JP2015214736A - Sn合金電解めっき方法及びめっき装置 - Google Patents
Sn合金電解めっき方法及びめっき装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015214736A JP2015214736A JP2014099519A JP2014099519A JP2015214736A JP 2015214736 A JP2015214736 A JP 2015214736A JP 2014099519 A JP2014099519 A JP 2014099519A JP 2014099519 A JP2014099519 A JP 2014099519A JP 2015214736 A JP2015214736 A JP 2015214736A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- anode
- plating
- alloy
- chamber
- plating solution
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
Abstract
【課題】Sn−Ag系合金、Sn−Cu系合金等のSn合金を電解めっきする場合に、Snとその合金のための添加成分の両方の金属イオンを供給しながらめっきするとともに、無通電時においては添加成分の置換析出を生じさせないようにする。
【解決手段】めっき液を貯留しためっき槽1内に、Snからなる第1アノード11とSn合金の添加成分からなる第2アノード12とを設置し、これらアノード11,12に通電しながら被めっき物に電解めっきするとともに、アノード11,12への無通電時に第1アノード11の表面をめっき液中の添加成分の金属イオンから遮蔽する。
【選択図】 図2
【解決手段】めっき液を貯留しためっき槽1内に、Snからなる第1アノード11とSn合金の添加成分からなる第2アノード12とを設置し、これらアノード11,12に通電しながら被めっき物に電解めっきするとともに、アノード11,12への無通電時に第1アノード11の表面をめっき液中の添加成分の金属イオンから遮蔽する。
【選択図】 図2
Description
本発明は、基板等にSn−Ag系合金、Sn−Cu系合金等のSn合金を電解めっきする方法及び装置に関する。
半導体装置の実装には、はんだバンプを利用して半導体素子を回路基板に接続することが多用されている。このはんだバンプとして、近年では、Pbフリー化に伴って、Sn−Pb系合金はんだに代えてSn−Ag系合金等のはんだが使用されるようになってきている。
このSn−Ag系合金を電解めっきする場合、アノードにSnを用いると、AgがSnより貴であるために、アノード面にAgが置換析出する。これを避けるため、Pt等の不溶性アノードを用いて電解めっきする場合が多いが、アノード面に水素が発生し、電解を損なうおそれがある。このため、可溶性アノードにおいてAgを置換析出させないようにする工夫が試みられている。
このSn−Ag系合金を電解めっきする場合、アノードにSnを用いると、AgがSnより貴であるために、アノード面にAgが置換析出する。これを避けるため、Pt等の不溶性アノードを用いて電解めっきする場合が多いが、アノード面に水素が発生し、電解を損なうおそれがある。このため、可溶性アノードにおいてAgを置換析出させないようにする工夫が試みられている。
特許文献1には、被めっき物を電気めっき槽内に収容した鉛フリーの電気錫合金めっき浴中に浸漬して、該被めっき物を陰極として電気めっきを行うに際し、めっき槽内で陽極をカチオン交換膜で形成されたアノードバック又はボックスで隔離して電気めっきを行うことが開示されている。この方法によれば、アノードボックス内のめっき液のSnイオンが交換膜を通ってめっき槽に移動し、Snイオンが安定して供給され、アノードとしてSn等の可溶性アノードを使用した場合においても、カチオンの移動により、アノードに対する金属析出を防ぐことができるとされている。
この特許文献1記載のめっき方法では、電解めっきしている通電中は、カチオン交換膜の作用によりアノードへの金属析出は防止されるが、電解めっきしていない無通電状態で、被めっき物やアノードがめっき液に浸漬している状態においてアノードに置換析出が発生する。このため、無通電状態においては、アノードを引き上げておくなどの措置が必要であった。この事情に鑑み、出願人は、特許文献2記載の技術を提案した。
特許文献2記載のめっき方法は、めっき槽内を陰イオン交換膜によりカソード室とアノード室とに区画し、カソード室にSnイオン含有めっき溶液を供給し、アノード室に酸溶液を供給して、カソード室内の被めっき物とアノード室内のSn製アノードとの間に通電して電解めっきする方法であり、めっきの進行に伴いSn製アノードから溶出するSnイオンを含有した酸溶液は、カソード室のめっき溶液のSnイオン補給液として使用することができる。この場合、アノードとしてはSnのみが用いられており、Sn−Ag合金をめっきする場合には、Agイオン補給液は別途用意する必要がある。
本発明は、このような背景の下、Sn−Ag系合金、Sn−Cu系合金等のSn合金を電解めっきする場合に、Snとその合金のための添加成分の両方の金属イオンを供給しながらめっきするとともに、無通電時においては添加成分の置換析出を生じさせないようにすることを目的とする。
本発明のSn合金電解めっき方法は、めっき液を貯留しためっき槽内に、Snからなる第1アノードとSn合金の添加成分からなる第2アノードとを設置し、これらアノードに通電しながら被めっき物に電解めっきするとともに、前記アノードへの無通電時に前記第1アノードの表面を前記めっき液中の前記添加成分の金属イオンから遮蔽することを特徴とする。
また、本発明のSn合金電界めっき装置は、めっき液が貯留されるめっき槽と、Snからなる第1アノードと、Sn合金の添加成分からなる第2アノードと、これらアノードへの無通電時に前記第1アノードの表面を前記めっき液中の前記添加成分の金属イオンから遮蔽する遮蔽手段とを備えることを特徴とする。
この電解めっきにおいては、電解めっき時には、Snからなる第1アノードとAg等の添加成分からなる第2アノードとの二つのアノードからめっき液に金属イオンを供給しながらめっきすることができる。また、アノードへの無通電時には、第1アノードの表面をめっき液中の添加成分の金属イオンから遮蔽するようにしたので、その金属イオンによる第1アノード表面への置換析出も防止することができる。
第1アノード表面を遮蔽する手段としては、第1アノード表面を覆うように遮蔽板によって蓋をするのが簡単である。
第1アノード表面を遮蔽する手段としては、第1アノード表面を覆うように遮蔽板によって蓋をするのが簡単である。
本発明の電解めっき装置において、前記めっき槽は、陽イオン交換膜により、前記第1アノード及び前記第2アノードが配置されるアノード室と、前記被めっき物が配置されるカソード室とに区画されているとよい。
この電解めっき装置においては、通電時はアノード室の両アノードから供給される金属イオンが陽イオン交換膜を通過してカソード室に供給される。この場合、アノード室においてスラッジが発生し易いが、陽イオン交換膜によってアノード室とカソード室とに区画しているので、被めっき物が配置されるカソード室にはスラッジが混入せず、めっき品質を低下させることはない。
この電解めっき装置においては、通電時はアノード室の両アノードから供給される金属イオンが陽イオン交換膜を通過してカソード室に供給される。この場合、アノード室においてスラッジが発生し易いが、陽イオン交換膜によってアノード室とカソード室とに区画しているので、被めっき物が配置されるカソード室にはスラッジが混入せず、めっき品質を低下させることはない。
本発明によれば、電解めっき時には、Snからなる第1アノードとAg等の添加成分からなる第2アノードとの二つのアノードからめっき液に金属イオンを供給しながらめっきすることができ、アノードへの無通電時には、第1アノードの表面をめっき液中の添加成分の金属イオンから遮蔽するようにしたので、その金属イオンによる第1アノード表面への置換析出も防止することができる。
以下、本発明の実施形態を図面を参照しながら説明する。
図1は、本発明のSn合金電解めっき装置の第1実施形態を示している。このSn合金電解めっき装置は、めっき槽1の上下方向の中間位置に水平に陽イオン交換膜2が設けられていることにより、めっき槽1内が上下に区画されており、陽イオン交換膜2の下方の空間がアノード室3、上方の空間がカソード室4として構成されている。
図1は、本発明のSn合金電解めっき装置の第1実施形態を示している。このSn合金電解めっき装置は、めっき槽1の上下方向の中間位置に水平に陽イオン交換膜2が設けられていることにより、めっき槽1内が上下に区画されており、陽イオン交換膜2の下方の空間がアノード室3、上方の空間がカソード室4として構成されている。
また、アノード室3の内底面にはアノードを支持するためのベース5が設けられており、このベース5の凹部6内にSn製アノード(第1アノード)11とAg製アノード(第2アノード)12とが配置されている。この場合、Sn製アノード11はリング板状に形成され、Ag製アノード12は、Sn製アノード11のリングの内側の中心に配置される小円板状に形成されており、両アノード11,12が、ベース5の凹部6内に収容された状態で水平に設置されている。また、両アノード11,12の板厚はベース5の凹部6の深さより小さく形成される。これらアノード11,12は、Sn−Ag合金めっきでは、その合金比率で定められる重量に設定され、例えばSnが98質量%に対してAgが2質量%とされる。そのため、アノードのサイズ比もほぼその割合に沿ったものであることが望ましいが、Sn製アノード及びAg製アノードにそれぞれ流す電流比を変更すれば、アノード側で溶解するそれぞれの金属量は任意にコントロールが可能であるため、特に制約は受けない。
また、このアノード室3内には、両アノード11,12の上方にSn製アノード11の外径以上の外径(図示例ではベース5よりも大きい外径)を有する円板状の遮蔽板13が設けられており、昇降機構14により上下移動させられるようになっている。この遮蔽板13はめっき液に対して耐性を有する合成樹脂等により形成される。本発明の遮蔽手段は、この実施形態ではベース5、遮蔽板13、及び昇降機構14により構成される。
一方、カソード室4の上部にはウエハ(被めっき物)15を水平に載置状態に支持するワーク支持部16が設けられており、このワーク支持部16に、ウエハ15を支持したときにこのウエハ15に接触する電極が設けられている。そして、このワーク支持部16の電極と両アノード11,12との間に電源17が接続されることにより、ウエハ15をカソードとして電解めっきする構成である。
電源17は、カソード(ワーク支持部16)とSn製アノード11との間に流れる電流と、カソード(ワーク支持部16)とAg製アノード12との間に流れる電流とを独立して制御できるようになっている。
電源17は、カソード(ワーク支持部16)とSn製アノード11との間に流れる電流と、カソード(ワーク支持部16)とAg製アノード12との間に流れる電流とを独立して制御できるようになっている。
また、カソード室4にはタンク21が接続され、内部のめっき溶液をポンプ22によって循環しながら、カソード室4の下方からノズル23によって吹き上げるように供給することができる。
ウエハ15はカソード室4の液面付近に水平に配置され、ノズル23からカソード室4の下方で吹き上げられるめっき溶液の噴流が破線で示すようにウエハ15の下面に供給されるようになっており、めっき槽1の上方を覆う蓋体18がウエハ15に上方から錘として作用している。ウエハ15の下面に供給されためっき溶液はめっき槽1からオーバーフロー流路24に導かれ、タンク21に戻される。
ウエハ15はカソード室4の液面付近に水平に配置され、ノズル23からカソード室4の下方で吹き上げられるめっき溶液の噴流が破線で示すようにウエハ15の下面に供給されるようになっており、めっき槽1の上方を覆う蓋体18がウエハ15に上方から錘として作用している。ウエハ15の下面に供給されためっき溶液はめっき槽1からオーバーフロー流路24に導かれ、タンク21に戻される。
このように構成されるめっき装置によりウエハ15にSn−Ag合金めっきを施す方法について説明する。
このSn−Ag合金のめっき溶液としては、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸といったアルキルスルホン酸等の酸と、めっき金属イオン(Sn2+,Ag+)の他、酸化防止剤や界面活性剤等の添加剤、錯化剤等が配合される。本実施形態で使用されるSn−Ag合金のめっき溶液は、例えば以下の配合で構成される。
アルキルスルホン酸;100〜150g/L
Sn2+;40〜90g/L
Ag+;0.1〜3.0g/L
このSn−Ag合金のめっき溶液としては、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸といったアルキルスルホン酸等の酸と、めっき金属イオン(Sn2+,Ag+)の他、酸化防止剤や界面活性剤等の添加剤、錯化剤等が配合される。本実施形態で使用されるSn−Ag合金のめっき溶液は、例えば以下の配合で構成される。
アルキルスルホン酸;100〜150g/L
Sn2+;40〜90g/L
Ag+;0.1〜3.0g/L
そして、ウエハ15をカソード室4のワーク支持部16に支持して通電すると、電解によりカソード室4ではめっき溶液に接触しているウエハ15の下面にSn−Ag合金が析出し、アノード室3では各アノード11,12からSnイオン(Sn2+)とAgイオン(Ag+)が供給される。これらSnイオン及びAgイオンは陽イオンであるので、陽イオン交換膜2を自由に通過することができ、めっきの進行に伴うカソード室4内の濃度低下に応じてアノード室3からカソード室4に供給される。
この電解めっき時には、カソード室4内の金属イオンがめっきの進行とともに低下して、アノード室3で生成された金属イオンがアノード室3に留まることなく、陽イオン交換膜2により区画されたカソード室4に流通して消費されるので、Sn製アノード11表面へのAgの置換析出は抑制される。
この電解めっき時には、カソード室4内の金属イオンがめっきの進行とともに低下して、アノード室3で生成された金属イオンがアノード室3に留まることなく、陽イオン交換膜2により区画されたカソード室4に流通して消費されるので、Sn製アノード11表面へのAgの置換析出は抑制される。
一方、通電を停止する場合は、図2に示すように、遮蔽板13を下降させて両アノード11,12の上に載置した状態とする。この遮蔽板13は、前述したようにベース5よりも大きい外径に形成されているので、ベース5の凹部6内に収容されたアノード11,12がベース5と遮蔽板13とにより囲まれる空間内に閉じ込められ、アノード室3内のめっき溶液にさらされた状態から遮蔽される。これにより、めっき溶液中に存在するAgイオンによるSn製アノード11上面での置換析出が防止される。
ところで、Sn製アノード11からめっき溶液中に供給される2価のSnイオン(Sn2+)は、酸化により4価のSnイオン(Sn4+)となり、更に加水分解反応により白色コロイド状の水酸化物となってめっき槽1中に浮遊し、或いは、沈殿してスラッジを形成し易い。本実施形態の場合、めっき槽1が陽イオン交換膜2によって上下に区画されているので、アノード室3でSnスラッジが発生したとしても、カソード室4内に混入することは防止され、カソード室4内でのめっき品質を損なうことが防止される。
図3は、本発明のSn合金電解めっき装置の第2実施形態を示している。このSn合金電解めっき装置においても、めっき槽1内が陽イオン交換膜2によりアノード室3とカソード室4とに上下に区画されているとともに、アノード室3内に、Sn製アノード11とAg製アノード12とが設けられているが、アノード室3内を各アノード11,12ごとにさらに区画するように筒状の隔壁31が設けられている。この隔壁31は、リング板状のSn製アノード11とその内側の中心に配置される小円板状のAg製アノード12との間に、Ag製アノード12を囲むように設けられており、この隔壁31の上端は陽イオン交換膜2の下面に当接している。これにより、アノード室3内が、Sn製アノード11を有する外側室32と、Ag製アノード12を有する内側室33とに区画されている。
一方、カソード室4内には、無通電時に陽イオン交換膜2の上に遮蔽板34が載置される。この遮蔽板34は、陽イオン交換膜2のほぼ全面を覆う外径に形成され、カソード室4とアノード室3との間のめっき溶液の移動を遮断することができる。この実施形態では遮蔽板34は、電解めっき終了後に作業員によってめっき槽1のカソード室4内に設置される。そして、本発明の遮蔽手段は、この実施形態では遮蔽板により構成される。
なお、この第2実施形態の電解めっき装置において、その他の細部構成は第1実施形態と同様であるので、同一符号を付して説明を省略する。
なお、この第2実施形態の電解めっき装置において、その他の細部構成は第1実施形態と同様であるので、同一符号を付して説明を省略する。
この電解めっき装置においても、電解めっき時には両アノード11,12からSnイオンとAgイオンとを供給しながらめっきすることができ、無通電時には、遮蔽板34を陽イオン交換膜2の上に載置することにより、カソード室4とアノード室3との間のめっき溶液の移動が遮蔽板34により遮断される。この場合、アノード室3は隔壁31によってSn製アノード11を有する外側室32とAg製アノード12を有する内側室33とに区画されているので、Sn製アノード11がAgイオンから遮蔽され、Agの置換析出が防止される。
この隔壁31は、めっき溶液に耐性を有する合成樹脂等によって形成することができるが、Agイオンが外側室32に混入しないようにすればよいので、陰イオン交換膜によって形成してもよい。
この隔壁31は、めっき溶液に耐性を有する合成樹脂等によって形成することができるが、Agイオンが外側室32に混入しないようにすればよいので、陰イオン交換膜によって形成してもよい。
なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、両実施形態では水平な陽イオン交換膜によりめっき槽を上下に区画したが、垂直な陽イオン交換膜により左右に区画してもよい。また、前述したSn−Ag系合金めっき以外にも、Sn−Cu系合金めっきにも、Sn製アノードを第1アノード、Cu製アノードを第2アノードとして本発明を適用することができ、Snに対して貴な金属との合金をめっきする場合に適用可能である。
例えば、両実施形態では水平な陽イオン交換膜によりめっき槽を上下に区画したが、垂直な陽イオン交換膜により左右に区画してもよい。また、前述したSn−Ag系合金めっき以外にも、Sn−Cu系合金めっきにも、Sn製アノードを第1アノード、Cu製アノードを第2アノードとして本発明を適用することができ、Snに対して貴な金属との合金をめっきする場合に適用可能である。
1 めっき槽
2 陽イオン交換膜
3 アノード室
4 カソード室
5 ベース
6 凹部
11 Sn製アノード(第1アノード)
12 Ag製アノード(第2アノード)
13 遮蔽板
14 昇降機構
15 ウエハ(被めっき物)
16 ワーク支持部
17 電源
18 蓋体
21 タンク
22 ポンプ
23 ノズル
24 オーバーフロー流路
31 隔壁
32 外側室
33 内側室
34 遮蔽板
2 陽イオン交換膜
3 アノード室
4 カソード室
5 ベース
6 凹部
11 Sn製アノード(第1アノード)
12 Ag製アノード(第2アノード)
13 遮蔽板
14 昇降機構
15 ウエハ(被めっき物)
16 ワーク支持部
17 電源
18 蓋体
21 タンク
22 ポンプ
23 ノズル
24 オーバーフロー流路
31 隔壁
32 外側室
33 内側室
34 遮蔽板
Claims (3)
- めっき液を貯留しためっき槽内に、Snからなる第1アノードとSn合金の添加成分からなる第2アノードとを設置し、これらアノードに通電しながら被めっき物に電解めっきするとともに、前記アノードへの無通電時に前記第1アノードの表面を前記めっき液中の前記添加成分の金属イオンから遮蔽することを特徴とするSn合金電解めっき方法。
- めっき液が貯留されるめっき槽と、Snからなる第1アノードと、Sn合金の添加成分からなる第2アノードと、これらアノードへの無通電時に前記第1アノードの表面を前記めっき液中の前記添加成分の金属イオンから遮蔽する遮蔽手段とを備えることを特徴とするSn合金電解めっき装置。
- 前記めっき槽は、陽イオン交換膜により、前記第1アノード及び前記第2アノードが配置されるアノード室と、前記被めっき物が配置されるカソード室とに区画されていることを特徴とする請求項2記載のSn合金電解めっき装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014099519A JP2015214736A (ja) | 2014-05-13 | 2014-05-13 | Sn合金電解めっき方法及びめっき装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014099519A JP2015214736A (ja) | 2014-05-13 | 2014-05-13 | Sn合金電解めっき方法及びめっき装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015214736A true JP2015214736A (ja) | 2015-12-03 |
Family
ID=54751883
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014099519A Pending JP2015214736A (ja) | 2014-05-13 | 2014-05-13 | Sn合金電解めっき方法及びめっき装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2015214736A (ja) |
-
2014
- 2014-05-13 JP JP2014099519A patent/JP2015214736A/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102509652B1 (ko) | Tsv들 (through silicon vias) 내로 구리의 전착을 위한 니켈 라이너 및 코발트 라이너의 전처리 | |
US9593426B2 (en) | Through silicon via filling using an electrolyte with a dual state inhibitor | |
KR102348574B1 (ko) | 전기도금을 위한 알카리성 전처리 | |
JP6502628B2 (ja) | 電気めっきシステム | |
TWI609100B (zh) | 使用反向電流除鍍以清洗電鍍基板夾持具 | |
JP5834986B2 (ja) | Sn合金電解めっき方法 | |
JP2016074975A (ja) | めっき方法 | |
JP6022922B2 (ja) | Sn合金めっき装置及び方法 | |
TW201604333A (zh) | 使用無硫鎳陽極電鍍鎳的方法及設備 | |
TWM547559U (zh) | 具有陰離子薄膜的惰性陽極電鍍處理器和補充器 | |
US20070261964A1 (en) | Reactors, systems, and methods for electroplating microfeature workpieces | |
JP2016079460A (ja) | 銅−ニッケル合金電気めっき装置 | |
JP2014218714A (ja) | Sn合金めっき装置およびSn合金めっき方法 | |
WO2019026578A1 (ja) | 電解銅めっき用陽極、及びそれを用いた電解銅めっき装置 | |
TW201606142A (zh) | 具有晶粒細化劑釋放裝置的鎳電鍍系統 | |
JP6485029B2 (ja) | 電解めっき方法及び電解めっき装置 | |
JP2015214736A (ja) | Sn合金電解めっき方法及びめっき装置 | |
US20160115618A1 (en) | System for treating solution for use in electroplating application and method for treating solution for use in electroplating application | |
US20140246324A1 (en) | Methods for electrochemical deposition of multi-component solder using cation permeable barrier | |
US20150247251A1 (en) | Methods for electrochemical deposition of multi-component solder using cation permeable barrier |