JP2013237894A - めっき装置及びめっき液管理方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】内部に保持しためっき液中に不溶性アノード12と基板Wとを互いに対向させて浸漬させるめっき槽10と、めっき槽10内のめっき液を引き抜きめっき槽10に戻して循環させるめっき液透析ライン48と、めっき液透析ライン48内に設置され、陰イオン交換膜40を用いた透析によってめっき液から遊離酸を除去する透析槽42と、めっき槽10に接続されてめっき液中の遊離酸濃度を測定する遊離酸濃度分析装置62と、遊離酸濃度分析装置62の遊離酸濃度分析値に基づいて、めっき液透析ライン48に沿って流れるめっき液の液量を制御する制御部70とを有する。
【選択図】図1
Description
これにより、めっき液の遊離酸濃度が60g/L未満となり、めっき液が濁って使用に適さなくなったり、めっき液の遊離酸濃度が250g/Lを超えて、めっき膜の膜厚の面内均一性が悪化してしまうことを防止することができる。
12 不溶性アノード
20 内槽
22 オーバフロー槽
32 めっき液循環ライン
34 めっき液戻り管
40 陰イオン交換膜
42 透析槽
44 めっき液供給管
46 めっき液排出管
48 めっき液透析ライン
52 めっき液量調整弁
54 給水ライン
58 水量調整弁
62 遊離酸濃度分析装置
64 めっき液分析ライン
66 めっき液抽出管
70 制御部
80,84 開閉弁
82,86 第1チューブポンプ
Claims (11)
- 基板の表面にSn合金めっき膜を成膜するめっき装置において、
内部に保持しためっき液中に不溶性アノードと基板とを互いに対向させて浸漬させるめっき槽と、
前記めっき槽内のめっき液を引き抜きめっき槽に戻して循環させるめっき液透析ラインと、
前記めっき液透析ライン内に設置され、陰イオン交換膜を用いた透析によってめっき液から遊離酸を除去する透析槽と、
前記めっき槽に接続されてめっき液中の遊離酸濃度を測定する遊離酸濃度分析装置と、
前記遊離酸濃度分析装置の遊離酸濃度分析値に基づいて、前記めっき液透析ラインに沿って流れるめっき液の液量を制御する制御部とを有することを特徴とするめっき装置。 - 基板の表面にSn合金めっき膜を成膜するめっき装置において、
内部に保持しためっき液中に不溶性アノードと基板とを互いに対向させて浸漬させるめっき槽と、
前記めっき槽内のめっき液を引き抜きめっき槽に戻して循環させるめっき液透析ラインと、
前記めっき液透析ライン内に設置され、陰イオン交換膜を用いた透析によってめっき液から遊離酸を除去する透析槽と、
めっき槽内のめっき液に印加した電気量の積算値に基づいて、前記めっき液透析ラインに沿って流れるめっき液の液量を制御する制御部とを有することを特徴とするめっき装置。 - めっき処理中に前記めっき槽内のめっき液を引き抜きめっき槽に戻して循環させるめっき液循環ラインを備え、
前記めっき液透析ラインは、前記めっき液循環ラインに接続されていることを特徴とする請求項1または2に記載のめっき装置。 - 前記制御部は、めっき液の遊離酸濃度が60〜250g/Lとなるように、前記めっき液透析ラインに沿って流れるめっき液の流量を制御することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載のめっき装置。
- 前記めっき液透析ラインの前記めっき槽と前記透析槽との間にめっき液量調整機構を設け、前記制御部は、前記透析槽の陰イオン交換膜の単位m2で示した有効膜面積を単位L/hで示しためっき液の流量で除した係数が0.3〜0.7となるように、前記めっき液量調整機構を制御することを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載のめっき装置。
- 前記透析槽には、内部に水量調整機構を設置した給水ラインが接続され、前記制御部は、前記給水ラインを通して前記透析槽内に供給される水の流量範囲が、前記めっき液透析ラインを通して前記透析槽内に供給されるめっき液の流量範囲の30%〜100%となるように、前記水量調整機構を制御することを特徴とする請求項5に記載のめっき装置。
- めっき液中に互いに対向させて浸漬させた不溶性アノードと基板表面との間に電圧を印加して該表面にSn合金からなるめっき膜を形成し、
前記めっき槽内のめっき液中の遊離酸濃度を遊離酸濃度分析装置で測定し、
前記遊離酸濃度分析装置の遊離酸濃度分析値に基づいて、前記めっき槽内のめっき液を引き抜きめっき槽に戻して循環させるめっき液透析ラインに沿って流れるめっき液の流量を制御しながら、透析槽の陰イオン交換膜を用いた透析によって、前記めっき液透析ラインに沿って流れるめっき液から遊離酸を除去することを特徴とするめっき液管理方法。 - めっき液中に互いに対向させて浸漬させた不溶性アノードと基板表面との間に電圧を印加して該表面にSn合金からなるめっき膜を形成し、
めっき槽内のめっき液に印加した電気量の積算値に基づいて、前記めっき槽内のめっき液を引き抜きめっき槽に戻して循環させるめっき液透析ラインに沿って流れるめっき液の流量を制御しながら、透析槽の陰イオン交換膜を用いた透析によって、前記めっき液透析ラインに沿って流れるめっき液から遊離酸を除去することを特徴とするめっき液管理方法。 - めっき液の遊離酸濃度が60〜250g/Lとなるように、前記めっき液透析ラインに沿って流れるめっき液の流量を制御することを特徴とする請求項7または8に記載のめっき液管理方法。
- 前記めっき液透析ラインの前記めっき槽と前記透析槽との間にめっき液量調整機構を設け、前記透析槽の陰イオン交換膜の単位m2で示した有効膜面積を単位L/hで示しためっき液の流量で除した係数が0.3〜0.7となるように、前記めっき液量調整機構を制御することを特徴とする請求項7乃至9のいずれか一項に記載のめっき液管理方法。
- 前記透析槽には、内部に水量調整機構を設置した給水ラインが接続され、前記給水ラインを通して前記透析槽内に供給される水の流量範囲が、前記めっき液透析ラインを通して前記透析槽内に供給されるめっき液の流量範囲の30%〜100%となるように、前記水量調整機構を制御することを特徴とする請求項10に記載のめっき液管理方法。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102192890B1 (ko) * | 2020-07-10 | 2020-12-18 | 김춘옥 | 유전체 세라믹 필터 디핑 방법 |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6022922B2 (ja) * | 2012-12-13 | 2016-11-09 | 株式会社荏原製作所 | Sn合金めっき装置及び方法 |
US20150247251A1 (en) * | 2014-02-28 | 2015-09-03 | Applied Materials, Inc. | Methods for electrochemical deposition of multi-component solder using cation permeable barrier |
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CN105177646B (zh) * | 2015-08-27 | 2017-12-08 | 江苏智光创业投资有限公司 | 一种用于生产无氰镀铜溶液的装置 |
KR102002342B1 (ko) * | 2018-06-28 | 2019-07-23 | 김대범 | 도금액 교반 및 공급 장치 |
JP7293765B2 (ja) * | 2018-07-24 | 2023-06-20 | 富士フイルムビジネスイノベーション株式会社 | めっき装置 |
CN110161306A (zh) * | 2019-05-31 | 2019-08-23 | 苏州迅鹏仪器仪表有限公司 | 多回路安培小时总计量仪表和电镀控制系统及方法 |
CN110318090B (zh) * | 2019-08-08 | 2021-08-31 | 湖南金康电路板有限公司 | 一种印刷电路板电镀装置及电镀方法 |
CN111663172A (zh) * | 2020-05-28 | 2020-09-15 | 甬矽电子(宁波)股份有限公司 | 电镀化学品监控方法、系统和装置 |
Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5417335A (en) * | 1977-06-27 | 1979-02-08 | Schering Ag | Method of continuously treating nickel plating solution |
JPS5729600A (en) * | 1980-07-26 | 1982-02-17 | Sumitomo Metal Ind Ltd | Method for adjusting ph value of electroplating bath |
JPH05171499A (ja) * | 1991-12-20 | 1993-07-09 | Nippon Riironaale Kk | 不溶性陽極を用いた錫又は錫‐鉛合金電気めっきの方法及び装置 |
JPH05294086A (ja) * | 1992-04-20 | 1993-11-09 | Fuji Photo Film Co Ltd | 印刷版用アルミニウム板の表面処理方法 |
US5312539A (en) * | 1993-06-15 | 1994-05-17 | Learonal Inc. | Electrolytic tin plating method |
JPH06264251A (ja) * | 1993-03-15 | 1994-09-20 | Ebara Corp | はんだめっき液自動管理装置 |
JPH08218200A (ja) * | 1995-02-14 | 1996-08-27 | Toshiba Corp | メッキ液自動管理装置 |
JPH08271497A (ja) * | 1995-03-29 | 1996-10-18 | C Uyemura & Co Ltd | 電気銅めっき浴中の電解生成物濃度の測定方法 |
WO2004059042A1 (ja) * | 2002-12-26 | 2004-07-15 | Ebara Corporation | 鉛フリーバンプおよびその形成方法 |
JP2009030118A (ja) * | 2007-07-27 | 2009-02-12 | C Uyemura & Co Ltd | 連続電気銅めっき方法 |
JP2010133012A (ja) * | 2008-10-21 | 2010-06-17 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | 電解質溶液中にスズおよびその合金形成金属を補給する方法 |
JP2010202941A (ja) * | 2009-03-04 | 2010-09-16 | Mitsubishi Materials Corp | Sn合金めっき装置及びそのSn成分補給方法 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3244620A (en) * | 1964-11-02 | 1966-04-05 | Dow Chemical Co | Separation of acid from polymers by dialysis with anion-exchange membranes |
FI71573C (fi) * | 1979-06-15 | 1987-01-19 | Akzo Nv | Foerfarande och anordning foer minskning av jaesta dryckers alkoholhalt genom dialys. |
GB2111080A (en) * | 1981-12-08 | 1983-06-29 | Ppg Industries Inc | Electrodeposition bath treatment |
JPS5928584A (ja) | 1982-08-10 | 1984-02-15 | Asahi Glass Co Ltd | 電解槽又は透析槽への液の供給方法 |
JPS5967387A (ja) * | 1982-10-08 | 1984-04-17 | Hiyougoken | すず、鉛及びすず―鉛合金メッキ浴 |
US4816407A (en) * | 1985-10-11 | 1989-03-28 | Sepracor Inc. | Production of low-ethanol beverages by membrane extraction |
JPH01312099A (ja) | 1988-06-10 | 1989-12-15 | Asahi Glass Co Ltd | 電気メッキ浴の管理方法 |
DE4106080A1 (de) * | 1991-02-27 | 1991-06-20 | Volker Dipl Ing Teuchert | Verfahren zur automatischen regelung der konzentration eines stoffes in der aus einem zur reduzierung der konzentration dieses stoffes eingesetzten dialysators austretenden fluessigkeit |
JP2888001B2 (ja) * | 1992-01-09 | 1999-05-10 | 日本電気株式会社 | 金属メッキ装置 |
JP3437600B2 (ja) * | 1993-03-15 | 2003-08-18 | 株式会社荏原製作所 | はんだめっき液自動分析方法及び装置 |
DE4344387C2 (de) * | 1993-12-24 | 1996-09-05 | Atotech Deutschland Gmbh | Verfahren zur elektrolytischen Abscheidung von Kupfer und Anordnung zur Durchführung des Verfahrens |
JPH0975681A (ja) | 1995-09-13 | 1997-03-25 | Japan Nuclear Fuel Co Ltd<Jnf> | 拡散透析装置及び方法 |
US6562220B2 (en) * | 1999-03-19 | 2003-05-13 | Technic, Inc. | Metal alloy sulfate electroplating baths |
JP2002241991A (ja) * | 2001-02-14 | 2002-08-28 | Canon Inc | 酸化亜鉛膜の成膜方法及び成膜装置 |
JP4698904B2 (ja) | 2001-09-20 | 2011-06-08 | 株式会社大和化成研究所 | 錫又は錫系合金めっき浴、該めっき浴の建浴用又は維持・補給用の錫塩及び酸又は錯化剤溶液並びに該めっき浴を用いて製作した電気・電子部品 |
JP4441725B2 (ja) * | 2003-11-04 | 2010-03-31 | 石原薬品株式会社 | 電気スズ合金メッキ方法 |
KR20060043958A (ko) * | 2004-11-11 | 2006-05-16 | 주식회사 팬택 | 이동통신단말기를 이용한 설문조사 방법 |
EP1887108A1 (en) * | 2005-05-25 | 2008-02-13 | Think Laboratory Co., Ltd. | Gravure cylinder-use copper plating method and device |
JP4812365B2 (ja) * | 2005-08-19 | 2011-11-09 | ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ,エル.エル.シー. | 錫電気めっき液および錫電気めっき方法 |
-
2012
- 2012-05-15 JP JP2012111115A patent/JP5876767B2/ja active Active
-
2013
- 2013-05-02 TW TW102115693A patent/TW201350625A/zh unknown
- 2013-05-09 KR KR1020130052387A patent/KR20130127921A/ko not_active Application Discontinuation
- 2013-05-14 US US13/893,940 patent/US20130306483A1/en not_active Abandoned
- 2013-05-14 EP EP13020015.7A patent/EP2664692A3/en not_active Withdrawn
- 2013-05-15 CN CN2013101802397A patent/CN103422140A/zh active Pending
-
2016
- 2016-08-05 KR KR1020160100330A patent/KR20160098144A/ko not_active Application Discontinuation
Patent Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5417335A (en) * | 1977-06-27 | 1979-02-08 | Schering Ag | Method of continuously treating nickel plating solution |
JPS5729600A (en) * | 1980-07-26 | 1982-02-17 | Sumitomo Metal Ind Ltd | Method for adjusting ph value of electroplating bath |
JPH05171499A (ja) * | 1991-12-20 | 1993-07-09 | Nippon Riironaale Kk | 不溶性陽極を用いた錫又は錫‐鉛合金電気めっきの方法及び装置 |
JPH05294086A (ja) * | 1992-04-20 | 1993-11-09 | Fuji Photo Film Co Ltd | 印刷版用アルミニウム板の表面処理方法 |
JPH06264251A (ja) * | 1993-03-15 | 1994-09-20 | Ebara Corp | はんだめっき液自動管理装置 |
US5312539A (en) * | 1993-06-15 | 1994-05-17 | Learonal Inc. | Electrolytic tin plating method |
JPH08218200A (ja) * | 1995-02-14 | 1996-08-27 | Toshiba Corp | メッキ液自動管理装置 |
JPH08271497A (ja) * | 1995-03-29 | 1996-10-18 | C Uyemura & Co Ltd | 電気銅めっき浴中の電解生成物濃度の測定方法 |
WO2004059042A1 (ja) * | 2002-12-26 | 2004-07-15 | Ebara Corporation | 鉛フリーバンプおよびその形成方法 |
JP2009030118A (ja) * | 2007-07-27 | 2009-02-12 | C Uyemura & Co Ltd | 連続電気銅めっき方法 |
JP2010133012A (ja) * | 2008-10-21 | 2010-06-17 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | 電解質溶液中にスズおよびその合金形成金属を補給する方法 |
JP2010202941A (ja) * | 2009-03-04 | 2010-09-16 | Mitsubishi Materials Corp | Sn合金めっき装置及びそのSn成分補給方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102192890B1 (ko) * | 2020-07-10 | 2020-12-18 | 김춘옥 | 유전체 세라믹 필터 디핑 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20160098144A (ko) | 2016-08-18 |
US20130306483A1 (en) | 2013-11-21 |
EP2664692A2 (en) | 2013-11-20 |
TW201350625A (zh) | 2013-12-16 |
EP2664692A3 (en) | 2017-02-15 |
TWI560325B (ja) | 2016-12-01 |
JP5876767B2 (ja) | 2016-03-02 |
KR20130127921A (ko) | 2013-11-25 |
CN103422140A (zh) | 2013-12-04 |
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