CN113825861A - 镀覆方法、镀覆用的不溶性阳极和镀覆装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提出了一种在对具有用于形成贯通电极的通孔(via)或洞(hole)的基板进行镀覆时，能够抑制镀覆液中的添加剂的消耗的镀覆方法、不溶性阳极和镀覆装置。镀覆方法包括如下的步骤：准备具有用于形成贯通电极的通孔或洞的基板的步骤、准备以隔膜分隔配置不溶性阳极的阳极槽与配置上述基板的阴极槽的镀覆液槽的步骤；以在上述镀覆液槽内镀覆上述基板时的阳极电流密度为0.4ASD～1.4ASD的方式对上述基板进行电解镀覆的步骤。

Description

镀覆方法、镀覆用的不溶性阳极和镀覆装置
技术领域
本发明涉及一种镀覆方法、镀覆用的不溶性阳极以及镀覆装置。
背景技术
以往，进行了在设置于半导体晶圆等的表面的微细的布线用槽、洞或者抗蚀剂开口部形成布线、或者在半导体晶圆等表面形成与封装的电极等电连接的凸块(突起状电极)。作为形成该布线和凸块的方法，例如已知有电解镀覆法、蒸镀法、印刷法、球凸块(BallBump)法等，但伴随着半导体晶圆的I/O数的增加、细间距化，大多使用可微细化且性能比较稳定的电解镀覆法。
用于电解镀覆法的镀覆装置具有：保持半导体晶圆等基板的基板支架、保持阳极的阳极支架以及收容包含多种添加剂的镀覆液的镀覆液槽。在该镀覆装置中对半导体晶圆等基板表面进行镀覆处理时，基板支架与阳极支架在镀覆液槽内相对配置。通过在该状态下使基板与阳极通电，从而在基板表面形成镀膜。应予说明，添加剂具有促进或抑制镀膜的成膜速度的效果、提高镀膜的膜质的效果等。
以往以来，使用溶解于镀覆液的溶解性阳极或不溶解于镀覆液的不溶性阳极作为阳极。在使用不溶性阳极进行镀覆处理的情况下，通过阳极与镀覆液的反应而产生氧。镀覆液的添加剂与该氧反应而被分解。如果添加剂被分解，则添加剂丧失上述的效果，存在无法在基板表面得到所希望的膜的问题(例如参照专利文献1)。为了防止这种现象，以镀覆液中的添加剂的浓度保持在一定以上的方式随时将添加剂追加到镀覆液中即可。然而，添加剂昂贵，因此希望尽可能抑制添加剂的分解。
另外，作为层叠多层导体基板时用于使各层间导通的手段，已知有在基板的内部形成上下贯通的多个由铜等金属构成的贯通电极的技术(例如参照专利文献2)。图14是表示具有贯通电极的基板的制造的一个例子的图。首先如图14的(A)所示，准备例如通过光刻·蚀刻技术在由硅等构成的基材110的内部形成在上方开口的多个贯通电极用凹部112的基板W。该贯通电极用凹部112的直径例如为1～100μm，特别为10～20μm，深度例如为70～150μm。然后，在基板W的表面，通过溅射等形成作为电解镀覆的馈电层的由铜等构成的种子层114。
接下来，通过对基板W的表面实施电解镀铜，从而如图14的(B)所示，在基板W的贯通电极用凹部112的内部填充镀铜膜116，并且在种子层114的表面堆积镀铜膜116。
其后，如图14的(C)所示，通过化学的机械研磨(CMP)等除去基材110上的多余的镀铜膜116和种子层114，并且，研磨除去基材110的背面侧，直到填充到贯通电极用凹部112内的镀铜膜116的底面露出到外部。由此，完成内部具有上下贯通的由铜(镀铜膜116)构成的多个贯通电极118的基板W。
贯通电极用凹部112的深度与直径的比、即纵横比一般来说很大，通常，在这样的纵横比大的贯通电极用凹部112内，其内部不产生空隙等缺陷而完全填充由电解镀覆成膜的铜(镀膜)需要很长时间。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开平7－11498号公报。
发明内容
以往，作为为了抑制镀覆液中的添加剂的消耗而减少在阳极附近产生的氧量的方法，有增大阳极的表面积，降低镀覆中的阳极电流密度。这里，在对具有用于形成贯通电极的纵横比大的通孔或洞的基板进行镀覆时，以不产生空隙等缺陷的方式减少镀覆中的电流。然而，根据本发明人等的研究，发现即使在对如此形成贯通电极的基板的镀覆中也存在添加剂的消耗变大的情况。更具体而言，根据本发明人等的研究可知如果镀覆中的阳极电流密度过小，则氧的产生减少，但次氯酸的产生反而会增加，因增加的次氯酸的影响而促进添加剂的分解。
另外，为了调整阳极电流密度而抑制添加剂的消耗而变更阳极的表面积的情况下，如果单纯地变更阳极的表面积，则形成于基板的镀覆的均匀性可能受损。
本发明是鉴于上述问题而完成的，目的在于提出对具有用于形成贯通电极的通孔或洞的基板进行镀覆时能够抑制镀覆液中的添加剂的消耗的镀覆方法、不溶性阳极以及镀覆装置。
根据本发明的一个实施方式，提出了一种镀覆方法，包括如下步骤：准备具有用于形成贯通电极的通孔或洞的基板的步骤；准备以隔膜分隔配置不溶性阳极的阳极槽和配置上述基板的阴极槽的镀覆液槽的步骤；以及以在上述镀覆液槽内对上述基板进行镀覆时的阳极电流密度为0.4ASD(A/cm2)～1.4ASD的方式对上述基板进行电解镀覆的步骤。根据该镀覆方法，能够抑制镀覆中的氧，抑制次氯酸的产生，抑制镀覆液中的添加剂的消耗。
根据本发明的另一个实施方式，提出了配置在镀覆液槽内而用于镀覆的镀覆用不溶性阳极，具备：与电源连接的馈电点、以上述馈电点作为中心的环状的环状电极以及将上述馈电点与上述环状电极连接的连接电极。根据该镀覆用的不溶性阳极，能够抑制镀覆中的氧和次氯酸的产生，能够抑制镀覆液中的添加剂的消耗，并且能够提高形成于基板的镀覆的面内均匀性。
附图说明
图1是表示第一实施方式涉及的镀覆装置的概略图。
图2是本实施方式涉及的阳极支架的俯视图。
图3是图2中示出的3－3截面的阳极支架60的侧剖视图。
图4是卸下支架底盖的状态的阳极支架的分解立体图。
图5是卸下支架底盖的状态的阳极支架的俯视图。
图6是表示本实施方式的镀覆方法的一个例子的流程图。
图7是表示本实施方式的阳极的第一例的图。
图8是表示本实施方式的阳极的第二例的图。
图9是表示本实施方式的阳极的第三例的图。
图10是表示本实施方式的阳极的第四例的图。
图11是表示本实施方式的阳极的第五例的图。
图12是表示本实施方式的阳极的第六例的图。
图13是表示第二实施方式涉及的镀覆装置的概略图。
图14是表示具有贯通电极的基板的制造的一个例子的图。
具体实施方式
以下，参照附图说明本发明涉及的镀覆方法、镀覆用的不溶性阳极和镀覆装置的实施方式。附图中，对相同或类似的要素附以相同或类似的参照符号，在各实施方式的说明中有时省略相同或类似的要素相关的重复的说明。另外，各实施方式中示出的特征只要彼此不矛盾就可以应用于其它实施方式。
(第一实施方式)
图1是表示第一实施方式涉及的镀覆装置的概略图。如图1所示，镀覆装置具备在内部保持镀覆液的镀覆液槽50、配置在镀覆液槽50内的阳极40、保持阳极40的阳极支架60和基板支架18。基板支架18构成为装卸自如地保持晶圆等基板W，并且使基板W浸渍于镀覆液槽50内的镀覆液。本实施方式涉及的镀覆装置是通过使电流流入镀覆液而以金属镀覆基板W的表面的电解镀覆装置。作为阳极40，使用不溶解于镀覆液的例如由被覆氧化铱或铂的钛构成的不溶性阳极。
基板W例如是半导体基板、玻璃基板或树脂基板。镀覆于基板W表面的金属例如为铜(Cu)、镍(Ni)、锡(Sn)、Sn－Ag合金或钴(Co)。
阳极40和基板W以在铅直方向延伸的方式换言之阳极40和基板W的板面朝向水平方向的方式配置，并且在镀覆液中以相互对置的方式配置。阳极40经由阳极支架60与电源90的正极连接，基板W经由基板支架18与电源90的负极连接。在阳极40与基板W之间施加电压时，电流流入基板W，在镀覆液的存在下在基板W的表面形成金属膜。
镀覆液槽50具备基板W和阳极40配置在内部的镀覆液储存槽52、与镀覆液储存槽52邻接的溢流槽54。镀覆液储存槽52内的镀覆液从镀覆液储存槽52的侧壁溢出而流入溢流槽54。
在溢流槽54的底部连接有镀覆液循环管线58a的一端，镀覆液循环管线58a的另一端与镀覆液储存槽52的底部连接。在镀覆液循环管线58a中安装有循环泵58b、恒温单元58c和过滤器58d。镀覆液从镀覆液储存槽52的侧壁溢出而流入溢流槽54，进而从溢流槽54通过镀覆液循环管线58a而返回到镀覆液储存槽52。这样，镀覆液通过镀覆液循环管线58a而在镀覆液储存槽52与溢流槽54之间循环。
镀覆装置进一步具备调整基板W上的电位分布的调整板(调节板(RegulationPlate))14以及对镀覆液储存槽52内的镀覆液进行搅拌的浆叶16。调整板14配置在浆叶16与阳极40之间，具有用于限制镀覆液中的电场的开口14a。浆叶16配置在保持于镀覆液储存槽52内的基板支架18的基板W的表面附近。浆叶16例如由钛(Ti)或树脂构成。浆叶16通过与基板W的表面平行地往复运动而搅拌镀覆液，以使基板W的镀覆中足够的金属离子被均匀地供给到基板W的表面。
图2是阳极支架60的俯视图，图3是图2中示出的3－3截面的阳极支架60的侧剖视图，图4是取下支架底盖63的状态的阳极支架60的分解立体图，图5是取下支架底盖63的状态的阳极支架60的俯视图。应予说明，图5中为了方便而显示把持部64－2透过的状态的阳极支架60。另外，图4和图5中为了方便而显示取下阳极40的状态的阳极支架60。另外，在本说明书中，“上”和“下”是指阳极支架60铅直地收容于镀覆液槽50的状态的上方向和下方向。同样地，在本说明书中，“前面”是指阳极支架60与基板支架相对的一侧的面，“背面”是指与前面相反的一侧的面。
如图2～图4所示，本实施方式涉及的阳极支架60具备具有收容阳极40的内部空间61的大致矩形状的支架底座62、形成于支架底座62的上部的一对把持部64－1、64－2、以及同样地形成于支架底座62的上部的一对臂部70－1、70－2。另外，阳极支架60具有部分地覆盖支架底座62的前面的支架底盖63、以覆盖内部空间61的方式设置于支架底盖63的前面的隔膜66、设置于隔膜66的前面的外缘掩模67。应予说明，在本实施方式中，阳极支架60的内部空间61相当于“阳极槽”，外部空间相当于“阴极槽”。
如图2和图5所示，支架底座62从其下部的外表面延伸到内部空间61，具有与内部空间61连通的孔71。另外，支架底座62在其上部的把持部64－1、64－2间具有用于排出内部空间61的空气的空气排出口81。支架底座62浸渍于镀覆液时，镀覆液从孔71流入到内部空间61，并且内部空间61的空气从空气排出口81排出。另外，在使用不溶性阳极作为阳极40的情况下，在镀覆处理中从阳极40产生的氧也通过空气排出口81排出。空气排出口81被形成为不妨碍空气排出的盖83封闭。
另外，如图3所示，在支架底盖(基体)63的大致中央部形成有具有直径比阳极40的直径大的环状的开口63a。支架底盖63与支架底座62一起形成内部空间61。隔膜66设置于开口63a的前面，封闭内部空间61。在隔膜66的外周边部的前方安装有隔膜压板68，在隔膜压板68的前方设置有外缘掩模67。另外，在支架底盖63的前面，沿着开口63a设置有例如由O－环状等构成的环状的第一密封部件84。通过隔膜压板68将隔膜66挤压到第一密封部件84，从而密闭开口63a。即第一密封部件84可以将隔膜66与内部空间61之间密闭。因此，经由隔膜66分隔为内部空间61与外部空间。
隔膜66例如是阳离子交换膜这样的离子交换膜或者中性隔膜。隔膜66可以不使镀覆液中的添加剂通过而在镀覆处理时使阳离子从阳极侧向阴极侧通过。作为隔膜66的具体的一个例子，可举出Yuasa Membrane株式会社制的Yumicron(注册商标)。
外缘掩模67是在中央部具有环状的开口的板状的部件，可装卸自如地安装在隔膜压板68的前面。设置外缘掩模67是用于控制镀覆处理时的阳极40的表面的电场。外缘掩模67的开口直径可以比阳极40的外径大，也可以比阳极40的外形小。另外，阳极支架60可以不具有外缘掩模67。
支架底盖63通过螺纹连接、熔敷等固定在支架底座62，支架底盖63与支架底座62的结合部是密合的。应予说明，支架底盖63与支架底座62可以一体地形成。
如图2、图4和图5所示，把持部64－1、64－2经由形成于支架底座62的上部的连接部62－1、62－2与支架底座62连接。把持部64－1、64－2以从连接部62－1、62－2向支架底座62的中央方向延伸的方式形成。把持部64－1、64－2在阳极支架60被搬运到镀覆液槽50时通过未图示的卡盘支撑。
在从连接部62－1、62－2向外侧方向延伸的臂部70－1的下部设置有用于对阳极40施加电压的电极端子82。电极端子82在将阳极支架60收容于镀覆液槽时与电源90的正极连接。另外，阳极支架60具有从电极端子82延伸到内部空间61的大致中央部的馈电部件89。馈电部件89是大致板状的导电部件，与电极端子82电连接。
如图3所示，在馈电部件89的前面，例如通过由螺纹等构成的固定部件88而固定有阳极40。因此可以经由电极端子82和馈电部件89而通过电源90对阳极40施加电压。
在支架底座62的大致中央部、即与固定部件88对应的位置形成有用于交换阳极40的环状的开口部62a。开口部62a与内部空间61的背面侧连通，被盖86覆盖。在支架底座62的背面侧，沿着开口部62a设置例如有由O－环状等构成的环状的第二密封部件85。通过该第二密封部件85密闭开口部62a与盖86之间。
盖86在交换阳极40时卸下。具体而言，例如在阳极40经过耐用年数时，由操作人员卸下盖86，经由开口部62a取下固定部件88。操作人员从隔膜压板68卸下外缘掩模67，从内部空间61取出阳极40。接着，将其它阳极40收容于内部空间61，经由开口部62a而通过固定部件88将阳极40固定在馈电部件89的前面。最后，通过盖86密封开口部62a，将外缘掩模67安装于隔膜压板68。
在支架底座62的背面安装有重物87。由此，在将阳极支架60浸渍于镀覆液时，可以防止阳极支架60因浮力在水面上浮起。
如图5所示，阳极支架60还具备构成为能够密封孔71的阀91、用于推动阀91以使阀91关闭的弹簧96、用于将弹簧96的推动力传递到阀91的轴93、以及作为操作阀91的开闭的操作部的推杆95、用于将施加到推杆95的力传递到轴93的中间部件94。
阀91以能够将孔71从支架底座62的内部侧密封的方式配置在支架底座62的内部。轴93沿着上下方向配置在支架底座62的内部。轴93的一端与阀91连接，另一端与弹簧96连接。由此，轴93将弹簧96的推动力传递到阀91，阀91以从支架底座62的内部侧密封孔71的方式推动阀91。
这样，通过阳极支架60具备密封孔71的阀91，从而可以在将阳极支架60浸渍于镀覆液而在内部空间61充满镀覆液后，对孔71进行密封。由此，即使在阳极40附近产生氧、次氯酸或一价的铜，由于外部空间与内部空间61被分隔，因此也能够抑制添加剂的分解的进行。应予说明，在镀覆装置中，可以在镀覆液储存槽52中装入基液的状态下在镀覆液储存槽52内配置阳极支架60，在阳极支架60的内部空间61充满基液密封后，在镀覆液储存槽52内装入包含添加剂的液体而准备外部空间的镀覆液。如此在阳极支架60的内部空间61不包含添加剂，因此可以在阳极40附近进一步抑制添加剂被消耗。但是，并不限于这样的例子，可以在镀覆液储存槽52中装入包含添加剂的镀覆液的状态下在镀覆液储存槽52内配置阳极支架60，在阳极支架60的内部空间61充满包含添加剂的镀覆液而密封。
接下来，参照图6对本实施方式的镀覆方法进行说明。应予说明，在以下的说明中，为了容易说明，按照步骤依次进行说明，镀覆方法并不限于按图6和以下的说明的顺序执行。即，各步骤只要不发生矛盾，可以改变顺序执行。
本实施方式的镀覆方法中，首先，准备具有用于形成贯通电极的通孔或洞的基板W(S10)。作为一个例子，如图14的(A)所示，准备例如通过光刻·蚀刻技术在由硅等构成的基材110的内部形成向上方开口的多个贯通电极用凹部112的基板W。该贯通电极用凹部112的直径例如为1～100μm，特别为5～20μm，深度例如为70～150μm。但是，在基板W中，可以代替贯通电极用凹部(通孔)或者除了贯通电极用凹部(通孔)形成有上下贯通的洞。
接着，准备镀覆液槽(S20)。在本实施方式中，准备上述镀覆装置的镀覆液槽50。镀覆液槽50被隔膜66分隔为内部空间61(配置阳极40的阳极槽)和外部空间(配置基板W的阴极槽)。
接下来，设计和准备阳极40(S30)。具体而言，以在镀覆液槽50内镀覆基板W时的阳极40的电流密度(以下，称为“阳极电流密度”)成为0.4ASD(A/cm2)～1.4ASD的方式，设计其尺寸和形状来准备阳极40。这是基于根据本发明人等的研究发现在阳极电流密度为0.4ASD～1.4ASD时可特别抑制镀覆液中的添加剂的消耗。换言之，镀覆时的阳极电流密度大时(例如超过1.4ASD时)，在阳极40附近产生的氧变多，镀覆液中的添加剂的消耗变大。另一方面，如果镀覆时的阳极电流密度过小(例如小于0.4ASD时)，在阳极40附近产生的次氯酸变多，镀覆液中的添加剂的消耗变大。并且，镀覆时的阳极电流密度为0.4ASD～1.4ASD时能够优选地抑制镀覆液中的添加剂的消耗。因此，在S30的处理中，基于进行镀覆处理的基板W等，以镀覆处理中的阳极电流密度成为0.4ASD～1.4ASD的方式设计准备阳极40。这里，阳极40的设计优选阳极电流密度为0.4ASD以上，特别优选设计成0.5ASD以上或0.6ASD以上。另外，阳极40的设计优选设计成阳极电流密度为1.4ASD以下，特别优选设计成1.3ASD以下、1.2ASD以下、1.1ASD以下或者1.0ASD以下。
作为阳极40的设计的具体的一个例子，首先根据基板W的面积和形状，确定镀覆时的电流量(或者阴极电流密度)。这里，在本实施方式中，在基板W中形成有贯通电极用凹部112，以不产生空隙等缺陷的方式确定比较小的电流量。镀覆时的电流量的设定使用公知的方法即可，由于不是本发明的核心，因此省略详细的说明。然后，基于设定的电流量，以阳极电流密度成为所希望的电流密度的方式确定阳极40的尺寸和形状，由此设计成阳极40。对于用于满足这样的电流密度的阳极40的优选的形状之后阐述。
然后，将在S10中准备的基板W和S30中准备的阳极40配置在S20中准备的镀覆液槽50内，以0.4ASD～1.4ASD的阳极电流密度进行电解镀覆(S40)。镀覆中的阳极电流密度优选为0.4ASD以上，特别优选为0.5ASD以上或者0.6ASD以上。另外，镀覆中的电流密度优选为1.4ASD以下，特别优选为1.3ASD以下、1.2ASD以下、1.1ASD以下、或者1.0ASD以下。这样，通过将阳极电流密度设在规定范围内，能够抑制在阳极40附近产生氧和次氯酸，能够抑制镀覆液中的添加剂被消耗。
接下来，对本实施方式的阳极40的具体的形状的一个例子进行说明。图7是表示本实施方式的阳极的第一例的图。图7所示的阳极40A具有经由阳极支架60与电源90连接的馈电点402、以馈电点作为中心的环状的环状电极410以及将馈电点402与环状电极410连接的连接电极404。
馈电点402与阳极支架60的馈电部件89(参照图4)连接。在本实施方式中，连接电极404和环状电极410不与阳极支架60的馈电部件89直接连接，经由馈电点402连接。但是，并不限于此例，连接电极404与环状电极410的至少一部分可以与馈电部件89直接连接。从前方(基板W侧)观察馈电点402是圆形的，形成有用于与馈电部件89进行安装的多个孔。但是，馈电点402并不限于此形状，只要构成为能够与电源90连接即可。
环状电极410划定阳极40A的外缘。环状电极410的外径优选比阳极支架60的开口63a的直径小。另外，环状电极410的外形优选为与基板W的外形几乎相似形状。例如如果基板W为圆形，则环状电极410为圆环形状，如果基板W为四边形则，环状电极410优选为由4个边形成的方形的框形状。连接电极404在图7所示的例子中是直线状，连接馈电点402与环状电极410。连接电极404从馈电点402起按照各规定角度设计多个，在图7所示的例子中，将8根连接电极404以馈电点402作为中心设计成放射状。对于环状电极410和连接电极404，作为与长边方向垂直的平面的横截面，可以具有大致相同的截面形状。例如环状电极410和连接电极404各自的横截面可以为正方形，特别是1边为1mm的正方形、1边为2mm的正方形、或者1边为3mm的正方形。但是，并不限于该例，环状电极410和连接电极404的横截面可以是长方形、多边形或圆形等。
通过将阳极40形成为这样的形状，从而在进行用于在基板W形成贯通电极的镀覆处理时，能够调整阳极电流密度而抑制镀覆液中的添加剂被消耗，并且能够提高形成于基板W的镀覆的面内均匀性。这里，由于提高形成于基板W的镀覆的面内均匀性，因此阳极40优选为以馈电点402作为中心的旋转对称的形状。
接着，对阳极40的变形例进行说明。图8是表示本实施方式的阳极的第二例的图。图8所示的阳极40B与图7所示的阳极40A，其环状电极410不同，除了环状电极410之外为相同的形状。阳极40B的环状电极410具有划定阳极40B的外缘的第一环状电极410a、以及直径比第一环状电极410b小的第二环状电极410b。第一环状电极410a与第二环状电极410b分别以馈电点402作为中心而同心地设置。第一环状电极410a是与图7所示的阳极40A的环状电极410相同的构成，经由连接电极404与馈电点402连接。阳极40B中，连接电极404的一端与馈电点402连接，另一端与第一环状电极410a连接。另外，连接电极404在一端与另一端之间的中间部分，与第二环状电极410b连接。由此，第二环状电极410b经由连接电极404与馈电点402连接。第一环状电极410a和第二环状电极410b分别与阳极40A的环状电极410同样地可以具有与连接电极404大致相同的横截面形状。
图9是表示本实施方式的阳极的第三例的图。图9所示的阳极40C与图7所示的阳极40A，其环状电极410不同，除了环状电极410之外为相同的形状。阳极40C的环状电极410具有划定阳极40C的外缘的第一环状电极410a、直径比第一环状电极410b小的第二环状电极410b、以及直径比第二环状电极410b小的第三环状电极410c。第一环状电极～第二环状电极410a～410c分别以馈电点402作为中心同心地设置。第一环状电极410a和第二环状电极410b是与图8所示的阳极40B的环状电极相同的构成，经由连接电极404与馈电点402连接。阳极40C中，连接电极404在中间部分与第二环状电极410b和第三环状电极410c连接。由此，第二环状电极410b与第三环状电极410c经由连接电极404与馈电点402连接。第一～第三环状电极410a～410c分别与阳极40A的环状电极410同样地可以具有与连接电极404大致相同的横截面形状。应予说明，阳极40如图7～图9所示并不限于具备一个～三个环状电极410，也可以具有4个以上的环状电极410。
图10是表示本实施方式的阳极的第四例的图。图10所示的阳极40D与图7所示的阳极40A，其连接电极404不同，除了连接电极404之外为相同的形状。阳极40D中，作为连接电极404，设置有沿着上下方向和左右方向将馈电点402和环状电极410连接的电极。换言之，图7所示的阳极40A中，设置有从馈电点402向8个方向呈放射状配置的连接电极404，但在图10所示的阳极40D中，设置有从馈电点402向4个方向呈放射状配置的连接电极404。应予说明，阳极40如图7和图10所示并不限于具有沿着8个方向或者4个方向呈放射状配置的连接电极404，可以具有任意数量的连接电极404。另外，阳极40无论连接电极404的个数，均可以具有2个以上的环状电极410。
图11是表示本实施方式的阳极的第五例的图。图11所示的阳极40E与图7所示的阳极40A，其连接电极404是不同的，除了连接电极404之外为相同的形状。上述图7所示的阳极40A的连接电极404具有直线状的多个电极，但如图11所示的阳极40E的多个连接电极404分别为曲线状。应予说明，在该情况下也优选以阳极40E以馈电点402作为中心呈旋转对称的形状的方式形成有连接电极404。应予说明，在图8～图10所示的例子中连接电极404可以形成为曲线状。
图12是表示本实施方式的阳极的第六例的图。图12所示的阳极40F除了在馈电点402安装有盖420这点之外，与图7所示的阳极40A相同。盖420以提高形成于基板W的镀覆的均匀性的方式覆盖馈电点402的前面(与基板W对置的面)。盖420例如可以由PVC(聚氯乙烯)、PP(聚丙烯)等绝缘性高的树脂形成。图12所示的例子中，盖420具有直径比馈电点402大的圆形的板状部421、和从板状部421向后方突出的嵌合部422。板状部421为了控制阳极表面的电场而设置，可以通过模拟或实验等来确定尺寸以提高形成于基板W的镀覆的均匀性。另外，嵌合部422为了安装盖420和馈电点402而设置。嵌合部422的内周面是与馈电点402的外周侧面对应的形状，另外，嵌合部422具有与从馈电点402延伸的连接电极404对应的多个凹部。通过这样的构成，盖420可以从前方使嵌合部422嵌合于馈电点402进行安装。但是，并不限于该例，盖420可以使用螺丝等紧固件或者粘合剂等安装于馈电点402。通过设置覆盖馈电点402的前方的盖420，能够实现形成于基板W的镀覆的均匀性的提高。应予说明，盖420可以对图8～图11所示的阳极40B～40E进行安装。
(第二实施方式)
图13是表示第二实施方式涉及的镀覆装置的概略图。第二实施方式涉及的镀覆装置中，隔膜66不是安装于阳极支架60，而是安装于调整板14的开口14a，这点与第一实施方式涉及的镀覆装置不同。以下的说明中，省略与第一实施方式重复的说明。
在第二实施方式涉及的镀覆装置中，在镀覆液储存槽52配置有屏蔽箱160，因此，镀覆液储存槽52的内部被划分为屏蔽箱160内部的阳极槽170和外部的阴极槽172。图13所示的例子中，保持阳极40的阳极支架60和调整板14配置于阳极槽170的内部，浆叶16与基板支架18(阴极)配置在阴极槽172的内部。
屏蔽箱160在与调整板14的开口14a对应的位置具有开口160a。另外，划定调整板14的开口14a的筒状部嵌合在屏蔽箱160的开口160a内。通过这样的构成，阳极槽170与阴极槽172通过调整板14的开口14a而连通。并且，在第二实施方式中，在调整板14的开口14a安装有隔膜66，阳极槽170与阴极槽172被隔膜66分隔。应予说明，隔膜66可以从调整板14的阳极槽170侧安装，也可以从阴极槽172侧安装。另外，隔膜66可以按照任意的方法安装于调整板14，作为一个例子，通过环状的隔膜压板68安装于调整板14。
第二实施方式的镀覆装置中，阴极槽172内的镀覆液在镀覆液储存槽52的侧壁溢出而流入到溢流槽54内。另一方面，阳极槽170内的镀覆液构成为不溢流。另外，在阳极槽170连接有设置有开闭阀186的液体排放管线190。通过这样的液体排放管线190，例如在交换隔膜66时可以排出阳极槽170内的镀覆液(基液)。
另外，第二实施方式的镀覆装置中，在镀覆液循环管线58a连接有基液供给管线158。该基液供给管线158不是为了在基板W的镀覆中将镀覆液供给于镀覆液储存槽52，而仅是为了进行镀覆处理而最初对镀覆液储存槽52供给基液的、所谓的建浴而使用。在基液供给管线158设置有第一供给阀151。另外，第二实施液体的镀覆装置中，设置有将镀覆液循环管线58a和液体排放管线190连接的连接管线192。在连接管线192设置有第二供给阀152。并且，在第二实施方式的镀覆装置中，设置有用于对阴极槽172供给添加剂的添加剂供给管线159。在添加剂供给管线159中设置有第三供给阀153。通常第一供给阀151～第三供给阀153关闭。
根据这样的第二实施方式的镀覆装置，仅在建浴时打开第一供给阀151和第二供给阀152，来自基液供给管线158的基液通过液体排放管线190和镀覆液循环管线58a而供给到阳极槽170和阴极槽172内。然后，通过打开第三供给阀153，仅向阴极槽172供给添加剂。通过这样的构成，在阳极槽170中不包含添加剂，因此能够抑制在阳极40附近消耗添加剂。
以上说明的第二实施方式的镀覆装置中，镀覆液储存槽52被屏蔽箱160和调整板14划分为阳极槽170和阴极槽172。并且，在调整板14的开口14a设置有隔膜66。在这样的构成中，与第一实施方式的镀覆装置同样地对用于形成贯通电极的基板W进行镀覆时，通过以0.4ASD～1.4ASD的阳极电流密度镀覆基板W，能够抑制镀覆处理中的氧和次氯酸的产生，抑制镀覆液中的添加剂的消耗。
以上说明的本实施方式也可以作为以下的方式记载。
[方式1]根据方式1，提出了一种镀覆方法，上述镀覆方法包括如下步骤：准备具有用于形成贯通电极的通孔或洞的基板的步骤；准备以隔膜分隔配置不溶性阳极的阳极槽与配置上述基板的阴极槽的镀覆液槽的步骤；以及以在上述镀覆液槽内镀覆上述基板时的阳极电流密度为0.4ASD～1.4ASD的方式对上述基板进行电解镀覆的步骤。根据该镀覆方法，能够抑制镀覆中的氧和次氯酸的产生，抑制镀覆液中的添加剂的消耗。
[方式2]根据方式2，在方式1中，上述不溶性阳极具有与电源连接的馈电点、以上述馈电点作为中心的环状的环状电极、以及连接上述馈电点与上述环状电极的连接电极。根据方式2，能够提高形成于基板的镀覆的面内均匀性。
[方式3]根据方式3，在方式2中，上述环状电极具有：第一直径的第一环状电极、和比上述第一直径小的第二直径的第二环状电极。
[方式4]根据方式4，在方式2或3中，上述连接电极线性连接上述馈电点与上述环状电极。
[方式5]根据方式5，从方式2到4中，上述不溶性阳极为以上述馈电点为中心的旋转对称的形状。
[方式6]根据方式6，在方式2到5中，在上述不溶性阳极的上述馈电点安装有覆盖面向上述基板的部位。根据方式6，能够利用盖控制阳极表面的电场，实现形成于基板的镀覆的面内均匀性的提高。
[方式7]根据方式7，在方式2到6中，上述不溶性阳极保持于阳极支架，上述阳极支架具有朝向上述基板开口的开口部，上述不溶性阳极的上述环状电极的尺寸比上述开口部的尺寸小。
[方式8]根据方式8，在方式1到7中，上述隔膜是离子交换膜或中性隔膜。
[方式9]根据方式9，提出了一种配置在镀覆液槽内而用于镀覆的镀覆用的不溶性阳极，上述阳极具备与电源连接的馈电点、以上述馈电点作为中心的环状的环状电极以及将上述馈电点与上述环状电极连接的连接电极。根据方式9，能够抑制镀覆中的氧和次氯酸的产生，抑制镀覆液中添加剂的消耗，并且能够提高形成于基板的镀覆的面内均匀性。
[方式10]根据方式10，提出了一种镀覆装置，具备可收容镀覆液的镀覆液槽、方式9记载的镀覆用的不溶性阳极、以及将上述镀覆液槽分隔成配置上述不溶性阳极的阳极槽与配置基板的阴极槽的隔膜。根据方式10，具备方式9的镀覆用的阳极，能够起到与方式9相同的效果。
以上，基于一些例子对本发明的实施方式进行了说明，但上述发明的实施方式是为了容易理解本发明，并不限定本发明。本发明在不脱离其主旨的情况下，可进行变更、改进，并且本发明中当然包括其等同物。另外，在能够解决上述课题的至少一部分的范围内或者起到至少一部分效果的范围内，可以对权利要求和说明书记载的各构成要素进行任意的组合或省略。
本申请基于2019年5月17日申请的日本专利申请号第2019－93404号主张优先权。包括日本专利申请号第2019－93404号的说明书、权利要求书、附图和摘要的全部公开内容通过参照作为整体援引于本申请。包括日本特开平7－11498号公报(专利文献1)的说明书、权利要求书、附图的全部公开的内容通过参照作为整体援引于本申请。
符号说明
14…调整板
14a…开口
16…浆叶
18…基板支架
40、40A～40F…阳极(不溶性阳极)
50…镀覆液槽
52…镀覆液储存槽
54…溢流槽
60…阳极支架
61…内部空间
62…支架底座
63…支架底盖
66…隔膜
67…外缘掩模
68…隔膜压板
402…馈电点
404…连接电极
410…环状电极
410a…第一环状电极
410b…第二环状电极
410c…第三环状电极
420…盖。

Claims (10)

1.一种镀覆方法，包括如下步骤：
准备具有用于形成贯通电极的通孔或洞的基板的步骤；
准备以隔膜分隔配置不溶性阳极的阳极槽与配置所述基板的阴极槽的镀覆液槽的步骤；以及
以在所述镀覆液槽内镀覆所述基板时的阳极电流密度为0.4ASD～1.4ASD的方式对所述基板进行电解镀覆的步骤。
2.根据权利要求1所述的镀覆方法，其中，所述不溶性阳极具有：
馈电点，与电源连接；
环状的环状电极，将所述馈电点作为中心；以及
连接电极，连接所述馈电点与所述环状电极。
3.根据权利要求2所述的镀覆方法，其中，所述环状电极具有：第一直径的第一环状电极、和小于所述第一直径的第二直径的第二环状电极。
4.根据权利要求2或3所述的镀覆装置，其中，所述连接电极线性连接所述馈电点与所述环状电极。
5.根据权利要求2～4中任一项所述的镀覆方法，其中，所述不溶性阳极是以所述馈电点作为中心的旋转对称的形状。
6.根据权利要求2～5中任一项所述的镀覆方法，其中，在所述不溶性阳极的所述馈电点安装有覆盖面向所述基板的部位的盖。
7.根据权利要求2～6中任一项所述的镀覆方法，其中，所述不溶性阳极保持于阳极支架，
所述阳极支架具有朝向所述基板开口的开口部，
所述不溶性阳极的所述环状电极的尺寸比所述开口部的尺寸小。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的镀覆方法，其中，所述隔膜为离子交换膜或中性隔膜。
9.一种镀覆用的不溶性阳极，是配置在镀覆液槽内而用于镀覆的镀覆用的不溶性阳极，具备：
馈电点，与电源连接；
环状的环状电极，将所述馈电点作为中心；以及
连接电极，连接所述馈电点与所述环状电极。
10.一种镀覆装置，具备：
镀覆液槽，可收容镀覆液；
权利要求9所述的镀覆用的不溶性阳极；以及
隔膜，将所述镀覆液槽分隔成配置所述不溶性阳极的阳极槽和配置基板的阴极槽。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116397303A (zh) * 2022-04-22 2023-07-07 株式会社荏原制作所 镀覆装置

Citations (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000087300A (ja) * 1998-09-08 2000-03-28 Ebara Corp 基板メッキ装置
US6176992B1 (en) * 1998-11-03 2001-01-23 Nutool, Inc. Method and apparatus for electro-chemical mechanical deposition
JP2003073889A (ja) * 2001-08-29 2003-03-12 Nikko Materials Co Ltd 半導体ウエハの電気銅めっき方法、同装置及びこれらによってめっきされたパーティクル付着の少ない半導体ウエハ
US20030134509A1 (en) * 2002-01-11 2003-07-17 Yoshihide Iwazaki Manufacturing method of semiconductor device
JP2007262448A (ja) * 2006-03-27 2007-10-11 Tdk Corp 合金メッキ装置及び合金メッキ方法
JP2009108360A (ja) * 2007-10-29 2009-05-21 Ebara Corp 電気めっき用アノード及び電気めっき装置
CN101451264A (zh) * 2007-12-04 2009-06-10 株式会社荏原制作所 电镀装置及电镀方法
CN101532160A (zh) * 2008-03-11 2009-09-16 上村工业株式会社 连续电镀铜的方法
JP2014031533A (ja) * 2012-08-01 2014-02-20 Mitsubishi Materials Corp めっき方法
US20140299476A1 (en) * 2013-04-09 2014-10-09 Ebara Corporation Electroplating method
TW201500598A (zh) * 2013-05-09 2015-01-01 Ebara Corp 錫合金鍍膜裝置以及錫合金鍍膜方法
TW201518556A (zh) * 2013-10-31 2015-05-16 Ebara Corp 錫合金鍍覆裝置及錫合金鍍覆方法
CN104818513A (zh) * 2014-02-04 2015-08-05 丰田自动车株式会社 电镀池和金属涂层及其形成方法
TW201533276A (zh) * 2014-02-25 2015-09-01 Ebara Corp 陽極單元及具備該陽極單元之鍍覆裝置
CN105980612A (zh) * 2014-02-10 2016-09-28 株式会社荏原制作所 阳极保持器及镀覆装置
CN106119920A (zh) * 2012-03-27 2016-11-16 株式会社荏原制作所 基板架的维护方法
TW201801206A (zh) * 2016-03-28 2018-01-01 荏原製作所股份有限公司 鍍覆方法
CN109652851A (zh) * 2017-10-12 2019-04-19 株式会社荏原制作所 镀覆装置以及镀覆方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3278245B2 (ja) 1993-06-28 2002-04-30 日本エレクトロプレイテイング・エンジニヤース株式会社 微小めっき部位を有するめっき物のめっき装置
US6497801B1 (en) * 1998-07-10 2002-12-24 Semitool Inc Electroplating apparatus with segmented anode array
US7935240B2 (en) 2005-05-25 2011-05-03 Applied Materials, Inc. Electroplating apparatus and method based on an array of anodes
US20090211900A1 (en) * 2008-02-22 2009-08-27 Novellus Systems, Inc. Convenient Replacement of Anode in Semiconductor Electroplating Apparatus
US9028657B2 (en) * 2010-09-10 2015-05-12 Novellus Systems, Inc. Front referenced anode

Patent Citations (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000087300A (ja) * 1998-09-08 2000-03-28 Ebara Corp 基板メッキ装置
US6176992B1 (en) * 1998-11-03 2001-01-23 Nutool, Inc. Method and apparatus for electro-chemical mechanical deposition
JP2003073889A (ja) * 2001-08-29 2003-03-12 Nikko Materials Co Ltd 半導体ウエハの電気銅めっき方法、同装置及びこれらによってめっきされたパーティクル付着の少ない半導体ウエハ
US20030134509A1 (en) * 2002-01-11 2003-07-17 Yoshihide Iwazaki Manufacturing method of semiconductor device
JP2007262448A (ja) * 2006-03-27 2007-10-11 Tdk Corp 合金メッキ装置及び合金メッキ方法
JP2009108360A (ja) * 2007-10-29 2009-05-21 Ebara Corp 電気めっき用アノード及び電気めっき装置
CN101451264A (zh) * 2007-12-04 2009-06-10 株式会社荏原制作所 电镀装置及电镀方法
CN103060871A (zh) * 2007-12-04 2013-04-24 株式会社荏原制作所 电镀装置及电镀方法
CN107604426A (zh) * 2007-12-04 2018-01-19 株式会社荏原制作所 电镀装置及电镀方法
CN101532160A (zh) * 2008-03-11 2009-09-16 上村工业株式会社 连续电镀铜的方法
CN106119920A (zh) * 2012-03-27 2016-11-16 株式会社荏原制作所 基板架的维护方法
JP2014031533A (ja) * 2012-08-01 2014-02-20 Mitsubishi Materials Corp めっき方法
US20140299476A1 (en) * 2013-04-09 2014-10-09 Ebara Corporation Electroplating method
TW201500598A (zh) * 2013-05-09 2015-01-01 Ebara Corp 錫合金鍍膜裝置以及錫合金鍍膜方法
TW201518556A (zh) * 2013-10-31 2015-05-16 Ebara Corp 錫合金鍍覆裝置及錫合金鍍覆方法
CN104818513A (zh) * 2014-02-04 2015-08-05 丰田自动车株式会社 电镀池和金属涂层及其形成方法
CN105980612A (zh) * 2014-02-10 2016-09-28 株式会社荏原制作所 阳极保持器及镀覆装置
TW201533276A (zh) * 2014-02-25 2015-09-01 Ebara Corp 陽極單元及具備該陽極單元之鍍覆裝置
TW201801206A (zh) * 2016-03-28 2018-01-01 荏原製作所股份有限公司 鍍覆方法
CN109652851A (zh) * 2017-10-12 2019-04-19 株式会社荏原制作所 镀覆装置以及镀覆方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
W.FIELDS;R.DUNCAN;程栋;: "化学镀用不锈钢槽的电化学钝化", 电镀与环保, no. 03, pages 15 - 17 *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116397303A (zh) * 2022-04-22 2023-07-07 株式会社荏原制作所 镀覆装置

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