JP2014042239A5 - - Google Patents
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Claims (20)
- 伝送信号の切替を促進するためにオン状態とオフ状態との間を遷移するように構成された、ゲート端子、ドレイン端子およびソース端子を持つFET(field-effect transistor;電界効果トランジスタ)と、
前記FETと接続し、オン状態のときに前記ドレイン端子およびソース端子を第1直流(direct current;DC)電圧でバイアスし、オフ状態のときに前記ドレイン端子およびソース端子を前記第1直流電圧とは異なる第2直流電圧でバイアスし、オフ状態のときに前記ゲート端子を前記第1直流電圧でバイアスし、オン状態のときに前記ゲート端子を前記第2直流電圧でバイアスするように構成されたバイアス回路とを備えることを特徴とする装置。 - 前記FETの前記ゲート端子は、前記FETのオフ状態とオン状態との間を切り換えるための制御信号を受信することを特徴とする請求項1に記載の装置。
- 前記FETはさらにボディ(body)を備え、前記バイアス回路は、オン状態およびオフ状態のときに前記ボディを前記第1直流電圧でバイアスするように構成されていることを特徴とする請求項2に記載の装置。
- 前記第1直流電圧および前記第2直流電圧は非負であることを特徴とする請求項2に記載の装置。
- 前記第1直流電圧は0電圧であり、前記第2直流電圧は正の電圧であることを特徴とする請求項4に記載の装置。
- 前記FETは、エンハンスメントモード(enhancement mode)のFETであることを特徴とする請求項2に記載の装置。
- 前記FETは、SOI(silicon on insulator)またはバルクCMOS(bulk complementary metal-oxide-semiconductor)デバイスであることを特徴とする請求項6に記載の装置。
- 切替装置であって、
RF(radio frequency;高周波)信号を受信するように構成された入力端子を備え、
前記切替装置は、前記切替装置が第1状態の場合は前記RF信号を出力端子に通過させ、第2状態の場合は前記RF信号を接地端子に通過させるように構成されており、
前記切替装置はさらに、
前記入力端子および出力端子の間に直列に接続され、前記切替装置が第1状態の場合に前記RF信号を前記出力端子に選択的に通過させるFET(field-effect transistor;FET)であって第1ゲート端子と第1ドレイン端子とを持つ第1FETと、
前記入力端子および接地端子の間に直列に接続され、第2ゲート端子と第2ドレイン端子とを持つ第2FETと、
前記第1ゲート端子および前記第2ドレイン端子をバイアスするための第1制御信号を受信するように構成された第1制御端子と、
前記第2ゲート端子と前記第1ドレイン端子とをバイアスするための第2制御信号を受信するように構成された第2制御端子とを備えることを特徴とする切替装置。 - 前記第1制御信号は、前記第2状態の間は第1直流(direct current;DC)電圧を提供し、前記第1状態の間は第2直流電圧を提供し、
前記第2直流電圧は前記第1直流電圧とは異なり、
前記第1直流電圧および前記第2直流電圧は非負であることを特徴とする請求項8に記載の切替装置。 - 前記第2制御信号は、前記第2状態の間に前記第2直流電圧を提供し、前記第1状態の間は前記第1直流電圧を提供することを特徴とする請求項9に記載の切替装置。
- 前記第1直流電圧は対地電圧であり、前記第2直流電圧は正の直流電圧であることを特徴とする請求項10に記載の切替装置。
- 前記第1FETは第1ボディをさらに備え、前記第2FETは第2ボディをさらに備え、
前記第1ボディおよび前記第2ボディは、前記第1状態および前記第2状態の間、対地電圧でバイアスされるように構成されていることを特徴とする請求項8に記載の切替装置。 - 前記入力端子と前記第1ドレイン端子との間に接続された第1DCブロッキングキャパシタと、
前記入力端子と前記第2ドレイン端子との間に接続された第2DCブロッキングキャパシタとをさらに備えることを特徴とする請求項8に記載の切替装置。 - 前記第1FETは第1ソース端子をさらに備え、前記第2FETは第2ソース端子をさらに備え、
前記切替装置はさらに、
前記第1ソース端子と前記出力端子との間に接続された第3DCブロッキングキャパシタと、
前記第2ソース端子と前記接地端子との間に接続された第4DCブロッキングキャパシタとを備えることを特徴とする請求項13に記載の切替装置。 - 前記入力端子は送信機からのRF信号を受信するともに、前記切替装置が前記第1状態の場合は無線通信ネットワークを介して伝送するためのアンテナに向かうRF信号を通過させるように構成されていることを特徴とする請求項14に記載の切替装置。
- 前記入力端子と前記出力端子との間に直列に接続する、前記第1FETを含む複数の直列なFETと、
前記入力端子と前記接地端子との間に分岐して接続する、前記第2FETを含む複数のシャントFETとをさらに備えることを特徴とする請求項8に記載の切替装置。 - RF(radio frequency;高周波)信号を発生するように構成された送信機と、
無線通信ネットワークを介して前記RF信号を送信するように構成されたアンテナと、
前記送信機と前記アンテナとの間に接続されたFET(field-effect transistor;電界効果トランジスタ)とを備え、
前記FETは、前記FETがオン状態の場合は前記RF信号を前記アンテナに通過させ、前記FETがオフ状態の場合は前記RF信号を前記アンテナに通過させることを阻止するように構成されており、
前記FETはさらに、
前記RF信号を受信するように構成されたドレイン端子と、
前記FETがオン状態の場合に前記RF信号を前記アンテナに通過させるように構成されたソース端子と、
ゲート端子と、
前記FETに接続され、前記FETがオフ状態の場合は前記ゲート端子を0の直流(direct current;DC)電圧でバイアスし、前記FETがオン状態の場合は前記ゲート端子を正の直流電圧でバイアスするように構成されたバイアス回路とを備え、前記バイアス回路はさらに、オフ状態の場合は前記ドレイン端子および前記ソース端子を正の直流電圧でバイアスし、オン状態の場合は前記ドレイン端子および前記ソース端子を0の直流電圧でバイアスするように構成されていることを特徴とするシステム。 - 前記FETはボディ端子をさらに備え、
前記バイアス回路はさらに、オン状態およびオフ状態のとき前記ボディ端子を0の電圧でバイアスする用に構成されていることを特徴とする請求項17に記載のシステム。 - 前記FETは第1FETであり、前記ドレイン端子は第1ドレイン端子であり、前記ソース端子は第1ソース端子であり、前記ゲート端子は第1ゲート端子であり、前記システムは前記送信機と接地端子との間に接続された第2FETをさらに備え、前記第2FETはオフ状態とオン状態とを持つとともに前記第2FETがオン状態の場合は前記RF信号を前記送信機から前記接地端子に通過させるように構成されており、前記第2FETは、
前記RF信号を受信するように構成された第2ドレイン端子と、
第2ソース端子と、
第2ゲート端子とを備え、
前記バイアス回路はさらに、
前記第2FETがオフ状態の場合は前記第2ソース端子と前記第2ドレイン端子とを正の直流電圧でバイアスし、前記第2FETがオン状態の場合は前記第2ソース端子と前記第2ドレイン端子とを0の直流電圧でバイアスし、
前記第2FETがオフ状態の場合は前記第2ゲート端子を0の直流電圧でバイアスし、前記第2FETがオン状態の場合は前記第2ゲート端子を正の直流電圧でバイアスするように構成されていることを特徴とする請求項17に記載のシステム。 - 前記バイアス回路は、
前記第1ゲート端子、前記第2ドレイン端子、および前記第2ソース端子をバイアスするように構成された第1制御端子と、
前記第2ゲート端子、前記第1ドレイン端子、および前記第1ソース端子をバイアスするように構成された第2制御端子とを備えることを特徴とする請求項19に記載のシステム。
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---|---|---|---|---|
WO2014024340A1 (ja) * | 2012-08-09 | 2014-02-13 | パナソニック株式会社 | 高周波半導体スイッチ回路とそれを備えた高周波無線システム |
US9379698B2 (en) | 2014-02-04 | 2016-06-28 | Triquint Semiconductor, Inc. | Field effect transistor switching circuit |
TWI580185B (zh) * | 2015-03-05 | 2017-04-21 | 瑞昱半導體股份有限公司 | 類比開關電路 |
CN106033961B (zh) * | 2015-03-12 | 2019-09-03 | 瑞昱半导体股份有限公司 | 类比开关电路 |
US20170092637A1 (en) * | 2015-09-30 | 2017-03-30 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor ESD Protection Device and Method |
KR101823269B1 (ko) | 2016-11-18 | 2018-01-29 | 삼성전기주식회사 | 다이나믹 바이어스를 갖는 고주파 스위치 장치 |
CN106603053A (zh) * | 2016-11-28 | 2017-04-26 | 无锡中普微电子有限公司 | 具有改进偏置电路的射频开关电路 |
CN106788369A (zh) * | 2016-11-28 | 2017-05-31 | 无锡中普微电子有限公司 | 具有改进偏置电路的射频开关电路 |
KR102348686B1 (ko) | 2017-08-04 | 2022-01-06 | 삼성전기주식회사 | 션트 및 바이어스 복합형의 고주파 스위치 장치 |
WO2019190507A1 (en) * | 2018-03-28 | 2019-10-03 | Intel IP Corporation | Techniques for multiple signal fan-out |
KR102583788B1 (ko) * | 2018-07-09 | 2023-09-26 | 삼성전기주식회사 | 누설 전류 저감형 고주파 스위치 장치 |
KR102069633B1 (ko) * | 2018-07-10 | 2020-01-23 | 삼성전기주식회사 | 제어 버퍼 회로 및 고주파 스위치 장치 |
US11431357B2 (en) * | 2019-07-09 | 2022-08-30 | Skyworks Solutions, Inc. | Envelope controlled radio frequency switches |
US11165514B2 (en) | 2019-07-09 | 2021-11-02 | Skyworks Solutions, Inc. | Envelope alignment calibration in radio frequency systems |
US10903821B1 (en) * | 2019-08-14 | 2021-01-26 | Qorvo Us, Inc. | Complementary metal-oxide semiconductor (CMOS) compatible RF switch and high voltage control circuit (HVCC) |
WO2023158572A1 (en) * | 2022-02-16 | 2023-08-24 | Massachusetts Institute Of Technology | Terahertz beam steering antenna arrays |
Family Cites Families (86)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3551788A (en) | 1968-09-13 | 1970-12-29 | Servo Corp Of America | High voltage transistorized stack with leakage current compensation |
US3699359A (en) | 1971-04-20 | 1972-10-17 | Philco Ford Corp | Electronic latching device |
US4053916A (en) | 1975-09-04 | 1977-10-11 | Westinghouse Electric Corporation | Silicon on sapphire MOS transistor |
DE2851789C2 (de) | 1978-11-30 | 1981-10-01 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Schaltung zum Schalten und Übertragen von Wechselspannungen |
US4491750A (en) | 1982-09-28 | 1985-01-01 | Eaton Corporation | Bidirectionally source stacked FETs with drain-referenced common gating |
JPH01254014A (ja) | 1988-04-04 | 1989-10-11 | Toshiba Corp | 電力増幅器 |
JPH07105447B2 (ja) | 1988-12-15 | 1995-11-13 | 株式会社東芝 | 伝送ゲート |
US5313083A (en) | 1988-12-16 | 1994-05-17 | Raytheon Company | R.F. switching circuits |
US5105164A (en) | 1989-02-28 | 1992-04-14 | At&T Bell Laboratories | High efficiency uhf linear power amplifier |
US5012123A (en) | 1989-03-29 | 1991-04-30 | Hittite Microwave, Inc. | High-power rf switching system |
JPH0732335B2 (ja) | 1990-11-16 | 1995-04-10 | 日本電信電話株式会社 | 高周波増幅器 |
JP3243892B2 (ja) | 1993-05-21 | 2002-01-07 | ソニー株式会社 | 信号切り替え用スイッチ |
US5930638A (en) | 1993-07-12 | 1999-07-27 | Peregrine Semiconductor Corp. | Method of making a low parasitic resistor on ultrathin silicon on insulator |
US5863823A (en) | 1993-07-12 | 1999-01-26 | Peregrine Semiconductor Corporation | Self-aligned edge control in silicon on insulator |
US5416043A (en) | 1993-07-12 | 1995-05-16 | Peregrine Semiconductor Corporation | Minimum charge FET fabricated on an ultrathin silicon on sapphire wafer |
US5572040A (en) | 1993-07-12 | 1996-11-05 | Peregrine Semiconductor Corporation | High-frequency wireless communication system on a single ultrathin silicon on sapphire chip |
US5973382A (en) | 1993-07-12 | 1999-10-26 | Peregrine Semiconductor Corporation | Capacitor on ultrathin semiconductor on insulator |
US5973363A (en) | 1993-07-12 | 1999-10-26 | Peregrine Semiconductor Corp. | CMOS circuitry with shortened P-channel length on ultrathin silicon on insulator |
US5452473A (en) | 1994-02-28 | 1995-09-19 | Qualcomm Incorporated | Reverse link, transmit power correction and limitation in a radiotelephone system |
US5553295A (en) | 1994-03-23 | 1996-09-03 | Intel Corporation | Method and apparatus for regulating the output voltage of negative charge pumps |
JP2801563B2 (ja) | 1994-08-30 | 1998-09-21 | 松下電器産業株式会社 | 通信用無線機の送受信回路、半導体集積回路装置および通信用無線機 |
JPH08148949A (ja) | 1994-11-18 | 1996-06-07 | Fujitsu Ltd | 高周波増幅器 |
FR2742942B1 (fr) | 1995-12-26 | 1998-01-16 | Sgs Thomson Microelectronics | Generateur de creneaux de haute tension |
US5777530A (en) | 1996-01-31 | 1998-07-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Switch attenuator |
JPH09232932A (ja) * | 1996-02-27 | 1997-09-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | アンテナ切替回路 |
JP3484462B2 (ja) | 1996-04-11 | 2004-01-06 | 株式会社ルネサステクノロジ | フローティングsoi−mosfetの寿命を予測する方法 |
JPH09284114A (ja) | 1996-04-19 | 1997-10-31 | Toshiba Microelectron Corp | アナログ入力回路 |
WO1998006174A1 (fr) | 1996-08-05 | 1998-02-12 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Circuit integre haute frequence pour emetteur-recepteur radio haute frequence exempt de fuites de puissance haute frequence |
US5818099A (en) | 1996-10-03 | 1998-10-06 | International Business Machines Corporation | MOS high frequency switch circuit using a variable well bias |
US5920233A (en) | 1996-11-18 | 1999-07-06 | Peregrine Semiconductor Corp. | Phase locked loop including a sampling circuit for reducing spurious side bands |
JPH10242829A (ja) | 1997-02-24 | 1998-09-11 | Sanyo Electric Co Ltd | スイッチ回路装置 |
JP3441330B2 (ja) | 1997-02-28 | 2003-09-02 | 株式会社東芝 | 半導体装置及びその製造方法 |
US6160292A (en) | 1997-04-23 | 2000-12-12 | International Business Machines Corporation | Circuit and methods to improve the operation of SOI devices |
US6033974A (en) | 1997-05-12 | 2000-03-07 | Silicon Genesis Corporation | Method for controlled cleaving process |
US6013563A (en) | 1997-05-12 | 2000-01-11 | Silicon Genesis Corporation | Controlled cleaning process |
AU9296098A (en) | 1997-08-29 | 1999-03-16 | Sharon N. Farrens | In situ plasma wafer bonding method |
JPH11136111A (ja) | 1997-10-30 | 1999-05-21 | Sony Corp | 高周波回路 |
JP3711193B2 (ja) | 1998-01-16 | 2005-10-26 | 三菱電機株式会社 | 送受信切り換え回路 |
US5959488A (en) | 1998-01-24 | 1999-09-28 | Winbond Electronics Corp. | Dual-node capacitor coupled MOSFET for improving ESD performance |
US6271067B1 (en) | 1998-02-27 | 2001-08-07 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming field effect transistors and field effect transistor circuitry |
US6249027B1 (en) | 1998-06-08 | 2001-06-19 | Sun Microsystems, Inc. | Partially depleted SOI device having a dedicated single body bias means |
JP2000022160A (ja) | 1998-07-06 | 2000-01-21 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路及びその製造方法 |
JP4360702B2 (ja) | 1998-08-07 | 2009-11-11 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置 |
JP3408762B2 (ja) | 1998-12-03 | 2003-05-19 | シャープ株式会社 | Soi構造の半導体装置及びその製造方法 |
US6171965B1 (en) | 1999-04-21 | 2001-01-09 | Silicon Genesis Corporation | Treatment method of cleaved film for the manufacture of substrates |
AU6905000A (en) | 1999-08-10 | 2001-03-05 | Silicon Genesis Corporation | A cleaving process to fabricate multilayered substrates using low implantation doses |
JP3544351B2 (ja) * | 1999-11-26 | 2004-07-21 | 松下電器産業株式会社 | 高周波増幅回路およびそれを用いた移動体通信端末 |
JP3608456B2 (ja) | 1999-12-08 | 2005-01-12 | セイコーエプソン株式会社 | Soi構造のmis電界効果トランジスタの製造方法 |
US6504212B1 (en) | 2000-02-03 | 2003-01-07 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for enhanced SOI passgate operations |
JP3504212B2 (ja) | 2000-04-04 | 2004-03-08 | シャープ株式会社 | Soi構造の半導体装置 |
JP2002033399A (ja) | 2000-07-13 | 2002-01-31 | Toshiba Corp | 半導体集積回路及びその製造方法 |
US6816016B2 (en) | 2000-08-10 | 2004-11-09 | Tropian, Inc. | High-efficiency modulating RF amplifier |
US6496074B1 (en) | 2000-09-28 | 2002-12-17 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Cascode bootstrapped analog power amplifier circuit |
US6978437B1 (en) | 2000-10-10 | 2005-12-20 | Toppan Photomasks, Inc. | Photomask for eliminating antenna effects in an integrated circuit and integrated circuit manufacture with same |
JP4434474B2 (ja) | 2000-11-29 | 2010-03-17 | Necエレクトロニクス株式会社 | Mosトランジスタの模擬試験方法 |
JP3736356B2 (ja) * | 2001-02-01 | 2006-01-18 | 日本電気株式会社 | 高周波スイッチ回路 |
TWI230392B (en) | 2001-06-18 | 2005-04-01 | Innovative Silicon Sa | Semiconductor device |
US6819938B2 (en) | 2001-06-26 | 2004-11-16 | Qualcomm Incorporated | System and method for power control calibration and a wireless communication device |
KR100906356B1 (ko) | 2001-08-10 | 2009-07-06 | 히타치 긴조쿠 가부시키가이샤 | 하이 패스 필터 |
JP3986780B2 (ja) | 2001-08-17 | 2007-10-03 | 三菱電機株式会社 | 相補型プッシュプル増幅器 |
US6804502B2 (en) | 2001-10-10 | 2004-10-12 | Peregrine Semiconductor Corporation | Switch circuit and method of switching radio frequency signals |
US7796969B2 (en) | 2001-10-10 | 2010-09-14 | Peregrine Semiconductor Corporation | Symmetrically and asymmetrically stacked transistor group RF switch |
JP3813869B2 (ja) * | 2001-12-20 | 2006-08-23 | 松下電器産業株式会社 | 電界効果トランジスタスイッチ回路 |
JP3724450B2 (ja) * | 2002-04-23 | 2005-12-07 | 株式会社村田製作所 | 無線通信用高周波回路およびそれを備えた通信機 |
JP3947044B2 (ja) | 2002-05-31 | 2007-07-18 | 富士通株式会社 | 入出力バッファ |
US6642578B1 (en) * | 2002-07-22 | 2003-11-04 | Anadigics, Inc. | Linearity radio frequency switch with low control voltage |
JP3445608B2 (ja) | 2002-10-25 | 2003-09-08 | 株式会社東芝 | 映像情報を含むデジタル情報の管理システム |
JP2004205301A (ja) | 2002-12-25 | 2004-07-22 | Nec Corp | 評価装置及びそれに用いる回路設計方法 |
JP4257971B2 (ja) | 2003-03-27 | 2009-04-30 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 二重ゲート電界効果トランジスタのゲート信号印加方法 |
JP2005006072A (ja) * | 2003-06-12 | 2005-01-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 高周波スイッチ装置および半導体装置 |
JP4342970B2 (ja) | 2004-02-02 | 2009-10-14 | 株式会社東芝 | 半導体メモリ装置及びその製造方法 |
US7042044B2 (en) | 2004-02-18 | 2006-05-09 | Koucheng Wu | Nor-type channel-program channel-erase contactless flash memory on SOI |
US7072217B2 (en) | 2004-02-24 | 2006-07-04 | Micron Technology, Inc. | Multi-state memory cell with asymmetric charge trapping |
US7158067B2 (en) | 2005-01-31 | 2007-01-02 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Analog to digital converter using sawtooth voltage signals with differential comparator |
JP2006238058A (ja) * | 2005-02-25 | 2006-09-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 高周波用スイッチ回路 |
US7402850B2 (en) | 2005-06-21 | 2008-07-22 | Micron Technology, Inc. | Back-side trapped non-volatile memory device |
US7910993B2 (en) | 2005-07-11 | 2011-03-22 | Peregrine Semiconductor Corporation | Method and apparatus for use in improving linearity of MOSFET's using an accumulated charge sink |
US8742502B2 (en) | 2005-07-11 | 2014-06-03 | Peregrine Semiconductor Corporation | Method and apparatus for use in improving linearity of MOSFETs using an accumulated charge sink-harmonic wrinkle reduction |
US20080076371A1 (en) | 2005-07-11 | 2008-03-27 | Alexander Dribinsky | Circuit and method for controlling charge injection in radio frequency switches |
US7890891B2 (en) | 2005-07-11 | 2011-02-15 | Peregrine Semiconductor Corporation | Method and apparatus improving gate oxide reliability by controlling accumulated charge |
US20070023833A1 (en) | 2005-07-28 | 2007-02-01 | Serguei Okhonin | Method for reading a memory cell having an electrically floating body transistor, and memory cell and array implementing same |
KR101318763B1 (ko) * | 2005-08-09 | 2013-10-16 | 히다찌긴조꾸가부시끼가이사 | 고주파 스위치 회로 |
US7863691B2 (en) | 2008-03-10 | 2011-01-04 | International Business Machines Corporation | Merged field effect transistor cells for switching |
JP2010220200A (ja) * | 2009-02-19 | 2010-09-30 | Renesas Electronics Corp | 導通切替回路、導通切替回路ブロック、及び導通切替回路の動作方法 |
JP2011193191A (ja) * | 2010-03-15 | 2011-09-29 | Renesas Electronics Corp | 半導体集積回路およびそれを内蔵した高周波モジュール |
JP5476198B2 (ja) * | 2010-04-19 | 2014-04-23 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 高周波スイッチ回路 |
-
2012
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