JP2013255222A - 半導体装置及びその駆動方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】オフ電流の小さいトランジスタを、積分回路が有する容量素子に対して電気的に直列になるよう接続する構成とする。そして、オフ電流の小さいトランジスタを、積分回路が有する容量素子に対して電気的に直列に接続して、電源電圧の供給を行う期間では該トランジスタをオンにし、電源電圧の供給を停止する期間では該トランジスタをオフにする
【選択図】図1
Description
本実施の形態では、半導体装置である積分回路の回路構成及びその駆動方法について説明する。
本実施の形態では、上記実施の形態1で説明した積分回路100の変形例について説明する。
本実施の形態では、上記実施の形態1で説明した積分回路100の変形例について説明する。
本実施の形態では、上記実施の形態1乃至3で説明した積分回路を、位相同期回路(以下、PLL回路)が有するアクティブ・ループ・フィルタに設ける形態について説明する。
本実施の形態では、上記実施の形態1乃至3で説明した差動増幅回路を構成するトランジスタと、容量素子に電気的に直列に接続されるトランジスタと、積層して設けた半導体装置の断面図の構成について図9に示し、説明する。
T2 期間
T3 期間
T4 期間
100 積分回路
100bg 積分回路
100rp 積分回路
100rA 積分回路
100rB 積分回路
100W 積分回路
101 差動増幅回路
101W 差動増幅回路
102 抵抗素子
103 容量素子
104 トランジスタ
104r トランジスタ
105A 抵抗素子
105B 抵抗素子
104_OFF 破線
104_ON 破線
104bg トランジスタ
104rp トランジスタ
200 PLL回路
201 位相比較器
202 アクティブ・ループ・フィルタ
203 電圧制御発振器
204 分周器
300 トランジスタ
301 容量素子
321 下部素子層
322 配線層
323 配線層
324 上部素子層
331 nチャネル型トランジスタ
332 pチャネル型トランジスタ
333 基板
334 BOX層
335 SOI層
336 n型不純物領域
337 ゲート絶縁膜
338 ゲート電極
339 p型不純物領域
340 絶縁膜
341 配線
342 素子分離絶縁層
344 絶縁膜
345 絶縁膜
351 配線
352 配線
353 配線
401 酸化物半導体膜
402A ソース電極
402B ドレイン電極
402C 電極
403 ゲート絶縁膜
404A ゲート電極
404B 電極
Claims (8)
- 差動増幅回路、抵抗素子、容量素子、及びトランジスタを有する積分回路、
を有し、
前記トランジスタは、チャネル幅あたりのオフ電流が1×10−22A/μm以下であり、
前記容量素子は、前記差動増幅回路の反転入力端子と出力端子との間に設けられ、前記トランジスタのソース及びドレインの一方となる電極に接続されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1において、前記トランジスタは、前記容量素子と前記差動増幅回路の出力端子との間に設けられていることを特徴とする半導体装置。
- 請求項1において、前記トランジスタは、前記容量素子と前記差動増幅回路の反転入力端子との間に設けられていることを特徴とする半導体装置。
- 請求項1乃至請求項3のいずれか一において、前記トランジスタの半導体層は、酸化物半導体であることを特徴とする半導体装置。
- 請求項4において、前記半導体層のバックチャネル側には、バックゲート電極が設けられていることを特徴とする半導体装置。
- ループ・フィルタを有するPLL回路、
を有し、
前記ループ・フィルタは、請求項1乃至請求項5のいずれか一に記載の積分回路を有することを特徴とする半導体装置。 - 電源電圧の供給が停止する期間では、積分回路の差動増幅回路の反転入力端子と出力端子との間に設けられたトランジスタをオフにし、
前記電源電圧の供給が行われる期間では、前記トランジスタをオンにする、
ことを特徴とする半導体装置の駆動方法。 - 電源電圧の供給を停止する前に、積分回路の差動増幅回路の反転入力端子と出力端子との間に設けられたトランジスタをオフにして、前記電源電圧の供給を停止し、
前記電源電圧の供給を再開した後に、前記トランジスタをオンにする、
ことを特徴とする半導体装置の駆動方法。
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