JP3146888B2 - 電子部品の仮止め用ボンド - Google Patents
電子部品の仮止め用ボンドInfo
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- electronic component
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/303—Surface mounted components, e.g. affixing before soldering, aligning means, spacing means
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3431—Leadless components
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- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子部品の仮止め用ボ
ンドに関するものである。
ンドに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、基板に電子部品を面実装（特に両
面実装）する際、電子部品の仮止め用ボンドが用いられ
ている。この電子部品の仮止め用ボンドは、基板の回路
パターンにクリーム半田を塗布した後、基板に塗られ、
次に搭載される電子部品の下面と基板との間に介在し
て、クリーム半田の溶融固化が完了するまで、電子部品
を仮接着するために使用される。
面実装）する際、電子部品の仮止め用ボンドが用いられ
ている。この電子部品の仮止め用ボンドは、基板の回路
パターンにクリーム半田を塗布した後、基板に塗られ、
次に搭載される電子部品の下面と基板との間に介在し
て、クリーム半田の溶融固化が完了するまで、電子部品
を仮接着するために使用される。
【０００３】以下従来の電子部品の仮止め用ボンドを用
いた工程について、図７、図８を参照しながら説明す
る。図７（ａ）〜（ｅ）は従来の工程を電子部品の上方
からみた工程説明図、図８（ａ）〜（ｅ）は従来の工程
を電子部品の側方からみた工程説明図である。
いた工程について、図７、図８を参照しながら説明す
る。図７（ａ）〜（ｅ）は従来の工程を電子部品の上方
からみた工程説明図、図８（ａ）〜（ｅ）は従来の工程
を電子部品の側方からみた工程説明図である。
【０００４】まず図７（ａ）、図８（ａ）に示すよう
に、電子部品の一例としての角チップ４をクリーム半田
３、従来の仮止め用ボンド５の上に搭載した状態から説
明する。なお、１は基板、２は基板１に形成された回路
パターンであり、回路パターン２の上にクリーム半田３
が塗布されている。以下クリーム半田３を用いて角チッ
プ４の固着を行う場合を述べるが、クリーム半田３でな
く半田レベラ工法や半田メッキ工法等による場合にも、
同様の問題点がある。
に、電子部品の一例としての角チップ４をクリーム半田
３、従来の仮止め用ボンド５の上に搭載した状態から説
明する。なお、１は基板、２は基板１に形成された回路
パターンであり、回路パターン２の上にクリーム半田３
が塗布されている。以下クリーム半田３を用いて角チッ
プ４の固着を行う場合を述べるが、クリーム半田３でな
く半田レベラ工法や半田メッキ工法等による場合にも、
同様の問題点がある。
【０００５】さて、図７（ａ）、図８（ａ）に示すよう
に、一般に角チップ４はいわゆる理想位置にあるように
実装されず、傾きや位置ずれを生じていることが多い。
この傾きや位置ずれなどは、半田が溶融した際における
セルフアライメント（溶けた半田の表面張力によって位
置ずれを生じている電子部品が正規の位置に戻る現象）
によって矯正されるように予定されている。
に、一般に角チップ４はいわゆる理想位置にあるように
実装されず、傾きや位置ずれを生じていることが多い。
この傾きや位置ずれなどは、半田が溶融した際における
セルフアライメント（溶けた半田の表面張力によって位
置ずれを生じている電子部品が正規の位置に戻る現象）
によって矯正されるように予定されている。
【０００６】また、従来の仮止め用ボンド５は、角チッ
プ４を早めに仮接着すべく、硬化開始温度が半田の融点
よりも低くなっており、半田が溶ける前に硬化する。
プ４を早めに仮接着すべく、硬化開始温度が半田の融点
よりも低くなっており、半田が溶ける前に硬化する。
【０００７】さて図７（ｂ）、図８（ｂ）に示すよう
に、基板１をリフロー装置などの加熱手段に入れ、半田
の融点よりも低い温度（約１５０℃）で加熱すると仮止
め用ボンド５が硬化する（図７（ｃ）、図８（ｃ））。
ここで、クリーム半田３は未だ融点に達していないの
で、セルフアライメントは発生しない。従って、角チッ
プ４は、硬化した仮止め用ボンド５により位置ずれなど
を生じたまま、位置を拘束されてしまう。
に、基板１をリフロー装置などの加熱手段に入れ、半田
の融点よりも低い温度（約１５０℃）で加熱すると仮止
め用ボンド５が硬化する（図７（ｃ）、図８（ｃ））。
ここで、クリーム半田３は未だ融点に達していないの
で、セルフアライメントは発生しない。従って、角チッ
プ４は、硬化した仮止め用ボンド５により位置ずれなど
を生じたまま、位置を拘束されてしまう。
【０００８】そして、図７（ｄ）、図８（ｄ）に示すよ
うに、さらに加熱して、半田の融点（通常１８３℃）に
達すると、クリーム半田３は溶けた半田６となる。ここ
で、半田が溶けると若干体積が減少し、溶けた半田６は
その表面張力により回路パターン２付近（すなわち下
方）に丸く凝集する。この際、クリーム半田３の量がわ
ずかでも少ないと、角チップ４は仮止め用ボンド５によ
って、上下方向についての移動を規制されているので、
溶けた半田６が完全に角チップ４から離れてしまい（こ
の現象を半田オープンという）、角チップ４は接続不良
になる。
うに、さらに加熱して、半田の融点（通常１８３℃）に
達すると、クリーム半田３は溶けた半田６となる。ここ
で、半田が溶けると若干体積が減少し、溶けた半田６は
その表面張力により回路パターン２付近（すなわち下
方）に丸く凝集する。この際、クリーム半田３の量がわ
ずかでも少ないと、角チップ４は仮止め用ボンド５によ
って、上下方向についての移動を規制されているので、
溶けた半田６が完全に角チップ４から離れてしまい（こ
の現象を半田オープンという）、角チップ４は接続不良
になる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、従来
の仮止め用ボンドは、セルフアライメントを阻害するば
かりでなく半田オープンを招きやすいという問題点があ
った。
の仮止め用ボンドは、セルフアライメントを阻害するば
かりでなく半田オープンを招きやすいという問題点があ
った。
【００１０】そこで本発明は、セルフアライメントを阻
害せず、確実な半田付けを実現できる電子部品の仮止め
用ボンドを提供することを目的とする。
害せず、確実な半田付けを実現できる電子部品の仮止め
用ボンドを提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、加熱によって
硬化することにより基板の回路パターン上の半田上に搭
載された電子部品を基板に仮止めする電子部品の仮止め
用ボンドであって、半田溶融時における電子部品を保持
する保持力がセルフアライメントを阻害しない程度に低
くなり且つ仮止めボンドが硬化して電子部品を仮接着す
る温度が半田の融点より高いことを特徴とする電子部品
の仮止め用ボンドである。
硬化することにより基板の回路パターン上の半田上に搭
載された電子部品を基板に仮止めする電子部品の仮止め
用ボンドであって、半田溶融時における電子部品を保持
する保持力がセルフアライメントを阻害しない程度に低
くなり且つ仮止めボンドが硬化して電子部品を仮接着す
る温度が半田の融点より高いことを特徴とする電子部品
の仮止め用ボンドである。
【００１２】
【作用】上記構成において、基板が加熱されて半田が溶
融し、電子部品のセルフアライメントが行われるとき
は、仮止め用ボンドの電子部品の保持力は弱いので、セ
ルフアライメントは確実に行われ、電子部品の位置ずれ
は矯正される。その後、仮止め用ボンドは硬化し、電子
部品は基板に仮接着される。
融し、電子部品のセルフアライメントが行われるとき
は、仮止め用ボンドの電子部品の保持力は弱いので、セ
ルフアライメントは確実に行われ、電子部品の位置ずれ
は矯正される。その後、仮止め用ボンドは硬化し、電子
部品は基板に仮接着される。
【００１３】
【実施例】次に図面を参照しながら、本発明の実施例を
説明する。ここで、従来の技術を示す図７〜図８の構成
要素と同様の構成要素については同一符号を付すことに
より、説明を省略する。
説明する。ここで、従来の技術を示す図７〜図８の構成
要素と同様の構成要素については同一符号を付すことに
より、説明を省略する。
【００１４】まず、本明細書に言う広がり率を定義す
る。図１（ａ）〜（ｃ）は、本発明の一実施例における
広がり率の説明図である。
る。図１（ａ）〜（ｃ）は、本発明の一実施例における
広がり率の説明図である。
【００１５】まず図１（ａ）に示すように、ガラスエポ
キシからなる主剤１ａにレジスト膜１ｂが形成された基
板１のレジスト膜１ｂ上に、約０．５ｍｇの仮止め用ボ
ンド７を点状に塗布し、約５分間放置した時の仮止め用
ボンド７の広がりＤ１（直径）を計測する。この時の温
度は室温（２５℃）である。次に仮止め用ボンド７が塗
布された基板１を加熱炉に入れ、図１（ｂ）に示すよう
に条件温度（１５０℃）で３０秒間加熱する。次に加熱
された基板１を加熱炉から取り出して、仮止め用ボンド
７の広がりＤ２（直径）を計測する。そして広がり率
は、次の式で求める。
キシからなる主剤１ａにレジスト膜１ｂが形成された基
板１のレジスト膜１ｂ上に、約０．５ｍｇの仮止め用ボ
ンド７を点状に塗布し、約５分間放置した時の仮止め用
ボンド７の広がりＤ１（直径）を計測する。この時の温
度は室温（２５℃）である。次に仮止め用ボンド７が塗
布された基板１を加熱炉に入れ、図１（ｂ）に示すよう
に条件温度（１５０℃）で３０秒間加熱する。次に加熱
された基板１を加熱炉から取り出して、仮止め用ボンド
７の広がりＤ２（直径）を計測する。そして広がり率
は、次の式で求める。
【００１６】 広がり率＝１００×（Ｄ２−Ｄ１）／Ｄ１（％） 次に本実施例の仮止め用ボンド７の組成を（表１）を参
照しながら説明する。本実施例の仮止め用ボンド７の配
合例は、（表１）に示すとおりである。
照しながら説明する。本実施例の仮止め用ボンド７の配
合例は、（表１）に示すとおりである。
【００１７】
【表１】
【００１８】すなわち、主剤について、従来の仮止め用
ボンド５では、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂のみで
あったものを、本実施例の仮止め用ボンド７では、第１
例として、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂を８０重量
％、多官能型エポキシ樹脂を２０重量％としている。又
第２例として、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂を７０
重量％、多官能型エポキシ樹脂を３０重量％としてい
る。またフィラーについても、従来品では５０重量％で
あったものを、第１例では１０重量％、第２例では５重
量％としている。
ボンド５では、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂のみで
あったものを、本実施例の仮止め用ボンド７では、第１
例として、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂を８０重量
％、多官能型エポキシ樹脂を２０重量％としている。又
第２例として、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂を７０
重量％、多官能型エポキシ樹脂を３０重量％としてい
る。またフィラーについても、従来品では５０重量％で
あったものを、第１例では１０重量％、第２例では５重
量％としている。
【００１９】このように多官能型エポキシ樹脂を配合
し、かつフィラーの量を少なくすることにより、従来品
に比べて室温時では同等の粘度を保ち、１５０℃付近で
は低い粘度をもつようになり、広がりやすくなる。
し、かつフィラーの量を少なくすることにより、従来品
に比べて室温時では同等の粘度を保ち、１５０℃付近で
は低い粘度をもつようになり、広がりやすくなる。
【００２０】硬化剤は、従来２−メチルイミダゾールを
５重量％入れていたが、本実施例の仮止め用ボンド７で
は、２，４−ジアミノ−６−［２−ウンデシルイミダゾ
ール−（１）］−エチル−Ｓ−トリアジンを５重量％入
れている。これにより、仮止め用ボンド７の硬化条件を
従来品では１５０℃３０秒であったものを２００℃３０
秒以内とし、半田が溶融した後で仮止め用ボンド７が硬
化するようにしている。これにより、溶融した半田によ
る電子部品のセルフアライメントを妨げないといった効
果がある。このほか、硬化剤として、イソフタル酸ヒド
ラシド、２，４−ジアミノ−６−［２−ウンデシルイミ
ダゾリル−（１）］−エチル−Ｓ−トリアジン、ジシア
ンジアミド、２，４−ジアミノ−６−［２−エチル−４
−メチルイミダゾリル−（１）］−エチル−Ｓ−トリア
ジン、ジアミノマレオニトリルの一種又は二種以上の組
み合わせを用いても、同様の作用効果が得られる。
５重量％入れていたが、本実施例の仮止め用ボンド７で
は、２，４−ジアミノ−６−［２−ウンデシルイミダゾ
ール−（１）］−エチル−Ｓ−トリアジンを５重量％入
れている。これにより、仮止め用ボンド７の硬化条件を
従来品では１５０℃３０秒であったものを２００℃３０
秒以内とし、半田が溶融した後で仮止め用ボンド７が硬
化するようにしている。これにより、溶融した半田によ
る電子部品のセルフアライメントを妨げないといった効
果がある。このほか、硬化剤として、イソフタル酸ヒド
ラシド、２，４−ジアミノ−６−［２−ウンデシルイミ
ダゾリル−（１）］−エチル−Ｓ−トリアジン、ジシア
ンジアミド、２，４−ジアミノ−６−［２−エチル−４
−メチルイミダゾリル−（１）］−エチル−Ｓ−トリア
ジン、ジアミノマレオニトリルの一種又は二種以上の組
み合わせを用いても、同様の作用効果が得られる。
【００２１】次に添加剤については、第１例、第２例と
もに水添ヒマシ油を１重量％加えている。これらの添加
剤は、主剤の室温時の粘度を高く保つが、１５０℃付近
ではその効果がなくなるため、高温（約１５０℃）で仮
止め用ボンド７の粘度が下がってだれるようになる。つ
まり前述した広がり率を大きくするといった効果があ
る。また第１例や第２例では、従来品に比べてフィラー
の量が少ないので、仮止め用ボンド７は一段とだれやす
くなっている。仮止め用ボンド７がだれると電子部品の
保持力も弱くなるので、溶けた半田のセルフアライメン
ト作用によって電子部品は容易にその位置を変えること
ができる。なお、水添ヒマシ油に代えて脂肪酸アマイド
ワックス、有機ベントナイト、ゼラチン、ベンズアルデ
ヒド縮合体、セルロースの少なくとも１種を配合しても
よい。
もに水添ヒマシ油を１重量％加えている。これらの添加
剤は、主剤の室温時の粘度を高く保つが、１５０℃付近
ではその効果がなくなるため、高温（約１５０℃）で仮
止め用ボンド７の粘度が下がってだれるようになる。つ
まり前述した広がり率を大きくするといった効果があ
る。また第１例や第２例では、従来品に比べてフィラー
の量が少ないので、仮止め用ボンド７は一段とだれやす
くなっている。仮止め用ボンド７がだれると電子部品の
保持力も弱くなるので、溶けた半田のセルフアライメン
ト作用によって電子部品は容易にその位置を変えること
ができる。なお、水添ヒマシ油に代えて脂肪酸アマイド
ワックス、有機ベントナイト、ゼラチン、ベンズアルデ
ヒド縮合体、セルロースの少なくとも１種を配合しても
よい。
【００２２】次に図４を参照しながら、本実施例の仮止
め用ボンド７の広がり率について説明する。図４は、半
田付け工程における本発明の一実施例における仮止め用
ボンドの広がり率を示すグラフである。図４に示すよう
に、この広がり率は、半田の融点より低い１３０℃程度
で急上昇し半田の融点付近で１００％以上となってい
る。すなわち、半田の融点の前後で電子部品の上下方向
及び水平面内の移動を許容することを示している。
め用ボンド７の広がり率について説明する。図４は、半
田付け工程における本発明の一実施例における仮止め用
ボンドの広がり率を示すグラフである。図４に示すよう
に、この広がり率は、半田の融点より低い１３０℃程度
で急上昇し半田の融点付近で１００％以上となってい
る。すなわち、半田の融点の前後で電子部品の上下方向
及び水平面内の移動を許容することを示している。
【００２３】また本発明者らは、本実施例の第１例、第
２例の仮止め用ボンド７について、電子部品保持限界加
速度を測定したので、これを図５（本発明の一実施例に
おける仮止め用ボンドの電子部品保持限界加速度を示す
グラフ）を参照しながら説明する。この電子部品保持限
界加速度の測定は、図６（本発明の一実施例における電
子部品保持限界加速度の説明図）に示す要領で計測し
た。すなわち、角速度を自在に可変できる回転テーブル
を用意し、この回転テーブル上に本実施例の仮止め用ボ
ンド７で仮接着した電子部品を載置し、温度をパラメー
タとして電子部品が回転テーブルからはずれるときの角
速度を計測し、このときの半径方向の加速度を求め、こ
の加速度を電子部品保持限界加速度としたものである。
２例の仮止め用ボンド７について、電子部品保持限界加
速度を測定したので、これを図５（本発明の一実施例に
おける仮止め用ボンドの電子部品保持限界加速度を示す
グラフ）を参照しながら説明する。この電子部品保持限
界加速度の測定は、図６（本発明の一実施例における電
子部品保持限界加速度の説明図）に示す要領で計測し
た。すなわち、角速度を自在に可変できる回転テーブル
を用意し、この回転テーブル上に本実施例の仮止め用ボ
ンド７で仮接着した電子部品を載置し、温度をパラメー
タとして電子部品が回転テーブルからはずれるときの角
速度を計測し、このときの半径方向の加速度を求め、こ
の加速度を電子部品保持限界加速度としたものである。
【００２４】図５に示すように、第１例、第２例の電子
部品保持限界加速度は、ともに、半田の融点の前後約２
０℃で極端に低い値を示しており、この領域の温度で
は、仮止め用ボンド７によって仮接着される電子部品が
極めて容易に移動できることがわかる。
部品保持限界加速度は、ともに、半田の融点の前後約２
０℃で極端に低い値を示しており、この領域の温度で
は、仮止め用ボンド７によって仮接着される電子部品が
極めて容易に移動できることがわかる。
【００２５】次に図２、図３を参照しながら、本実施例
の仮止め用ボンドを用いた半田付け工程について説明す
る。図２（ａ１）〜（ｅ１）は本発明の一実施例におけ
る半田付け工程を電子部品の上方からみた工程説明図、
図２（ａ２）〜（ｅ２）は本発明の一実施例における半
田付け工程を電子部品の側方からみた工程説明図、図３
は本発明の一実施例の半田付け工程における温度プロフ
ァイルを示すグラフである。図３の時間軸（横軸）にお
ける（ａ）〜（ｅ）なる文字は図２の図番に対応してい
る。まず図２（ａ１）、（ａ２）に示すようにクリーム
半田３を基板１上の回路パターン上にスクリーン印刷し
て供給し、また仮止め用ボンド７を回路パターン２の間
の基板１の上面に塗布する。そして電子部品４を回路パ
ターン２上のクリーム半田３の上に搭載する。この状態
で電子部品４の中央部は、仮止め用ボンド７によって基
板１上に保持されている。
の仮止め用ボンドを用いた半田付け工程について説明す
る。図２（ａ１）〜（ｅ１）は本発明の一実施例におけ
る半田付け工程を電子部品の上方からみた工程説明図、
図２（ａ２）〜（ｅ２）は本発明の一実施例における半
田付け工程を電子部品の側方からみた工程説明図、図３
は本発明の一実施例の半田付け工程における温度プロフ
ァイルを示すグラフである。図３の時間軸（横軸）にお
ける（ａ）〜（ｅ）なる文字は図２の図番に対応してい
る。まず図２（ａ１）、（ａ２）に示すようにクリーム
半田３を基板１上の回路パターン上にスクリーン印刷し
て供給し、また仮止め用ボンド７を回路パターン２の間
の基板１の上面に塗布する。そして電子部品４を回路パ
ターン２上のクリーム半田３の上に搭載する。この状態
で電子部品４の中央部は、仮止め用ボンド７によって基
板１上に保持されている。
【００２６】次に図３の（ａ）〜（ｅ）に示すように基
板１をリフロー装置に入れ、室温から約１５０℃まで急
速に加熱する。さらに図３の（ｃ）まで約１５０℃で３
０秒程度加熱すると、仮止め用ボンド７はだれて基板１
上に広がりはじめる（図２（ｃ１），（ｃ２）参照）。
従って、角チップ４はクリーム半田３の高さ次第で降下
し始め、常にクリーム半田３に載った状態にある。
板１をリフロー装置に入れ、室温から約１５０℃まで急
速に加熱する。さらに図３の（ｃ）まで約１５０℃で３
０秒程度加熱すると、仮止め用ボンド７はだれて基板１
上に広がりはじめる（図２（ｃ１），（ｃ２）参照）。
従って、角チップ４はクリーム半田３の高さ次第で降下
し始め、常にクリーム半田３に載った状態にある。
【００２７】さらに温度を上げていくと、図３の（ｄ）
で示すように、半田の融点でクリーム半田３は溶けた半
田６となる。そしてクリーム半田３が溶融した状態で、
角チップ４に対してセルフアライメントが発生し、角チ
ップ４の位置ずれは矯正される。ここで、本実施例の仮
止め用ボンド７はだれて弱く角チップ４に接着している
ので、セルフアライメントが阻害されることはない（図
２（ｄ１）（ｄ２））。また、仮止め用ボンド７はだれ
て、角チップ４の下降を許すので、溶けた半田６に角チ
ップ４の電極が沈み込んで十分接触し、図２（ｄ２）に
示すように断面略三角形の半田フィレットが形成され
る。そして図３の（ｅ）で示すように、半田の融点より
も高い温度で加熱すると、仮止め用ボンド７は硬化した
仮止め用ボンド８となって、基板１に角チップ４をしっ
かり仮接着する。ここで、図２（ｄ１）に示す段階でセ
ルフアライメントによる位置ずれ矯正は済んでいるの
で、図２（ｅ１）、（ｅ２）に示す状態で、角チップ４
の位置ずれがない位置が確定される。
で示すように、半田の融点でクリーム半田３は溶けた半
田６となる。そしてクリーム半田３が溶融した状態で、
角チップ４に対してセルフアライメントが発生し、角チ
ップ４の位置ずれは矯正される。ここで、本実施例の仮
止め用ボンド７はだれて弱く角チップ４に接着している
ので、セルフアライメントが阻害されることはない（図
２（ｄ１）（ｄ２））。また、仮止め用ボンド７はだれ
て、角チップ４の下降を許すので、溶けた半田６に角チ
ップ４の電極が沈み込んで十分接触し、図２（ｄ２）に
示すように断面略三角形の半田フィレットが形成され
る。そして図３の（ｅ）で示すように、半田の融点より
も高い温度で加熱すると、仮止め用ボンド７は硬化した
仮止め用ボンド８となって、基板１に角チップ４をしっ
かり仮接着する。ここで、図２（ｄ１）に示す段階でセ
ルフアライメントによる位置ずれ矯正は済んでいるの
で、図２（ｅ１）、（ｅ２）に示す状態で、角チップ４
の位置ずれがない位置が確定される。
【００２８】次に基板１を冷却して溶けた半田６を固化
する。以上で半田付け工程が終了する。なお本実施例で
は、クリーム半田３を基板１の回路パターンへ供給した
が、予め半田を回路パターン上にコーティングしたプリ
コート基板を使用してもよい。
する。以上で半田付け工程が終了する。なお本実施例で
は、クリーム半田３を基板１の回路パターンへ供給した
が、予め半田を回路パターン上にコーティングしたプリ
コート基板を使用してもよい。
【００２９】本実施例の第１例、第２例の仮止め用ボン
ドの全体的な成績評価は（表２）に示すとおりである。
ことに、本実施例の仮止め用ボンドでは半田オープンが
全く発生してない点に注目されたい。
ドの全体的な成績評価は（表２）に示すとおりである。
ことに、本実施例の仮止め用ボンドでは半田オープンが
全く発生してない点に注目されたい。
【００３０】
【表２】
【００３１】
【発明の効果】本発明によれば、基板が加熱されて半田
が溶融した状態で、電子部品に確実にセルフアライメン
トを行わせて電子部品の位置ずれを矯正し、その後で仮
止め用ボンドを硬化させて電子部品を基板に仮接着し、
電子部品を基板に半田付けすることができる。
が溶融した状態で、電子部品に確実にセルフアライメン
トを行わせて電子部品の位置ずれを矯正し、その後で仮
止め用ボンドを硬化させて電子部品を基板に仮接着し、
電子部品を基板に半田付けすることができる。
【図１】（ａ）〜（ｃ）本発明の一実施例における広が
り率の説明図
り率の説明図
【図２】（ａ１）〜（ｅ１）本発明の一実施例における
工程を電子部品の上方からみた工程説明図 （ａ２）〜（ｅ２）本発明の一実施例における工程を電
子部品の側方からみた工程説明図
工程を電子部品の上方からみた工程説明図 （ａ２）〜（ｅ２）本発明の一実施例における工程を電
子部品の側方からみた工程説明図
【図３】本発明の一実施例の半田付け方法における温度
プロファイルを示すグラフ
プロファイルを示すグラフ
【図４】本発明の一実施例における仮止め用ボンドの広
がり率の温度変化を示すグラフ
がり率の温度変化を示すグラフ
【図５】本発明の一実施例における仮止め用ボンドの電
子部品保持限界加速度を示すグラフ
子部品保持限界加速度を示すグラフ
【図６】本発明の一実施例における電子部品保持限界加
速度の説明図
速度の説明図
【図７】（ａ）〜（ｅ）従来の工程を電子部品の上方か
らみた工程説明図
らみた工程説明図
【図８】（ａ）〜（ｅ）従来の工程を電子部品の側方か
らみた工程説明図
らみた工程説明図
【符号の説明】１ 基板 ２ 回路パターン ３ クリーム半田 ４ 角チップ ７ 仮止め用ボンド
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H05K 3/34
Claims (3)
- 【請求項１】加熱によって硬化することにより基板の回
路パターン上の半田上に搭載された電子部品を基板に仮
止めする電子部品の仮止め用ボンドであって、半田溶融時における電子部品を保持する保持力がセルフ
アライメントを阻害しない程度に低くなり且つ仮止めボ
ンドが硬化して電子部品を仮接着する温度が半田の融点
より高いことを特徴とする電子部品の仮止め用ボンド。 - 【請求項２】加熱によって硬化することにより基板の回
路パターン上の半田上に搭載された電子部品を基板に仮
止めする電子部品の仮止め用ボンドであって、 半田溶融時における電子部品を保持する粘度がセルフア
ライメントを阻害しない程度に低くなり且つ仮止めボン
ドが硬化して電子部品を仮接着する温度が半田の融点よ
り高いことを特徴とする電子部品の仮止め用ボンド。 - 【請求項３】条件温度１５０℃における広がり率が３０
％以上であることを特徴とする請求項１又は２に記載の
電子部品の仮止め用ボンド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26716094A JP3146888B2 (ja) | 1994-10-31 | 1994-10-31 | 電子部品の仮止め用ボンド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26716094A JP3146888B2 (ja) | 1994-10-31 | 1994-10-31 | 電子部品の仮止め用ボンド |
Related Child Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20309899A Division JP3147116B2 (ja) | 1999-07-16 | 1999-07-16 | 電子部品の半田付け方法及び電子部品の仮止め用ボンド |
| JP11203099A Division JP2000040870A (ja) | 1999-07-16 | 1999-07-16 | 電子部品の仮止め用ボンド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08130363A JPH08130363A (ja) | 1996-05-21 |
| JP3146888B2 true JP3146888B2 (ja) | 2001-03-19 |
Family
ID=17440933
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26716094A Expired - Lifetime JP3146888B2 (ja) | 1994-10-31 | 1994-10-31 | 電子部品の仮止め用ボンド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3146888B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
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| JP5909460B2 (ja) | 2012-09-28 | 2016-04-26 | 富士フイルム株式会社 | 半導体装置製造用仮接着剤、並びに、それを用いた接着性支持体、及び、半導体装置の製造方法。 |
| US10627568B2 (en) | 2016-12-13 | 2020-04-21 | Minebea Mitsumi Inc. | Planar illumination device and method of manufacturing planar illumination device |
| JP6306230B1 (ja) | 2017-02-09 | 2018-04-04 | Ckd株式会社 | 半田印刷検査装置、半田印刷検査方法、及び、基板の製造方法 |
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-
1994
- 1994-10-31 JP JP26716094A patent/JP3146888B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08130363A (ja) | 1996-05-21 |
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