JP2014031533A - めっき方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】スラッジの発生を抑制でき、効率的にSn成分の補給を行うことができるめっき方法を提供する。
【解決手段】
Snを含有するめっき液を貯留するめっき槽1に被処理基板2と不溶性アノード電極3とを配置しておき、被処理基板2へめっきを施すとともに、めっき液を抜き出して金属錫粉末と混合することにより混合めっき液を生成し、その混合めっき液を不溶性アノード電極3に供給して不溶性アノード電極3から発生する酸素と金属錫粉末とを接触させることでSnイオンを生成する。
【選択図】 図1
【解決手段】
Snを含有するめっき液を貯留するめっき槽1に被処理基板2と不溶性アノード電極3とを配置しておき、被処理基板2へめっきを施すとともに、めっき液を抜き出して金属錫粉末と混合することにより混合めっき液を生成し、その混合めっき液を不溶性アノード電極3に供給して不溶性アノード電極3から発生する酸素と金属錫粉末とを接触させることでSnイオンを生成する。
【選択図】 図1
Description
本発明は、被処理基板にSnを含有する電解めっきを施すめっき方法に関する。
Snめっきプロセスにおいては、2価のSnイオン(Sn2+)を還元することにより金属錫を得ている。このめっきプロセスにおける陽極(アノード)に不溶性陽極を用いた場合、陽極交換作業が無くなることや電極間距離が一定に保て、めっき品質の均一化が図れる等、利点を有する。しかし、その反面で、電解時にアノードからのSnイオンの供給が無いため、めっき処理に伴いSn成分を補給するSnイオン供給機構を別途設けることが必要となる。Snイオンの供給方法の一つとして、空気(酸素)をめっき液中へ投入し、金属錫を溶解させる手法がある。この手法においては過剰の酸素を投入することにより、2価のSnイオンが4価のSnイオンへ酸化され、スラッジ(SnO2)発生の原因になる等の問題がある。スラッジは、めっき槽中に蓄積し、配管詰まりの原因になるほか、めっき面へ付着してめっき品質を低下させるおそれがある。
このSnめっきプロセスにおけるスラッジ発生量を低減させるために、従来では、特許文献1又は特許文献2に開示されるように、金属錫の溶解に使用する酸素投入量をコントロールして、金属錫溶解槽内の溶存酸素濃度を所定値範囲内に管理する方法が提案されている。
しかし、酸素投入量をコントロールする方法では、スラッジを抑制するために酸素投入量を精密に制御する等、複雑な処理が必要であった。また、Sn−Ag合金めっきの場合は、金属錫がめっき液中に存在する時間が長くなると、金属錫の表面にAgが析出してめっき液への溶解性が著しく低下することから、金属錫の溶解速度を速くすることが求められる。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、スラッジの発生を抑制でき、効率的にSn成分の補給を行うことができるめっき方法を提供することを目的とする。
本発明のめっき方法は、Snを含有するめっき液を貯留するめっき槽に被処理基板と不溶性アノード電極とを配置しておき、該被処理基板へめっきを施すとともに、前記めっき液を抜き出して金属錫粉末と混合することにより混合めっき液を生成し、該混合めっき液を前記不溶性アノード電極に供給して該不溶性アノード電極から発生する酸素と前記金属錫粉末とを接触させることでSnイオンを生成することを特徴とする。
電解により、めっき槽内では還元反応により被処理基板にSn又はSn合金が析出し、めっき液中のSn成分濃度が減少する。一方、不溶性アノード電極表面では、水の電気分解反応により酸素(O2)の気泡が生成されるとともに、Hイオン(H+)濃度が上昇する。そして、金属錫粉末(Sn)を不溶性アノード電極に供給すると、酸素の気泡と接触してSnOが生成され、HイオンがSnOと反応して2価のSnイオン(Sn2+)が生成される。
このように、不溶性アノード電極から発生する酸素の気泡と金属錫粉末とを接触させることにより、容易に金属錫をめっき液中に溶解させることができ、めっきに伴い消失するめっき液中のSn成分を効率的に補給することができる。この場合、外部から酸素の投入を行うことなく容易に金属錫をめっき液中に溶解させることができる。また、不溶性アノード電極表面で生成される酸素は、極めて微細な気泡であり、金属錫を溶解し易い。また、不溶性アノード電極からの酸素発生量も少量であるので、スラッジの発生を抑制することができる。
このように、不溶性アノード電極から発生する酸素の気泡と金属錫粉末とを接触させることにより、容易に金属錫をめっき液中に溶解させることができ、めっきに伴い消失するめっき液中のSn成分を効率的に補給することができる。この場合、外部から酸素の投入を行うことなく容易に金属錫をめっき液中に溶解させることができる。また、不溶性アノード電極表面で生成される酸素は、極めて微細な気泡であり、金属錫を溶解し易い。また、不溶性アノード電極からの酸素発生量も少量であるので、スラッジの発生を抑制することができる。
本発明のめっき方法において、前記めっき槽を、陰イオン交換膜によって前記被処理基板が配置されるカソード室と前記不溶性アノード電極が配置されるアノード室とに区画しておき、前記金属錫粉末と混合するめっき液を、前記カソード室のカソード室めっき液とし、前記Snイオンを生成した後のアノード室めっき液を前記カソード室に供給することを特徴とする。
陰イオン交換膜によって不溶性アノード電極が配置されるアノード室の容積を小さくしておくことで、不溶性アノード電極から生成される酸素の気泡を狭い範囲内に閉じ込めることができ、金属錫の溶解性を向上させることができる。
陰イオン交換膜によって不溶性アノード電極が配置されるアノード室の容積を小さくしておくことで、不溶性アノード電極から生成される酸素の気泡を狭い範囲内に閉じ込めることができ、金属錫の溶解性を向上させることができる。
本発明のめっき方法において、前記金属錫粉末は、最大粒子径が3μm以下に設定されているとよい。
微細な金属錫粉末を用いることで、酸素との接触面積を大きくすることができ、溶解性を向上させることができる。
微細な金属錫粉末を用いることで、酸素との接触面積を大きくすることができ、溶解性を向上させることができる。
本発明のめっき方法において、前記不溶性アノード電極は、IrO2が被覆されているとよい。
IrO2が被覆された不溶性アノード電極から発生する酸素の気泡は、平均500μm程度の微細なサイズとなり、金属錫粉末との接触面積をさらに大きくすることができるため、金属錫の溶解性を向上させることができる。
IrO2が被覆された不溶性アノード電極から発生する酸素の気泡は、平均500μm程度の微細なサイズとなり、金属錫粉末との接触面積をさらに大きくすることができるため、金属錫の溶解性を向上させることができる。
本発明によれば、カソード室で被処理基板にめっきを施しながら、アノード室において発生する酸素を利用して金属錫粉末をめっき液中に容易に溶解することができるので、スラッジの発生を抑制でき、効率的にSn成分の補給を行うことができる。
以下、本発明に係るめっき方法の一実施形態を、図面を参照しながら説明する。
図1は、本発明のめっき方法に適用されるめっき装置100を示している。このめっき装置100は、めっき槽1に貯留しためっき液に被処理基板2及び不溶性アノード電極3を接触させた状態とし、被処理基板2と不溶性アノード電極3との間に通電して被処理基板2に純Sn又はSn合金のめっき膜を形成するものである。なお、被処理基板2と不溶性アノード電極3との間に電源11が接続されており、被処理基板2をカソードとして電解めっきする構成である。
図1は、本発明のめっき方法に適用されるめっき装置100を示している。このめっき装置100は、めっき槽1に貯留しためっき液に被処理基板2及び不溶性アノード電極3を接触させた状態とし、被処理基板2と不溶性アノード電極3との間に通電して被処理基板2に純Sn又はSn合金のめっき膜を形成するものである。なお、被処理基板2と不溶性アノード電極3との間に電源11が接続されており、被処理基板2をカソードとして電解めっきする構成である。
不溶性アノード電極3には、例えば、チタン(Ti)板等を白金(Pt)や酸化イリジウム(IrO2)等で被覆した金属電極からなる電極が適用される。また、被処理基板2には、SUSやCu等のめっきされる対象金属、あるいはスパッタリング等の手法によってCu等の金属層が設けられ、導電性が付与された樹脂製基板やSiウエハ等の対象物が設けられる。
めっき槽1は、陰イオン交換膜4により被処理基板2が配置されるカソード室21と、不溶性アノード電極3が配置されるアノード室31とに区画されている。また、陰イオン交換膜4としては、例えば、耐酸性に優れるAGCエンジニアリング社製の「セレミオン」や、株式会社アストム製の「ネオセプタ」を用いることができる。
また、カソード室21内のカソード室めっき液に金属錫粉末(Sn)を供給して混合めっき液を生成する混合室5が設けられている。カソード室21と混合室5とは配管61で接続され、混合室5とアノード室31とは配管62で接続されている。また、アノード室31とカソード室21とは配管63で接続されている。そして、これら配管61〜63を通じて、カソード室21、混合室5及びアノード室31内のめっき液を循環させることができる。
また、配管63には、フィルタ(図示略)が設けられており、アノード室めっき液をカソード室21へ供給する際に不純物の移動を防止することができる。
また、配管63には、フィルタ(図示略)が設けられており、アノード室めっき液をカソード室21へ供給する際に不純物の移動を防止することができる。
このように構成されるめっき装置100により、被処理基板2にSn−Ag合金めっきを施す方法について説明する。
Sn−Ag合金めっき液(本発明でいうSnを含有するめっき液)としては、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸といったアルキルスルホン酸等の酸と、めっき金属イオン(Sn2+,Ag+)の他、酸化防止剤や界面活性剤等の添加剤、錯化剤等が配合される。本実施形態で使用されるSn−Ag合金めっき液は、例えば以下の配合で構成される。
アルキルスルホン酸;100〜150g/L
Sn2+;40〜90g/L
Ag+;0.1〜3.0g/L
なお、カソード室21及びアノード室31には、上記と同じSn−Ag合金めっき液が用いられる。また、カソード室21、混合室5及びアノード室31内の容積は、例えば、カソード室21の容積が10L、アノード室31の容積が10L、混合室5の容積が5Lに設定される。
また、混合室5に投入される金属錫粉末は、最大粒子径が3μm以下に設定され、混合室5内に0.2gずつ投入されるようになっている。
Sn−Ag合金めっき液(本発明でいうSnを含有するめっき液)としては、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸といったアルキルスルホン酸等の酸と、めっき金属イオン(Sn2+,Ag+)の他、酸化防止剤や界面活性剤等の添加剤、錯化剤等が配合される。本実施形態で使用されるSn−Ag合金めっき液は、例えば以下の配合で構成される。
アルキルスルホン酸;100〜150g/L
Sn2+;40〜90g/L
Ag+;0.1〜3.0g/L
なお、カソード室21及びアノード室31には、上記と同じSn−Ag合金めっき液が用いられる。また、カソード室21、混合室5及びアノード室31内の容積は、例えば、カソード室21の容積が10L、アノード室31の容積が10L、混合室5の容積が5Lに設定される。
また、混合室5に投入される金属錫粉末は、最大粒子径が3μm以下に設定され、混合室5内に0.2gずつ投入されるようになっている。
そして、被処理基板2及び不溶性アノード電極3に通電すると、電解により、カソード室21内では、下記の(1),(2)式で表されるように、還元反応により被処理基板2にSn−Ag合金が析出する。一方、アノード室31内では、(3)式で表されるように、水の電気分解反応により、不溶性アノード電極3の表面で酸素(O2)の気泡が生成されるとともに、Hイオン(H+)濃度が上昇する。
Sn2++2e−→Sn …(1)
Ag++e−→Ag …(2)
H2O→2H++(1/2)O2+2e− …(3)
Sn2++2e−→Sn …(1)
Ag++e−→Ag …(2)
H2O→2H++(1/2)O2+2e− …(3)
この際、被処理基板2へめっきを施すとともに、カソード室21のカソード室めっき液を混合室5に抜き出し、金属錫粉末(Sn)と混合することにより混合めっき液を生成する。そして、その混合めっき液をアノード室31に供給することにより、不溶性アノード電極3から発生する酸素の気泡と金属錫粉末とが接触して、主に下記(4)式で表されるように、SnOが生成される。さらに、(5)式で表されるように、HイオンがSnOと反応して2価のSnイオン(Sn2+)が生成され、このSnイオンが補給されたアノード室めっき液をカソード室21に供給することにより、カソード室21内、混合室5内、アノード室31内のめっき液を循環させ、Sn成分濃度及び酸成分濃度を均一化させながらカソード室めっき液にSn成分を補給することができる。
Sn+(1/2)O2→SnO …(4)
SnO+2H+→Sn2++H2O …(5)
Sn+(1/2)O2→SnO …(4)
SnO+2H+→Sn2++H2O …(5)
このように、不溶性アノード電極3から発生する酸素の気泡と金属錫粉末とを接触させることにより、容易に金属錫をめっき液中に溶解させることができ、めっきに伴い消失するめっき液中のSn成分を効率的に補給することができる。この場合、不溶性アノード電極3から発生する酸素を利用しているので、外部から酸素の投入を行うことなく容易に金属錫をめっき液中に溶解させることができる。また、不溶性アノード電極3の表面で生成される酸素は極めて微細な気泡であり、金属錫を溶解し易い。また、金属錫に対する酸素量が多すぎると、4価のSnイオンが多く生成されてスラッジが多くなるおそれがあるが、不溶性アノード電極3からの酸素発生量も少量であるので、スラッジの発生を抑制することができる。
また、上記効果を得るために、本実施形態においては、金属錫粉末の最大粒径を3μm以下に設定している。微細な金属錫粉末を用いることで、酸素との接触面積を大きくすることができ、溶解性を向上させることができるためである。
さらに、不溶性アノード電極3には、IrO2が被覆された電極を用いることが好ましい。IrO2が被覆された不溶性アノード電極から発生する酸素の気泡は、平均500μm程度の微細なサイズとなり、金属錫粉末との接触面積を大きくすることができるため、金属錫の溶解性を向上させることができる。
また、陰イオン交換膜4と不溶性アノード電極3との間を狭くして、アノード室31を狭く設定した場合、不溶性アノード電極3の表面で生成される酸素の気泡を狭い範囲内に閉じ込めることができるので、金属錫の溶解性を向上させることができる。
さらに、不溶性アノード電極3には、IrO2が被覆された電極を用いることが好ましい。IrO2が被覆された不溶性アノード電極から発生する酸素の気泡は、平均500μm程度の微細なサイズとなり、金属錫粉末との接触面積を大きくすることができるため、金属錫の溶解性を向上させることができる。
また、陰イオン交換膜4と不溶性アノード電極3との間を狭くして、アノード室31を狭く設定した場合、不溶性アノード電極3の表面で生成される酸素の気泡を狭い範囲内に閉じ込めることができるので、金属錫の溶解性を向上させることができる。
また、図2に示すように、アノード室31内にポテンショスタット等の電位制御装置70に接続された作用極71、対極72、参照電極73を配置し、作用極71の電極電位を適切に制御することにより、スラッジの発生の原因となる4価のSnイオンの生成を抑え、2価のSnイオンを効率的に生成することができる。
この場合、作用極71をメッシュ状の電極とするとともに、この作用極71を不溶性アノード電極3の上方に配置し、作用極71に混合液を供給して金属錫を接触させることにより金属錫を作用極71として機能させつつ、不溶性アノード電極3から発生する酸素と接触させることができるので、効率的に2価のSnイオンを生成することができる。
なお、作用極71にはPt又はPtコートTiの電極、対極72にはPt線等、参照電極73には飽和カロメル電極、Ag/AgCl電極等のダブルジャンクションタイプの電極を使用することができる。
この場合、作用極71をメッシュ状の電極とするとともに、この作用極71を不溶性アノード電極3の上方に配置し、作用極71に混合液を供給して金属錫を接触させることにより金属錫を作用極71として機能させつつ、不溶性アノード電極3から発生する酸素と接触させることができるので、効率的に2価のSnイオンを生成することができる。
なお、作用極71にはPt又はPtコートTiの電極、対極72にはPt線等、参照電極73には飽和カロメル電極、Ag/AgCl電極等のダブルジャンクションタイプの電極を使用することができる。
また、Sn−Ag系合金めっきの場合は、金属錫がめっき液中に存在する時間が長くなると、金属錫の表面にAgが析出してめっき液への溶解性が著しく低下する。そのため、金属錫の溶解速度を速くすることが求められるが、本発明のめっき方法によれば、金属錫の溶解が速いのでAgの析出を効果的に防止することができる。
なお、Sn−Ag系合金めっきを構成するAg成分については、Sn成分と比べて少量であることから説明を省略したが、補給する場合は、金属錫粉末の混合時等に適量添加すればよい。
なお、Sn−Ag系合金めっきを構成するAg成分については、Sn成分と比べて少量であることから説明を省略したが、補給する場合は、金属錫粉末の混合時等に適量添加すればよい。
図1に示すめっき装置100を用いて、表1に示す条件でSn−Ag合金めっきを行い、めっき液中へSn成分の補給を行った。なお、従来例1は、従来の方法によりSn成分の補給を行ったものであり、金属錫粉末投入時は電解を中止し、めっき液への金属錫粉末の投入と同時に内径3mmのチューブにより酸素を吹き込む構成とした。
カソード室とアノード室とを区画する陰イオン交換膜には、株式会社アストム製の「ネオセプタAMX」を用いた。また、めっき槽内のSn‐Ag合金めっき液としては、三菱マテリアル株式会社製のSn−Ag合金めっき液「SULA TS−140」を用い、組成としては、以下の通りとした。
Sn2+;50g/L
Ag+;0.6g/L
FA(酸);120g/L
TS−SLG(Agの錯化剤);170g/L
TS−140AD(添加剤);40ml/L
カソード室とアノード室とを区画する陰イオン交換膜には、株式会社アストム製の「ネオセプタAMX」を用いた。また、めっき槽内のSn‐Ag合金めっき液としては、三菱マテリアル株式会社製のSn−Ag合金めっき液「SULA TS−140」を用い、組成としては、以下の通りとした。
Sn2+;50g/L
Ag+;0.6g/L
FA(酸);120g/L
TS−SLG(Agの錯化剤);170g/L
TS−140AD(添加剤);40ml/L
めっき槽の浴温は25℃、電解電流5Aで通電することにより、めっきを施した。
そして、実施例1〜7では、電解中に金属錫粉末の投入を行った。0.2gの金属錫粉末を1Lのめっき液に混合し、その混合めっき液を投入速度5L/minでアノード室内に供給した。そして、混合めっき液の供給後は、カソード室内、混合室内、アノード室内のめっき液の循環を停止して、1分間放置後及び2分間放置後のアノード室内のアノード室めっき液を取り出し、そのアノード室めっき液をろ過して、めっき液中に残る金属錫粉末の溶解残りを計測した。
また、従来例1についても実施例1〜7と同様に、0.2gの金属錫粉末を1Lのめっき液に混合し、その混合めっき液を投入速度5L/minでアノード室に供給すると同時に酸素を吹き込んだ。そして、1分間放置後及び2分間放置後のアノード室内のアノード室めっき液を取り出し、そのアノード室めっき液をろ過して、めっき液中に残る金属錫粉末の溶解残りを計測した。結果を表1に示す。
そして、実施例1〜7では、電解中に金属錫粉末の投入を行った。0.2gの金属錫粉末を1Lのめっき液に混合し、その混合めっき液を投入速度5L/minでアノード室内に供給した。そして、混合めっき液の供給後は、カソード室内、混合室内、アノード室内のめっき液の循環を停止して、1分間放置後及び2分間放置後のアノード室内のアノード室めっき液を取り出し、そのアノード室めっき液をろ過して、めっき液中に残る金属錫粉末の溶解残りを計測した。
また、従来例1についても実施例1〜7と同様に、0.2gの金属錫粉末を1Lのめっき液に混合し、その混合めっき液を投入速度5L/minでアノード室に供給すると同時に酸素を吹き込んだ。そして、1分間放置後及び2分間放置後のアノード室内のアノード室めっき液を取り出し、そのアノード室めっき液をろ過して、めっき液中に残る金属錫粉末の溶解残りを計測した。結果を表1に示す。
なお、表1の「Sn粒子径」は、めっき液に混合した金属錫粉末の平均粒子径を示している。また、「酸素気泡の平均サイズ」は、実施例1〜7では、各電極を用いて予備実験を行い、電解時に発生する気泡の画像を撮影して、画像から測定したものであり、従来例1については、酸素をアノード室内に吹き込むために使用するチューブの内径を記載した。また、めっき液中に含まれるスラッジを成分分析した結果を、「スラッジの構成」に記載した。
「Sn溶解速度」は、1分間放置後の「溶解残り(1分後)」におけるめっき液中の金属錫量から、金属錫の溶解速度を算出したものであり、1分間放置後に溶解残りが認められなかった実施例1〜3については、0.2g/min以上の溶解速度であることを「>0.2」として記載した。
「Sn溶解速度」は、1分間放置後の「溶解残り(1分後)」におけるめっき液中の金属錫量から、金属錫の溶解速度を算出したものであり、1分間放置後に溶解残りが認められなかった実施例1〜3については、0.2g/min以上の溶解速度であることを「>0.2」として記載した。
表1に示されるように、実施例1〜7は、いずれも従来例1に比べて、「Sn溶解速度」(溶解性)が向上し、スラッジの発生が抑えられていることがわかる。また、「Sn粒子径」が同じ3μmの金属錫粉末を用いた実施例1及び実施例4、実施例5を比較すると、IrO2が被覆された不溶性アノード電極を用いた場合には、溶解性が向上することがわかる。さらに、同じIrO2が被覆された不溶性アノード電極を用いた実施例1及び実施例2、実施例6を比較すると、「Sn粒子径」が3μm以下の金属錫粉末を使用した場合には、溶解性が向上することがわかる。
また特に、IrO2が被覆された不溶性アノード電極を用いるとともに、「Sn粒子径」が3μm以下の金属錫粉末を投入した実施例1〜3では、スラッジの発生が抑制され、金属錫の溶解性が大きく向上していることがわかる。
また特に、IrO2が被覆された不溶性アノード電極を用いるとともに、「Sn粒子径」が3μm以下の金属錫粉末を投入した実施例1〜3では、スラッジの発生が抑制され、金属錫の溶解性が大きく向上していることがわかる。
なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、前述したSn−Ag系合金めっき以外にも、不溶性アノード電極を使用するSn系めっきプロセスに適用可能であり、純SnめっきやSn−Cu系合金めっきにも本発明を適用することができる。
例えば、前述したSn−Ag系合金めっき以外にも、不溶性アノード電極を使用するSn系めっきプロセスに適用可能であり、純SnめっきやSn−Cu系合金めっきにも本発明を適用することができる。
1 めっき槽
2 被処理基板
3 不溶性アノード電極
4 陰イオン交換膜
5 混合室
11 電源
21 カソード室
31 アノード室
61,62,63 配管
70 電位制御装置
71 作用極
72 対極
73 参照電極
100 めっき装置
2 被処理基板
3 不溶性アノード電極
4 陰イオン交換膜
5 混合室
11 電源
21 カソード室
31 アノード室
61,62,63 配管
70 電位制御装置
71 作用極
72 対極
73 参照電極
100 めっき装置
Claims (4)
- Snを含有するめっき液を貯留するめっき槽に被処理基板と不溶性アノード電極とを配置しておき、該被処理基板へめっきを施すとともに、前記めっき液を抜き出して金属錫粉末と混合することにより混合めっき液を生成し、該混合めっき液を前記不溶性アノード電極に供給して該不溶性アノード電極から発生する酸素と前記金属錫粉末とを接触させることでSnイオンを生成することを特徴とするめっき方法。
- 前記めっき槽を、陰イオン交換膜によって前記被処理基板が配置されるカソード室と前記不溶性アノード電極が配置されるアノード室とに区画しておき、前記金属錫粉末と混合するめっき液を、前記カソード室のカソード室めっき液とし、前記Snイオンを生成した後のアノード室めっき液を前記カソード室に供給することを特徴とする請求項1記載のめっき方法。
- 前記金属錫粉末は、最大粒子径が3μm以下に設定されていることを特徴とする請求項1又は2に記載のめっき方法。
- 前記不溶性アノード電極は、IrO2が被覆されていることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載のめっき方法。
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JP2018178140A (ja) * | 2017-04-03 | 2018-11-15 | トヨタ自動車株式会社 | 金属皮膜の成膜装置 |
CN113825861A (zh) * | 2019-05-17 | 2021-12-21 | 株式会社荏原制作所 | 镀覆方法、镀覆用的不溶性阳极和镀覆装置 |
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2012
- 2012-08-01 JP JP2012171361A patent/JP2014031533A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2018178140A (ja) * | 2017-04-03 | 2018-11-15 | トヨタ自動車株式会社 | 金属皮膜の成膜装置 |
CN113825861A (zh) * | 2019-05-17 | 2021-12-21 | 株式会社荏原制作所 | 镀覆方法、镀覆用的不溶性阳极和镀覆装置 |
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