JP2014036226A5 - - Google Patents

Claims (22)

1. 第２突出防止層と、
   前記第２突出防止層上に配置され、第３の孔を有するセラミック本体を含むセラミック基板と、
   前記第２突出防止層上に配置され、前記第３の孔に挿入される放熱ブロックと、
   前記セラミック基板及び前記放熱ブロック上に配置される第１突出防止層と、
   前記セラミック基板上に配置されて所定の大きさを有する第１の孔が形成され、前記第１の孔には高い全反射率を有する金属膜がコーティング又は蒸着される本体と、
   紫外線を出力し、前記セラミック基板と前記本体の第１の孔によって形成されたキャビティの内部に配置される発光チップと、
   前記本体上に配置されて所定の大きさを有する第２の孔を有するキャップと、
   前記第２の孔に配置される透明窓と、を含み、
   前記キャップの下部は、第１の面と前記第１の面より下部にさらに突出する第２の面に区分され、前記第１の面の少なくとも一部は前記本体と結着され、
   前記第１突出防止層及び前記第２突出防止層は前記セラミック基板及び前記放熱ブロックと接する、発光パッケージ。
2. 前記第２の孔の下部直径は上部直径よりさらに小さく、前記第２の孔の前記上部直径と前記第２の孔の前記下部直径の間に段差が形成され、前記第２の孔に接触する前記透明窓の側面は、前記段差の形状と対応する段差を有する、請求項１に記載の発光パッケージ。
3. 前記発光チップは、下部に結着するサブマウントをさらに含み、前記サブマウントは前記セラミック基板上に配置される、請求項１または２に記載の発光パッケージ。
4. 前記サブマウントは前記放熱ブロック上に配置される、請求項３に記載の発光パッケージ。
5. 前記第２の面の突出した高さは、０．１ｍｍ以上０．３ｍｍ以下である、請求項１ないし４のいずれか一項に記載の発光パッケージ。
6. 前記本体と前記第１の面の結着は、真空状態又は窒素（Ｎ_２）ガスにてＡｕ−Ｓｎ共晶接合による、請求項１ないし５のいずれか一項に記載の発光パッケージ。
7. 前記発光チップは、Ａｕペーストを用いた接合又はＡｕ−Ｓｎ共晶接合で前記セラミック基板に固定された、請求項１ないし６のいずれか一項に記載の発光パッケージ。
8. 前記発光チップと前記透明窓との間の間隔は、０．２ｍｍ以上０．３ｍｍ以下である、請求項１ないし７のいずれか一項に記載の発光パッケージ。
9. 前記セラミック基板はＳｉＯ_２，ＳｉｘＯｙ，Ｓｉ_３Ｎｙ，ＳｉＯｘＮｙ，Ａｌ_２Ｏ_３，ＡｌＮのいずれか一つを含む、請求項１ないし８のいずれか一項に記載の発光パッケージ。
10. 前記本体は、ＳｉＯ_２，ＳｉｘＯｙ，Ｓｉ_３Ｎｙ，ＳｉＯｘＮｙ，Ａｌ_２Ｏ_３，ＡｌＮのいずれか一つを含む、請求項１ないし９のいずれか一項に記載の発光パッケージ。
11. 前記放熱ブロックは、Ｃｕ，Ｍ，Ｗ，Ａｇ，Ｍｏ，ＣｕＭｏ，ＣｕＷのいずれか一つを含む、請求項１ないし１０のいずれか一項に記載の発光パッケージ。
12. 前記発光チップを包囲するように前記キャビティ内に形成されるモールディング部をさらに含む、請求項１ないし１１のいずれか一項に記載の発光パッケージ。
13. 第２突出防止層と、
    前記第２突出防止層上に配置され、第３の孔を有するセラミック本体を含むセラミック基板と、
    前記第２突出防止層上に配置され、前記第３の孔に挿入される放熱ブロックと、
    前記セラミック基板及び前記放熱ブロック上に配置される第１突出防止層と、
    前記セラミック基板上に配置されて所定の大きさを有する第１の孔が形成されている本体と、
    紫外線を出力し、前記セラミック基板と前記本体の孔により形成されたキャビティの内部に配置される発光チップと、
    前記本体上に配置されて所定の大きさを有する第２の孔を有するキャップと、
    前記第２の孔に配置される透明窓と、を含み、
    前記第２の孔の上部直径は下部直径よりさらに小さく、前記第２の孔の前記上部直径と前記第２の孔の前記下部直径の間に段差が形成され、前記透明窓は前記第２の孔の下部に配置され、
    前記第１突出防止層及び前記第２突出防止層は前記セラミック基板及び前記放熱ブロックと接する、発光パッケージ。
14. 前記発光チップは、下部に結着するサブマウントをさらに含み、前記サブマウントは前記セラミック基板上に配置される、請求項１３に記載の発光パッケージ。
15. 前記サブマウントは前記放熱ブロック上に配置される、請求項１４に記載の発光パッケージ。
16. 前記本体と前記第１の面の結着は、真空状態又は窒素（Ｎ_２）ガスにてＡｕ−Ｓｎ共晶接合による、請求項１３ないし１５のいずれか一項に記載の発光パッケージ。
17. 前記発光チップは、Ａｕペーストを用いた接合又はＡｕ−Ｓｎ共晶接合で前記セラミック基板に固定された、請求項１３ないし１６のいずれか一項に記載の発光パッケージ。
18. 前記発光チップと前記透明窓との間の間隔は、０．２ｍｍ以上０．３ｍｍ以下である、請求項１３ないし１７のいずれか一項に記載の発光パッケージ。
19. 前記セラミック基板はＳｉＯ_２，ＳｉｘＯｙ，Ｓｉ_３Ｎｙ，ＳｉＯｘＮｙ，Ａｌ_２Ｏ_３，ＡｌＮのいずれか一つを含む、請求項１３ないし１８のいずれか一項に記載の発光パッケージ。
20. 前記本体は、ＳｉＯ_２，ＳｉｘＯｙ，Ｓｉ_３Ｎｙ，ＳｉＯｘＮｙ，Ａｌ_２Ｏ_３，ＡｌＮのいずれか一つを含む、請求項１３ないし１９のいずれか一項に記載の発光パッケージ。
21. 前記セラミック基板及び前記放熱ブロックの上面は前記第１突出防止層で覆われ、
    前記セラミック基板及び前記放熱ブロックの下面は前記第２突出防止層で覆われる、請求項１ないし２０のいずれか一項に記載の発光パッケージ。
22. 前記セラミック基板及び前記放熱ブロックの上面は第１平面上に配置され、
    前記セラミック基板及び前記放熱ブロックの下面は第２平面上に配置される、請求項１ないし２１のいずれか一項に記載の発光パッケージ。