JPH09232932A - アンテナ切替回路 - Google Patents
アンテナ切替回路Info
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- JPH09232932A JPH09232932A JP8039433A JP3943396A JPH09232932A JP H09232932 A JPH09232932 A JP H09232932A JP 8039433 A JP8039433 A JP 8039433A JP 3943396 A JP3943396 A JP 3943396A JP H09232932 A JPH09232932 A JP H09232932A
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- Y02D—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES [ICT], I.E. INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES AIMING AT THE REDUCTION OF THEIR OWN ENERGY USE
- Y02D30/00—Reducing energy consumption in communication networks
- Y02D30/70—Reducing energy consumption in communication networks in wireless communication networks
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- Electronic Switches (AREA)
- Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
- Radio Transmission System (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来のＰＩＮダイオードを用いたアンテナ切
替回路よりも小型で、受信時に消費電力が少なく、か
つ、従来のＦＥＴを用いたアンテナ切替回路よりも送信
時の高電力信号を容易に伝送できるアンテナ切替回路を
提供する。 【解決手段】 ダイバーシティ受信切替スイッチにＦＥ
Ｔスイッチ、高電力を扱う必要のある送受信切替スイッ
チにＰＩＮダイオードスイッチを用いて、従来のＰＩＮ
ダイオードアンテナ切替回路よりも小型で受信時に消費
電流０、かつ送信時の高電力も扱うことの可能なアンテ
ナ切替回路である。
替回路よりも小型で、受信時に消費電力が少なく、か
つ、従来のＦＥＴを用いたアンテナ切替回路よりも送信
時の高電力信号を容易に伝送できるアンテナ切替回路を
提供する。 【解決手段】 ダイバーシティ受信切替スイッチにＦＥ
Ｔスイッチ、高電力を扱う必要のある送受信切替スイッ
チにＰＩＮダイオードスイッチを用いて、従来のＰＩＮ
ダイオードアンテナ切替回路よりも小型で受信時に消費
電流０、かつ送信時の高電力も扱うことの可能なアンテ
ナ切替回路である。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は主として無線機にお
いて、アンテナ切替並びに送受信切替を行うアンテナ切
替回路に関する。
いて、アンテナ切替並びに送受信切替を行うアンテナ切
替回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、デジタル移動体無線機において電
界効果トランジスタ等のスイッチング素子を用いて信号
の流れを切り替えることが行われている。特に時分割多
重アクセス方式を用いる場合には送受信回路とアンテナ
の接続切替、またダイバーシティ受信をする場合には複
数のアンテナの切替が必要となる。
界効果トランジスタ等のスイッチング素子を用いて信号
の流れを切り替えることが行われている。特に時分割多
重アクセス方式を用いる場合には送受信回路とアンテナ
の接続切替、またダイバーシティ受信をする場合には複
数のアンテナの切替が必要となる。
【０００３】以下従来例のアンテナスイッチ回路を図４
から図７を用いて説明する。図４において４０１は第１
のアンテナ、４０２は第２のアンテナ、４０３は第１の
アンテナを送信回路、受信回路に接続切替する第１の単
極双投スイッチ（以下スイッチと略称）、４０４はダイ
バーシティ受信を行うために第１のアンテナと第２のア
ンテナを切替える第２のスイッチである。この構成にお
いて、送信時はスイッチ４０３をａ側に接続してアンテ
ナ４０１から信号を送信する。受信時はスイッチ４０３
をｂ側に接続し、スイッチ４０４はアンテナ４０１とア
ンテナ４０２のうち所望受信電力の大きい方に接続する
（例えば、アンテナ４０１のほうが受信電力が大きい場
合にはスイッチ４０４をａ側に接続する）ように切り替
える。
から図７を用いて説明する。図４において４０１は第１
のアンテナ、４０２は第２のアンテナ、４０３は第１の
アンテナを送信回路、受信回路に接続切替する第１の単
極双投スイッチ（以下スイッチと略称）、４０４はダイ
バーシティ受信を行うために第１のアンテナと第２のア
ンテナを切替える第２のスイッチである。この構成にお
いて、送信時はスイッチ４０３をａ側に接続してアンテ
ナ４０１から信号を送信する。受信時はスイッチ４０３
をｂ側に接続し、スイッチ４０４はアンテナ４０１とア
ンテナ４０２のうち所望受信電力の大きい方に接続する
（例えば、アンテナ４０１のほうが受信電力が大きい場
合にはスイッチ４０４をａ側に接続する）ように切り替
える。
【０００４】図５において（ａ）は電界効果トランジス
タ（以下ＦＥＴと略称）を用いた単極双投スイッチの
例、（ｂ）はＰＩＮダイオードを用いた単極双投スイッ
チの例である。図５（ａ）において、５０１は共通端
子、５０２は第１の接続端子、５０３は第２の接続端
子、５０４、５０５は第１、第２の接続制御端子、５０
６、５０７は第１、第２の直列ＦＥＴ、５０８、５０９
は第１、第２の並列ＦＥＴである。接続制御端子５０４
を高電位、接続制御端子５０５を低電位にすると直列Ｆ
ＥＴ５０６がオンとなり５０７がオフとなる。また、並
列ＦＥＴ５０８がオフとなり５０９がオンとなる。これ
によって共通端子５０１と第１の接続端子５０２が導通
となり、共通端子５０１と第２の接続端子５０３は非導
通となる。接続制御端子の電位を逆にすることにより、
共通端子５０１と第２の接続端子５０３が導通となり、
共通端子５０１と第１の接続端子５０２は非導通とな
る。
タ（以下ＦＥＴと略称）を用いた単極双投スイッチの
例、（ｂ）はＰＩＮダイオードを用いた単極双投スイッ
チの例である。図５（ａ）において、５０１は共通端
子、５０２は第１の接続端子、５０３は第２の接続端
子、５０４、５０５は第１、第２の接続制御端子、５０
６、５０７は第１、第２の直列ＦＥＴ、５０８、５０９
は第１、第２の並列ＦＥＴである。接続制御端子５０４
を高電位、接続制御端子５０５を低電位にすると直列Ｆ
ＥＴ５０６がオンとなり５０７がオフとなる。また、並
列ＦＥＴ５０８がオフとなり５０９がオンとなる。これ
によって共通端子５０１と第１の接続端子５０２が導通
となり、共通端子５０１と第２の接続端子５０３は非導
通となる。接続制御端子の電位を逆にすることにより、
共通端子５０１と第２の接続端子５０３が導通となり、
共通端子５０１と第１の接続端子５０２は非導通とな
る。
【０００５】図５（ｂ）において、５１１は共通端子、
５１２、５１３は第１、第２の接続端子、５１４は接続
制御端子、５１５は直列ＰＩＮダイオード、５１６は並
列ＰＩＮダイオード、５１７はλ／４線路、５１８はチ
ョークコイルである。接続制御端子５１４を高電位にす
ると、ＰＩＮダイオード５１５、５１６はいずれもオン
状態となる。このとき並列ＰＩＮダイオード５１６がオ
ンなのでダイオード５１６のアノードのインピーダンス
はショートになるので、λ／４線路５１７を介して共通
端子５１１から第１の接続端子５１２側を見たインピー
ダンスはオープンとなり、共通端子５１１と第１の接続
端子５１２は非導通となる。また、直列ＰＩＮダイオー
ド５１５もオンなので共通端子５１１と第２の接続端子
５１３は導通となる。逆に接続制御端子５１４が低電位
の場合にはＰＩＮダイオード５１５、５１６のいずれも
オフ状態になる。この場合には直列ＰＩＮダイオード５
１５がオフなので共通端子５１１と第２の接続端子は非
導通となり、並列ＰＩＮダイオード５１６もオフなの
で、共通端子５１１と第１の接続端子５１２はλ／４線
路を介して接続されるだけなので導通となる。
５１２、５１３は第１、第２の接続端子、５１４は接続
制御端子、５１５は直列ＰＩＮダイオード、５１６は並
列ＰＩＮダイオード、５１７はλ／４線路、５１８はチ
ョークコイルである。接続制御端子５１４を高電位にす
ると、ＰＩＮダイオード５１５、５１６はいずれもオン
状態となる。このとき並列ＰＩＮダイオード５１６がオ
ンなのでダイオード５１６のアノードのインピーダンス
はショートになるので、λ／４線路５１７を介して共通
端子５１１から第１の接続端子５１２側を見たインピー
ダンスはオープンとなり、共通端子５１１と第１の接続
端子５１２は非導通となる。また、直列ＰＩＮダイオー
ド５１５もオンなので共通端子５１１と第２の接続端子
５１３は導通となる。逆に接続制御端子５１４が低電位
の場合にはＰＩＮダイオード５１５、５１６のいずれも
オフ状態になる。この場合には直列ＰＩＮダイオード５
１５がオフなので共通端子５１１と第２の接続端子は非
導通となり、並列ＰＩＮダイオード５１６もオフなの
で、共通端子５１１と第１の接続端子５１２はλ／４線
路を介して接続されるだけなので導通となる。
【０００６】図６はＦＥＴを用いたスイッチで構成した
アンテナ切替回路の従来例である。図６において６００
は第１のＦＥＴスイッチ、６０１は第２のＦＥＴスイッ
チ、６０２は第１のアンテナ接続端子、６０３は第２の
アンテナ接続端子、６０４は送信端子、６０５は受信端
子、６０６、６０７、６０８、６０９は第１から第４の
接続制御端子、６１０は直流阻止コンデンサである。こ
れらの第１、第２のＦＥＴスイッチを図４、図５（ａ）
で説明したように制御することにより、送受信回路のア
ンテナ接続切替とダイバーシティ受信による受信アンテ
ナ切替を行うことができる。
アンテナ切替回路の従来例である。図６において６００
は第１のＦＥＴスイッチ、６０１は第２のＦＥＴスイッ
チ、６０２は第１のアンテナ接続端子、６０３は第２の
アンテナ接続端子、６０４は送信端子、６０５は受信端
子、６０６、６０７、６０８、６０９は第１から第４の
接続制御端子、６１０は直流阻止コンデンサである。こ
れらの第１、第２のＦＥＴスイッチを図４、図５（ａ）
で説明したように制御することにより、送受信回路のア
ンテナ接続切替とダイバーシティ受信による受信アンテ
ナ切替を行うことができる。
【０００７】図７はＰＩＮダイオードを用いたスイッチ
で構成したアンテナ切替回路の従来例である。図７にお
いて７０１は第１のアンテナ接続端子、７０２は第２の
アンテナ接続端子、７０３は送信端子、７０４は受信端
子、７０５、７０６は第１、第２の接続制御端子、７０
７、７０８は第１、第２の直列ＰＩＮダイオード、７０
９は並列ＰＩＮダイオード、７１０、７１１は第１、第
２のλ／４線路、７１２、７１３は第１、第２のチョー
クコイルである。この構成において、送信時には第１の
接続制御端子７０５に高電位を与え、第２の接続制御端
子７０６に低電位を与えることによりＰＩＮダイオード
７０８、７０９がオン状態、７０７がオフ状態となる。
このとき図５（ｂ）で述べた通り第１のアンテナ端子７
０１と送信端子７０３が導通となり、そのほかの端子は
非導通となる。受信時は第１の接続制御端子７０５に低
電位を与えることで、送信端子７０３と第１のアンテナ
端子７０１を非導通とし、第２の接続制御端子７０６に
与える電位を高電位と低電位に切り替えることにより、
受信端子７０４と第１、第２のアンテナ端子７０１、７
０２との接続切替を行うことができる。
で構成したアンテナ切替回路の従来例である。図７にお
いて７０１は第１のアンテナ接続端子、７０２は第２の
アンテナ接続端子、７０３は送信端子、７０４は受信端
子、７０５、７０６は第１、第２の接続制御端子、７０
７、７０８は第１、第２の直列ＰＩＮダイオード、７０
９は並列ＰＩＮダイオード、７１０、７１１は第１、第
２のλ／４線路、７１２、７１３は第１、第２のチョー
クコイルである。この構成において、送信時には第１の
接続制御端子７０５に高電位を与え、第２の接続制御端
子７０６に低電位を与えることによりＰＩＮダイオード
７０８、７０９がオン状態、７０７がオフ状態となる。
このとき図５（ｂ）で述べた通り第１のアンテナ端子７
０１と送信端子７０３が導通となり、そのほかの端子は
非導通となる。受信時は第１の接続制御端子７０５に低
電位を与えることで、送信端子７０３と第１のアンテナ
端子７０１を非導通とし、第２の接続制御端子７０６に
与える電位を高電位と低電位に切り替えることにより、
受信端子７０４と第１、第２のアンテナ端子７０１、７
０２との接続切替を行うことができる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
構成にはそれぞれ問題点がある。まず、ＦＥＴスイッチ
を用いたアンテナ切替回路では、送信時の高電力信号を
伝送することにより、オフしているＦＥＴのピンチオフ
電圧を越えた振幅がスイッチに加えられると、ＦＥＴの
オフ状態が維持できなくなり、送信信号が受信回路系に
漏洩してしまう。これを防ぐにはオフを支える電位差を
大きくとることが必要となってくるが、近年の移動体通
信の端末無線機においては電池容量が限られてきてお
り、大きな電位差を作るのが困難になってきている。
構成にはそれぞれ問題点がある。まず、ＦＥＴスイッチ
を用いたアンテナ切替回路では、送信時の高電力信号を
伝送することにより、オフしているＦＥＴのピンチオフ
電圧を越えた振幅がスイッチに加えられると、ＦＥＴの
オフ状態が維持できなくなり、送信信号が受信回路系に
漏洩してしまう。これを防ぐにはオフを支える電位差を
大きくとることが必要となってくるが、近年の移動体通
信の端末無線機においては電池容量が限られてきてお
り、大きな電位差を作るのが困難になってきている。
【０００９】また、ＰＩＮダイオードを用いたアンテナ
切替回路では、充分なドライブ電流を流すことにより送
信時の高電力信号は伝送可能であるが、伝送線路やチョ
ークコイルなどを含めると回路規模が大きくなってしま
う。さらに、送信時だけではなく、受信時にもスイッチ
ング電流が必要となる。
切替回路では、充分なドライブ電流を流すことにより送
信時の高電力信号は伝送可能であるが、伝送線路やチョ
ークコイルなどを含めると回路規模が大きくなってしま
う。さらに、送信時だけではなく、受信時にもスイッチ
ング電流が必要となる。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに本発明のアンテナ切替回路は、ダイバーシティ受信
切替スイッチにＦＥＴスイッチ、高電力を扱う必要のあ
る送受信切替スイッチにＰＩＮダイオードスイッチを用
いて、従来のＰＩＮダイオードアンテナ切替回路よりも
小型で受信時に消費電流０、かつ送信時の高電力も扱う
ことの可能なアンテナ切替回路である。
めに本発明のアンテナ切替回路は、ダイバーシティ受信
切替スイッチにＦＥＴスイッチ、高電力を扱う必要のあ
る送受信切替スイッチにＰＩＮダイオードスイッチを用
いて、従来のＰＩＮダイオードアンテナ切替回路よりも
小型で受信時に消費電流０、かつ送信時の高電力も扱う
ことの可能なアンテナ切替回路である。
【００１１】すなわち、本発明のアンテナ切替回路は、
１つの共通端子と、第１、第２の端子と、前記第１、第
２の端子と前記共通端子との間にそれぞれ接続した第
１、第２の直列ＦＥＴと、前記第１、第２の端子と接地
の間にそれぞれ接続した第１、第２の並列ＦＥＴと、前
記第１の並列ＦＥＴと前記第２の直列ＦＥＴのゲート端
子を共通に取りだした第１の接続制御端子と、前記第２
の並列ＦＥＴと前記第１の直列ＦＥＴのゲート端子を共
通に取りだした第２の接続制御端子とを備えた前記第
１、第２の接続制御端子の高電位と低電位を相反的に与
えて前記共通端子と第１、第２の端子の導通、非導通を
切り換える単極双投スイッチと、第３、第４の端子と前
記第３、第４の端子との間に前記第３の端子側にアノー
ドを接続されたＰＩＮダイオードと、前記ＰＩＮダイオ
ードのアノードに第１のチョークコイルを介して接続し
た第３の接続制御端子と、前記ＰＩＮダイオードのカソ
ードと接地の間に接続された第２のチョークコイルとを
備えた前記第３の接続制御端子の高電位と低電位を切り
換えることにより、前記第３の端子と前記第４の端子を
オンオフ制御する単極単投スイッチとを具備し、前記単
極双投スイッチの前記共通端子を受信端子とし、前記単
極双投スイッチの前記第１の端子と前記単極単投スイッ
チの前記第４の端子とをλ／４長の伝送線路で接続し、
前記伝送線路と前記第４の端子との間に第１のアンテナ
を接続し、前記単極双投スイッチの前記第２の端子に第
２のアンテナを接続し、前記単極単投スイッチの前記第
３の端子を送信端子とし、前記単極双投スイッチの前記
共通端子と前記第１の端子を非導通状態に設定した際に
前記第１の並列ＦＥＴのオン状態により生じる低インピ
ーダンスを前記λ／４伝送線路により高インピーダンス
に変換し、前記第３の接続制御端子を高電位に設定して
前記送信端子と前記第１のアンテナを導通させる場合に
前記受信端子と前記第１のアンテナの非導通を実現する
ことを特徴とするものである。
１つの共通端子と、第１、第２の端子と、前記第１、第
２の端子と前記共通端子との間にそれぞれ接続した第
１、第２の直列ＦＥＴと、前記第１、第２の端子と接地
の間にそれぞれ接続した第１、第２の並列ＦＥＴと、前
記第１の並列ＦＥＴと前記第２の直列ＦＥＴのゲート端
子を共通に取りだした第１の接続制御端子と、前記第２
の並列ＦＥＴと前記第１の直列ＦＥＴのゲート端子を共
通に取りだした第２の接続制御端子とを備えた前記第
１、第２の接続制御端子の高電位と低電位を相反的に与
えて前記共通端子と第１、第２の端子の導通、非導通を
切り換える単極双投スイッチと、第３、第４の端子と前
記第３、第４の端子との間に前記第３の端子側にアノー
ドを接続されたＰＩＮダイオードと、前記ＰＩＮダイオ
ードのアノードに第１のチョークコイルを介して接続し
た第３の接続制御端子と、前記ＰＩＮダイオードのカソ
ードと接地の間に接続された第２のチョークコイルとを
備えた前記第３の接続制御端子の高電位と低電位を切り
換えることにより、前記第３の端子と前記第４の端子を
オンオフ制御する単極単投スイッチとを具備し、前記単
極双投スイッチの前記共通端子を受信端子とし、前記単
極双投スイッチの前記第１の端子と前記単極単投スイッ
チの前記第４の端子とをλ／４長の伝送線路で接続し、
前記伝送線路と前記第４の端子との間に第１のアンテナ
を接続し、前記単極双投スイッチの前記第２の端子に第
２のアンテナを接続し、前記単極単投スイッチの前記第
３の端子を送信端子とし、前記単極双投スイッチの前記
共通端子と前記第１の端子を非導通状態に設定した際に
前記第１の並列ＦＥＴのオン状態により生じる低インピ
ーダンスを前記λ／４伝送線路により高インピーダンス
に変換し、前記第３の接続制御端子を高電位に設定して
前記送信端子と前記第１のアンテナを導通させる場合に
前記受信端子と前記第１のアンテナの非導通を実現する
ことを特徴とするものである。
【００１２】本発明のアンテナ切替回路は、受信時には
上記のダイバーシティ受信切替用ＦＥＴスイッチに適当
な制御電圧を与えて、複数のアンテナを切り替える。ま
た、送信時には送信用アンテナと受信端子を非導通にな
るようにＦＥＴスイッチを制御する。このとき送信アン
テナ側から見たＦＥＴスイッチのインピーダンスは、シ
ョートになる。このＦＥＴスイッチにλ／４線路と直列
のＰＩＮダイオードを介して送信回路に接続する。そし
て、λ／４線路とＰＩＮダイオードの間から送信用アン
テナを取り出す。この構成では、送信時にＰＩＮダイオ
ードをオンさせる制御電圧を与えた場合に送信回路と送
信用アンテナが導通し、ショートからλ／４線路を介し
ているので送信アンテナと受信回路とは非導通となる。
上記のダイバーシティ受信切替用ＦＥＴスイッチに適当
な制御電圧を与えて、複数のアンテナを切り替える。ま
た、送信時には送信用アンテナと受信端子を非導通にな
るようにＦＥＴスイッチを制御する。このとき送信アン
テナ側から見たＦＥＴスイッチのインピーダンスは、シ
ョートになる。このＦＥＴスイッチにλ／４線路と直列
のＰＩＮダイオードを介して送信回路に接続する。そし
て、λ／４線路とＰＩＮダイオードの間から送信用アン
テナを取り出す。この構成では、送信時にＰＩＮダイオ
ードをオンさせる制御電圧を与えた場合に送信回路と送
信用アンテナが導通し、ショートからλ／４線路を介し
ているので送信アンテナと受信回路とは非導通となる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら本発明
のアンテナ切替回路の実施の形態について説明する。
のアンテナ切替回路の実施の形態について説明する。
【００１４】（実施の形態１）図１は、本発明の実施の
形態１におけるアンテナ切替回路の回路図である。図１
において１０１、１０２は第１、第２のアンテナ接続端
子、１０３は送信端子、１０４は受信端子、１０５、１
０６、１０７は第１、第２並びに第３の接続制御端子、
１０８は直列ＰＩＮダイオード、１０９、１１０は第
１、第２のチョークコイル、１１１は直流阻止コンデン
サ、１１２はλ／４の伝送線路、１１３、１１４は第
１、第２の直列ＦＥＴ、１１５、１１６は第１、第２の
並列ＦＥＴである。また、１１７で囲まれたブロックは
ＦＥＴ１１３、１１４、１１５、１１６を用いて構成し
た単極双投スイッチであり、従来の技術で既に説明した
ように第１の接続制御端子１０５に低電位を与え、第２
の接続制御端子１０６に高電位を与えた場合には第１の
アンテナ接続端子１０１と受信端子１０４が導通状態と
なり、第２のアンテナ接続端子１０２と受信端子１０４
が非導通状態となる。また、逆の電位を与えた場合には
第２のアンテナ接続端子１０２と受信端子１０４が導通
状態となり、第１のアンテナ接続端子１０１と受信端子
１０４が非導通となる。このとき、第１の並列ＦＥＴ１
１５がオン状態になっているので第１の直列ＦＥＴ１１
３と第１の並列ＦＥＴ１１５の接続点のインピーダンス
は低インピーダンスになる。この点に直流阻止コンデン
サ１１１を介してλ／４線路１１２を接続することによ
り、第１のアンテナ接続端子１０１から受信端子１０４
側を見たインピーダンスは高インピーダンスに変換され
る。このときに第３の接続制御端子１０７に高電位を与
えると直列ＰＩＮダイオード１０８がオン状態となり、
第１のアンテナ接続端子１０１と送信端子１０３が導通
状態となり、かつ、第１のアンテナ接続端子１０１と受
信端子１０４は非導通状態を実現できる。これにより、
従来のＰＩＮダイオードを用いたアンテナ切替回路より
も小型で、受信時に消費電力が少なく、かつ、従来のＦ
ＥＴを用いたアンテナ切替回路よりも送信時の高電力信
号を容易に伝送できるアンテナ切替回路を実現すること
ができる。
形態１におけるアンテナ切替回路の回路図である。図１
において１０１、１０２は第１、第２のアンテナ接続端
子、１０３は送信端子、１０４は受信端子、１０５、１
０６、１０７は第１、第２並びに第３の接続制御端子、
１０８は直列ＰＩＮダイオード、１０９、１１０は第
１、第２のチョークコイル、１１１は直流阻止コンデン
サ、１１２はλ／４の伝送線路、１１３、１１４は第
１、第２の直列ＦＥＴ、１１５、１１６は第１、第２の
並列ＦＥＴである。また、１１７で囲まれたブロックは
ＦＥＴ１１３、１１４、１１５、１１６を用いて構成し
た単極双投スイッチであり、従来の技術で既に説明した
ように第１の接続制御端子１０５に低電位を与え、第２
の接続制御端子１０６に高電位を与えた場合には第１の
アンテナ接続端子１０１と受信端子１０４が導通状態と
なり、第２のアンテナ接続端子１０２と受信端子１０４
が非導通状態となる。また、逆の電位を与えた場合には
第２のアンテナ接続端子１０２と受信端子１０４が導通
状態となり、第１のアンテナ接続端子１０１と受信端子
１０４が非導通となる。このとき、第１の並列ＦＥＴ１
１５がオン状態になっているので第１の直列ＦＥＴ１１
３と第１の並列ＦＥＴ１１５の接続点のインピーダンス
は低インピーダンスになる。この点に直流阻止コンデン
サ１１１を介してλ／４線路１１２を接続することによ
り、第１のアンテナ接続端子１０１から受信端子１０４
側を見たインピーダンスは高インピーダンスに変換され
る。このときに第３の接続制御端子１０７に高電位を与
えると直列ＰＩＮダイオード１０８がオン状態となり、
第１のアンテナ接続端子１０１と送信端子１０３が導通
状態となり、かつ、第１のアンテナ接続端子１０１と受
信端子１０４は非導通状態を実現できる。これにより、
従来のＰＩＮダイオードを用いたアンテナ切替回路より
も小型で、受信時に消費電力が少なく、かつ、従来のＦ
ＥＴを用いたアンテナ切替回路よりも送信時の高電力信
号を容易に伝送できるアンテナ切替回路を実現すること
ができる。
【００１５】（実施の形態２）図２は本発明の実施の形
態２を示す回路図である。実施の形態１と基本的構成は
同じなので、重複する部分の図番の下二桁を統一して説
明を省略する。第１の実施例と異なっているのは２１２
のインピーダンス変換回路で、実施の形態１においては
λ／４線路で表現されているが、本実施の形態２では集
中定数回路で表現している。この構成により、実施の形
態１と同様の効果を得ることができる。
態２を示す回路図である。実施の形態１と基本的構成は
同じなので、重複する部分の図番の下二桁を統一して説
明を省略する。第１の実施例と異なっているのは２１２
のインピーダンス変換回路で、実施の形態１においては
λ／４線路で表現されているが、本実施の形態２では集
中定数回路で表現している。この構成により、実施の形
態１と同様の効果を得ることができる。
【００１６】（実施の形態３）図３は本発明の実施の形
態３を示す回路図である。基本構成は実施の形態１と同
じであるので、重複する部分の図番は下二桁を統一して
説明を省略する。実施の形態１と異なるのは第３の並列
ＦＥＴ３１８を付加しているところである。この構成に
より実施の形態１と同様の効果を得ることができる。こ
の第３の並列ＦＥＴ３１８を第１の並列ＦＥＴ３１５と
同一のバイアスでオンオフ制御を行うことによって、送
信時の第１のアンテナ接続端子３０１と受信端子３０４
との非導通のアイソレーションを高めることができる。
態３を示す回路図である。基本構成は実施の形態１と同
じであるので、重複する部分の図番は下二桁を統一して
説明を省略する。実施の形態１と異なるのは第３の並列
ＦＥＴ３１８を付加しているところである。この構成に
より実施の形態１と同様の効果を得ることができる。こ
の第３の並列ＦＥＴ３１８を第１の並列ＦＥＴ３１５と
同一のバイアスでオンオフ制御を行うことによって、送
信時の第１のアンテナ接続端子３０１と受信端子３０４
との非導通のアイソレーションを高めることができる。
【００１７】なお、実施の形態３ではλ／４線路を用い
るとしたが、実施の形態２と同様に集中定数を用いてイ
ンピーダンス変換回路を構成しても同様の効果を得るこ
とができるのは言うまでもない。
るとしたが、実施の形態２と同様に集中定数を用いてイ
ンピーダンス変換回路を構成しても同様の効果を得るこ
とができるのは言うまでもない。
【００１８】また、実施の形態１から３においては、並
列ＦＥＴのソース端子は接地するとしたが、並列ＦＥＴ
のソースと接地の間に直流阻止コンデンサを接続し、任
意の制御基準電圧を与えても、制御電圧として基準電圧
に対してＦＥＴスイッチを動作させる相対電位を与える
ことでも同様の効果を得ることができる。
列ＦＥＴのソース端子は接地するとしたが、並列ＦＥＴ
のソースと接地の間に直流阻止コンデンサを接続し、任
意の制御基準電圧を与えても、制御電圧として基準電圧
に対してＦＥＴスイッチを動作させる相対電位を与える
ことでも同様の効果を得ることができる。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように本発明のアンテナ切
替回路は、１つの共通端子と、第１、第２の端子と第
１、第２の端子と前記共通端子との間にそれぞれ接続し
た第１、第２の直列ＦＥＴと、第１、第２の端子と接地
の間にそれぞれ接続した第１、第２の並列ＦＥＴと、第
１の並列ＦＥＴと第２の直列ＦＥＴのゲート端子を共通
に取りだした第１の接続制御端子と、第２の並列ＦＥＴ
と第１の直列ＦＥＴのゲート端子を共通に取りだした第
２の接続制御端子とを備えた第１、第２の接続制御端子
の高電位と低電位を相反的に与えて共通端子と第１、第
２の端子それぞれの導通、非導通を切り換える単極双投
スイッチと、第３、第４の端子と第３、第４の端子との
間に第３の端子側にアノードを接続されたＰＩＮダイオ
ードと、ＰＩＮダイオードのアノードに第１のチョーク
コイルを介して接続した第３の接続制御端子と、ＰＩＮ
ダイオードのカソードと接地の間に接続された第２のチ
ョークコイルとを備えた第３の接続制御端子の高電位と
低電位を切り換えることにより、第３の端子と第４の端
子をオンオフ制御する単極単投スイッチとを備えてい
る。
替回路は、１つの共通端子と、第１、第２の端子と第
１、第２の端子と前記共通端子との間にそれぞれ接続し
た第１、第２の直列ＦＥＴと、第１、第２の端子と接地
の間にそれぞれ接続した第１、第２の並列ＦＥＴと、第
１の並列ＦＥＴと第２の直列ＦＥＴのゲート端子を共通
に取りだした第１の接続制御端子と、第２の並列ＦＥＴ
と第１の直列ＦＥＴのゲート端子を共通に取りだした第
２の接続制御端子とを備えた第１、第２の接続制御端子
の高電位と低電位を相反的に与えて共通端子と第１、第
２の端子それぞれの導通、非導通を切り換える単極双投
スイッチと、第３、第４の端子と第３、第４の端子との
間に第３の端子側にアノードを接続されたＰＩＮダイオ
ードと、ＰＩＮダイオードのアノードに第１のチョーク
コイルを介して接続した第３の接続制御端子と、ＰＩＮ
ダイオードのカソードと接地の間に接続された第２のチ
ョークコイルとを備えた第３の接続制御端子の高電位と
低電位を切り換えることにより、第３の端子と第４の端
子をオンオフ制御する単極単投スイッチとを備えてい
る。
【００２０】この構成において、第１の接続制御端子に
低電位、第２の接続制御端子に高電位、第３の接続制御
端子に低電位を与えた場合には、第１のアンテナ接続端
子と受信端子間が導通状態となり、第１のアンテナ接続
端子と送信端子間および第２のアンテナ接続端子と受信
端子間が非導通状態となる。また、第１の接続制御端子
に高電位、第２の接続制御端子に低電位、第３の接続制
御端子に低電位を与えた場合には、第２のアンテナ接続
端子と受信端子間が導通状態となり、第１のアンテナ接
続端子と受信端子間および第１のアンテナ接続端子と送
信端子間が非導通となる。さらに、第１の接続制御端子
に低電位、第２の接続制御端子に高電位、第３の接続制
御端子に高電位を与えた場合には、第１の並列ＦＥＴが
オン状態になっているので第１の直列ＦＥＴと第１の並
列ＦＥＴの接続点のインピーダンスは低インピーダンス
になり、この点にλ／４線路を接続することにより第１
のアンテナ接続端子から受信端子側を見たインピーダン
スは高インピーダンスに変換される。このときに直列Ｐ
ＩＮダイオードがオン状態であるので、第１のアンテナ
接続端子と送信端子が導通状態となり、第１のアンテナ
接続端子と受信端子は非導通状態となる。これにより、
従来のＰＩＮダイオードを用いたアンテナ切替回路より
も小型で、受信時に消費電力が少なく、かつ、従来のＦ
ＥＴを用いたアンテナ切替回路よりも送信時の高電力信
号を容易に伝送できるアンテナ切替回路を実現すること
ができる。
低電位、第２の接続制御端子に高電位、第３の接続制御
端子に低電位を与えた場合には、第１のアンテナ接続端
子と受信端子間が導通状態となり、第１のアンテナ接続
端子と送信端子間および第２のアンテナ接続端子と受信
端子間が非導通状態となる。また、第１の接続制御端子
に高電位、第２の接続制御端子に低電位、第３の接続制
御端子に低電位を与えた場合には、第２のアンテナ接続
端子と受信端子間が導通状態となり、第１のアンテナ接
続端子と受信端子間および第１のアンテナ接続端子と送
信端子間が非導通となる。さらに、第１の接続制御端子
に低電位、第２の接続制御端子に高電位、第３の接続制
御端子に高電位を与えた場合には、第１の並列ＦＥＴが
オン状態になっているので第１の直列ＦＥＴと第１の並
列ＦＥＴの接続点のインピーダンスは低インピーダンス
になり、この点にλ／４線路を接続することにより第１
のアンテナ接続端子から受信端子側を見たインピーダン
スは高インピーダンスに変換される。このときに直列Ｐ
ＩＮダイオードがオン状態であるので、第１のアンテナ
接続端子と送信端子が導通状態となり、第１のアンテナ
接続端子と受信端子は非導通状態となる。これにより、
従来のＰＩＮダイオードを用いたアンテナ切替回路より
も小型で、受信時に消費電力が少なく、かつ、従来のＦ
ＥＴを用いたアンテナ切替回路よりも送信時の高電力信
号を容易に伝送できるアンテナ切替回路を実現すること
ができる。
【図１】本発明の実施の形態１のアンテナ切替回路の回
路図
路図
【図２】本発明の実施の形態２のアンテナ切替回路の回
路図
路図
【図３】本発明の実施の形態３のアンテナ切替回路の回
路図
路図
【図４】本発明のアンテナ切替回路の動作を説明するブ
ロック図
ロック図
【図５】（ａ）はＦＥＴを用いた単極双投スイッチの動
作を説明する補助図 （ｂ）はＰＩＮダイオードを用いた単極双投スイッチの
動作を説明する補助図
作を説明する補助図 （ｂ）はＰＩＮダイオードを用いた単極双投スイッチの
動作を説明する補助図
【図６】従来例のＦＥＴスイッチを用いたアンテナ切替
回路の回路図
回路の回路図
【図７】従来例のＰＩＮダイオードスイッチを用いたア
ンテナ切替回路の回路図
ンテナ切替回路の回路図
１０１ 第１のアンテナ接続端子 １０２ 第２のアンテナ接続端子 １０３ 送信端子 １０４ 受信端子 １０５ 第１の接続制御端子 １０６ 第２の接続制御端子 １０７ 第３の接続制御端子 １０８ 直列ＰＩＮダイオード １０９ 第１のチョークコイル １１０ 第２のチョークコイル １１１ 直流阻止コンデンサ １１２ λ／４の伝送線路 １１３ 第１の直列ＦＥＴ １１４ 第２の直列ＦＥＴ １１５ 第１の並列ＦＥＴ １１６ 第２の並列ＦＥＴ １１７ 単極双投スイッチ
Claims (4)
- 【請求項１】１つの共通端子と、第１、第２の端子と、
前記第１、第２の端子と前記共通端子との間にそれぞれ
接続した第１、第２の直列ＦＥＴと、前記第１、第２の
端子と接地の間にそれぞれ接続した第１、第２の並列Ｆ
ＥＴと、前記第１の並列ＦＥＴと前記第２の直列ＦＥＴ
のゲート端子を共通に取りだした第１の接続制御端子
と、前記第２の並列ＦＥＴと前記第１の直列ＦＥＴのゲ
ート端子を共通に取りだした第２の接続制御端子とを備
えた前記第１、第２の接続制御端子の高電位と低電位を
相反的に与えて前記共通端子と第１、第２の端子の導
通、非導通を切り換える単極双投スイッチと、第３、第
４の端子と前記第３、第４の端子との間に前記第３の端
子側にアノードを接続されたＰＩＮダイオードと、前記
ＰＩＮダイオードのアノードに第１のチョークコイルを
介して接続した第３の接続制御端子と、前記ＰＩＮダイ
オードのカソードと接地の間に接続された第２のチョー
クコイルとを備えた前記第３の接続制御端子の高電位と
低電位を切り換えることにより、前記第３の端子と前記
第４の端子をオンオフ制御する単極単投スイッチとを具
備し、前記単極双投スイッチの前記共通端子を受信端子
とし、前記単極双投スイッチの前記第１の端子と前記単
極単投スイッチの前記第４の端子とをλ／４長の伝送線
路で接続し、前記伝送線路と前記第４の端子との間に第
１のアンテナを接続し、前記単極双投スイッチの前記第
２の端子に第２のアンテナを接続し、前記単極単投スイ
ッチの前記第３の端子を送信端子とし、前記単極双投ス
イッチの前記共通端子と前記第１の端子を非導通状態に
設定した際に前記第１の並列ＦＥＴのオン状態により生
じる低インピーダンスを前記λ／４伝送線路により高イ
ンピーダンスに変換し、前記第３の接続制御端子を高電
位に設定して前記送信端子と前記第１のアンテナを導通
させる場合に前記受信端子と前記第１のアンテナの非導
通を実現することを特徴とするアンテナ切替回路。 - 【請求項２】第１の並列ＦＥＴに第３の並列ＦＥＴを並
列接続して、前記第３の並列ＦＥＴのゲート端子を前記
第１の並列ＦＥＴのゲート端子と共通にして、送信時に
前記第１および第３の並列ＦＥＴのオン時のインピーダ
ンスをさらに低下させることを特徴とする請求項１記載
のアンテナ切替回路。 - 【請求項３】並列ＦＥＴの接地端子の接地との間に直流
阻止コンデンサを接続し、任意の基準電位を与え、直並
列ＦＥＴのオンオフの制御電位を任意に設定することを
特徴とする請求項１または請求項２記載のアンテナ切替
回路。 - 【請求項４】λ／４長の伝送線路の代わりに集中定数素
子で表現した位相反転回路を用いることを特徴とする請
求項１から請求項３のいずれかに記載のアンテナ切替回
路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8039433A JPH09232932A (ja) | 1996-02-27 | 1996-02-27 | アンテナ切替回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8039433A JPH09232932A (ja) | 1996-02-27 | 1996-02-27 | アンテナ切替回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09232932A true JPH09232932A (ja) | 1997-09-05 |
Family
ID=12552874
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8039433A Pending JPH09232932A (ja) | 1996-02-27 | 1996-02-27 | アンテナ切替回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09232932A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6243563B1 (en) | 1997-06-17 | 2001-06-05 | Nec Corporation | Wireless device for high power transmission radio signal |
| FR2919128A1 (fr) * | 2007-07-20 | 2009-01-23 | Thales Sa | Dispositif de commande pour commutateurs integres |
| FR2919127A1 (fr) * | 2007-07-20 | 2009-01-23 | Thales Sa | Dispositif de commutation actif et circuit integre hyperfrequences comportant un tel dispositif |
| KR20140023227A (ko) * | 2012-08-16 | 2014-02-26 | 트리퀸트 세미컨덕터 인코퍼레이티드 | 비-네거티브 바이어싱을 갖는 스위칭 디바이스 |
| CN112998744A (zh) * | 2021-03-16 | 2021-06-22 | 广州医科大学附属第一医院（广州呼吸中心） | 一种可判读听诊器 |
-
1996
- 1996-02-27 JP JP8039433A patent/JPH09232932A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6243563B1 (en) | 1997-06-17 | 2001-06-05 | Nec Corporation | Wireless device for high power transmission radio signal |
| FR2919128A1 (fr) * | 2007-07-20 | 2009-01-23 | Thales Sa | Dispositif de commande pour commutateurs integres |
| FR2919127A1 (fr) * | 2007-07-20 | 2009-01-23 | Thales Sa | Dispositif de commutation actif et circuit integre hyperfrequences comportant un tel dispositif |
| WO2009013182A1 (fr) * | 2007-07-20 | 2009-01-29 | Thales | Dispositif de commande pour commutateurs integres |
| WO2009013183A1 (fr) * | 2007-07-20 | 2009-01-29 | Thales | Dispositif de commutation actif et circuit integre hyperfrequences comportant un tel dispositif |
| KR20140023227A (ko) * | 2012-08-16 | 2014-02-26 | 트리퀸트 세미컨덕터 인코퍼레이티드 | 비-네거티브 바이어싱을 갖는 스위칭 디바이스 |
| JP2014042239A (ja) * | 2012-08-16 | 2014-03-06 | Triquint Semiconductor Inc | 非負バイアスの切替装置 |
| CN112998744A (zh) * | 2021-03-16 | 2021-06-22 | 广州医科大学附属第一医院（广州呼吸中心） | 一种可判读听诊器 |
| CN112998744B (zh) * | 2021-03-16 | 2023-03-10 | 广州医科大学附属第一医院（广州呼吸中心） | 一种可判读听诊器 |
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