JP5978793B2 - めっき方法およびめっき装置 - Google Patents
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Description
めっき液に金属成分を補給する方法としては、例えば、特許文献1に開示されているように、めっき槽とは別に、めっき液成分の補給液(要素液)を補給タンク(錫溶解用電解槽)に溜めておき、めっき液の成分濃度の分析結果に基づいて、補給タンクから補給液をめっき槽に補給して、めっき液と補給液とを循環させる方法が一般的である。
この場合、陽極室液には、めっきによって系外に取出された金属イオンに相当する量の酸が生成することになるので、この陽極室液で補給すべき金属を溶解させ、補給液として使用できることが開示されている。
さらに、特許文献4に開示の方法では、めっき液の他に陽極室液(酸液)が必要となり、めっき槽をめっき浴室と陽極室とに隔てて各室に別々の溶液(めっき液と酸液)を満たす構成は、取り扱いが難しいという問題がある。
この場合、アノード室をカソード室の容積の30%以下とすることで、カソード室めっき液のSn成分濃度の減少速度と、アノード室めっき液の酸成分濃度の上昇速度とのバランスが調整され、補給時における酸化錫の溶解効率をより向上させることができる。
アノード室がカソード室の容積の30%を超える場合、カソード室めっき液のSn成分濃度が減少し、Sn成分の補給を実施すべきタイミングとなった際に、アノード室めっき液の酸成分濃度が十分に上昇しておらず、酸化錫の溶解効率が低下するおそれがある。なお、アノード室の容積が小さすぎると、めっき液の量が少なすぎて補給に必要な量の酸化錫を溶解できなくなるため、アノード室は、カソード室の容積に対して10%以上に設定することが好ましい。
酸化錫(Sn成分)の補給を、アノード室めっき液の酸成分濃度が初期濃度の15%以上増加した時点で行うことで、酸化錫の溶解効率を十分に向上することができる。
なお、カソード室のSn成分濃度の減少が5%未満であると、アノード室のめっき液の酸成分濃度の上昇が十分でない場合があり、10%を超える場合には、被処理基板へのめっき性に影響が生じるおそれがある。そのため、Sn成分の補給は、カソード室内のSn成分濃度の減少が、初期めっき液に対して10%を超えないうちに実施されることが好ましい。
図1は、本発明のめっき装置の第1実施形態を示している。このめっき装置100は、めっき槽1内に貯留しためっき液に被処理基板2及び不溶性アノード電極3を接触させた状態とし、被処理基板2と不溶性アノード電極3との間に通電して被処理基板2に純Sn又はSn合金のめっき膜を形成するものである。なお、被処理基板2と不溶性アノード電極3との間に電源11が接続されており、被処理基板2をカソードとして電解めっきする構成である。
この場合、アノード室31と溶解室33との間でめっき液が循環しており、アノード室31と溶解室33とが全体として本発明のアノード室として機能する構成とされ、溶解室33はアノード室の一部に該当する。
また、溶解室33には、補給めっき液をカソード室21へ供給する供給配管53が設けられている。また、供給配管53には、フィルタ(図示略)が設けられており、補給めっき液をカソード室21へ供給する際に不純物の移動を防止することができる。
なお、図1に示す符号54は、カソード室21内のカソード室めっき液を隣接するアノード室31へ供給する供給配管であり、符号61は、配管内の流れを開閉するバルブである。
Sn−Ag合金めっき液(本発明でいうSnを含有するめっき液)としては、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸といったアルキルスルホン酸等の酸と、めっき金属イオン(Sn2+,Ag+)の他、酸化防止剤や界面活性剤等の添加剤、錯化剤等が配合される。本実施例で使用されるSn−Ag合金めっき液は、例えば以下の配合で構成される。
アルキルスルホン酸;100〜150g/L
Sn2+;40〜90g/L
Ag+;0.1〜3.0g/L
なお、カソード室21及びアノード室31には、上記と同じSn−Ag合金めっき液が用いられる。
なお、アノード室31の容積は小さく設定されていることから、酸成分濃度の上昇率が高くなっている。
Sn2++2e−→Sn …(1)
Ag++e−→Ag …(2)
H2O → 2H++1/2O2+2e− …(3)
なお、カソード室めっき液のSn成分濃度の減少が5%未満であると、アノード室めっき液の酸成分濃度の上昇が十分でなく、酸化錫の溶解効率が低下する場合がある。また、Sn成分濃度の減少が10%を超える場合には、被処理基板2へのめっき性に影響が生じるおそれがある。
SnO+2H+→Sn2++H2O …(4)
なお、溶解室33を別途設けたので、溶解室33内でSnOを溶解させることにより、めっきを行いながらSn成分の補給を実施することができる。溶解室33を設けない場合、SnOの補給はアノード室31内で行う必要があるが、この場合、めっきを行いながらSnOの補給を行うと不溶性アノード電極3表面から発生する酸素によって、添加したSnOが酸化しやすくなり、溶解性が損なわれるため好ましくない。したがって、溶解室33を別途設けない場合にはめっきを停止してからSnOを補給する必要がある。
図2に示す第2実施形態のめっき装置200においては、アノード室31と溶解室33とが、アノード室31内のめっき液を溶解室33に供給する供給配管55のみで接続されている。すなわち、本発明のアノード室とは別に、溶解室33が設けられている。
このように構成されるめっき装置200により、被処理基板2にSn−Ag合金めっきを施す場合には、供給配管55のバルブ61は閉じた状態に設定され、アノード室31と溶解室33との間にめっき液の移動はない。第2実施形態においても、補給めっき液のカソード室21への供給は、アノード室めっき液の酸成分濃度が初期濃度の15%以上増加し、カソード室めっき液のSn成分濃度の減少が初期めっき液に対して10%を超えないうちに行う。
次に、こうして生成された補給めっき液を、供給配管53を通じてカソード室21に供給するとともに、カソード室21から供給配管54を通じて補給めっき液と同量のカソード室めっき液をアノード室31に供給することにより、カソード室21内、アノード室31内、溶解室33内のめっき液を循環させ、Sn成分濃度及び酸成分濃度を均一化して、被処理基板2のめっき前の状態に戻すことができる(均一化工程)。
なお、Sn−Ag系合金めっきを構成するAg成分については、Sn成分と比べて少量であることから説明を省略したが、補給する場合は、SnOの溶解時等に適量添加すればよい。
そして、めっき槽内のSn‐Ag合金めっき液としては、三菱マテリアル株式会社製のSn−Ag合金めっき液「SULA TS−140」を用い、組成(初期めっき液)としては、以下の通りとした。
Sn2+;50g/L
Ag+;0.6g/L
FA(酸);120g/L
TS−SLG(Agの錯化剤);172g/L
TS−140AD(添加剤);40ml/L
表1の「電解後FA」、「電解後Sn」、「電解後Ag」は、めっきを施したことにより変化した電解後のカソード室及びアノード室内のめっき液中の組成を分析した結果である。また、「Sn減少量」は、初期めっき液に対する電解後のめっき液のSn成分濃度の割合を計算したものである。
実施例1〜9は、いずれも比較例1に比べて酸化錫の溶解時間を短くでき、溶解効率が向上していることがわかる。特に、実施例1〜5では、いずれもアノード室の容積がカソード室の容積に対して30%以下に設定され、アノード室めっき液の「FA増加量」(酸成分濃度増加量)が初期濃度の15%以上増加し、「Sn減少量」が初期めっき液に対して10%を超えないうちに酸化錫の溶解が行われており、比較例1のものと比べて溶解時間比が90%以下となり、溶解効率が大きく向上していることがわかる。
なお、実施例6〜9においては、アノード室めっき液の「FA増加量」が初期濃度の15%未満の状態で酸化錫の溶解が行われていることから、酸化錫の溶解時間が長くなり、実施例1〜5に比べて溶解効率が低下する結果となった。また、実施例6,7では、アノード室の容積がカソード室の容積に対して30%を超えているため、「FA増加量」が小さくなった。
例えば、前述したSn−Ag系合金めっき以外にも、不溶性アノード電極を使用するSn系めっきプロセスに適用可能であり、純SnめっきやSn−Cu系合金めっきにも本発明を適用することができる。
2 被処理基板
3 不溶性アノード電極
4 陰イオン交換膜
11 電源
21 カソード室
31 アノード室
33 溶解室
51 循環配管
53,54,55 供給配管
61 バルブ
100,200 めっき装置
Claims (3)
- Snを含有するめっき液を貯留するめっき槽を陰イオン交換膜によって被処理基板が配置されるカソード室と不溶性アノード電極が配置されるアノード室とに区画するとともに、前記アノード室が、前記カソード室の容積に対して10%以上30%以下になるように設定しておき、該被処理基板へめっきを施すめっき工程と、該めっき工程に伴い酸成分濃度が上昇した前記アノード室のアノード室めっき液に酸化錫を供給することにより補給めっき液を生成する補給工程と、該補給めっき液と前記カソード室のカソード室めっき液とを互いに循環させて、前記めっき槽内のめっき液を均一化する均一化工程とを備えることを特徴とするめっき方法。
- 前記補給工程は、前記アノード室めっき液の酸成分濃度が初期濃度の15%以上増加した時点で行うことを特徴とする請求項1記載のめっき方法。
- めっき槽内に貯留したSnを含有するめっき液に被処理基板及び不溶性アノード電極を接触させた状態とし、前記被処理基板と前記不溶性アノード電極との間に通電して該被処理基板にめっき膜を形成するめっき装置であって、前記めっき槽は、陰イオン交換膜により前記被処理基板が配置されるカソード室と、前記不溶性アノード電極が配置されるアノード室とに区画されており、前記アノード室は、前記カソード室の容積に対して10%以上30%以下に設定され、前記アノード室の一部又は該アノード室とは別に、前記アノード室のアノード室めっき液に酸化錫を供給して補給めっき液を生成する溶解室が設けられていることを特徴とするめっき装置。
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