JPH05171499A - 不溶性陽極を用いた錫又は錫‐鉛合金電気めっきの方法及び装置 - Google Patents
不溶性陽極を用いた錫又は錫‐鉛合金電気めっきの方法及び装置Info
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- JPH05171499A JPH05171499A JP33891191A JP33891191A JPH05171499A JP H05171499 A JPH05171499 A JP H05171499A JP 33891191 A JP33891191 A JP 33891191A JP 33891191 A JP33891191 A JP 33891191A JP H05171499 A JPH05171499 A JP H05171499A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【構成】めっき槽１とは別に陰極室８／陰イオン交換膜
７／陽極室９／拡散透析膜１４／拡散透析室１５を設け
た金属補給槽を設置し、陰極室８と拡散透析室１５には
有機スルホン酸だけの溶液を入れ、陽極室９にはめっき
液を入れると共に、陽極室９には金属錫又は金属錫−鉛
陽極を、陰極室８にはその対極を設置し、電極間に電圧
を印加し錫又は錫−鉛陽極を溶解せしめ錫又は鉛イオン
をめっき槽１に補給し、かつ拡散透析室１５で回収した
有機スルホン酸を陰極室８に供給する。まためっき槽１
の升に金属補給槽２と有機スルホン酸回収槽２を設けて
金属補給と有機スルホン酸回収を別々の槽で行なう。 【効果】不足した金属（錫又は鉛）の補給をめっき槽１
の組成に影響を与えることなく容易に行なうことができ
る。
７／陽極室９／拡散透析膜１４／拡散透析室１５を設け
た金属補給槽を設置し、陰極室８と拡散透析室１５には
有機スルホン酸だけの溶液を入れ、陽極室９にはめっき
液を入れると共に、陽極室９には金属錫又は金属錫−鉛
陽極を、陰極室８にはその対極を設置し、電極間に電圧
を印加し錫又は錫−鉛陽極を溶解せしめ錫又は鉛イオン
をめっき槽１に補給し、かつ拡散透析室１５で回収した
有機スルホン酸を陰極室８に供給する。まためっき槽１
の升に金属補給槽２と有機スルホン酸回収槽２を設けて
金属補給と有機スルホン酸回収を別々の槽で行なう。 【効果】不足した金属（錫又は鉛）の補給をめっき槽１
の組成に影響を与えることなく容易に行なうことができ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は不溶性陽極を用いての
錫又は錫‐鉛合金電気めっき方法及び同方法を実施する
ための装置に関する。
錫又は錫‐鉛合金電気めっき方法及び同方法を実施する
ための装置に関する。
【０００２】
【従来の技術と解決しようとする課題】通常、錫あるい
は錫‐鉛合金電気めっきを行なう場合、陰極に被めっき
物、陽極に金属錫あるいは金属錫‐鉛合金といった可溶
性陽極を使用し、この陽極からの溶解によりめっき液中
に金属を補給している。
は錫‐鉛合金電気めっきを行なう場合、陰極に被めっき
物、陽極に金属錫あるいは金属錫‐鉛合金といった可溶
性陽極を使用し、この陽極からの溶解によりめっき液中
に金属を補給している。
【０００３】近年、錫あるいは錫‐鉛合金電気めっき
は、生産性向上などの観点より、めっきの高速化等の技
術進歩が起こっており、これに伴い電気めっきにおける
陽極と、この対極である陰極との極間距離がより短くな
る傾向になってきている。このため前記可溶性陽極では
極板の形状が変化してしまうため対応しきれず、これに
代わり不溶性陽極たとえばチタン上に白金を施した電
極、カーボン電極、ＭＯ・Ｆｅ２Ｏ３のようなフェライ
ト電極の使用が増えつつある。そしてめっき液中への錫
及び鉛イオンの供給は頻繁な分析に基づき、例えば酸化
錫のような中性錫化合物等によって行なわれている。
は、生産性向上などの観点より、めっきの高速化等の技
術進歩が起こっており、これに伴い電気めっきにおける
陽極と、この対極である陰極との極間距離がより短くな
る傾向になってきている。このため前記可溶性陽極では
極板の形状が変化してしまうため対応しきれず、これに
代わり不溶性陽極たとえばチタン上に白金を施した電
極、カーボン電極、ＭＯ・Ｆｅ２Ｏ３のようなフェライ
ト電極の使用が増えつつある。そしてめっき液中への錫
及び鉛イオンの供給は頻繁な分析に基づき、例えば酸化
錫のような中性錫化合物等によって行なわれている。
【０００４】しかし、不溶性陽極を使用した場合の問題
は金属の補給方法である。このような場合の金属補給は
酸化錫のような中性錫化合物、例えば等軸晶系の黒色結
晶である酸化第１錫（ＳｎＯ）がめっき皮膜への影響が
他の錫化合物より少ない点、めっき液に対する溶解性が
良好な点、あるいは取扱いが容易な点から使用されてい
る。しかし酸化第１錫で金属補給を行なう場合、次のよ
うな問題点が挙げられる。 (1) 酸化第１錫の価格が高く、これを錫イオンの供給
源とするめっき費用の増大を招く。 (2) 酸化第１錫を空気中で長期保存をすると、酸化反
応により酸化第２錫（ＳｎＯ２）が生成されやすくな
り、これがめっき液中のスラッジ発生の原因となる。 (3) 酸化第１錫中に含まれている不純物のめっき液中
への混入がめっきに対して悪影響を及ぼす可能性があ
る。
は金属の補給方法である。このような場合の金属補給は
酸化錫のような中性錫化合物、例えば等軸晶系の黒色結
晶である酸化第１錫（ＳｎＯ）がめっき皮膜への影響が
他の錫化合物より少ない点、めっき液に対する溶解性が
良好な点、あるいは取扱いが容易な点から使用されてい
る。しかし酸化第１錫で金属補給を行なう場合、次のよ
うな問題点が挙げられる。 (1) 酸化第１錫の価格が高く、これを錫イオンの供給
源とするめっき費用の増大を招く。 (2) 酸化第１錫を空気中で長期保存をすると、酸化反
応により酸化第２錫（ＳｎＯ２）が生成されやすくな
り、これがめっき液中のスラッジ発生の原因となる。 (3) 酸化第１錫中に含まれている不純物のめっき液中
への混入がめっきに対して悪影響を及ぼす可能性があ
る。
【０００５】これらの理由から、不溶性陽極の利点をい
かし安価でかつ操作の容易な可溶性陽極を用いた金属補
給の方法が必要となる。この方法は特開平２−７００８
７号で示されており、陰イオン交換膜を使用し金属補給
槽の陰極室内に電気伝導性を持たせるために金属化合物
を構成している陰イオンを含む溶液を入れている。しか
しこの方法では、陰イオンが電気透析により陰イオン交
換膜を通り陽極室へ移動し、めっき液中の陰イオン濃度
が次第に上昇する。めっき液中の陰イオン濃度が通常の
使用濃度以上になると電流効率の低下などの悪影響が生
じ始めてくる。またこの陰極室内の陰イオンの陽極室へ
の移動によって、陰極室内の陰イオン濃度が次第に低下
し電気伝導性の保持が困難となる。
かし安価でかつ操作の容易な可溶性陽極を用いた金属補
給の方法が必要となる。この方法は特開平２−７００８
７号で示されており、陰イオン交換膜を使用し金属補給
槽の陰極室内に電気伝導性を持たせるために金属化合物
を構成している陰イオンを含む溶液を入れている。しか
しこの方法では、陰イオンが電気透析により陰イオン交
換膜を通り陽極室へ移動し、めっき液中の陰イオン濃度
が次第に上昇する。めっき液中の陰イオン濃度が通常の
使用濃度以上になると電流効率の低下などの悪影響が生
じ始めてくる。またこの陰極室内の陰イオンの陽極室へ
の移動によって、陰極室内の陰イオン濃度が次第に低下
し電気伝導性の保持が困難となる。
【０００６】本研究者らはさきに不溶性陽極を用いて錫
又は錫‐鉛合金電気めっき、特にアルカンスルホン酸、
アルカノールスルホン酸、芳香族スルホン酸から選ばれ
た有機スルホン酸の少なくとも１種を使用し、これら有
機スルホン酸の２価の錫塩または２価の錫塩及び鉛塩を
基本成分とするめっき液に関して酸化錫による補給では
なく、陰イオン交換膜と拡散透析膜を併用し錫又は錫‐
鉛合金の溶解によって錫又は鉛イオンの補給を行なう方
法を開発した。
又は錫‐鉛合金電気めっき、特にアルカンスルホン酸、
アルカノールスルホン酸、芳香族スルホン酸から選ばれ
た有機スルホン酸の少なくとも１種を使用し、これら有
機スルホン酸の２価の錫塩または２価の錫塩及び鉛塩を
基本成分とするめっき液に関して酸化錫による補給では
なく、陰イオン交換膜と拡散透析膜を併用し錫又は錫‐
鉛合金の溶解によって錫又は鉛イオンの補給を行なう方
法を開発した。
【０００７】すなわちめっき槽とは別に金属補給槽を用
意し、そこに金属錫又は金属錫‐鉛合金陽極及びその対
極となる陰極を設置し、電極間に電圧を印加することに
より、錫あるいは鉛が溶解する。しかしこのままでは対
極となっている陰極に錫又は錫‐鉛合金が析出してしま
う。そこで前記金属補給槽を陰イオン交換膜で陽極室と
陰極室とに仕切り、陽極室には金属錫又は金属錫‐鉛合
金を陽極とし、陰極室にはその対極となる陰極を設置す
れば電解により溶解した錫イオンあるいは鉛イオンは陰
イオン交換膜のために陰極室内へは移動せず陽極室内に
蓄積することになる。そしてめっき槽とこの金属補給槽
の陽極室とをポンプ又は他の手段により循環することに
より、めっき槽中のめっき液の錫または鉛は補給でき
る。この場合、前記金属補給槽の陽極室には前記めっき
槽内のめっき液と同一組成の液を入れておくが、陰極室
内には陰極に金属が析出せず、かつ電気伝導性を持たせ
るために有機スルホン酸のみの液を入れておく必要があ
る。
意し、そこに金属錫又は金属錫‐鉛合金陽極及びその対
極となる陰極を設置し、電極間に電圧を印加することに
より、錫あるいは鉛が溶解する。しかしこのままでは対
極となっている陰極に錫又は錫‐鉛合金が析出してしま
う。そこで前記金属補給槽を陰イオン交換膜で陽極室と
陰極室とに仕切り、陽極室には金属錫又は金属錫‐鉛合
金を陽極とし、陰極室にはその対極となる陰極を設置す
れば電解により溶解した錫イオンあるいは鉛イオンは陰
イオン交換膜のために陰極室内へは移動せず陽極室内に
蓄積することになる。そしてめっき槽とこの金属補給槽
の陽極室とをポンプ又は他の手段により循環することに
より、めっき槽中のめっき液の錫または鉛は補給でき
る。この場合、前記金属補給槽の陽極室には前記めっき
槽内のめっき液と同一組成の液を入れておくが、陰極室
内には陰極に金属が析出せず、かつ電気伝導性を持たせ
るために有機スルホン酸のみの液を入れておく必要があ
る。
【０００８】ところがこの方法を用いて金属補給を目的
とした電解をすると前記金属補給槽において陰イオン交
換膜により錫イオンあるいは鉛イオンのような陽イオン
の陰極室への移動は起こらないが、逆に陰極室から陰イ
オンである有機スルホン酸イオンが陽極室へ電気透析に
より移動するという現象が起きてしまう。
とした電解をすると前記金属補給槽において陰イオン交
換膜により錫イオンあるいは鉛イオンのような陽イオン
の陰極室への移動は起こらないが、逆に陰極室から陰イ
オンである有機スルホン酸イオンが陽極室へ電気透析に
より移動するという現象が起きてしまう。
【０００９】本発明者らはこのような問題点を解決すべ
く更に研究をすすめた結果、拡散透析膜を前記金属補給
槽内に設置することにより、金属補給槽内を、陰極室／
陰イオン交換膜／陽極室／拡散透析膜／拡散透析室に区
分し、拡散透析室には拡散液として有機スルホン酸のみ
の液を入れて電解することに着目した。そうすれば、そ
こでこの拡散透析室と有機スルホン酸イオン濃度の上昇
しためっき液の入った陽極室の間での有機スルホン酸イ
オンの濃度差が駆動力となり、めっき液中の有機スルホ
ン酸イオンは、拡散透析室へと拡散透析による移動が起
こること、そして金属補給槽の拡散透析室と陰極室とを
循環させることにより、有機スルホン酸イオンは陰極室
へと供給することが可能となり有機スルホン酸イオン濃
度は常に一定に保つことができ、管理が容易になること
が見出されたのである。
く更に研究をすすめた結果、拡散透析膜を前記金属補給
槽内に設置することにより、金属補給槽内を、陰極室／
陰イオン交換膜／陽極室／拡散透析膜／拡散透析室に区
分し、拡散透析室には拡散液として有機スルホン酸のみ
の液を入れて電解することに着目した。そうすれば、そ
こでこの拡散透析室と有機スルホン酸イオン濃度の上昇
しためっき液の入った陽極室の間での有機スルホン酸イ
オンの濃度差が駆動力となり、めっき液中の有機スルホ
ン酸イオンは、拡散透析室へと拡散透析による移動が起
こること、そして金属補給槽の拡散透析室と陰極室とを
循環させることにより、有機スルホン酸イオンは陰極室
へと供給することが可能となり有機スルホン酸イオン濃
度は常に一定に保つことができ、管理が容易になること
が見出されたのである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】かくて、本発明は有機ス
ルホン酸と、その２価の錫塩又は２価の錫塩及び鉛塩を
基本成分とするめっき液の入った槽内に不溶性陽極及び
その対極となる陰極を被めっき物として設置し、電極間
に電圧を印加することにより、被めっき物表面に錫又は
錫‐鉛合金めっき皮膜を形成させる方法において、前記
めっき槽とは別に陰極室／陰イオン交換膜／陽極室／拡
散透析膜／拡散透析室をもうけた金属補給槽を設置し、
陰極室と拡散透過析室には有機スルホン酸だけの溶液を
入れ、陽極室には前記めっき液を入れると共に、陽極室
には金属錫又は金属錫‐鉛陽極を陰極室にはその対極を
設置し、電極間に電圧を印加し錫又は錫‐鉛陽極を溶解
せしめ錫又は鉛イオンを前記めっき槽に補給し、かつ拡
散透析室で回収した有機スルホン酸を前記陰極室に供給
することを特徴とする錫又は錫‐鉛合金電気めっき方法
を提供するものである。
ルホン酸と、その２価の錫塩又は２価の錫塩及び鉛塩を
基本成分とするめっき液の入った槽内に不溶性陽極及び
その対極となる陰極を被めっき物として設置し、電極間
に電圧を印加することにより、被めっき物表面に錫又は
錫‐鉛合金めっき皮膜を形成させる方法において、前記
めっき槽とは別に陰極室／陰イオン交換膜／陽極室／拡
散透析膜／拡散透析室をもうけた金属補給槽を設置し、
陰極室と拡散透過析室には有機スルホン酸だけの溶液を
入れ、陽極室には前記めっき液を入れると共に、陽極室
には金属錫又は金属錫‐鉛陽極を陰極室にはその対極を
設置し、電極間に電圧を印加し錫又は錫‐鉛陽極を溶解
せしめ錫又は鉛イオンを前記めっき槽に補給し、かつ拡
散透析室で回収した有機スルホン酸を前記陰極室に供給
することを特徴とする錫又は錫‐鉛合金電気めっき方法
を提供するものである。
【００１１】上記方法では陰イオン交換膜と拡散透析用
イオン交換膜を一つの槽即ち金属補給槽に設けて実施さ
れたが、これらを別の槽に設置して行なうこともでき、
かくて本発明はまた、めっき槽の外に陰イオン交換膜を
備えた金属補給槽と拡散透析用イオン交換膜を備えた有
機スルホン酸回収槽を設けて実施する方法を提供するも
のである。
イオン交換膜を一つの槽即ち金属補給槽に設けて実施さ
れたが、これらを別の槽に設置して行なうこともでき、
かくて本発明はまた、めっき槽の外に陰イオン交換膜を
備えた金属補給槽と拡散透析用イオン交換膜を備えた有
機スルホン酸回収槽を設けて実施する方法を提供するも
のである。
【００１２】本発明は更にこれらの方法を実施するため
に用いられる装置を提供するものである。
に用いられる装置を提供するものである。
【００１３】以下本発明方法と装置を図面について詳細
に説明する。
に説明する。
【００１４】本発明では有機スルホン酸とその２価の錫
塩又は２価の錫塩及び鉛塩を基本成分とするめっき液を
用いる。有機スルホン酸としては前述のようにアルカン
スルホン酸、アルカノールスルホン酸、芳香族スルホン
酸の少なくとも一種が用いられる。アルカンスルホン酸
としては、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、プロ
パンスルホン酸、２‐プロパンスルホン酸、ブタンスル
ホン酸、２‐ブタンスルホン酸、ペンタンスルホン酸、
ヘキサンスルホン酸などが用いられる。この中ではメタ
ンスルホン酸が好んで用いられる。
塩又は２価の錫塩及び鉛塩を基本成分とするめっき液を
用いる。有機スルホン酸としては前述のようにアルカン
スルホン酸、アルカノールスルホン酸、芳香族スルホン
酸の少なくとも一種が用いられる。アルカンスルホン酸
としては、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、プロ
パンスルホン酸、２‐プロパンスルホン酸、ブタンスル
ホン酸、２‐ブタンスルホン酸、ペンタンスルホン酸、
ヘキサンスルホン酸などが用いられる。この中ではメタ
ンスルホン酸が好んで用いられる。
【００１５】またアルカノールスルホン酸としては、２
‐ヒドロキシエチル‐１‐スルホン酸、２‐ヒドロキシ
プロピル‐１‐スルホン酸、３‐ヒドロキシプロピル‐
１‐スルホン酸、２‐ヒドロキシブチル‐１‐スルホン
酸、４‐ヒドロキシペンチル‐１‐スルホン酸、２‐ヒ
ドロキシヘキシル‐１‐スルホン酸などが例示される。
‐ヒドロキシエチル‐１‐スルホン酸、２‐ヒドロキシ
プロピル‐１‐スルホン酸、３‐ヒドロキシプロピル‐
１‐スルホン酸、２‐ヒドロキシブチル‐１‐スルホン
酸、４‐ヒドロキシペンチル‐１‐スルホン酸、２‐ヒ
ドロキシヘキシル‐１‐スルホン酸などが例示される。
【００１６】更に芳香族スルホン酸としては、ベンゼン
スルホン酸、４‐ヒドロキシベンゼンスルホン酸（Ｐ‐
フェノールスルホン酸）、４‐カルボキシベンゼンスル
ホン酸などが例示される。この他、２，５‐ジヒドロキ
シ‐１，４‐ベンゼンジスルホン酸、４，５‐ジヒドロ
キシ‐１，３‐ベンゼンジスルホン酸等の芳香族ジスル
ホン酸も例示することができる。
スルホン酸、４‐ヒドロキシベンゼンスルホン酸（Ｐ‐
フェノールスルホン酸）、４‐カルボキシベンゼンスル
ホン酸などが例示される。この他、２，５‐ジヒドロキ
シ‐１，４‐ベンゼンジスルホン酸、４，５‐ジヒドロ
キシ‐１，３‐ベンゼンジスルホン酸等の芳香族ジスル
ホン酸も例示することができる。
【００１７】次に金属塩として有機スルホン酸の２価の
スズ塩と鉛塩が用いられる。上記有機スルホン酸と金属
塩としての有機スルホン酸のスズ塩と鉛塩では互いに同
じ有機スルホン酸を用いる。
スズ塩と鉛塩が用いられる。上記有機スルホン酸と金属
塩としての有機スルホン酸のスズ塩と鉛塩では互いに同
じ有機スルホン酸を用いる。
【００１８】有機スルホン酸の添加により上記金属塩の
沈殿防止、析出膜厚の増大、析出ムラの防止等に有効で
ある。その添加量は通常５〜３００ｇ／ｌの範囲であ
り、その中５０〜２００ｇ／ｌの範囲が好ましい。一方
有機スルホン酸のスズ塩及び鉛塩の添加量はいずれも通
常５〜２００ｇ／ｌの範囲であり、その中３０〜１００
ｇ／ｌの範囲が好ましい。本発明では特にＳｎ６０％、
Ｐｂ４０％又はそれに近い比率を有するスズ‐鉛合金皮
膜が望ましく、従って有機スルホン酸のスズ塩及び鉛塩
は互いにそれに相当する比率で添加される。しかし必要
により他の比率を有するスズ‐鉛合金皮膜が望まれる場
合にも本発明は有効であり、その場合はそれに相当する
量比でスズ塩と鉛塩が用いられる。
沈殿防止、析出膜厚の増大、析出ムラの防止等に有効で
ある。その添加量は通常５〜３００ｇ／ｌの範囲であ
り、その中５０〜２００ｇ／ｌの範囲が好ましい。一方
有機スルホン酸のスズ塩及び鉛塩の添加量はいずれも通
常５〜２００ｇ／ｌの範囲であり、その中３０〜１００
ｇ／ｌの範囲が好ましい。本発明では特にＳｎ６０％、
Ｐｂ４０％又はそれに近い比率を有するスズ‐鉛合金皮
膜が望ましく、従って有機スルホン酸のスズ塩及び鉛塩
は互いにそれに相当する比率で添加される。しかし必要
により他の比率を有するスズ‐鉛合金皮膜が望まれる場
合にも本発明は有効であり、その場合はそれに相当する
量比でスズ塩と鉛塩が用いられる。
【００１９】有機スルホン酸と金属塩としての有機スル
ホン酸の２価のスズ塩と鉛塩の外に界面活性剤、酸化防
止剤等の各種添加剤を加えることができる。
ホン酸の２価のスズ塩と鉛塩の外に界面活性剤、酸化防
止剤等の各種添加剤を加えることができる。
【００２０】さて、図１には、本発明にかかる方法及び
装置の一実施例の概略が示されている。この錫あるいは
錫‐鉛合金電気めっき装置は、めっき槽１と、金属補給
及び有機スルホン酸回収を兼ね備えた槽２より構成され
ている。めっき槽１には上記の如きめっき液３が入って
おり、めっき液３中に不溶性陽極４及びその対極となる
陰極には被めっき物５が設置されている。不溶性陽極４
と陰極の被めっき物５とは直流電源６により電気的に接
続されている。この電極間に電圧を印加することによ
り、被めっき物５では、 Ｓｎ2+ ＋ ２ｅ- → Ｓｎあるいは Ｐｂ2+ ＋ ２ｅ- → Ｐｂ の反応により錫あるいは錫‐鉛合金が析出し、また不溶
性陽極４では、 Ｈ２Ｏ＋２（Ｒ−ＳＯ３ - ）→１／２（Ｏ２）↑ ＋２（Ｒ−ＳＯ３Ｈ）＋２ｅ- （Ｒ：アルキル基） の反応により酸素ガスが発生する。
装置の一実施例の概略が示されている。この錫あるいは
錫‐鉛合金電気めっき装置は、めっき槽１と、金属補給
及び有機スルホン酸回収を兼ね備えた槽２より構成され
ている。めっき槽１には上記の如きめっき液３が入って
おり、めっき液３中に不溶性陽極４及びその対極となる
陰極には被めっき物５が設置されている。不溶性陽極４
と陰極の被めっき物５とは直流電源６により電気的に接
続されている。この電極間に電圧を印加することによ
り、被めっき物５では、 Ｓｎ2+ ＋ ２ｅ- → Ｓｎあるいは Ｐｂ2+ ＋ ２ｅ- → Ｐｂ の反応により錫あるいは錫‐鉛合金が析出し、また不溶
性陽極４では、 Ｈ２Ｏ＋２（Ｒ−ＳＯ３ - ）→１／２（Ｏ２）↑ ＋２（Ｒ−ＳＯ３Ｈ）＋２ｅ- （Ｒ：アルキル基） の反応により酸素ガスが発生する。
【００２１】槽２は陰イオン交換膜７及び拡散透析膜１
４より陰極室８／陰イオン交換膜７／陽極室９／拡散透
析膜１４／拡散透析室１５に区分される。陰極室８には
有機スルホン酸のみの液を入れ、その液の中に陰極１０
を設置する。また陽極室９はめっき槽１と配管１２，１
３によりめっき液３が循環されており、このめっき液中
に陽極として金属錫あるいは金属錫‐鉛合金１１が設置
されている。陰極１０と金属錫あるいは金属錫‐鉛合金
１１とは直流電源６により電気的に接続されており、こ
の電極間に電圧を印加することにより、陽極である金属
錫あるいは金属錫‐鉛合金１１では、 Ｓｎ → Ｓｎ2+ ＋ ２ｅ- あるいは Ｐｂ → Ｐｂ2+ ＋ ２ｅ- の反応により錫あるいは鉛が金属イオンとして溶解され
る。また通常であればその対極である陰極１０に錫ある
いは錫‐鉛合金が析出するが、この電極の間を陰イオン
交換膜７で仕切っているため、陽イオンである金属イオ
ン（Ｓｎ2+、Ｓｎ4+、Ｐｂ2+）は陰極室８には移動でき
ず、陽極室９内に蓄積する。めっき槽１と陽極室９は配
管１２及び１３により循環されているので、めっき槽１
で電気めっきによって消費された錫イオンあるいは鉛イ
オンは陽極室９より補給される。また陰極室８の陰極１
０では、 ２Ｈ+ ＋ ２ｅ- → Ｈ２↑ の反応により水素ガスが発生する。
４より陰極室８／陰イオン交換膜７／陽極室９／拡散透
析膜１４／拡散透析室１５に区分される。陰極室８には
有機スルホン酸のみの液を入れ、その液の中に陰極１０
を設置する。また陽極室９はめっき槽１と配管１２，１
３によりめっき液３が循環されており、このめっき液中
に陽極として金属錫あるいは金属錫‐鉛合金１１が設置
されている。陰極１０と金属錫あるいは金属錫‐鉛合金
１１とは直流電源６により電気的に接続されており、こ
の電極間に電圧を印加することにより、陽極である金属
錫あるいは金属錫‐鉛合金１１では、 Ｓｎ → Ｓｎ2+ ＋ ２ｅ- あるいは Ｐｂ → Ｐｂ2+ ＋ ２ｅ- の反応により錫あるいは鉛が金属イオンとして溶解され
る。また通常であればその対極である陰極１０に錫ある
いは錫‐鉛合金が析出するが、この電極の間を陰イオン
交換膜７で仕切っているため、陽イオンである金属イオ
ン（Ｓｎ2+、Ｓｎ4+、Ｐｂ2+）は陰極室８には移動でき
ず、陽極室９内に蓄積する。めっき槽１と陽極室９は配
管１２及び１３により循環されているので、めっき槽１
で電気めっきによって消費された錫イオンあるいは鉛イ
オンは陽極室９より補給される。また陰極室８の陰極１
０では、 ２Ｈ+ ＋ ２ｅ- → Ｈ２↑ の反応により水素ガスが発生する。
【００２２】しかしこの方法では、電解により陰極室８
の陰イオンである有機スルホン酸イオンが陰イオン交換
膜７を通過し陽極室９へ移動してしまうため、この移動
により濃度が上昇した有機スルホン酸イオンを回収し、
再びこれを陰極室８へ補給をする必要がある。
の陰イオンである有機スルホン酸イオンが陰イオン交換
膜７を通過し陽極室９へ移動してしまうため、この移動
により濃度が上昇した有機スルホン酸イオンを回収し、
再びこれを陰極室８へ補給をする必要がある。
【００２３】槽２内の拡散透析室１５には拡散液として
有機スルホン酸のみの液を予め入れておく。そして拡散
透析室１５と、陰極室８からの電気透析により有機スル
ホン酸イオン濃度が上昇しためっき液の入った陽極室９
の間で有機スルホン酸イオン濃度の濃度差が起こり、こ
れが駆動力となり有機スルホン酸は拡散透析室１５へ拡
散透析により移動する。槽２の陽極室９はめっき槽１と
配管１２及び１３よりめっき液３が循環されているた
め、めっき液３中の有機スルホン酸イオン濃度を一定に
管理することが出来る。また槽２の陰極室８と拡散透析
室１５は配管１６及び１７により循環されているので、
陰極室８の有機スルホン酸イオン濃度を一定に管理する
ことが出来る。
有機スルホン酸のみの液を予め入れておく。そして拡散
透析室１５と、陰極室８からの電気透析により有機スル
ホン酸イオン濃度が上昇しためっき液の入った陽極室９
の間で有機スルホン酸イオン濃度の濃度差が起こり、こ
れが駆動力となり有機スルホン酸は拡散透析室１５へ拡
散透析により移動する。槽２の陽極室９はめっき槽１と
配管１２及び１３よりめっき液３が循環されているた
め、めっき液３中の有機スルホン酸イオン濃度を一定に
管理することが出来る。また槽２の陰極室８と拡散透析
室１５は配管１６及び１７により循環されているので、
陰極室８の有機スルホン酸イオン濃度を一定に管理する
ことが出来る。
【００２４】配管１２，１３でのめっき液３の循環、あ
るいは配管１６，１７による有機スルホン酸溶液を循環
させる手段は、オーバーフローやポンプなどを使用して
いるがその手段は特に限定せず循環されていれば良い。
るいは配管１６，１７による有機スルホン酸溶液を循環
させる手段は、オーバーフローやポンプなどを使用して
いるがその手段は特に限定せず循環されていれば良い。
【００２５】前記めっき槽と前記金属補給槽は１つの直
流電源によって直列に電気回路を形成しているが、これ
は特に限定せず別々に直流電源をとってそれぞれに電気
回路を形成しても良い。
流電源によって直列に電気回路を形成しているが、これ
は特に限定せず別々に直流電源をとってそれぞれに電気
回路を形成しても良い。
【００２６】前記陰イオン交換膜としては通常市販され
ているもので、耐酸性、耐熱性、耐有機汚染性のものが
好ましく、例えばネオセプタＡＣＭやネオセプタＡＭＨ
（徳山曹達株式会社の商品名）などが使用される。
ているもので、耐酸性、耐熱性、耐有機汚染性のものが
好ましく、例えばネオセプタＡＣＭやネオセプタＡＭＨ
（徳山曹達株式会社の商品名）などが使用される。
【００２７】前記拡散透析膜は通常市販されているイオ
ン交換膜で、耐酸性、耐熱性、耐有機汚染性のものが好
ましく、例えばネオセプタＡＦＸ（徳山曹達株式会社の
商品名）などが用いられる。
ン交換膜で、耐酸性、耐熱性、耐有機汚染性のものが好
ましく、例えばネオセプタＡＦＸ（徳山曹達株式会社の
商品名）などが用いられる。
【００２８】図１に示す例では陰イオン交換膜と拡散透
析膜が一つの槽内に設置されている。しかしこれらは特
に限定せず、金属補給と有機スルホン酸回収を別々の槽
で行なってもよい。
析膜が一つの槽内に設置されている。しかしこれらは特
に限定せず、金属補給と有機スルホン酸回収を別々の槽
で行なってもよい。
【００２９】図２はこのように金属補給と有機スルホン
酸回収を別々の槽で行なう例を示すものであって、めっ
き槽１の外に陰イオン交換膜７を備えた金属補給槽１８
と拡散透析用陰イオン交換膜１４を備えた拡散透析槽
（有機スルホン酸回収槽）１９を有する。金属補給槽１
８はイオン交換膜７により陰極１０を備えた陰極室８と
陽極１１を備えた陽極室９に分れている。陽極１１とし
ては金属錫あるいは金属錫‐鉛合金が用いられる。一方
拡散透析槽１９では拡散透析膜１４によって拡散透析室
１５とめっき液循環室２０に分れている。
酸回収を別々の槽で行なう例を示すものであって、めっ
き槽１の外に陰イオン交換膜７を備えた金属補給槽１８
と拡散透析用陰イオン交換膜１４を備えた拡散透析槽
（有機スルホン酸回収槽）１９を有する。金属補給槽１
８はイオン交換膜７により陰極１０を備えた陰極室８と
陽極１１を備えた陽極室９に分れている。陽極１１とし
ては金属錫あるいは金属錫‐鉛合金が用いられる。一方
拡散透析槽１９では拡散透析膜１４によって拡散透析室
１５とめっき液循環室２０に分れている。
【００３０】めっき槽１、金属補給槽１８の陽極室９と
拡散透析槽１９のめっき液循環室２０は配管１２，２１
と２２によってめっき液３が循環されるようになってい
る。又金属補給槽１８の陰極室８と拡散透析槽１９の拡
散透析室１５は配管１６と１７によって有機スルホン酸
が循環している。
拡散透析槽１９のめっき液循環室２０は配管１２，２１
と２２によってめっき液３が循環されるようになってい
る。又金属補給槽１８の陰極室８と拡散透析槽１９の拡
散透析室１５は配管１６と１７によって有機スルホン酸
が循環している。
【００３１】めっき槽１と金属補給槽１８の陽極室に前
述の如きめっき液３を入れ、金属補給槽１８の陰極室に
有機スルホン酸のみの液を入れて、陽極には金属錫又は
金属錫‐鉛合金を用い、陰極にはステンレス鋼などのそ
の対極を設置した後両極間に電圧を印加するときは金属
補給槽の陽極は溶解して錫イオン又は鉛イオンを生じこ
れは配管１２によってめっき槽１に送られてめっき液中
に補給される。
述の如きめっき液３を入れ、金属補給槽１８の陰極室に
有機スルホン酸のみの液を入れて、陽極には金属錫又は
金属錫‐鉛合金を用い、陰極にはステンレス鋼などのそ
の対極を設置した後両極間に電圧を印加するときは金属
補給槽の陽極は溶解して錫イオン又は鉛イオンを生じこ
れは配管１２によってめっき槽１に送られてめっき液中
に補給される。
【００３２】一方、金属補給槽１８の陰極室８における
有機スルホン酸イオンは陰イオン交換膜７を通して陽極
室９に移動し配管１２、めっき槽１、配管２１を経て拡
散透析室１９の循環室２０に至り更に拡散透析膜１４を
介して拡散透析室１５で回収し、再び上記陰極室８へ供
給されるのである。
有機スルホン酸イオンは陰イオン交換膜７を通して陽極
室９に移動し配管１２、めっき槽１、配管２１を経て拡
散透析室１９の循環室２０に至り更に拡散透析膜１４を
介して拡散透析室１５で回収し、再び上記陰極室８へ供
給されるのである。
【００３３】かくて、本発明にかかる錫又は錫‐鉛合金
電気めっき方法は、金属濃度が減少しためっき液への錫
イオン又は鉛イオンの補給を、めっき槽とは別の槽で金
属錫又は金属錫‐鉛合金陽極とその対極である陰極との
間で電圧を印加し錫又は鉛を溶解させると共にめっき液
中からの有機スルホン酸イオンの回収も拡散透析膜を備
えた槽を使用し拡散透析により行なうことが出来る。よ
って金属濃度や有機スルホン酸イオン濃度の管理が容易
になり、めっき液を交換したり、別途に金属を補給する
ことなく連続的にめっきを行なうことができる。また４
価の錫イオンの発生も少なく、しかも高能率で電気めっ
きが行なえるためコストも低く抑えることができる。
電気めっき方法は、金属濃度が減少しためっき液への錫
イオン又は鉛イオンの補給を、めっき槽とは別の槽で金
属錫又は金属錫‐鉛合金陽極とその対極である陰極との
間で電圧を印加し錫又は鉛を溶解させると共にめっき液
中からの有機スルホン酸イオンの回収も拡散透析膜を備
えた槽を使用し拡散透析により行なうことが出来る。よ
って金属濃度や有機スルホン酸イオン濃度の管理が容易
になり、めっき液を交換したり、別途に金属を補給する
ことなく連続的にめっきを行なうことができる。また４
価の錫イオンの発生も少なく、しかも高能率で電気めっ
きが行なえるためコストも低く抑えることができる。
【００３４】
【実施例】以下に具体的な実施例を示す。 〔実施例１〕図１の装置を用いて、下記の条件で電気錫
めっきを行なった。 (1) 錫めっき液組成 第１錫イオン（メタンスルホン酸第１錫として添加） ６０ｇ／Ｌ メタンスルホン酸 １２０ｇ／Ｌ 添加剤 適 量 （上記添加剤にはポリオキシエチレングリコール系の界
面活性剤と酸化防止効果のあるヒドロキシベンゼンを含
む。） (2) 錫めっき条件 電流…１０Ａ 陰極電流密度…３Ａ／ｄｍ２ 陽極…チタン上に白金を施した不溶性陽極 陰極…銅板 (3) 金属錫陽極溶解条件 電流…１０Ａ 陽極電流密度…３Ａ／ｄｍ２ 陽極…金属錫陽極 陰極…ステンレス鋼板（ＳＵＳ３１６） 図１のめっき槽１と槽２の陽極室９には、前記組成の錫
めっき液が入れてあり配管１２と１３により循環されて
いる。また槽２の陰極室８と拡散透析室１５には１５０
ｇ／Ｌのメタンスルホン酸溶液が入れてあり配管１６と
１７により循環されている。液温は全て３０℃一定と
し、電解時間は５時間で行なった。
めっきを行なった。 (1) 錫めっき液組成 第１錫イオン（メタンスルホン酸第１錫として添加） ６０ｇ／Ｌ メタンスルホン酸 １２０ｇ／Ｌ 添加剤 適 量 （上記添加剤にはポリオキシエチレングリコール系の界
面活性剤と酸化防止効果のあるヒドロキシベンゼンを含
む。） (2) 錫めっき条件 電流…１０Ａ 陰極電流密度…３Ａ／ｄｍ２ 陽極…チタン上に白金を施した不溶性陽極 陰極…銅板 (3) 金属錫陽極溶解条件 電流…１０Ａ 陽極電流密度…３Ａ／ｄｍ２ 陽極…金属錫陽極 陰極…ステンレス鋼板（ＳＵＳ３１６） 図１のめっき槽１と槽２の陽極室９には、前記組成の錫
めっき液が入れてあり配管１２と１３により循環されて
いる。また槽２の陰極室８と拡散透析室１５には１５０
ｇ／Ｌのメタンスルホン酸溶液が入れてあり配管１６と
１７により循環されている。液温は全て３０℃一定と
し、電解時間は５時間で行なった。
【００３５】陰イオン交換膜７はネオセプタＡＭＨ（徳
山曹達株式会社の商品名、有効面積４ｄｍ２）を、拡散
透析膜はイオン交換膜であるネオセプタＡＦＸ（徳山曹
達株式会社の商品名、有効面積５ｄｍ２）を使用した
が、これらに限られるものではない。
山曹達株式会社の商品名、有効面積４ｄｍ２）を、拡散
透析膜はイオン交換膜であるネオセプタＡＦＸ（徳山曹
達株式会社の商品名、有効面積５ｄｍ２）を使用した
が、これらに限られるものではない。
【００３６】槽２の陰極１０は、ステンレス鋼板（ＳＵ
Ｓ３１６）を使用したが、これに限られるものではな
い。
Ｓ３１６）を使用したが、これに限られるものではな
い。
【００３７】この実施例１のめっき液の組成の変動を表
１に示した。 〔実施例２〕次に図１の装置を用いて、下記の組成で錫
‐鉛合金電気めっきを行なった。
１に示した。 〔実施例２〕次に図１の装置を用いて、下記の組成で錫
‐鉛合金電気めっきを行なった。
【００３８】 錫‐鉛合金めっき液組成（９０％錫−１０％鉛） 第１錫イオン（メタンスルホン酸第１錫として添加） ６０ｇ／Ｌ 鉛イオン（メタンスルホン酸鉛として添加） ６ｇ／Ｌ メタンスルホン酸 １５０ｇ／Ｌ 添加剤 適 量 （上記添加剤にはポリオキシエチレングリコール系の界
面活性剤と酸化防止効果のあるヒドロキシベンゼンを含
む。） 槽２内の陽極１１は金属錫‐鉛合金陽極を用い、他は実
施例１と同条件で５時間電解を行なった。
面活性剤と酸化防止効果のあるヒドロキシベンゼンを含
む。） 槽２内の陽極１１は金属錫‐鉛合金陽極を用い、他は実
施例１と同条件で５時間電解を行なった。
【００３９】この実施例２のめっき液の組成の変動を表
２に示した。 〔実施例３〕次に図１の装置を用いて、下記の組成で錫
‐鉛合金電気めっきを行なった。
２に示した。 〔実施例３〕次に図１の装置を用いて、下記の組成で錫
‐鉛合金電気めっきを行なった。
【００４０】 錫‐鉛合金めっき液組成（９０％錫−１０％鉛） 第１錫イオン（Ｐ‐フェノールスルホン酸第１錫として添加） ６０ｇ／Ｌ 鉛イオン（Ｐ‐フェノールスルホン酸鉛として添加） ６ｇ／Ｌ Ｐ‐フェノールスルホン酸 １８０ｇ／Ｌ 添加剤 適 量 （上記添加剤にはポリオキシエチレングリコール系の界
面活性剤と酸化防止効果のあるヒドキシベンゼンを含
む。）槽２内の陽極１２は金属錫‐鉛合金陽極を用い、
他は実施例１と同条件で５時間電解を行なった。
面活性剤と酸化防止効果のあるヒドキシベンゼンを含
む。）槽２内の陽極１２は金属錫‐鉛合金陽極を用い、
他は実施例１と同条件で５時間電解を行なった。
【００４１】この実施例３のめっき液の組成の変動を表
３に示した。 〔実施例４〕次に図２の装置を用いて、下記の組成で錫
‐鉛合金電気めっきを行なった。
３に示した。 〔実施例４〕次に図２の装置を用いて、下記の組成で錫
‐鉛合金電気めっきを行なった。
【００４２】 錫‐鉛合金めっき液組成（９０％錫−１０％鉛） 第１錫イオン（メタンスルホン酸第１錫として添加） ６０ｇ／Ｌ 鉛イオン（メタンスルホン酸鉛として添加） ６ｇ／Ｌ メタンスルホン酸 １５０ｇ／Ｌ 添加剤 適 量 （上記添加剤にはポリオキシエチレングリコール系の界
面活性剤と酸化防止効果のあるヒドロキシベンゼンを含
む。） 図２から明らかなように、めっき槽１、金属補給槽１８
の陽極室９及び拡散透析槽１９の室２０は配管１２，２
１及び２２によって上記組成の錫‐鉛合金めっき液が循
環されている。また金属補給槽１８の陰極室８と有機ス
ルホン酸回収槽１９の拡散透析室１５は配管１６と１７
によって有機スルホン酸溶液が循環している。陽極１１
は金属錫‐鉛合金陽極を用い、他は実施例１と同条件で
５時間電解を行なった。この実施例４のめっき液の組成
の変動を表４に示した。
面活性剤と酸化防止効果のあるヒドロキシベンゼンを含
む。） 図２から明らかなように、めっき槽１、金属補給槽１８
の陽極室９及び拡散透析槽１９の室２０は配管１２，２
１及び２２によって上記組成の錫‐鉛合金めっき液が循
環されている。また金属補給槽１８の陰極室８と有機ス
ルホン酸回収槽１９の拡散透析室１５は配管１６と１７
によって有機スルホン酸溶液が循環している。陽極１１
は金属錫‐鉛合金陽極を用い、他は実施例１と同条件で
５時間電解を行なった。この実施例４のめっき液の組成
の変動を表４に示した。
【００４３】 表 １ めっき液の組成（ｇ／Ｌ） 初期組成 電解後組成 第１錫イオン ６０ ６１ メタンスルホン酸 １２０ １１８
【００４４】 表 ２ めっき液の組成（ｇ／Ｌ） 初期組成 電解後組成 第１錫イオン ６０ ６２ 鉛イオン ６ ６ メタンスルホン酸 １５０ １４７ 表 ３ めっき液の組成（ｇ／Ｌ） 初期組成 電解後組成 第１錫イオン ６０ ６１ 鉛イオン ６ ６ フェノールスルホン酸 １８０ １７８ 表 ４ めっき液の組成（ｇ／Ｌ） 初期組成 電解後組成 第１錫イオン ６０ ６２ 鉛イオン ６ ６ メタンスルホン酸 １５０ １４６
【００４５】
【発明の効果】本発明にかかる錫及び錫‐鉛合金電気め
っき方法は、以上のように、不足した金属補給をめっき
液の組成に影響を与えること無く、容易に、かつ安価に
行なうことが出来る。
っき方法は、以上のように、不足した金属補給をめっき
液の組成に影響を与えること無く、容易に、かつ安価に
行なうことが出来る。
【００４６】本発明にかかる錫及び錫‐鉛合金電気めっ
き装置は、上記の如き本発明の方法を実施するにあた
り、連続的にかつ容易に全体の管理が出来る。
き装置は、上記の如き本発明の方法を実施するにあた
り、連続的にかつ容易に全体の管理が出来る。
【図１】本発明の装置の一例を示す概略図。
【図２】本発明の装置の他の例を示す概略図。
１ めっき槽 ２ 金属補給及び有機スルホン酸回収槽 ３ めっき液 ４ 不溶性陽極 ５ 被めっき物 ６ 直流電源 ７ 陰イオン交換膜 ８ 陰極室 ９ 陽極室 １０ 陰極 １１ 金属錫又は金属錫‐鉛合金陽極 １４ 拡散透析膜 １５ 拡散透析室 １８ 金属補給槽 １９ 有機スルホン酸回収槽 １２，１３，１６，１７，２１，２２ 配管
Claims (6)
- 【請求項１】有機スルホン酸と、その２価の錫塩又は２
価の錫塩及び鉛塩を基本成分とするめっき液の入った槽
内に不溶性陽極及びその対極となる陰極を被めっき物と
して設置し、電極間に電圧を印加することにより、被め
っき物表面に錫又は錫‐鉛合金めっき皮膜を形成させる
方法において、前記めっき槽とは別に陰極室／陰イオン
交換膜／陽極室／拡散透析膜／拡散透析室をもうけた金
属補給槽を設置し、陰極室と拡散透過析室には有機スル
ホン酸だけの溶液を入れ、陽極室には前記めっき液を入
れると共に、陽極室には金属錫又は金属錫‐鉛陽極を陰
極室にはその対極を設置し、電極間に電圧を印加し錫又
は錫‐鉛陽極を溶解せしめ錫又は鉛イオンを前記めっき
槽に補給し、かつ拡散透析室で回収した有機スルホン酸
を前記陰極室に供給することを特徴とする錫又は錫‐鉛
合金電気めっき方法。 - 【請求項２】金属補給槽において陰極室から陰イオン交
換膜を通し陽極室に移動した有機スルホン酸イオンを拡
散透析膜を介して拡散透析室で回収し、再び前記陰極室
に供給するようにしたことを特徴とする請求項１記載の
方法。 - 【請求項３】不溶性陽極とその対極となり被めっき物た
る陰極を有するめっき槽と、陰極室／陰イオン交換膜／
陽極室／拡散透析膜／拡散透析室を順に設け、前記陽極
室には金属錫又は金属錫‐鉛合金陽極、陰極室にはその
対極を設置した金属補給槽と、該金属補給槽の陽極室と
めっき槽の間にめっき液を循環させる装置と、前記金属
補給槽の陰極室と拡散透析室の間に有機スルホン酸液を
循環させる装置とを有し、連続的に金属とスルホン酸を
供給するようにしたことを特徴とする錫又は錫‐鉛合金
電気めっき装置。 - 【請求項４】有機スルホン酸とその２価の錫塩又は２価
の錫塩及び鉛塩を基本成分とするめっき液を入れた槽内
に不溶性陽極及びその対極を被めっき物として設置し電
圧を印加することにより、被めっき物表面に錫又は錫‐
鉛合金めっき皮膜を形成させる方法において、前記めっ
き槽とは別に陰イオン交換膜により陽極室と陰極室に区
分された金属補給槽と、前記めっき槽及び金属補給槽と
は別に拡散透析膜によってめっき液循環室と拡散透析室
に区別された有機スルホン酸回収槽を設置し、陰極室と
拡散透析室には有機スルホン酸のみの溶液を入れ陽極室
には前記めっき液を入れると共に、前記金属補給槽の陽
極室には金属錫又は金属錫‐鉛陽極板を陰極室にはその
対極を設置し電極間を印加し錫又は錫‐鉛陽極を溶解せ
しめ、錫又は鉛イオンを前記めっき槽に補給し、かつ前
記有機スルホン酸回収槽で得られた有機スルホン酸を金
属補給槽の陰極室に供給することを特徴とする錫又は錫
‐鉛合金電気めっき方法。 - 【請求項５】前記金属補給槽において陰極室から陰イオ
ン交換膜を通して陽極室に移動した有機スルホン酸イオ
ンをめっき槽を経て有機スルホン酸回収槽のめっき液循
環室から拡散透析膜を介し拡散透析室で回収し、再び前
記陰極室に供給するようにしたことを特徴とする請求項
４記載の錫又は錫‐鉛合金電気めっき方法。 - 【請求項６】不溶性陽極とその対極であり被めっき物た
る陰極を有するめっき槽と、陰イオン交換膜により陽極
室と陰極室に区分された金属補給槽と、拡散透析膜によ
ってめっき液循環室と拡散透析室に区分された有機スル
ホン酸回収槽を有し、更に前記めっき槽と前記スルホン
酸回収槽のめっき液循環室と金属補給槽の陽極室の間
に、めっき液を循環させる装置と、前記有機スルホン酸
回収槽の拡散透析室と金属補給槽の陰極室の間に有機ス
ルホン酸を循環させる装置を有し、連続的に金属及び有
機スルホン酸を供給するようにしたことを特徴とする、
錫又は錫‐鉛合金電気めっき装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3338911A JP2559935B2 (ja) | 1991-12-20 | 1991-12-20 | 不溶性陽極を用いた錫又は錫ー鉛合金電気めっきの方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3338911A JP2559935B2 (ja) | 1991-12-20 | 1991-12-20 | 不溶性陽極を用いた錫又は錫ー鉛合金電気めっきの方法及び装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05171499A true JPH05171499A (ja) | 1993-07-09 |
| JP2559935B2 JP2559935B2 (ja) | 1996-12-04 |
Family
ID=18322503
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3338911A Expired - Lifetime JP2559935B2 (ja) | 1991-12-20 | 1991-12-20 | 不溶性陽極を用いた錫又は錫ー鉛合金電気めっきの方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2559935B2 (ja) |
Cited By (10)
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| WO2009013398A2 (fr) * | 2007-07-26 | 2009-01-29 | Siemens Vai Metals Technologies Sas | Installation et procédé pour l'étamage électrolytique de bandes d'acier, mettant en oeuvre une anode insoluble |
| FR2919619A1 (fr) * | 2007-07-30 | 2009-02-06 | Siemens Vai Metals Tech Sas | Installation et procede pour l'etamage electrolytique de bandes d'acier,mettant en oeuvre une anode insoluble |
| WO2009040483A1 (fr) * | 2007-09-28 | 2009-04-02 | Siemens Vai Metals Technologies Sas | Installation et procédé pour l'étamage électrolytique de bandes d' acier, mettant en oeuvre une anode insoluble |
| KR101146740B1 (ko) * | 2009-11-03 | 2012-05-17 | 주식회사 익스톨 | 주석 도금 장치 |
| JP2013237894A (ja) * | 2012-05-15 | 2013-11-28 | Ebara Corp | めっき装置及びめっき液管理方法 |
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| KR20140133443A (ko) * | 2013-05-09 | 2014-11-19 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | Sn 합금 도금 장치 및 Sn 합금 도금 방법 |
| JP2015086448A (ja) * | 2013-10-31 | 2015-05-07 | 株式会社荏原製作所 | Ｓｎ合金めっき装置及びＳｎ合金めっき方法 |
| CN114318418A (zh) * | 2021-12-30 | 2022-04-12 | 中南大学 | 一种采用并联式隔膜电沉积模组制备金属铋的方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004034427A2 (en) | 2002-10-08 | 2004-04-22 | Honeywell International Inc. | Semiconductor packages, lead-containing solders and anodes and methods of removing alpha-emitters from materials |
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1991
- 1991-12-20 JP JP3338911A patent/JP2559935B2/ja not_active Expired - Lifetime
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