JP5834986B2 - Sn合金電解めっき方法 - Google Patents
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Description
このSn−Ag系合金を電解めっきする場合、アノードにSnを用いると、AgがSnより貴であるために、アノード面にAgが置換析出する。これを避けるため、Pt等の不溶性アノードを用いて電解めっきする場合が多いが、アノード面に水素が発生し、電解を損なうおそれがある。このため、可溶性アノードにおいてAgを置換析出させないようにする工夫が試みられている。
図1は、本発明のSn合金電解めっき装置の一実施形態を示している。このSn合金電解めっき装置は、めっき槽1の上下方向の中間位置に水平に陰イオン交換膜2が設けられていることにより、めっき槽1内が上下に区画されており、陰イオン交換膜2の下方の空間がアノード室3、上方の空間がカソード室4として構成されている。
アノード室3は、内部に酸溶液が貯留されるとともに、別に設けられたタンク5に接続され、酸溶液をポンプ6によって循環することができるように構成されている。カソード室4は、内部にめっき溶液が貯留されるとともに、アノード室3と同様に別に設けたタンク7に接続され、めっき溶液をポンプ8によって循環することができるように構成されている。
なお、カソード室4の容積はアノード室3よりも大きく設定され、例えばカソード室4がアノード室3の2〜5倍の容積であるとよい。また、陰イオン交換膜2としては、例えば、耐酸性に優れる旭硝子株式会社製「セレシオン」を用いることができる。
このSn−Ag合金のめっき溶液としては、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸といったアルキルスルホン酸等の酸と、めっき金属イオン(Sn2+,Ag+)の他、酸化防止剤や界面活性剤等の添加剤、錯化剤等が配合される。本実施形態で使用されるSn−Ag合金のめっき溶液は、例えば以下の配合で構成される。
アルキルスルホン酸;100〜150g/L
Sn2+;40〜90g/L
Ag+;0.1〜3.0g/L
一方、アノード室3には、カソード室4のめっき溶液中の酸と同じ酸が用いられ、例えば80〜150g/Lの濃度のアルキルスルホン酸が貯留される。
遊離酸濃度が所定値以上に上昇すると、めっき膜の品質を損なうので、例えば遊離酸濃度が350g/Lにまで達したら、めっき処理を終了する。このとき、アノード室3内の溶液はSnイオンを高濃度で含有しており、例えば200g/L程度の濃度となっている。カソード室4のめっき溶液は新しいめっき溶液と交換するが、アノード室3内に貯留されている酸溶液は、Snイオンを高濃度に含むので、めっき溶液のSnイオン補給液として使用することができる。
新たにめっきを施す場合は、このようにして得られたSnイオンの補給液を使用して前述した配合でめっき溶液を作製してカソード室4に供給し、アノード室3には新たな酸溶液を供給すればよい。
メタンスルホン酸;120g/L
Sn2+;80g/L
Ag+;1.5g/L
添加剤;40g/L
めっき槽の浴温は25℃に設定し、12A/dm2の電流密度(ASD)で電解量として約100AH/Lのめっきを施した。その間、カソード室にはめっきの進行とともに内部のめっき溶液の成分を分析しながら、上記の組成を維持するようにSnイオン補給液、Agイオン補給液を供給した。
アノード表面にSn以外の金属分は検出できなかった。
この結果から、可溶性のSn製アノードを用いながら置換析出の発生がなく、しかも、Snイオンの補給液として十分使用できる溶液をめっき処理に並行して作製することができることがわかる。
例えば、上記実施形態では水平な陰イオン交換膜によりめっき槽を上下に区画したが、垂直な陰イオン交換膜により左右に区画してもよい。また、前述したSn−Ag系合金めっき以外にも、Sn−Cu系合金めっきにも本発明を適用することができる。Snに対して貴な金属との合金をめっきする場合に適用可能である。
2 陰イオン交換膜
3 アノード室
4 カソード室
5,7 タンク
6,8 ポンプ
11 Sn製アノード
12 ウエハ(被めっき物)
13 ワーク支持部
14 電源
15 蓋体
16 オーバーフロー流路
Claims (1)
- めっき槽内を陰イオン交換膜によりカソード室とアノード室とに区画し、前記カソード室にSnイオン含有めっき溶液を供給し、前記アノード室に酸溶液を供給して、前記カソード室内の被めっき物と前記アノード室内のSn製アノードとの間に通電して電解めっきするとともに、めっきの進行に伴い前記カソード室及び前記アノード室の全体の酸濃度が上昇するように設定しておき、前記酸濃度が所定値に上昇したら、前記Sn製アノードから溶出したSnイオンを含有した酸溶液をSnイオン補給液として使用してめっき溶液を作製して、前記カソード室のめっき溶液と交換し、前記アノード室には新たな酸溶液を供給することを特徴とするSn合金電解めっき方法。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012029998A JP5834986B2 (ja) | 2012-02-14 | 2012-02-14 | Sn合金電解めっき方法 |
CN201380008134.1A CN104093889B (zh) | 2012-02-14 | 2013-02-12 | Sn合金电解电镀方法及Sn合金电解电镀装置 |
US14/375,041 US9506163B2 (en) | 2012-02-14 | 2013-02-12 | Method of electroplating with Sn-alloy and apparatus of electroplating with Sn-alloy |
PCT/JP2013/053248 WO2013122046A1 (ja) | 2012-02-14 | 2013-02-12 | Sn合金電解めっき方法及びSn合金電解めっき装置 |
KR1020147022967A KR101848971B1 (ko) | 2012-02-14 | 2013-02-12 | Sn 합금 전해 도금 방법 및 Sn 합금 전해 도금 장치 |
TW102105601A TWI567252B (zh) | 2012-02-14 | 2013-02-18 | Sn alloy electrolytic plating method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012029998A JP5834986B2 (ja) | 2012-02-14 | 2012-02-14 | Sn合金電解めっき方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013166981A JP2013166981A (ja) | 2013-08-29 |
JP5834986B2 true JP5834986B2 (ja) | 2015-12-24 |
Family
ID=48984156
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012029998A Active JP5834986B2 (ja) | 2012-02-14 | 2012-02-14 | Sn合金電解めっき方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9506163B2 (ja) |
JP (1) | JP5834986B2 (ja) |
KR (1) | KR101848971B1 (ja) |
CN (1) | CN104093889B (ja) |
TW (1) | TWI567252B (ja) |
WO (1) | WO2013122046A1 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9481940B2 (en) | 2014-06-26 | 2016-11-01 | International Business Machines Corporation | Electrodeposition system and method incorporating an anode having a back side capacitive element |
CN104532293B (zh) * | 2014-12-22 | 2017-06-09 | 无锡市瑞思科环保科技有限公司 | 化学镀镍废液中提纯镍的方法及镍提纯装置 |
KR101723991B1 (ko) * | 2015-10-15 | 2017-04-07 | 주식회사 티케이씨 | 웨이퍼 도금장치 |
CN105256347B (zh) * | 2015-11-17 | 2018-01-16 | 通富微电子股份有限公司 | 锡银凸块含银量控制方法 |
US20190345624A1 (en) * | 2018-05-09 | 2019-11-14 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for removing contaminants in electroplating systems |
CN114318418B (zh) * | 2021-12-30 | 2024-01-26 | 中南大学 | 一种采用并联式隔膜电沉积模组制备金属铋的方法 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6251255B1 (en) * | 1998-12-22 | 2001-06-26 | Precision Process Equipment, Inc. | Apparatus and method for electroplating tin with insoluble anodes |
JP3368860B2 (ja) | 1999-02-01 | 2003-01-20 | 上村工業株式会社 | 電気錫合金めっき方法及び電気錫合金めっき装置 |
US7351314B2 (en) * | 2003-12-05 | 2008-04-01 | Semitool, Inc. | Chambers, systems, and methods for electrochemically processing microfeature workpieces |
US7628898B2 (en) * | 2001-03-12 | 2009-12-08 | Semitool, Inc. | Method and system for idle state operation |
JP2004353004A (ja) * | 2003-05-27 | 2004-12-16 | Ebara Corp | めっき装置 |
TW200514873A (en) * | 2003-07-08 | 2005-05-01 | Applied Materials Inc | Electrochemical processing cell |
JP4441725B2 (ja) * | 2003-11-04 | 2010-03-31 | 石原薬品株式会社 | 電気スズ合金メッキ方法 |
CN1993502B (zh) * | 2004-08-05 | 2011-04-20 | 新日本制铁株式会社 | 电镀锡方法 |
CN101270497B (zh) * | 2008-05-16 | 2010-07-14 | 南京大学 | 一种料液的酸碱度的调节方法 |
CN101476150B (zh) * | 2008-12-29 | 2013-09-04 | 广州电器科学研究院 | 一种电镀Sn-Cu合金的装置及其方法 |
CN101935862A (zh) * | 2010-08-17 | 2011-01-05 | 苏州铨笠电镀挂具有限公司 | 一种阳离子发生装置 |
-
2012
- 2012-02-14 JP JP2012029998A patent/JP5834986B2/ja active Active
-
2013
- 2013-02-12 US US14/375,041 patent/US9506163B2/en active Active
- 2013-02-12 CN CN201380008134.1A patent/CN104093889B/zh active Active
- 2013-02-12 KR KR1020147022967A patent/KR101848971B1/ko active IP Right Grant
- 2013-02-12 WO PCT/JP2013/053248 patent/WO2013122046A1/ja active Application Filing
- 2013-02-18 TW TW102105601A patent/TWI567252B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20140127256A (ko) | 2014-11-03 |
US20150034489A1 (en) | 2015-02-05 |
JP2013166981A (ja) | 2013-08-29 |
KR101848971B1 (ko) | 2018-04-13 |
US9506163B2 (en) | 2016-11-29 |
WO2013122046A1 (ja) | 2013-08-22 |
TWI567252B (zh) | 2017-01-21 |
TW201348523A (zh) | 2013-12-01 |
CN104093889A (zh) | 2014-10-08 |
CN104093889B (zh) | 2018-07-13 |
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