TWI628922B - 藉由使用在射頻前端模組中之單刀三擲開關以減少在低雜訊放大器旁路模式中之插入損耗 - Google Patents

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Abstract

本發明揭示一種具有一低雜訊放大器(LNA)之微波射頻(RF)前端模組(FEM)，該低雜訊放大器(LNA)具有一旁路模式，該微波射頻(RF)前端模組(FEM)使用將插入損耗減少至約1dB且藉此針對現有技術兩個串聯連接之單刀雙擲RF開關改良RF接收器敏感度之一單刀三擲RF開關。該單刀三擲RF開關可係可經配置具有一共同源極輸入及經隔離獨立汲極輸出之三個金屬氧化物半導體場效應電晶體(MOSFET)RF開關。該等RF開關可係單、雙或三閘極MOSFET RF開關。該等MOSFET RF開關亦可組態為互補金屬氧化物半導體(CMOS)場效應電晶體(FET)RF開關。

Description

藉由使用在射頻前端模組中之單刀三擲開關以減少在低雜訊放大器旁路模式中之插入損耗
本發明係關於射頻(RF)裝置，且更特定而言係關於藉由使用在該RF裝置之一RF前端模組(FEM)中之一單刀三擲開關來減少在一低雜訊放大器(LNA)旁路模式中之插入損耗。
服務於一RF裝置之傳輸及接收模式兩者之一RF FEM通常採用具有藉助沿著接收信號路徑串聯連接之兩個單刀雙擲(SPDT)開關來實施之一旁路選項之一低雜訊放大器(LNA)。此LNA旁路組態之總體插入損耗由於兩個串聯連接之開關而通常高於3dB。
因此，存在對用以提供具有較少插入損耗之一LNA旁路開關組態之一經改良方式之一需要。
根據一實施例，一種射頻(RF)前端模組(FEM)可包括：一低雜訊放大器(LNA)，其具有一輸入及一輸出；及一單刀三擲(SPTT)開關，其具有一共接點及可選擇第一、第二及第三位置，其中該共接點可耦合至一天線節點、該第一位置可耦合至一傳輸器輸入節點、該第二位置可耦合至一接收器輸出節點及該第三位置可耦合至該LNA之該輸 入。
根據又一實施例，一直流電(DC)阻擋電容器可在該SPTT開關之該共接點與該天線節點之間。根據又一實施例，一直流電(DC)阻擋電容器可在該SPTT開關之該第一位置與該傳輸器輸入節點之間。根據又一實施例，一直流電(DC)阻擋電容器可在該SPTT開關之該第二位置與該接收器輸出節點之間。根據又一實施例，一RF斷接開關可在該LNA之該輸出與該接收器輸出節點之間。根據又一實施例，一直流電(DC)阻擋電容器可在該RF斷接開關與該接收器輸出節點之間。
根據又一實施例，該SPTT開關可包括第一、第二及第三金屬氧化物半導體場效應電晶體(MOSFET)，其中：該等第一、第二及第三MOSFET之源極可耦合至該天線節點；該第一MOSFET之一汲極可耦合至該傳輸器輸入節點；該第二MOSFET之一汲極可耦合至該接收器輸出節點；該第三MOSFET之一汲極可耦合至該LNA之該輸入；且該等第一、第二及第三MOSFET之閘極可耦合至一RF開關控制器。
根據又一實施例，該SPTT開關可包括第一、第二及第三金屬氧化物半導體場效應電晶體(MOSFET)，其中：該等第一、第二及第三MOSFET之汲極可耦合至該天線節點；該第一MOSFET之一源極可耦合至該傳輸器輸入節點；該第二MOSFET之一源極可耦合至該接收器輸出節點；該第三MOSFET之一源極可耦合至該LNA之該輸入；且該等第一、第二及第三MOSFET之閘極可耦合至一RF開關控制器。
根據又一實施例，該等第一、第二及第三MOSFET中之每一者可包括一單閘極。根據又一實施例，該等第一、第二及第三MOSFET中之每一者可包括一雙閘極。根據又一實施例，該等第一、第二及第三MOSFET中之每一者可包括一個三閘極。
根據又一實施例，該LNA及該SPTT開關可製作於一積體電路晶粒上。根據又一實施例，該積體電路晶粒可囊封於其上具有複數個連 接節點之一積體電路封裝中。根據又一實施例，該LNA及該SPTT開關可以千兆赫頻率操作。
根據一實施例，一種射頻裝置可包括：一功率放大器；一輸入匹配電路，其耦合至該功率放大器之一輸入；及一低通濾波器，其耦合至該功率放大器之一輸出；及一射頻(RF)前端模組(FEM)，該射頻(RF)前端模組(FEM)包括：一低雜訊放大器(LNA)，其具有一輸入及一輸出；及一單刀三擲(SPTT)開關，其具有一共接點及可選擇第一、第二及第三位置，其中該共接點可耦合至一天線節點，該第一位置可耦合至該低通濾波器之一輸出，該第二位置可耦合至一接收器輸出節點，且該第三位置可耦合至該LNA之該輸入。
根據又一實施例，該功率放大器、LNA及SPTT開關可製作於一積體電路晶粒上。根據又一實施例，該積體電路晶粒可囊封於其上具有複數個連接節點之一積體電路封裝中。根據又一實施例，該功率放大器、LNA及SPTT開關可以千兆赫頻率操作。
102‧‧‧天線節點
104‧‧‧接收器輸出節點
106‧‧‧傳輸器節點
108‧‧‧低雜訊放大器
110‧‧‧直流電阻擋電容器
112‧‧‧單刀雙擲射頻開關/射頻開關
114‧‧‧單刀雙擲射頻開關/射頻開關
116‧‧‧直流電阻擋電容器
118‧‧‧直流電阻擋電容器
212‧‧‧單刀三擲射頻開關/射頻開關/單刀三擲開關/金屬氧化物半導體場效應射頻開關
212a‧‧‧金屬氧化物半導體場效應射頻開關
212b‧‧‧金屬氧化物半導體場效應射頻開關
212c‧‧‧金屬氧化物半導體場效應射頻開關
324‧‧‧射頻開關
328‧‧‧射頻開關控制件
330‧‧‧射頻開關控制輸入節點/開關控制輸入節點
332‧‧‧射頻開關控制輸入節點/開關控制輸入節點
334‧‧‧傳輸輸入節點
336‧‧‧直流電阻擋電容器/接收器輸出節點
338‧‧‧輸入匹配網路
340‧‧‧功率放大器
342‧‧‧輸出低通濾波器
350‧‧‧前端模組
352‧‧‧無線電裝置
a‧‧‧位置
b‧‧‧位置
c‧‧‧位置
可藉由結合隨附圖式參考以下說明來獲取對本發明之一較完整理解，其中：圖1圖解說明用於使用兩個串聯連接之單刀雙擲開關之一LNA之一習用旁路電路之一示意圖；圖2根據本發明之一特定實例性實施例圖解說明用於使用產生比圖1中所展示之旁路電路低之插入之一個單刀三擲開關之一LNA之一旁路電路之一示意圖；圖3圖解說明利用圖2中所展示之LNA旁路電路之一RF裝置之一示意性方塊圖；且圖4圖解說明圖2中所展示之單刀三擲開關之一較詳細示意圖。
雖然易於對本發明做出各種修改及替代形式，但已在圖式中展 示並在本文中詳細闡述其特定實例性實施例。然而，應理解，本文中對特定實例性實施例之說明並非意欲將本發明限於本文中所揭示之特定形式，而是相反，本發明欲涵蓋如由隨附申請專利範圍所定義之所有修改及等效形式。
藉由使用一單刀三擲開關，所接收RF信號行進穿過僅一個RF信號交換裝置，藉此將插入損耗減少至約1dB。因此，在LNA處於一旁路模式中時，RF接收器敏感度顯著地改良。
現在參考圖式，示意性地圖解說明特定實例性實施例之細節。圖式中之相似元件將由相似編號表示，且類似元件將由具有一不同小寫字母後綴之相似編號表示。
參考圖1，圖1繪示用於使用兩個串聯連接之單刀雙擲開關之一LNA之一習用旁路電路之一示意圖。一低雜訊放大器(LNA)108具有藉助沿著接收信號路徑串聯連接之兩個單刀雙擲(SPDT)射頻(RF)開關112及114來實施之一旁路選項。此LNA旁路組態之總體插入損耗由於兩個串聯連接之RF開關而通常高於3dB。RF開關112用以在傳輸器與接收器之間交換天線節點，且RF開關114用以使LNA旁路。
參考圖2，圖2根據本發明之一特定實例性實施例繪示用於使用產生比圖1中所展示之旁路電路低之插入之一個單刀三擲開關之一LNA之一旁路電路之一示意圖。低雜訊放大器(LNA)108具有藉助耦合於天線節點102與LNA 108之輸入(當在位置c中時)、一接收器輸出節點104(當在位置b中時)及一傳輸器節點106(當在位置a中時)之間的一個單刀三擲(SPTT)射頻(RF)開關212來實施之一旁路選項。在RF開關212於位置b中時，使LNA旁路。此LNA旁路組態之總體插入損耗通常係約1dB。
參考圖3，圖3繪示利用圖2中所展示之LNA旁路電路之一RF裝置 之一示意性方塊圖。一前端模組(FEM)350可包括LNA 108、RF開關212、一LNA輸出斷接RF開關324及一RF開關控制件328。直流電(DC)阻擋電容器110、116及118亦可提供於FEM 350中且如圖3中所展示而耦合。
一RF裝置352可包括FEM 350、一功率放大器(PA)340、一輸出低通濾波器342及一輸入匹配網路338。一DC阻擋電容器336亦可提供且如圖3中所展示而耦合。RF裝置352可具有：一傳輸輸入節點334，其可耦合至輸入匹配網路338；一天線節點102，其耦合至RF開關212之共接點；一接收器輸出節點336，其用於將一RF信號供應至一接收器偵測器-解調變器(未展示)；及RF開關控制輸入節點330及332，其用於控制RF開關212及324以在傳輸與接收以及LNA與LNA旁路模式之間做出選擇。RF裝置352及FEM 350可製作於一積體電路晶粒((若干)晶粒)上且封裝於一積體電路封裝(未展示)中。
參考圖4，圖4繪示圖2中所展示之單刀三擲開關之一較詳細示意圖。SPTT開關212可舉例而言但不限於可經配置具有一共同源極輸入及經隔離獨立汲極輸出、一共同汲極輸入及經隔離獨立源極輸出之三個金屬氧化物半導體場效應電晶體(MOSFET)RF開關212a、212b及212c。此等MOSFET RF開關212a、212b及212c可以(例如)2GHz至6GHz之微波頻率操作。MOSFET RF開關212可係單閘極、雙閘極(圖4中所展示)、三閘極等。MOSFET RF開關212亦可組態為互補金屬氧化物半導體場效應電晶體(CMOS FET)開關。MOSFET RF開關212a、212b及212c中之每一者可透過開關控制輸入節點330及332由RF開關控制件328控制。
雖然已參考本發明之實例性實施例來繪示、闡述及定義本發明之實施例，但此等參考並不暗示對本發明之一限制，且不應推斷出此限制。如熟習相關技術且受益於本發明之技術者將聯想到，所揭示之 標的物能夠在形式及功能上具有大量修改、變更及等效形式。本發明之所繪示及所闡述之實施例僅作為實例，而並非係對本發明之範疇的窮盡性說明。

Claims (28)

  1. 一種射頻(RF)前端模組(FEM)，其包括：一低雜訊放大器(LNA)，其具有一輸入及一輸出；及一單刀三擲(SPTT)開關，其具有一共接點及可選擇第一、第二及第三位置，其中該共接點耦合至一天線節點，該第一位置耦合至一傳輸器輸入節點，該第二位置耦合至一接收器輸出節點及該第三位置耦合至該LNA之該輸入，其中該LNA之該輸出與該接收器輸出節點耦合，且其中當旁路(bypassing)該LNA時，該SPTT開關僅使用將該天線節點與該接收器輸出節點直接連接之一單一開關以提供一直接連接。
  2. 如請求項1之RF FEM，其進一步包括該SPTT開關之該共接點與該天線節點之間的一直流電(DC)阻擋電容器。
  3. 如請求項1之RF FEM，其進一步包括該SPTT開關之該第一位置與該傳輸器輸入節點之間的一直流電(DC)阻擋電容器。
  4. 如請求項1之RF FEM，其進一步包括該SPTT開關之該第二位置與該接收器輸出節點之間的一直流電(DC)阻擋電容器。
  5. 如請求項1之RF FEM，其進一步包括該LNA之該輸出與該接收器輸出節點之間的一RF斷接開關。
  6. 如請求項5之RF FEM，其進一步包括該RF斷接開關與該接收器輸出節點之間的一直流電(DC)阻擋電容器。
  7. 如請求項1之RF FEM，其中該SPTT開關包括第一、第二及第三金屬氧化物半導體場效應電晶體(MOSFET)，其中：該等第一、第二及第三MOSFET之源極耦合至該天線節點；該第一MOSFET之一汲極耦合至該傳輸器輸入節點； 該第二MOSFET之一汲極耦合至該接收器輸出節點；該第三MOSFET之一汲極耦合至該LNA之該輸入；且該等第一、第二及第三MOSFET之閘極耦合至一RF開關控制器。
  8. 如請求項7之RF FEM，其中該等第一、第二及第三MOSFET中之每一者包括一單閘極。
  9. 如請求項8之RF FEM，其中該積體電路晶粒囊封於其上具有複數個連接節點之一積體電路封裝中。
  10. 如請求項7之RF FEM，其中該等第一、第二及第三MOSFET中之每一者包括一雙閘極。
  11. 如請求項7之RF FEM，其中該等第一、第二及第三MOSFET中之每一者包括一個三閘極。
  12. 如請求項1之RF FEM，其中該SPTT開關包括第一、第二及第三金屬氧化物半導體場效應電晶體(MOSFET)，其中：該等第一、第二及第三MOSFET之汲極耦合至該天線節點；該第一MOSFET之一源極耦合至該傳輸器輸入節點；該第二MOSFET之一源極耦合至該接收器輸出節點；該第三MOSFET之一源極耦合至該LNA之該輸入；且該等第一、第二及第三MOSFET之閘極耦合至一RF開關控制器。
  13. 如請求項12之RF FEM，其中該等第一、第二及第三MOSFET中之每一者包括一單閘極。
  14. 如請求項12之RF FEM，其中該等第一、第二及第三MOSFET中之每一者包括一雙閘極。
  15. 如請求項12之RF FEM，其中該等第一、第二及第三MOSFET中之每一者包括一個三閘極。
  16. 如請求項1之RF FEM，其中該LNA及該SPTT開關製作於一積體電路晶粒上。
  17. 如請求項1之RF FEM，其中該LNA及該SPTT開關以千兆赫頻率操作。
  18. 一種射頻裝置，其包括：一功率放大器；一輸入匹配電路，其耦合至該功率放大器之一輸入；及一低通濾波器，其耦合至該功率放大器之一輸出；及如請求項1至17之任一項之一射頻(RF)前端模組(FEM)。
  19. 如請求項18之射頻裝置，其中該功率放大器、LNA及SPTT開關製作於一積體電路晶粒上。
  20. 如請求項19之射頻裝置，其中該積體電路晶粒囊封於其上具有複數個連接節點之一積體電路封裝中。
  21. 如請求項18之射頻裝置，其中該功率放大器、LNA及SPTT開關以千兆赫頻率操作。
  22. 一種射頻前端模組，其包括：一低雜訊放大器，其具有一輸入及一輸出；及一單刀三擲開關，其具有一共接點及可選擇第一、第二及第三位置，其中該共接點耦合至一天線節點，該第一位置耦合至一傳輸器輸入節點，該第二位置耦合至一接收器輸出節點，及該第三位置耦合至該低雜訊放大器之該輸入，其中該低雜訊放大器之該輸出與該接收器輸出節點耦合，其中當旁路該低雜訊放大器時，該單刀三擲開關僅使用將該天線節點與該接收器輸出節點直接連接之一單一開關以提供一直接連接。
  23. 如請求項22之射頻前端模組，其進一步包括介於該單刀三擲開 關之該共接點與該天線節點之間之一直流電阻擋電容器。
  24. 如請求項22之射頻前端模組，其進一步包括介於該單刀三擲開關之該第一位置與該傳輸器輸入節點之間之一直流電阻擋電容器。
  25. 如請求項22之射頻前端模組，其進一步包括介於該單刀三擲開關之該第二位置與該接收器輸出節點之間之一直流電阻擋電容器。
  26. 如請求項22之射頻前端模組，其進一步包括介於該低雜訊放大器之該輸出及該接收器輸出節點之間之一射頻斷接開關。
  27. 如請求項22之射頻前端模組，其中該單刀三擲開關包括第一、第二及第三金屬氧化物半導體場效應電晶體，其中：該第一、第二及第三金屬氧化物半導體場效應電晶體之源極耦合至該天線節點；該第一金屬氧化物半導體場效應電晶體之一汲極耦合至該傳輸器輸入節點；該第二金屬氧化物半導體場效應電晶體之一汲極耦合至該接收器輸出節點；該第三金屬氧化物半導體場效應電晶體之一汲極耦合至該低雜訊放大器之該輸入；且該第一、第二及第三金屬氧化物半導體場效應電晶體之閘極耦合至一射頻開關控制器。
  28. 如請求項22之射頻前端模組，其中該單刀三擲開關包括第一、第二及第三金屬氧化物半導體場效應電晶體，其中：該第一、第二及第三金屬氧化物半導體場效應電晶體之汲極耦合至該天線節點；該第一金屬氧化物半導體場效應電晶體之一源極耦合至該傳 輸器輸入節點；該第二金屬氧化物半導體場效應電晶體之一源極耦合至該接收器輸出節點；該第三金屬氧化物半導體場效應電晶體之一源極耦合至該低雜訊放大器之該輸入；且該第一、第二及第三金屬氧化物半導體場效應電晶體之閘極耦合至一射頻開關控制器。
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Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9264093B1 (en) * 2013-05-15 2016-02-16 Juniper Networks, Inc. Apparatus and method for bypassing amplifiers used to amplify signals received by wireless communication systems
KR20140145881A (ko) * 2013-06-14 2014-12-24 삼성전기주식회사 무선랜 안테나 공유 장치 및 모바일 통신 단말기
EP3031140B1 (en) * 2013-08-08 2019-04-17 Telefonaktiebolaget LM Ericsson (publ) Low noise amplifier module and method of implementation
US9548522B2 (en) 2013-11-22 2017-01-17 Skyworks Solutions, Inc. Systems, circuits and methods related to low-loss bypass of a radio-frequency filter or diplexer
US9847804B2 (en) * 2014-04-30 2017-12-19 Skyworks Solutions, Inc. Bypass path loss reduction
US9893752B2 (en) * 2014-10-31 2018-02-13 Skyworks Solutions, Inc. Diversity receiver front end system with variable-gain amplifiers
US20160127016A1 (en) * 2014-10-31 2016-05-05 Skyworks Solutions, Inc. Uplink diversity and interband uplink carrier aggregation in front-end architecture
KR102123600B1 (ko) 2015-05-29 2020-06-15 삼성전기주식회사 프론트 엔드 회로
US20160365908A1 (en) * 2015-06-10 2016-12-15 Skyworks Solutions, Inc. Antenna swap architectures for time-division duplexing communication systems
US10291223B2 (en) 2015-07-28 2019-05-14 Psemi Corporation RF switch with bypass topology
US9602098B2 (en) * 2015-07-28 2017-03-21 Peregrine Semiconductor Corporation RF switch with bypass topology
WO2017173119A1 (en) 2016-04-01 2017-10-05 Skyworks Solutions, Inc. Multi-mode stacked amplifier
US10062670B2 (en) 2016-04-18 2018-08-28 Skyworks Solutions, Inc. Radio frequency system-in-package with stacked clocking crystal
KR102578502B1 (ko) 2016-08-01 2023-09-15 삼성전자주식회사 안테나를 포함하는 전자 장치
CN108023602A (zh) * 2016-10-28 2018-05-11 中兴通讯股份有限公司 终端接收机及其提高接收灵敏度的方法
US10340861B2 (en) 2016-11-18 2019-07-02 Skyworks Solutions, Inc. Apparatus and methods for low noise amplifiers
US10454432B2 (en) 2016-12-29 2019-10-22 Skyworks Solutions, Inc. Radio frequency amplifiers with an injection-locked oscillator driver stage and a stacked output stage
TWI744822B (zh) 2016-12-29 2021-11-01 美商天工方案公司 前端系統及相關裝置、積體電路、模組及方法
CN106848591A (zh) * 2017-01-24 2017-06-13 昆山睿翔讯通通信技术有限公司 用于全金属背盖手机的天线电路
US10515924B2 (en) 2017-03-10 2019-12-24 Skyworks Solutions, Inc. Radio frequency modules
CN112335182B (zh) * 2018-06-25 2022-02-08 株式会社村田制作所 前端电路
KR102185059B1 (ko) 2018-08-17 2020-12-01 삼성전기주식회사 아이솔레이션 특성이 개선된 증폭 장치
CN109327194A (zh) * 2018-09-06 2019-02-12 南京国博电子有限公司 一种宽带高线性带旁路功能的单片式低噪声放大器
CN109194291A (zh) * 2018-09-06 2019-01-11 南京国博电子有限公司 一种高增益高线性带旁路功能的单片式低噪声放大器
US10817644B2 (en) * 2018-10-19 2020-10-27 Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. Circuit and method for design of RF integrated circuits for process control monitoring
CN109639334B (zh) * 2018-12-11 2021-08-24 深圳市联智物联网科技有限公司 一种中继器
US10826168B2 (en) * 2019-01-03 2020-11-03 Apple Inc. Radio frequency remote head front-end circuitry systems and methods
EP4082123A4 (en) * 2019-12-24 2023-08-16 Intel Corporation ANTENNA DUPLEXING, WAVEGUIDES AND RELATED METHODS
CN111953374B (zh) * 2020-08-13 2021-11-19 锐石创芯（深圳）科技有限公司 射频前端模组和无线装置
CN113067597B (zh) * 2021-03-22 2022-08-09 维沃移动通信有限公司 链路处理方法、装置、电子设备和存储介质
US11811446B2 (en) * 2021-04-27 2023-11-07 Silicon Laboratories Inc. Bias circuit for a low noise amplifier of a front end interface of a radio frequency communication device that enables fast transitions between different operating modes
CN114567347B (zh) * 2022-04-29 2022-11-18 安徽矽磊电子科技有限公司 一种射频前端电路

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8213878B1 (en) * 2008-09-25 2012-07-03 Rf Micro Devices, Inc. RF switch power splitter for WLAN and bluetooth coexistence

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3874241B2 (ja) * 2001-07-27 2007-01-31 株式会社ルネサステクノロジ 電子部品および設計方法
CN101160734B (zh) * 2005-04-15 2011-04-13 日立金属株式会社 多频带高频电路、多频带高频电路部件及使用其的多频带通信装置
WO2008109766A1 (en) * 2007-03-06 2008-09-12 Embedded Engineering Services, Inc. Logical current division multiplexing for encoding multiple digital signals
JP5041154B2 (ja) 2007-11-19 2012-10-03 ルネサスエレクトロニクス株式会社 高周波スイッチ回路
US8379548B1 (en) * 2009-03-06 2013-02-19 Qualcomm Incorporated Architecture for simultaneous transmission of multiple protocols in a wireless device
US8340034B1 (en) * 2009-11-11 2012-12-25 Marvell International Ltd. Bluetooth and wireless LAN arbitration
KR101251832B1 (ko) * 2011-07-13 2013-04-09 삼성전기주식회사 저항 공유 스위칭 회로

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8213878B1 (en) * 2008-09-25 2012-07-03 Rf Micro Devices, Inc. RF switch power splitter for WLAN and bluetooth coexistence

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