線之光反應起始劑、Omnirad 651、TOYOTSU CHEMIPLAS公司製造）1重量份、及紫外線吸收劑（Tinuvin 928、FUJIFILM Wako Pure Chemical公司製造）5重量份。藉此獲得硬化型黏著劑之乙酸乙酯溶液。 接著，將所獲得之硬化型黏著劑溶液以乾燥皮膜之厚度為20 μm之方式利用刮刀塗佈於經電暈處理之厚度50 μm之PET膜（基材）上，並於常溫靜置10分鐘。其後，使用預先加溫至110℃之烘箱，於110℃加熱5分鐘而使塗佈溶液乾燥，從而獲得具有硬化型黏著劑及基材之支持帶。
（2）剝離力之測定 利用乙醇將厚度1 mm之SUS板之表面進行洗淨，並充分地乾燥。將預先切割為寬度25 mm、長度10 cm之支持帶之硬化型黏著劑層側與SUS板重疊，使2 kg之輥往返1次，藉此獲得測定用樣品。 對於所獲得之測定樣品，使用Autograph（島津製作所公司製造），依據JISZ0237，於溫度23℃、相對濕度50%之環境下，以拉伸速度300 mm/分鐘沿180°方向剝離支持帶而進行剝離試驗，測定初始剝離力。 接著，使用超高壓水銀紫外線照射器，向利用同樣之方法所製得之另一測定用樣品之支持帶側，以累計照射量為3000 mJ/cm 2之方式照射365 nm之紫外線。以照射強度為100 mW/cm 2之方式調節照度。其後，利用與初始剝離力同樣之方法來進行剝離試驗，測定能量線照射後之剝離力。將結果示於表1中。
（3）紫外線吸收率之測定 利用上述方法製作僅硬化型黏著劑層之測定樣品。對於所獲得之測定樣品，使用紫外線照度計（EYE GRAPHICS公司製造、UVPF-A2）及UV燈，利用以下方法測定於365 nm之紫外線之吸收率（初始紫外線吸收率）。 調整UV燈，以使於測定樣品之一面，於波長365 nm之照射量為20 mW/cm 2。利用紫外線照度計，對測定樣品之紫外線照射面（透射前）及另一面（透射後）之紫外線量進行測定，根據下述式算出紫外線吸收率。再者，照射UV燈30秒鐘後進行測定。 紫外線吸收率＝{（透射前紫外線量）－（透射後紫外線量）}/（透射前紫外線量）×100（%） 接著，使用超高壓水銀紫外線照射器，向測定樣品以累計照射量為3000 mJ/cm 2之方式照射365 nm之紫外線。其後，利用同樣之方法測定365 nm之紫外線之吸收率（能量線照射後之紫外線吸收率）。將結果示於表1中。
（4）能量線照射後之凝膠分率之測定 將所獲得之支持帶切割為200 mm×200 mm。使用超高壓水銀紫外線照射器，自切割後之支持帶之基材側以累計照射量為3000 mJ/cm 2之方式照射365 nm之紫外線，而使硬化型黏著劑層硬化。接著，自經硬化之支持帶僅刮取硬化型黏著劑層，稱量0.1 g而將其浸漬於乙酸乙酯50 ml中，藉由振盪機，於溫度23度、200 rpm之條件下振盪24小時（以下，將所刮取之黏著劑層稱為黏著劑組合物）。振盪後，使用金屬篩網（網眼#200目），使乙酸乙酯與吸收了乙酸乙酯而發生膨潤之黏著劑組合物分離。將分離後之黏著劑組合物於110℃之條件下乾燥1小時。測定乾燥後之包含金屬篩網之黏著劑組合物之重量，使用下述式算出硬化型黏著劑層之能量線照射後之凝膠分率。將結果示於表1中。 凝膠分率（重量%）＝100×（W1－W2）/W0 （W0：初始黏著劑組合物重量、W1：乾燥後之包含金屬篩網之黏著劑組合物重量、W2：金屬篩網之初始重量）
（實施例2～6、比較例1、2） 如表1所示般設置光反應起始劑及紫外線吸收劑之摻合量，除此以外，與實施例1同樣地進行操作而獲得支持帶，並進行各測定。將結果示於表1中。
（實施例7） （支持帶之製造2） 相對於所獲得之聚合性聚合物之乙酸乙酯溶液之樹脂固形物成分（聚合性聚合物）100重量份，混合交聯劑（S-DINE硬化劑UA、SEKISUI FULLER公司製造）1.25重量份、光反應起始劑（利用紫外線之光反應起始劑、Omnirad TPO、TOYOTSU CHEMIPLAS公司製造）1重量份、及紫外線吸收劑（Tinuvin 479、FUJIFILM Wako Pure Chemical公司製造）5重量份。藉此獲得硬化型黏著劑之乙酸乙酯溶液。 接著，將所獲得之硬化型黏著劑溶液以乾燥皮膜之厚度變為20 μm之方式利用刮刀塗佈於經電暈處理之厚度50 μm之PET膜（基材）上，並於常溫靜置10分鐘。其後，使用預先加溫至110℃之烘箱，於110℃加熱5分鐘而使塗佈溶液乾燥，從而獲得具有硬化型黏著劑層及基材之支持帶。對於所獲得之支持帶，與實施例1同樣地進行各測定。將結果示於表1中。
＜評價＞ 對於實施例及比較例，利用以下方法進行評價。將結果示於表1中。
（晶片零件之處理） 將排列有10個Si晶片（500 μm×500 μm見方、厚度50 μm）之晶圓之Si晶片側之面與支持帶之硬化型黏著劑層側貼合，其後剝離晶圓，藉此使Si晶片轉印至支持帶上。接著，藉由使用高壓水銀紫外線照射裝置（GWSM-300R、Takatori公司製造），自支持帶之基材側，以累計照射量為3000 mJ/cm 2之方式照射365 nm之紫外線，從而使硬化型黏著劑層硬化。其後，使用半導體固體雷射，自支持帶之基材側向各Si晶片照射輸出4 W、4 KHz之365 nm之雷射，使Si晶片自支持帶剝離。
（1）剝離性能之評價 上述晶片零件之處理中，測定可剝離幾個Si晶片。 將可剝離全部10個Si晶片之情形設為「〇」，將可剝離8～9個Si晶片之情形設為「△」，將可剝離之Si晶片為7個以下之情形設為「×」，以此來評價晶片剝離性能。
（2）糊劑殘留之評價 上述晶片零件之處理後，利用顯微鏡對Si晶片表面進行觀察，確認有無糊劑殘留。將完全無糊劑殘留之情形設為「○」，將有些許糊劑殘留之情形（未達晶片之表面之20%）設為「△」，將有大量糊劑殘留之情形（晶片之表面之20%以上）設為「×」，以此來評價糊劑殘留。
[表1]
實施例1 實施例2 實施例3 實施例4 實施例5 實施例6 實施例7 比較例1 比較例2
硬化型黏著劑層組成 聚合性聚合物（重量份） 100 100 100 100 100 100 100 100 100
紫外線吸收劑（重量份） Tinuvin 928 5 6 4.5 4 5.5 6 - 4 3
Tinuvin 479 - - - - - - 5 - -
利用紫外線之 光反應起始劑（重量份） Omnirad 651 1 2 1 4.5 0.5 0.3 - 1 3
Omnirad TPO - - - - - - 1 - -
物性 初始剝離力（N/25 mm） 5 4 6 3.5 5.2 4.5 4.5 5.5 4.7
能量線照射後之剝離力 （N/25 mm） 0.2 0.1 0.3 0.1 0.4 0.55 0.2 0.2 0.2
初始紫外線吸收率（%） 99.3 99.8 98.5 99.9 99.3 99.6 99.4 97.2 99.6
能量線照射後之紫外線吸收率（%） 99 99.3 96.5 97.5 99.3 99.3 99.1 94.3 83.1
能量線照射後之凝膠分率（%） 92 95 95 96.5 87.6 84.3 93 93 97
評價 剝離性能 ○ ○ △ △ ○ △ ○ × ×
糊劑殘留 ○ ○ ○ ○ △ △ ○ ○ ×
[產業上之可利用性]
根據本發明，可提供一種能夠抑制糊劑殘留於晶片零件且以較好之良率轉印晶片零件的電子零件之製造方法、使用該電子零件之製造方法之顯示裝置之製造方法、及該製造方法中所使用之支持帶。
1:晶片零件 2:構件 3:支持帶 4:支持體 5:下一構件 6:光照射裝置 6a:光
[圖1]係示意性地表示本發明之電子零件之製造方法中之步驟（1）之一例之圖。 [圖2]係示意性地表示本發明之電子零件之製造方法中之步驟（1）之一例之圖。 [圖3]係示意性地表示本發明之電子零件之製造方法中之步驟（2）之一例之圖。 [圖4]係示意性地表示本發明之電子零件之製造方法中之步驟（3）之一例之圖。

Claims (14)

  1. 一種電子零件之製造方法， 其具有以下之步驟：步驟（1），其係於至少一表面具有硬化型黏著劑層之支持帶之上述硬化型黏著劑層上配置晶片零件； 步驟（2），其係自配置有上述晶片零件之上述支持帶之與上述晶片零件所積層之面為相反側之面照射能量線；及 步驟（3），其係自上述支持帶之與上述晶片零件所積層之面為相反側之面施加刺激，使晶片零件自支持帶轉印至下一構件；且 上述硬化型黏著劑層含有聚合性聚合物及反應起始劑， 上述硬化型黏著劑層之上述能量線照射前之於365 nm之波長之紫外線吸收率為95%以上， 上述能量線照射後之於365 nm之波長之紫外線吸收率為95%以上。
  2. 如請求項1之電子零件之製造方法，其中，上述能量線係300 nm以上450 nm以下之波長之光。
  3. 如請求項1或2之電子零件之製造方法，其中，上述刺激係300 nm以上370 nm以下之波長之雷射。
  4. 如請求項1至3中任一項之電子零件之製造方法，其中，上述硬化型黏著劑層含有紫外線吸收劑。
  5. 如請求項4之電子零件之製造方法，其中，上述硬化型黏著劑層含有利用紫外線之光反應起始劑、及利用紫外線之光反應起始劑以外之紫外線吸收劑。
  6. 如請求項4或5之電子零件之製造方法，其中，上述紫外線吸收劑之合計含量相對於上述聚合性聚合物100重量份為6重量份以上。
  7. 如請求項5或6之電子零件之製造方法，其中，上述利用紫外線之光反應起始劑之含量相對於上述聚合性聚合物100重量份為1重量份以上，相對於上述紫外線吸收劑之合計100重量%為50重量%以下。
  8. 如請求項1至7中任一項之電子零件之製造方法，其中，上述硬化型黏著劑層之上述能量線照射後之上述紫外線吸收率為99%以上。
  9. 如請求項1至8中任一項之電子零件之製造方法，其中，上述硬化型黏著劑層之上述能量線照射後之凝膠分率為90%以上。
  10. 如請求項1至9中任一項之電子零件之製造方法，其中，上述能量線照射後之上述硬化型黏著劑層之剝離力為0.5 N/25 mm以下。
  11. 如請求項1至10中任一項之電子零件之製造方法，其中，上述支持帶係雙面黏著帶，上述雙面黏著帶之未配置上述晶片零件之面之黏著劑層之300～450 nm之能量線透射率為90%以上。
  12. 如請求項1至11中任一項之電子零件之製造方法，其中，上述支持帶具有基材，上述基材之300～450 nm之能量線透射率為90%以上。
  13. 一種顯示裝置之製造方法， 其具有以下之步驟：步驟（1），其係於至少一表面具有硬化型黏著劑層之支持帶之上述硬化型黏著劑層上配置微型LED晶片； 步驟（2），其係自配置有上述微型LED晶片之上述支持帶之與上述微型LED晶片所積層之面為相反側之面照射能量線；及 步驟（3），其係自上述支持帶之與上述微型LED晶片所積層之面為相反側之面施加刺激，使微型LED晶片自支持帶轉印至下一構件；且 上述硬化型黏著劑層含有聚合性聚合物及反應起始劑， 上述硬化型黏著劑層之上述能量線照射前之於365 nm之波長之紫外線吸收率為99%以上， 上述能量線照射後之於365 nm之波長之紫外線吸收率為95%以上。
  14. 一種支持帶，其於至少一表面具有硬化型黏著劑層，且 上述硬化型黏著劑層含有聚合性聚合物及反應起始劑， 上述硬化型黏著劑層之能量線照射前之於365 nm之波長之紫外線吸收率為95%以上， 上述能量線照射後之於365 nm之波長之紫外線吸收率為95%以上。
TW110142192A 2020-11-13 2021-11-12 電子零件之製造方法、顯示裝置之製造方法、及支持帶 TW202235576A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020189556 2020-11-13
JPJP2020-189556 2020-11-13

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW202235576A true TW202235576A (zh) 2022-09-16

Family

ID=81601296

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW110142192A TW202235576A (zh) 2020-11-13 2021-11-12 電子零件之製造方法、顯示裝置之製造方法、及支持帶

Country Status (5)

Country Link
EP (1) EP4227378A1 (zh)
JP (2) JP7256333B2 (zh)
CN (1) CN116438274A (zh)
TW (1) TW202235576A (zh)
WO (1) WO2022102691A1 (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022244756A1 (ja) * 2021-05-17 2022-11-24 積水化学工業株式会社 粘着テープ
WO2023243475A1 (ja) * 2022-06-17 2023-12-21 日産化学株式会社 光照射剥離用の接着剤組成物、積層体、及び加工された半導体基板又は電子デバイス層の製造方法
WO2024062974A1 (ja) * 2022-09-22 2024-03-28 日産化学株式会社 光照射剥離用の剥離剤組成物、積層体、及び加工された半導体基板の製造方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3959988B2 (ja) 2001-06-27 2007-08-15 ソニー株式会社 素子の転写方法
JP2005005494A (ja) * 2003-06-12 2005-01-06 Sony Corp チップ部品の実装方法及び実装基板
JP2007238802A (ja) * 2006-03-09 2007-09-20 Sekisui Chem Co Ltd 電子部品の加工方法
WO2012133760A1 (ja) * 2011-03-30 2012-10-04 ボンドテック株式会社 電子部品実装方法、電子部品実装システムおよび基板
JP2015056446A (ja) * 2013-09-10 2015-03-23 古河電気工業株式会社 半導体ウエハ表面保護用粘着テープおよび半導体ウエハの加工方法
JP6446205B2 (ja) * 2014-08-29 2018-12-26 大倉工業株式会社 床面養生用シート
KR102369934B1 (ko) * 2017-06-23 2022-03-03 삼성전자주식회사 칩 실장장치 및 이를 이용한 칩 실장방법
JP2019015899A (ja) 2017-07-10 2019-01-31 株式会社ブイ・テクノロジー 表示装置の製造方法、チップ部品の転写方法、および転写部材
JP6916525B2 (ja) 2018-02-06 2021-08-11 株式会社ブイ・テクノロジー Ｌｅｄディスプレイの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2023098907A (ja) 2023-07-11
CN116438274A (zh) 2023-07-14
JPWO2022102691A1 (zh) 2022-05-19
JP7256333B2 (ja) 2023-04-11
EP4227378A1 (en) 2023-08-16
WO2022102691A1 (ja) 2022-05-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW202235576A (zh) 電子零件之製造方法、顯示裝置之製造方法、及支持帶
JP2010202833A (ja) 電子部品加工用粘着テープ
JP7510300B2 (ja) 粘着テープ
TWI821492B (zh) 黏著帶
JP2017125093A (ja) 半導体保護テープ及びウエハの処理方法
WO2019221065A1 (ja) 粘着テープ及び電子部品の製造方法
JP2018147988A (ja) 半導体チップの製造方法
JP6364200B2 (ja) 電子部品用粘着テープ、電子部品の製造方法及びイメージセンサの製造方法
JP2007238802A (ja) 電子部品の加工方法
JP2019070094A (ja) 両面粘着テープ及び半導体装置の製造方法
TW201013799A (en) Manufacturing process for semiconductor article
WO2021182318A1 (ja) 電子部品の製造方法、及び、表示装置の製造方法
JP2011077391A (ja) 積層セラミックコンデンサの製造方法
JP5328132B2 (ja) 半導体加工用テープ
JP6572043B2 (ja) 半導体ウェハ保護用フィルム
JP2018147987A (ja) 半導体チップの製造方法及び粘着テープ
TW202106831A (zh) 黏著帶
JP2010222493A (ja) 電子部品加工用粘着テープ
JP6789057B2 (ja) 両面粘着テープ及びウエハの処理方法
WO2023068315A1 (ja) 粘着テープ
JP4619212B2 (ja) 粘着テープの剥離方法及び粘着テープ剥離装置
JP7348838B2 (ja) 粘着テープ
JP2017082094A (ja) 半導体加工用両面粘着テープ
JP7100957B2 (ja) 半導体保護テープ
JP2009246011A (ja) 両面粘着テープ