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Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6035117B2 (ja) * 2012-11-09 2016-11-30 東京エレクトロン株式会社 プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置
JP2014225501A (ja) 2013-05-15 2014-12-04 東京エレクトロン株式会社 プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置
JP6185305B2 (ja) * 2013-06-28 2017-08-23 東京エレクトロン株式会社 プラズマエッチング方法およびプラズマエッチング装置
JP6207947B2 (ja) * 2013-09-24 2017-10-04 東京エレクトロン株式会社 被処理体をプラズマ処理する方法
JP6643875B2 (ja) 2015-11-26 2020-02-12 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法
JP6643876B2 (ja) * 2015-11-26 2020-02-12 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法
JP6637838B2 (ja) * 2016-05-26 2020-01-29 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理方法
JP6415636B2 (ja) * 2017-05-25 2018-10-31 東京エレクトロン株式会社 プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置
JP2018200925A (ja) * 2017-05-25 2018-12-20 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法およびエッチング装置
SG11202007304WA (en) * 2018-02-05 2020-08-28 Lam Res Corp Amorphous carbon layer opening process
JP7022651B2 (ja) * 2018-05-28 2022-02-18 東京エレクトロン株式会社 膜をエッチングする方法及びプラズマ処理装置
JP2020009840A (ja) * 2018-07-04 2020-01-16 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法及び基板処理装置
JP2020088174A (ja) * 2018-11-26 2020-06-04 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法及び基板処理装置
JP7339032B2 (ja) * 2019-06-28 2023-09-05 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法および基板処理装置
JP7336365B2 (ja) 2019-11-19 2023-08-31 東京エレクトロン株式会社 膜をエッチングする方法及びプラズマ処理装置
US11443954B2 (en) 2019-12-10 2022-09-13 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for controlling a shape of a pattern over a substrate
US12112954B2 (en) 2020-01-29 2024-10-08 Tokyo Electron Limited Etching method, substrate processing apparatus, and substrate processing system
JP7557969B2 (ja) 2020-01-29 2024-09-30 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法、基板処理装置、及び基板処理システム
JP2021192414A (ja) 2020-06-05 2021-12-16 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法および基板処理装置
US12266534B2 (en) 2020-06-15 2025-04-01 Tokyo Electron Limited Forming a semiconductor device using a protective layer
JP2023082809A (ja) * 2021-12-03 2023-06-15 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
JP2025128419A (ja) * 2022-07-22 2025-09-03 住友精化株式会社 炭素原子含有膜のドライエッチング方法
CN119137715A (zh) * 2022-07-22 2024-12-13 住友精化株式会社 含碳原子膜的干式蚀刻方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030003694A1 (en) * 2001-06-28 2003-01-02 Apostolos Voutsas Method for forming silicon films with trace impurities
AU2003244166A1 (en) * 2002-06-27 2004-01-19 Tokyo Electron Limited Plasma processing method
JP2004214465A (ja) 2003-01-07 2004-07-29 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法
JP2006351862A (ja) 2005-06-16 2006-12-28 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
US7883632B2 (en) * 2006-03-22 2011-02-08 Tokyo Electron Limited Plasma processing method
JP5067068B2 (ja) * 2007-08-17 2012-11-07 東京エレクトロン株式会社 半導体装置の製造方法及び記憶媒体
JP5213496B2 (ja) * 2008-03-31 2013-06-19 東京エレクトロン株式会社 プラズマエッチング方法及びコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
US8383001B2 (en) * 2009-02-20 2013-02-26 Tokyo Electron Limited Plasma etching method, plasma etching apparatus and storage medium

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