JP2009246011A - 両面粘着テープ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基材の両面に粘着剤層が形成された半導体加工用の両面粘着テープであって、前記基材は、23℃における窒素ガス透過性が100×10−17mol・m−1s−1Pa−1以上であり、一方の粘着剤層は、アジド化合物を含有し、かつ、反応性二重結合を有する化合物を含有しないものであり、他方の粘着剤層は、刺激によって硬化する粘着剤からなる半導体加工用両面粘着テープである。
【選択図】図1
Description
例えば、ICチップの製造工程において、高純度なシリコン単結晶等から切り出した厚膜ウエハを所定の厚さにまで研削して薄膜ウエハとする場合に、厚膜ウエハを支持板に接着して補強することにより、効率よく作業を進めることが提案されている。このとき厚膜ウエハと支持板とを接着するための両面粘着テープとしては、研削工程中には強固に接着する一方で、研削工程終了後には得られた薄膜ウエハを損傷することなく支持板から剥がせることが求められる。また、同様にICチップの製造方法において、研削済のウエハをダイシングする際に用いるダイシングテープにも、ダイシング工程中には強固に接着する一方で、ダイシング工程終了後には得られたICチップを損傷することなくダイシングテープから剥がせることが求められる。
このように、いったん接着に用いた粘着テープは、接着力が強固であるほど、被着体を損傷することなく剥がすことが困難であるという問題点があった。
以下に本発明を詳述する。
本発明者らは、鋭意検討の結果、(メタ)アクリル樹脂にアジド化合物を含有させた場合には、アジド化合物が(メタ)アクリレート基と反応することにより気体発生性能を失ってしまうことを見出した。
上記基材は、23℃における窒素ガス透過性の下限が100×10−17mol・m−1s−1Pa−1である。100×10−17mol・m−1s−1Pa−1未満であると、アジド化合物から発生した窒素ガスが基材を透過できず、充分な剥離性能を発揮することができない。好ましい下限は500×10−17mol・m−1s−1Pa−1である。
上記基材としては、また、光を透過又は通過するものであることが好ましい。
上記アジド化合物としては特に限定されず、例えば、3−アジドメチル−3−メチルオキセタン、テレフタルアジド、p−tert−ブチルベンズアジド;3−アジドメチル−3−メチルオキセタンを開環重合することにより得られるグリシジルアジドポリマー(GAP)等のアジド基を有するポリマー等が挙げられる。これらのアジド化合物は、主に波長400nm以下の紫外線領域の光を照射することにより窒素ガスを発生する。
なお、上記アジド化合物がアジド化合物含有層中に溶解していることは、電子顕微鏡によりアジド化合物含有層を観察したときにアジド化合物の粒子が見あたらないことにより確認することができる。
また、樹脂の安定性を高めるために熱安定剤、酸化防止剤を配合させてもよい。このような添加剤としては、例えばフェノール系酸化防止剤、アミン系酸化防止剤、硫黄系酸化防止剤、リン系酸化防止剤、有機スズ系安定剤、鉛系安定剤等が挙げられる。これらの添加剤は、単独で用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。
上記光増感剤としては特に限定されないが、例えば、チオキサントン増感剤等が好適である。
なお、本明細書において、ゲル分率は、ゲル分の含有量のことを意味し、例えば、(メタ)アクリル系樹脂をテトラヒドロフランに浸漬した後、乾燥させたものの重量と、浸漬前の(メタ)アクリル系樹脂の重量との比を測定することにより求めることができる。
上記刺激によって硬化する粘着剤としては、例えば、光硬化型接着剤等が挙げられる。
上記光硬化型粘着剤としては、従来公知のものを用いることができる。具体的には、例えば、分子内にラジカル重合性の不飽和結合を有する(メタ)アクリル酸アルキルエステル系の重合性ポリマーと、ラジカル重合性の多官能オリゴマー又はモノマーとを主成分とし、必要に応じて光重合開始剤を含んでなる光硬化型粘着剤を用いたもの等が挙げられる。
この場合、本発明の両面粘着テープの上記アジド化合物含有層を支持板に、上記硬化性粘着剤層をウエハに接着させる。これにより、スパッタリング等の高温工程に供した場合にも剥離性能を失うことがなく、剥離時には刺激を与えることで容易に支持板及び両面粘着テープを半導体ウエハから剥離することができる。
図1では、半導体ウエハ3は、両面粘着テープ1を介して支持板2に固定されている。両面粘着テープ1は、基材11と、その両面に形成されたアジド化合物含有層12及び硬化性粘着剤層13とを有する。アジド化合物含有層12は支持板2に、硬化性粘着剤層13は半導体ウエハ3に接着されている(図1(a))。
ここで、支持板2側から紫外線を照射すると、アジド化合物含有層12に含まれるアジド化合物よりN2ガスが発生する。基材11はN2ガス透過性に優れることから、アジド化合物含有層12において発生したN2ガスは基材11を透過し、更に硬化性粘着剤層13も透過して、硬化性粘着剤層13と半導体ウエハ3との界面に放出される(図1(b))。紫外線照射により硬化性粘着剤層13は硬化して粘着力を失っていることから、N2ガスによる圧力により硬化性粘着剤層13と半導体ウエハ3との界面において容易に剥離が起こる(図1(c))。
(1)アジド化合物含有層用粘着剤の調製
下記の化合物を酢酸エチルに溶解させ、紫外線を照射して重合を行い、重量平均分子量60万のアクリル共重合体を得た。
・2−エチルへキシルアクリレート 97.5重量部
・2−ヒドロキシエチルアクリレート 2.5重量部
・アクリル酸 2.0重量部
・光重合開始剤 0.2重量部
更に、反応後のアクリル共重合体を含む酢酸エチル溶液の樹脂固形分100重量部に対して、ベンゾフェノン0.5重量部、ポリイソシアネート2重量部、グリシジルアジドポリマー(GAP5003;日本油脂社製)を10重量部、2,4−ジエチルチオキサントン5重量部を混合して、アジド化合物を含有するアジド化合物含有層用粘着剤の酢酸エチル溶液を調製した。
下記の化合物を酢酸エチルに溶解させ、紫外線を照射して重合を行い、重量平均分子量70万のアクリル共重合体からなる光硬化性粘着剤の酢酸エチル溶液を得た。
・2エチルヘキシルアクリレート 91重量部
・ブチルアクリレート 3重量部
・アクリル酸 2重量部
・2−ヒドロキシエチルアクリレート 4重量部
・光重合開始剤 0.2重量部
(イルガキュア651、50%酢酸エチル溶液)
・ラウリルメルカプタン 0.01重量部
得られた光硬化性粘着剤の酢酸エチル溶液の樹脂固形分100重量部に対して、2−イソシアナトエチルメタクリレート3.5重量部を加えて反応させ、更に、反応後の酢酸エチル溶液の樹脂固形分100重量部に対して、光重合開始剤(イルガキュア651)5重量部、ポリイソシアネート1.0重量部を混合し硬化性粘着剤層用粘着剤の酢酸エチル溶液を調製した。
アジド化合物含有層用粘着剤の酢酸エチル溶液を、厚さ100μmの多孔性オレフィン基材(23℃における窒素ガス透過性が100×10−17mol・m−1s−1Pa−1)の一方の面上に乾燥皮膜の厚さが約30μmとなるようにドクターナイフで塗工し、110℃、5分間加熱して溶剤を揮発させ塗工溶液を乾燥させた。乾燥後の粘着剤層は乾燥状態で粘着性を示した。乾燥後の支持板側粘着剤層の表面に離型処理が施されたPETフィルムをラミネートした。
次に、硬化性粘着剤層用粘着剤の酢酸エチル溶液を、表面に離型処理が施されたPETフィルムの上に乾燥皮膜の厚さが約30μmとなるようにドクターナイフで塗工し110℃、5分間加熱して溶剤を揮発させ塗工溶液を乾燥させた。乾燥後のウエハ側粘着剤層は乾燥状態で粘着性を示した。
次いで、アジド化合物含有層を設けた多孔性オレフィン基材のアジド化合物含有層のない面と、硬化性粘着剤層を設けた離型処理が施されたPETフィルムの硬化性粘着剤層の面とを貼り合わせた。その後、40℃、3日間静置して養生を行った。これにより両面に粘着剤層が設けられ、その表面が離型処理が施されたPETフィルムで保護された両面粘着テープを得た。
両面粘着テープの硬化性粘着剤層を保護するPETフィルムを剥がし、直径20cm、厚さ約750μmであって、高さ15μm、幅100μmの溝を有する回路が形成されたシリコンウエハに貼り付け、一方、アジド化合物含有層を保護するPETフィルムを剥がし、直径20.4cmのガラス板を真空プレス機を用いて粘着剤層に貼り付けてサンプルを作製した。
熱処理後のサンプルをシリコンウエハ側が下になるように設置した後、ガラス板側から超高圧水銀灯を用いて、波長365nmの紫外線をガラス板表面への照射強度が40mW/cm2となるよう照度を調節して照射した。
ガラス側から目視により観察したところ、シリコンウエハと両面粘着テープとが完全に剥離していた。
11 基材
12 アジド化合物含有層
13 硬化性粘着剤層
2 支持板
3 半導体ウエハ
Claims (1)
- 基材の両面に粘着剤層が形成された半導体加工用の両面粘着テープであって、
前記基材は、23℃における窒素ガス透過性が100×10−17mol・m−1s−1Pa−1以上であり、
一方の粘着剤層は、アジド化合物を含有し、かつ、反応性二重結合を有する化合物を含有しないものであり、
他方の粘着剤層は、刺激によって硬化する粘着剤からなる
ことを特徴とする半導体加工用両面粘着テープ。
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JP2012209545A (ja) * | 2011-03-17 | 2012-10-25 | Sekisui Chem Co Ltd | 半導体積層体の製造方法 |
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2008
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