JP2013258895A - 半導体装置及びその駆動方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】電荷転送素子及び容量素子を有し、入力信号の電圧レベルを昇圧した出力信号を出力する昇圧回路部と、出力信号の電圧レベルをモニターする検出回路と、検出回路で得られる電圧レベルに従って、入力信号の電圧レベルの昇圧を制御する信号を昇圧部に出力する制御回路と、を有し、昇圧回路部は、容量素子及び電荷転送素子に電気的に接続されたスイッチを有する半導体装置とする。
【選択図】図1
Description
本実施の形態では、半導体装置であるチャージポンプ回路の回路構成及びその駆動方法について説明する。
本実施の形態では、上記実施の形態1で説明した図2のチャージポンプ回路100の変形例について説明する。
本実施の形態では、上記実施の形態1で説明したスイッチとして機能する、酸化物半導体層にチャネルが形成されるトランジスタと、制御回路が有するシリコンにチャネルが形成されるトランジスタと、積層して設けた半導体装置の断面図の構成について図9に示し、説明する。
C2 ノード
S1 信号
S2 信号
T_ret1 期間
T_ret2 期間
W1 チャネル幅
V_C1 電圧レベル
V_C2 電圧レベル
VrefH 電圧レベル
VrefL 電圧レベル
V_line 電圧レベル
Vin 入力信号
Vout 出力信号
Vout_max 電圧レベル
Vout_min 電圧レベル
CLK_H 電圧レベル
CLK_L 電圧レベル
100 チャージポンプ回路
101 昇圧回路部
102 検出回路
103 制御回路
104 電荷転送素子
105 電荷転送素子
106 容量素子
106A 容量素子
106B 容量素子
106C 容量素子
107 容量素子
108 スイッチ
111 ダイオード素子
111A ダイオード素子
111B ダイオード素子
111C ダイオード素子
112 ダイオード素子
113 トランジスタ
114A 抵抗素子
114B 抵抗素子
151 電源制御回路
201 オペアンプ
202 オペアンプ
203 基準電圧生成回路
204 フリップフロップ回路
205 セレクタ回路
206 発振回路
300 トランジスタ
321 下部素子層
322 配線層
323 上部素子層
331 nチャネル型トランジスタ
332 pチャネル型トランジスタ
333 基板
334 BOX層
335 SOI層
336 n型不純物領域
337 ゲート絶縁層
338 ゲート電極
339 p型不純物領域
340 絶縁層
341 配線
342 素子分離絶縁層
344 絶縁層
345 絶縁層
351 配線
352 配線
353 配線
361 ゲート絶縁層
362 酸化物半導体膜
363A ソース電極
363B ドレイン電極
364 絶縁層
365 バックゲート電極
500 チャージポンプ回路
501 昇圧回路部
Claims (6)
- 電荷転送素子及び容量素子を有し、入力信号の電圧レベルを昇圧した出力信号を出力する昇圧回路部と、
前記出力信号の電圧レベルをモニターする検出回路と、
前記検出回路で得られる前記電圧レベルに従って、前記入力信号の電圧レベルの昇圧を制御する信号を前記昇圧回路部に出力する制御回路と、を有し、
前記昇圧回路部は、前記容量素子及び前記電荷転送素子に電気的に接続されたスイッチを有する半導体装置。 - 電荷転送素子及び容量素子を有し、入力信号の電圧レベルを昇圧した出力信号を出力する昇圧回路部と、
前記出力信号の電圧レベルをモニターする検出回路と、
前記検出回路で得られる前記電圧レベルに従って、前記入力信号の電圧レベルの昇圧を制御する信号を前記昇圧回路部に出力する制御回路と、を有し、
前記昇圧回路部は、前記容量素子及び前記電荷転送素子に電気的に接続されたスイッチを有し、
前記スイッチがトランジスタであり、該トランジスタが有する半導体層は、酸化物半導体である半導体装置。 - 請求項1または請求項2において、前記電荷転送素子は、ダイオード素子である半導体装置。
- 請求項1乃至請求項3のいずれか一の半導体装置を有し、
電源電圧の供給が停止する期間では、前記昇圧回路部の前記容量素子及び前記電荷転送素子に電気的に接続された前記スイッチをオフにし、
前記電源電圧の供給が行われる期間では、前記スイッチをオンにする、
半導体装置の駆動方法。 - 請求項4において、前記スイッチは、チャネル幅あたりのオフ電流が1×10−22A/μm以下のトランジスタである半導体装置の駆動方法。
- 請求項5において、前記トランジスタの半導体層は、酸化物半導体である半導体装置の駆動方法。
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