JP2007180204A5 - - Google Patents

Claims (9)

1. 基板と、
   前記基板上にフリップチップ実装された発光素子と、
   前記発光素子を封止する封止構造体と、を有する半導体装置であって、
   前記封止構造体は、前記基板上に前記発光素子を囲むように形成された隔壁部と、当該隔壁部上に設置される蓋部とが接合された構造を有し、
   前記封止構造体の内壁面に蛍光体膜が形成されるとともに、前記隔壁部がメッキによる金属からなり、前記発光素子の発光を反射するリフレクタとして機能するように構成されていることを特徴とする半導体装置。
2. 前記発光素子はＬＥＤよりなることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
3. 前記基板を貫通するように形成され、前記発光素子と電気的に接続された貫通配線を有することを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置。
4. 前記蓋部には、前記隔壁部と接合されるための接合部がパターニングされて形成されていることを特徴とする請求項１乃至３のうち、いずれか１項記載の半導体装置。
5. 基板上に実装された発光素子が封止されてなる半導体装置の製造方法であって、
   前記基板上にメッキ法により隔壁部を形成する工程と、
   前記基板上の前記隔壁部に囲まれる領域に前記発光素子をフリップチップ実装する工程と、
   前記隔壁部に囲まれた前記基板上の前記発光素子に蛍光体膜を塗布する工程と、
   蛍光体膜が塗布された蓋部を前記隔壁部に接合して前記発光素子を封止する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
6. 前記発光素子は、ＬＥＤよりなることを特徴とする請求項５記載の半導体装置の製造方法。
7. 前記基板を貫通するように形成される貫通配線を形成する工程をさらに有し、前記発光素子は、当該貫通配線と接続されるように実装されることを特徴とする請求項５または６記載の半導体装置の製造方法。
8. 前記隔壁部は、前記発光素子からの発光を反射するリフレクタとして機能することを特徴とする請求項５乃至７のうち、いずれか１項記載の半導体装置の製造方法。
9. 前記蓋部には、前記隔壁部と接合されるための接合部がパターニングされて形成されていることを特徴とする請求項５乃至８のうち、いずれか１項記載の半導体装置の製造方法。