JP2014011357A5 - - Google Patents

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Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5107185B2 (ja) * 2008-09-04 2012-12-26 東京エレクトロン株式会社 成膜装置、基板処理装置、成膜方法及びこの成膜方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体
JP5445044B2 (ja) * 2008-11-14 2014-03-19 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
JP5501807B2 (ja) * 2009-03-31 2014-05-28 東京エレクトロン株式会社 処理装置
EP2843687A4 (en) * 2012-04-27 2015-12-23 Namiki Precision Jewel Co Ltd COMPOSITION METHOD FOR COMPOSITE SUBSTRATE, METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR ELEMENT, COMPOSITE SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR COMPONENT
JP6115244B2 (ja) * 2013-03-28 2017-04-19 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
US9552979B2 (en) * 2013-05-31 2017-01-24 Asm Ip Holding B.V. Cyclic aluminum nitride deposition in a batch reactor
FI126794B (en) 2014-12-22 2017-05-31 Picosun Oy Photon assisted surface coating method
WO2016109063A1 (en) * 2015-01-02 2016-07-07 Applied Materials, Inc. Processing chamber
US10483262B2 (en) 2015-05-15 2019-11-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Dual nitride stressor for semiconductor device and method of manufacturing
JP6447393B2 (ja) * 2015-07-06 2019-01-09 東京エレクトロン株式会社 成膜処理装置、成膜処理方法及び記憶媒体
US20170051407A1 (en) * 2015-08-17 2017-02-23 Applied Materials, Inc. Heating Source For Spatial Atomic Layer Deposition
WO2017034855A1 (en) * 2015-08-21 2017-03-02 Applied Materials, Inc. High temperature thermal ald silicon nitride films
JP6163524B2 (ja) * 2015-09-30 2017-07-12 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
JP6584355B2 (ja) * 2016-03-29 2019-10-02 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
WO2017210139A1 (en) * 2016-05-29 2017-12-07 Tokyo Electron Limited Method of silicon extraction using a hydrogen plasma
KR102698026B1 (ko) * 2016-09-28 2024-08-21 삼성전자주식회사 유전막 형성 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
JP6807278B2 (ja) 2017-05-24 2021-01-06 東京エレクトロン株式会社 シリコン窒化膜の成膜方法および成膜装置
JP6988629B2 (ja) * 2018-03-26 2022-01-05 東京エレクトロン株式会社 成膜方法及び成膜装置
CN108499094B (zh) * 2018-04-19 2024-06-11 上海欢博数字科技有限公司 一种智能互动转盘及其控制方法
JP6981356B2 (ja) * 2018-04-24 2021-12-15 東京エレクトロン株式会社 成膜装置及び成膜方法
JP2020038931A (ja) 2018-09-05 2020-03-12 キオクシア株式会社 半導体製造装置、および半導体装置の製造方法
KR102697922B1 (ko) 2019-01-09 2024-08-22 삼성전자주식회사 원자층 증착 장치 및 이를 이용한 박막 형성 방법
JP7246247B2 (ja) * 2019-05-15 2023-03-27 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び監視方法
JP7240517B2 (ja) * 2019-09-20 2023-03-15 株式会社Kokusai Electric 半導体装置の製造方法、基板処理方法、プログラム、および基板処理装置
CN115896747B (zh) * 2021-09-30 2024-10-15 馗鼎奈米科技(深圳)有限公司 表面处理设备
US12331400B2 (en) 2022-11-07 2025-06-17 Creating Nano Technologies, Inc. Surface treatment apparatus
TWI880290B (zh) * 2023-08-08 2025-04-11 天虹科技股份有限公司 紫外光輔助及電漿強化之製程方法

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3330727B2 (ja) 1994-04-28 2002-09-30 康夫 垂井 光励起ｃｖｄ装置及びｃｖｄ方法
KR100368311B1 (ko) * 2000-06-27 2003-01-24 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 게이트 형성 방법
US7232730B2 (en) 2005-04-29 2007-06-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method of forming a locally strained transistor
US8138104B2 (en) * 2005-05-26 2012-03-20 Applied Materials, Inc. Method to increase silicon nitride tensile stress using nitrogen plasma in-situ treatment and ex-situ UV cure
US7579285B2 (en) 2005-07-11 2009-08-25 Imec Atomic layer deposition method for depositing a layer
US8501632B2 (en) * 2005-12-20 2013-08-06 Infineon Technologies Ag Methods of fabricating isolation regions of semiconductor devices and structures thereof
KR100825778B1 (ko) * 2006-09-28 2008-04-29 삼성전자주식회사 듀얼 스트레스 라이너를 구비하는 반도체 소자의 제조방법
JP2008217959A (ja) * 2007-02-05 2008-09-18 Fuji Electric Device Technology Co Ltd 磁気記録媒体およびその製造方法
JP5151260B2 (ja) * 2007-06-11 2013-02-27 東京エレクトロン株式会社 成膜方法及び成膜装置
JP4935684B2 (ja) * 2008-01-12 2012-05-23 東京エレクトロン株式会社 成膜方法及び成膜装置
JP5423205B2 (ja) * 2008-08-29 2014-02-19 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
JP2010141281A (ja) * 2008-11-11 2010-06-24 Renesas Technology Corp 半導体装置およびその製造方法
JP5387176B2 (ja) * 2009-07-01 2014-01-15 富士通セミコンダクター株式会社 半導体装置の製造方法
JP5434484B2 (ja) * 2009-11-02 2014-03-05 東京エレクトロン株式会社 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体
JP5632240B2 (ja) * 2010-08-31 2014-11-26 東京エレクトロン株式会社 微細パターンの形成方法
JP5572515B2 (ja) * 2010-10-15 2014-08-13 東京エレクトロン株式会社 成膜装置および成膜方法
KR20110115992A (ko) * 2011-09-30 2011-10-24 주성엔지니어링(주) 광원을 포함하는 원자층 증착장치 및 이를 이용한 증착방법

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