JP6706095B2 - 無電解めっき装置および無電解めっき方法 - Google Patents

Description

本発明は、ウェーハなどの基板をめっきするための無電解めっき装置および無電解めっき方法に関する。

無電解めっきは、加熱されためっき液に基板を浸漬するだけで、置換反応あるいは自己触媒反応といった静的還元反応が起こり、基板をめっきすることができ、また電解めっきでは必要とされる下地電極膜が不要といった利点がある。その半面、無電解めっきは、電解めっきのように、めっき膜およびその下地膜の電位を操作することでめっき反応を開始あるいはめっき膜析出速度を制御できないプロセスである。無電解めっき液は、めっき析出反応が自発的に起こるよう反応性が高い性質を持っている。そのため化学的安定性に乏しく、めっき液の自然分解が進行しやすい。従い、建浴後は時間の経過とともに自然分解により発生した微細な金属粉が徐々に発生する。それらの金属粉は、めっき反応の起点となるため、金属粉が付着した場所に意図しないめっき析出が起こるという問題が発生している。

めっき工程の前には、基板の活性化工程が行われる。この活性化工程では、被めっき基板は活性化液に浸漬され、基板表面にめっき反応の核となる触媒が付与される。この活性化処理の後には、基板は洗浄処理され、活性化液が除去される。しかしながら、洗浄処理を実施しても、活性化液が基板表面に残留していることがある。その基板をめっき液に浸漬すると、基板に残留していた活性化液に含まれる触媒は、めっき液中に拡散する。そして、拡散した触媒はめっき反応の核となる金属粉の発生を促進する。その金属粉も同様に、めっきすべき基板以外の領域で、めっき反応の起点となるため、めっきの異常析出という問題が発生する。

めっき液中に生成した金属粉の表面ではめっき反応が進行するため、基板のめっきに必要なめっき液の成分が消耗する。そのため、めっき液中の金属濃度バランスが崩れ、それによりめっき液の安定性が悪化し、めっき液の分解がさらに促進される。それら金属粉は、めっき液中を沈降し、めっき槽の底に堆積し続けることとなり、めっき液の分解を促進させる要因となる。

特許第３３７６８２０号公報

このような問題を解決するために、従来では、めっき槽の底にトラップを置き、あるいは一時的にトラップを挿入し、金属粉を捕獲することで、トラップをめっき槽から取り出して金属粉を除去していた。しかしながら、トラップを動かすとき、あるいは金属粉を捕獲するときに金属粉がめっき液中へ再び分散してしまう。また、基板のめっき中にトラップをめっき槽から引き上げることはできないため、金属粉を除去する作業は、基板のめっきを実施しているときには行えないという制約があった。その結果、めっき槽内に残留した金属粉は、基板をめっきしている間に基板に付着し、これが原因で不具合が発生することが分かってきた。例えば、図６に示すように、下地金属膜４０の上にめっきにより形成されたバンプ４３の間にある絶縁膜４１の露出面上に金属粉５０が堆積してしまうことが原因で、隣接するバンプ４３を電気的に短絡する不具合が発生する。さらに、めっきにより形成されたバンプ４３上に金属粉５０が付着してしまうことが原因で、めっき形状異常となる問題も発生する。

本発明は、上述の問題点に鑑みてなされたもので、基板のめっき時、非めっき時にかかわりなく、金属粉の堆積を防止し、めっき液の成分濃度を安定に維持することができる無電解めっき装置および無電解めっき方法を提供することを目的とする。

上述した目的を達成するために、本発明の一態様は、無電解めっき液を貯留するためのめっき槽と、基板を保持する基板ホルダと、前記めっき槽の底面に配置されたトラップ陽極と、前記めっき槽内に配置された陰極と、前記トラップ陽極と前記陰極との間に電圧を印加する電源と、前記陰極に接するように設けられた、該陰極の表面を冷却するためのクーラーを備えたことを特徴とする無電解めっき装置である。

本発明の好ましい態様は、前記トラップ陽極は、前記めっき槽の底面と基板との間に配置されることを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記めっき槽の内部を、無電解めっき液が貯留される処理槽と、前記陰極が内部に配置された陰極槽とに仕切る隔膜をさらに備えたことを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記隔膜は、陰極浸漬液と、前記無電解めっき液とを互いに隔離するための逆浸透膜または陰イオン交換膜であることを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記無電解めっき液を加熱するヒータをさらに備えたことを特徴とする。

本発明の他の態様は、めっき槽内に貯留された無電解めっき液に基板を浸漬させ、前記めっき槽の底面に配置されたトラップ陽極と、前記めっき槽内に配置された陰極との間に電圧を印加し、基板を前記無電解めっき液に浸漬させている間、前記無電解めっき液を、基板のめっき反応が進行する所定の温度に維持し、前記基板を前記無電解めっき液に浸漬させている間、前記陰極の表面温度を、前記無電解めっき液の前記所定の温度よりも１０℃以上低く維持することを特徴とする無電解めっき方法である。

基板を前記無電解めっき液に浸漬する間としない間にかかわらず、前記トラップ陽極と前記陰極との間に電圧を印加することができる。すなわち、本発明の好ましい態様は、基板を前記無電解めっき液に浸漬させている間、前記トラップ陽極と前記陰極との間に電圧を印加することを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、第１の基板のめっきを終了した後、第２の基板のめっきを開始する前に、前記トラップ陽極と前記陰極との間に電圧を印加することを特徴とする。

本発明の好ましい態様は、隔膜によって無電解めっき液から隔離された陰極槽内に陰極浸漬液を注入して前記陰極を前記陰極浸漬液中に浸漬する工程をさらに含み、前記陰極浸漬液は、前記無電解めっき液に含まれる全成分のうちめっき金属成分を除いた成分を含有する溶液であるか、またはめっき金属成分を含有せず、かつ錯化剤、還元剤、ｐＨ緩衝剤、およびｐＨ調整剤を含有する溶液であることを特徴とする。

本発明の一参考例は、底部に排出口を有する、無電解めっき液を貯留するためのめっき槽と、基板を保持する基板ホルダと、前記めっき槽の排出口から無電解めっき液を排出するための第１の配管と、前記第１の配管により移送された無電解めっき液を収容するためのめっき液処理槽と、前記めっき液処理槽内に配置されたトラップ陽極及び陰極と、前記トラップ陽極と前記陰極との間に電圧を印加する電源と、前記めっき液処理槽内の無電解めっき液を前記めっき槽内に返送する第２の配管と、を備えたことを特徴とする無電解めっき装置である。

本発明の一参考例は、めっき槽内に貯留された無電解めっき液に基板を浸漬させ、前記めっき槽の底部から排出された無電解めっき液を、めっき液処理槽へと移送させ、前記めっき液処理槽内に配置されたトラップ陽極と陰極との間に電圧を印加し、前記めっき液処理槽内の無電解めっき液を前記めっき槽内に返送することを特徴とする無電解めっき方法である。

電源がトラップ陽極と陰極との間に電圧を印加すると、トラップ陽極に堆積した金属粉は、無電解めっき液中に溶解する。溶解した金属は、無電解めっき液中に拡散し、再び金属成分として無電解めっき液に戻り、基板のめっきに供される。それにより無電解めっき液の成分の消耗が防止され、無電解めっき液の寿命を伸ばすことが可能となる。

隔膜等により陰極への金属成分の堆積が防止されていない状態で金属を溶解させるようにしたときに、金属成分が陰極に堆積してしまうことがある。たとえこのように金属成分を陰極に堆積させた場合でも、トラップ陽極に堆積した金属粉を無電解めっき液中に溶解させ、金属が粉体から膜状に形態を変えていくことになる。このことで、たとえ無電解めっき液から同じ量の金属が析出することになったとしても、この場合の陰極に堆積される金属の表面積は、これと同じ質量に相当する金属粉の全表面積に比べて減少させることができる。したがって、たとえ陰極に金属が堆積又は析出したとしても、比較的、相当するめっき反応の進行が抑制されることになり、めっき液中の成分消耗を抑制できる。

さらにトラップ陽極に捕捉された金属粉は、電圧の印加によって溶解除去されるので、トラップ陽極をめっき槽から引き上げることを必要とせずに金属粉除去を持続的に実施できる。従い、無電解めっき液装置は、基板のめっきを連続的に行うことが可能である。

本発明に係る無電解めっき装置の一実施形態を示す模式図である。 本実施形態に係る無電解めっき装置によってめっきされた基板の拡大断面図である。 本発明に係る無電解めっき装置の他の実施形態を示す模式図である。 図４（ａ）、図４（ｂ）、図４（ｃ）は、陰極、クーラー、および温度センサーの配置の例を示す図である。 本発明に係る無電解めっき装置の他の実施形態を示す模式図である。 従来の無電解めっき装置によってめっきされた基板の拡大断面図である。

本発明の実施形態について図面を参照して説明する。図１は、本発明に係る無電解めっき装置の一実施形態を示す模式図である。この無電解めっき装置は、ウェーハなどの基板に形成された下地金属膜の上に金属膜を堆積させるための装置であり、めっきを形成するために好適に使用される。本実施形態の無電解めっき装置によって堆積させることができる金属としては、Ni，Co，W，Sn，Pd，Au，Ag，Pt，Rh，Ru，Pb，Cuなどが挙げられる。

図１に示すように、無電解めっき装置は、無電解めっき液を内部に貯留するためのめっき槽１と、基板Ｗを保持する基板ホルダ５と、めっき槽１の底面に配置されたトラップ陽極７と、めっき槽１内に配置された陰極８と、トラップ陽極７と陰極８との間に電圧を印加するための電源１１とを備えている。本実施形態の無電解めっき装置は、複数の基板ホルダ５を備えているが、１つの基板ホルダ５のみを備えてもよい。

基板Ｗをめっきするときは、めっき槽１内は無電解めっき液で満たされる。めっき槽１に隣接してオーバーフロー槽１４が配置されており、めっき槽１の側壁を越流した無電解めっき液はオーバーフロー槽１４に流入する。めっき槽１の底部には戻り導管２１の一端が接続され、オーバーフロー槽１４の底部には戻り導管２１の他端が接続されている。戻り導管２１にはポンプ２２が取り付けられている。このポンプ２２を駆動することによって、オーバーフロー槽１４内の無電解めっき液は戻り導管２１を通じてめっき槽１に戻される。めっき槽１の底部から流入した無電解めっき液は、めっき槽１内を上昇し、めっき槽１の側壁を越流してオーバーフロー槽１４に再び流入する。このように、無電解めっき液は、めっき槽１とオーバーフロー槽１４との間を循環している。

戻り導管２１にはヒータ２４が取り付けられており、戻り導管２１をめっき槽１に向かって流れる無電解めっき液はヒータ２４によって加熱されるようになっている。基板Ｗ上でめっき反応を進行させるために、めっき槽１内の無電解めっき液は、常温よりも高い所定の温度に維持される。例えば、ヒータ２４によって加熱された、めっき槽１内の無電解めっき液の温度範囲は、６０℃〜９０℃である。

基板Ｗは、基板ホルダ５に保持された状態で、めっき槽１内の加熱された無電解めっき液中に浸漬される。所定の温度に加熱された無電解めっき液に基板Ｗが浸漬されると、基板Ｗでめっき反応が開始され、基板Ｗ上に金属膜が堆積する。

トラップ陽極７は、めっき槽１の底面に配置されている。このトラップ陽極７は、基板ホルダ５に保持されている基板Ｗからは離れている。例えばトラップ陽極７は、無電解めっき液中に生成される上述した金属粉５０を受け止めるために板状である。金属粉５０は、その自重により無電解めっき液中を沈降し、トラップ陽極７上に堆積する。金属粉５０をできるだけ広い領域で受け止めるために、トラップ陽極７は、めっき槽１の底面の全体を覆っていることが好ましい。めっき槽１内に形成されている無電解めっき液の上昇流を妨げないように、トラップ陽極７には複数の通孔７ａが形成されている。トラップ陽極７は、カーボンまたは金属などの導電材料から構成されており、電源１１の正極に接続されている。

陰極８は、電源１１の負極に接続されている。めっき槽１内には隔膜３０が配置されており、この隔膜３０によって、めっき槽１の内部は、無電解めっき液が貯留される処理槽３３と、陰極８が内部に配置された陰極槽３４とに仕切られている。基板Ｗを保持した基板ホルダ５は、処理槽３３内に配置される。隔膜３０は、逆浸透膜または陰イオン交換膜などから構成されており、陽イオン（金属イオン）の通過を許容しない。隔膜３０によって仕切られた陰極槽３４の内部には陰極浸漬液３１が注入されており、陰極槽３４内の陰極８は、陰極浸漬液３１中に浸漬されている。陰極８および陰極浸漬液３１は、隔膜３０によって無電解めっき液から隔離されている。

本実施形態では、隔膜３０は、陰極８を収容する隔膜バッグとして構成されており、陰極８は隔膜３０によって取り囲まれている。一実施形態では、隔膜３０は、めっき槽１の幅方向の全体に延びて、めっき槽１の内部を処理槽３３と陰極槽３４とに仕切ってもよい。隔膜３０の一方の面は無電解めっき液に接触しており、他方の面は陰極浸漬液３１に接触している。隔膜３０の上端は、めっき槽１の上端よりも上方に位置しており、陰極８および陰極浸漬液３１は、隔膜３０によって無電解めっき液から隔離されている。この隔膜３０は、トラップ陽極７と陰極８との間に電圧を印加したときに、無電解めっき液に含まれる金属成分が、陰極８の表面に金属として析出することを防ぐために設けられている。

陰極浸漬液３１は、無電解めっき液に含まれる全成分のうちめっき金属成分を除いた成分を含む溶液であるか、またはめっき金属成分を含まず、かつ錯化剤、還元剤、ｐＨ緩衝剤、およびｐＨ調整剤を含有する溶液である。

電源１１がトラップ陽極７と陰極８との間に電圧を印加すると、トラップ陽極７上に堆積した金属粉５０は、無電解めっき液中に溶解する。溶解した金属は、無電解めっき液中に拡散し、再び金属成分として基板Ｗのめっきに供される。このように、トラップ陽極７に捕捉された金属粉５０は、電圧の印加によって溶解するので、トラップ陽極７をめっき槽１から引き上げる必要がない。したがって、無電解めっき液装置は、基板Ｗのめっきを連続的に行うことが可能である。さらに、金属粉５０は、再び金属成分として無電解めっき液に戻されるので、無電解めっき液の成分の消耗が回避され、一般に高価である無電解めっき液の寿命を伸ばすことが可能である。

電源１１は、基板Ｗのめっき中、トラップ陽極７と陰極８との間に電圧を印加するように構成されている。金属粉５０の溶解は、基板Ｗのめっき中でも行うことが可能である。本実施形態によれば、トラップ陽極７をめっき槽１から引き上げる作業が不要であるので、無電解めっき液装置のスループットが向上する。

また、複数の基板へのめっき処理を連続して行う場合、第１の基板Ｗ１のめっきが終了した後、トラップ陽極７上に金属粉５０がトラップされたままだと、次の第２の基板Ｗ２のめっき処理に悪影響が生じるおそれもある。そのような場合、第１の基板Ｗ１のめっきが終了した後、次の第２の基板Ｗ２のめっき処理が開始される前、例えば、第２の基板Ｗ２が無電解めっき液に浸漬される前に、電源１１によりトラップ陽極７と陰極８との間に、電圧を印加することで、トラップ陽極７に堆積してしまった金属粉５０を無電解めっき液中に溶解させ、無電解めっき液中の成分の消耗を回復させることができる。このように、基板が無電解めっき液中に浸漬されていないときに、トラップ陽極７と陰極８との間に電圧を印加することで、次の第２の基板Ｗ２のめっき処理を確実に行うことができる。

さらに、無電解めっき液の成分濃度を維持する目的で、基板が無電解めっき液中に浸漬されているか否かにかかわらず、電源１１により、トラップ陽極７と陰極８との間に、電圧を印加するように構成することもできる。これにより、無電解めっき液中の成分濃度を安定に維持することができる。

図２は、本実施形態に係る無電解めっき装置によってめっきされた基板Ｗの拡大断面図である。図２と図６との対比から分かるように、絶縁膜４１上には金属粉５０は付着しておらず、かつめっきによって形成されたバンプ４３上にも金属粉５０は付着していない。よって、電気的短絡や電極形状の不良などの不具合が回避される。

図３は、無電解めっき装置の他の実施形態を示す模式図である。本実施形態は、隔膜３０および陰極槽３４が設けられていない点で図１に示す実施形態と相違する。したがって、陰極８は、無電解めっき液に接触している。また、陰極８にはクーラー２５が固定されている。トラップ陽極７と陰極８との間に電圧が印加されると、トラップ陽極７に堆積した金属粉５０は、無電解めっき液中に溶解し、その一方で陰極８上には金属が析出する。

陰極８の表面温度は、めっき液温度よりも、好ましくは５℃以上、より好ましくは１０℃以上低く維持されるようにクーラー２５によって制御されている。陰極８の表面温度とめっき液温度との間の温度差が小さすぎると、無電解めっき反応の進行を抑制する効果がないため、このような温度差を設けることが好ましい。ここで、この陰極８の表面温度としては、例えば、陰極８の表面温度を測定する温度センサーが指示する温度、とすることができる。クーラー２５としては、例えば、ペルチェ式の冷却装置が使用できる。

このように構成すれば、金属成分を陰極８に堆積させた場合でも、トラップ陽極７に堆積した金属粉を無電解めっき液中に溶解させ、金属が粉体から膜状に形態を変えていることになる。このことで、たとえ無電解めっき液から同じ量の金属が析出することになったとしても、この場合の陰極８に堆積される金属の表面積は、これと同じ質量に相当する金属粉の全表面積に比べて減少させることができる。また、陰極８の表面が冷却されているので、陰極８上での反応の進行を抑制することができる。したがって、たとえ陰極８に金属が堆積又は析出したとしても、陰極８の表面上での無電解めっき反応の進行を抑制でき、めっき液中の成分消耗を抑制できる。

上記のような構成により、陰極８に析出した金属上での無電解めっき反応の進行を抑止する。クーラー２５は、陰極８の裏面に接しており、陰極８の表面が所定の温度となるよう、陰極８を冷却する。一実施形態では、図４（ａ）に示すように、温度センサー２６は陰極８の表面に取り付けられる。図４（ｂ）のように、温度センサー２６をクーラー２５の冷却面２５ａに取り付けることもできる。図４（ｃ）のように、バッファ容器から構成されるクーラー２５と、めっき槽１外に設けたクーラント冷却器２７との間を冷媒（クーラント）が循環するようにしてもよい。クーラント冷却器２７は、クーラント冷却器２７に導入されるクーラントの温度に応じてクーラントを冷却することができる。

図５は、無電解めっき装置の他の実施形態を示す模式図である。本実施形態は、無電解めっき液を内部に貯留するためのめっき槽１とは別に、めっき液処理槽６０を設け、無電解めっき液をめっき槽１とめっき液処理槽６０との間を循環するように構成した点で、図１などに記載した上述の実施形態とは相違する。

めっき槽１には基板Ｗを保持する基板ホルダ５が配置され、また、無電解めっき液を排出するための排出口１ａがめっき槽１の底部に設けられている。めっき槽１と無電解めっき液処理槽６０は、第１の配管６１および第２の配管６２で互いに接続されている。第１の配管６１の一端は、めっき槽１の排出口１ａに接続され、第１の配管６１の他端はめっき液処理槽６０内に位置している。第２の配管６２の一端は、めっき槽１の底部に設けられた戻り口１ｂに接続され、第２の配管６２の他端はめっき液処理槽６０内に位置している。第２の配管６２には、無電解めっき液をめっき液処理槽６０からめっき槽１に移送するためのポンプ６５が設けられている。なお、めっき液処理槽６０は密閉されている。

無電解めっき液は、その重力により第１の配管６１を通ってめっき槽１からめっき液処理槽６０に移送される。一実施形態では、無電解めっき液をめっき槽１からめっき液処理槽６０に移送するためのポンプを第１の配管６１に設けてもよい。めっき槽１の底部は、金属粉が発生したとしても無電解めっき液とともに金属粉を排出口１ａを通じて排出しやすいように傾斜させておくのが好ましい。また、本実施形態の無電解めっき装置は、複数の基板ホルダ５を備えているが、１つの基板ホルダ５のみを備えてもよい。

めっき液処理槽６０には、その底面に配置されたトラップ陽極７と、めっき液処理槽６０内に配置された陰極８と、トラップ陽極７と陰極８との間に電圧を印加するための電源１１とを備えている。陰極８は隔膜３０によって取り囲まれている。陰極８および陰極浸漬液３１は、隔膜３０によってめっき液処理槽６０内の無電解めっき液から隔離されている。

電源１１がトラップ陽極７と陰極８との間に電圧を印加すると、トラップ陽極７上に堆積した金属粉５０は、無電解めっき液中に溶解する。溶解した金属は、めっき液処理槽６０の無電解めっき液中で拡散され、この無電解めっき液が第２の配管６２を通ってめっき液処理槽６０からめっき槽１へと返送されて、再び金属成分として基板Ｗのめっきに供される。

また、めっき槽１またはめっき液処理槽６０内にある無電解めっき液の金属成分濃度を、例えば、サイクリック・ボルタンメトリー法等の分析手法により定期的に分析・監視し、めっき液中の成分濃度を成分補給により管理してもよい。

上述した実施形態は、本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者が本発明を実施できることを目的として記載されたものである。上記実施形態の種々の変形例は、当業者であれば当然になしうることであり、本発明の技術的思想は他の実施形態にも適用しうる。本発明は、記載された実施形態に限定されることはなく、特許請求の範囲によって定義される技術的思想に従った最も広い範囲に解釈されるものである。例えば、図５の実施形態の構成を一部変更して、陰極８の周囲に隔膜３０を設けないような装置構成とした実施形態も考えられる。このように構成した場合には、さらに、陰極８の表面を冷却するためのクーラー２５を陰極８に設けてもよい。クーラー２５は、少なくとも基板を無電解めっき液に浸漬させている間、陰極８の表面温度を無電解めっき液の温度よりも、例えば１０℃以上低い温度に維持することができる。このような構成にすれば、陰極８に堆積又は析出することになる金属の表面積は、これと同じ質量に相当する金属粉の全表面積に比べて減少させることができる。したがって、たとえこの陰極８に金属が堆積又は析出したとしても、比較的めっき反応の進行を抑制でき、めっき液中の成分消耗を抑制できる。

１ めっき槽
５ 基板ホルダ
７ トラップ陽極
８ 陰極
１１ 電源
１４ オーバーフロー槽
２１ 戻り導管
２２ ポンプ
２４ ヒータ
２５ クーラー
２６ 温度センサー
２７ クーラント冷却器
３０ 隔膜
３１ 陰極浸漬液
３３ 処理槽
３４ 陰極槽
４０ 下地金属膜
４１ 絶縁膜
４３ バンプ
５０ 金属粉
６０ 無電解めっき液処理槽
６１ 第１の配管
６２ 第２の配管
６５ ポンプ

Claims (9)

1. 無電解めっき液を貯留するためのめっき槽と、
   基板を保持する基板ホルダと、
   前記めっき槽の底面に配置されたトラップ陽極と、
   前記めっき槽内に配置された陰極と、
   前記トラップ陽極と前記陰極との間に電圧を印加する電源と、
   前記陰極に接するように設けられた、該陰極の表面を冷却するためのクーラーを備えたことを特徴とする無電解めっき装置。
2. 前記トラップ陽極は、前記めっき槽の底面と基板との間に配置されることを特徴とする請求項１に記載の無電解めっき装置。
3. 前記めっき槽の内部を、無電解めっき液が貯留される処理槽と、前記陰極が内部に配置された陰極槽とに仕切る隔膜をさらに備えたことを特徴とする請求項１に記載の無電解めっき装置。
4. 前記隔膜は、陰極浸漬液と、前記無電解めっき液とを互いに隔離するための逆浸透膜または陰イオン交換膜であることを特徴とする請求項３に記載の無電解めっき装置。
5. 前記無電解めっき液を加熱するヒータをさらに備えたことを特徴とする請求項１に記載の無電解めっき装置。
6. めっき槽内に貯留された無電解めっき液に基板を浸漬させ、
   前記めっき槽の底面に配置されたトラップ陽極と、前記めっき槽内に配置された陰極との間に電圧を印加し、
   基板を前記無電解めっき液に浸漬させている間、前記無電解めっき液を、基板のめっき反応が進行する所定の温度に維持し、
   前記基板を前記無電解めっき液に浸漬させている間、前記陰極の表面温度を、前記無電解めっき液の前記所定の温度よりも１０℃以上低く維持することを特徴とする無電解めっき方法。
7. 基板を前記無電解めっき液に浸漬させている間、前記トラップ陽極と前記陰極との間に電圧を印加することを特徴とする請求項６に記載の無電解めっき方法。
8. 第１の基板のめっきを終了した後、第２の基板のめっきを開始する前に、前記トラップ陽極と前記陰極との間に電圧を印加することを特徴とする請求項６に記載の無電解めっき方法。
9. 隔膜によって無電解めっき液から隔離された陰極槽内に陰極浸漬液を注入して前記陰極を前記陰極浸漬液中に浸漬する工程をさらに含み、
   前記陰極浸漬液は、前記無電解めっき液に含まれる全成分のうちめっき金属成分を除いた成分を含有する溶液であるか、またはめっき金属成分を含有せず、かつ錯化剤、還元剤、ｐＨ緩衝剤、およびｐＨ調整剤を含有する溶液であることを特徴とする請求項６に記載の無電解めっき方法。

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