JP2000087300A - 基板メッキ装置 - Google Patents
基板メッキ装置Info
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- JP2000087300A JP2000087300A JP10254395A JP25439598A JP2000087300A JP 2000087300 A JP2000087300 A JP 2000087300A JP 10254395 A JP10254395 A JP 10254395A JP 25439598 A JP25439598 A JP 25439598A JP 2000087300 A JP2000087300 A JP 2000087300A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 不溶解性の陽極電極を用いた基板メッキ装置
で金属イオンの自動補給が可能な基板メッキ装置を提供
すること。 【解決手段】 メッキ液を収容したメッキ処理槽１１内
に金属メッキを施す被メッキ基板（半導体ウエハ１２）
と不溶解性の陽極電極１３を対向して配置した構成の基
板メッキ装置において、メッキ処理槽１１とは別に設け
られた循環槽又はダミー槽１０内に溶解性の陽極電極１
７とダミー陰極電極１６を対向して配置すると共に、該
陽極電極１７とダミー陰極電極１６の間にアニオン交換
膜１８又はカチオン選択性交換膜を配置し隔離し、該陽
極電極１７とダミー陰極電極１６の間に電流を流すこと
によって陽極電極１７から金属イオンを発生させ、該金
属イオンをメッキ処理槽１１内に補充する。
で金属イオンの自動補給が可能な基板メッキ装置を提供
すること。 【解決手段】 メッキ液を収容したメッキ処理槽１１内
に金属メッキを施す被メッキ基板（半導体ウエハ１２）
と不溶解性の陽極電極１３を対向して配置した構成の基
板メッキ装置において、メッキ処理槽１１とは別に設け
られた循環槽又はダミー槽１０内に溶解性の陽極電極１
７とダミー陰極電極１６を対向して配置すると共に、該
陽極電極１７とダミー陰極電極１６の間にアニオン交換
膜１８又はカチオン選択性交換膜を配置し隔離し、該陽
極電極１７とダミー陰極電極１６の間に電流を流すこと
によって陽極電極１７から金属イオンを発生させ、該金
属イオンをメッキ処理槽１１内に補充する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体ウエハ等の基
板に金属メッキ処理を施す基板メッキ装置に関するもの
である。
板に金属メッキ処理を施す基板メッキ装置に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】図４は従来のこの種の基板メッキ装置の
概略構成を示す図である。図４に示すように、従来の基
板メッキ装置はメッキ液Ｑを収容したメッキ処理槽１０
１内に半導体ウエハ等の被メッキ基板１０２と陽極電極
１０３を対向して配置すると共に、該被メッキ基板１０
２と陽極電極１０３の間に遮蔽板１０４を配置し、被メ
ッキ基板１０２と陽極電極１０３の間にメッキ電源１０
６から所定の電圧を印加し、被メッキ基板１０２の表面
にメッキ膜を形成するように構成したものである。な
お、１０５はメッキ処理槽１０１の上端をオーバーフロ
ーしたメッキ液Ｑを回収するための捕集樋である。
概略構成を示す図である。図４に示すように、従来の基
板メッキ装置はメッキ液Ｑを収容したメッキ処理槽１０
１内に半導体ウエハ等の被メッキ基板１０２と陽極電極
１０３を対向して配置すると共に、該被メッキ基板１０
２と陽極電極１０３の間に遮蔽板１０４を配置し、被メ
ッキ基板１０２と陽極電極１０３の間にメッキ電源１０
６から所定の電圧を印加し、被メッキ基板１０２の表面
にメッキ膜を形成するように構成したものである。な
お、１０５はメッキ処理槽１０１の上端をオーバーフロ
ーしたメッキ液Ｑを回収するための捕集樋である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記構成の基板メッキ
装置において、陽極電極１０３に溶解性電極（含リン
銅）を用いた場合、陽極電極の定期的な交換に加え、表
面のブラックフィルムの管理、パーティクル対策等問題
が多い。このようなメッキ装置においては普通複数台の
メッキ処理槽１０１が設けられるので、陽極電極１０３
の管理にはより時間がかかる。
装置において、陽極電極１０３に溶解性電極（含リン
銅）を用いた場合、陽極電極の定期的な交換に加え、表
面のブラックフィルムの管理、パーティクル対策等問題
が多い。このようなメッキ装置においては普通複数台の
メッキ処理槽１０１が設けられるので、陽極電極１０３
の管理にはより時間がかかる。
【０００４】そこで、先ず、メッキ処理槽内の陽極電極
を不溶解性の材料製とすることによって、被メッキ基板
１０２の近傍におけるパーティクルの存在が抑制される
という利点を生じる反面、不溶解性の陽極電極を用いる
ことによってＣｕ2＋イオンの補給が新に必要となる。
Ｃｕ2＋イオンを加えるには、酸化銅の粉末、又は、Ｃ
ｕＳＯ4・５Ｈ2Ｏの粉末を補給するか、或いは、高濃度
のＣｕＳＯ4・５Ｈ2Ｏ溶液を補給することが考えられ
る。粉末の補給は自動化に適さず、溶液の補給は総液量
が徐々に増加するので、定期的に排出する必要が生じ
る。
を不溶解性の材料製とすることによって、被メッキ基板
１０２の近傍におけるパーティクルの存在が抑制される
という利点を生じる反面、不溶解性の陽極電極を用いる
ことによってＣｕ2＋イオンの補給が新に必要となる。
Ｃｕ2＋イオンを加えるには、酸化銅の粉末、又は、Ｃ
ｕＳＯ4・５Ｈ2Ｏの粉末を補給するか、或いは、高濃度
のＣｕＳＯ4・５Ｈ2Ｏ溶液を補給することが考えられ
る。粉末の補給は自動化に適さず、溶液の補給は総液量
が徐々に増加するので、定期的に排出する必要が生じ
る。
【０００５】本発明は上述の点に鑑みてなされたもの
で、不溶解性の陽極電極を用いた基板メッキ装置であっ
てしかも、容易に金属イオンの自動補給が出来る基板メ
ッキ装置を提供することを目的とする。
で、不溶解性の陽極電極を用いた基板メッキ装置であっ
てしかも、容易に金属イオンの自動補給が出来る基板メ
ッキ装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
請求項１に記載の発明は、メッキ液を収容したメッキ処
理槽内に金属メッキを施す被メッキ基板と不溶解性の陽
極電極を対向して配置した構成の基板メッキ装置におい
て、メッキ処理槽とは別に設けられた循環槽又はダミー
槽内に溶解性の陽極電極と陰極電極を対向して配置する
と共に、該陽極電極と陰極電極の間にアニオン交換膜又
はカチオン選択性交換膜を配置することによって両極を
隔離し、且つ該陽極電極と陰極電極の間に電流を流すこ
とによって金属イオンを連続的に発生し、該金属イオン
をメッキ処理槽内に補充する手段を設けたことを特徴と
する。
請求項１に記載の発明は、メッキ液を収容したメッキ処
理槽内に金属メッキを施す被メッキ基板と不溶解性の陽
極電極を対向して配置した構成の基板メッキ装置におい
て、メッキ処理槽とは別に設けられた循環槽又はダミー
槽内に溶解性の陽極電極と陰極電極を対向して配置する
と共に、該陽極電極と陰極電極の間にアニオン交換膜又
はカチオン選択性交換膜を配置することによって両極を
隔離し、且つ該陽極電極と陰極電極の間に電流を流すこ
とによって金属イオンを連続的に発生し、該金属イオン
をメッキ処理槽内に補充する手段を設けたことを特徴と
する。
【０００７】上記のように、メッキ処理槽とは別に設け
られた循環槽又はダミー槽内の溶解性の陽極電極から発
生する金属イオンをメッキ処理槽内に供給する機構を用
いることによって、金属イオンの自動補給が可能になる
と同時に、メッキ処理槽内の陽極電極の定期的な交換
や、表面のブラックフィルムの対策といった従来の溶解
性陽極電極に必然的に伴う厄介な作業をする必要性がな
くなる。
られた循環槽又はダミー槽内の溶解性の陽極電極から発
生する金属イオンをメッキ処理槽内に供給する機構を用
いることによって、金属イオンの自動補給が可能になる
と同時に、メッキ処理槽内の陽極電極の定期的な交換
や、表面のブラックフィルムの対策といった従来の溶解
性陽極電極に必然的に伴う厄介な作業をする必要性がな
くなる。
【０００８】また、請求項２に記載の発明は、請求項１
に記載の基板メッキ装置において、メッキ処理槽は複数
台設置され、該メッキ処理槽の被メッキ基板と不溶解性
の陽極電極の間に流れる電流値の総計は循環槽又はダミ
ー槽の陽極電極と陰極電極の間に流れる電流値と等しく
することを特徴とする。
に記載の基板メッキ装置において、メッキ処理槽は複数
台設置され、該メッキ処理槽の被メッキ基板と不溶解性
の陽極電極の間に流れる電流値の総計は循環槽又はダミ
ー槽の陽極電極と陰極電極の間に流れる電流値と等しく
することを特徴とする。
【０００９】上記のように、メッキ処理槽の被メッキ基
板と不溶解性の陽極電極の間に流れる電流値の総計を循
環槽又はダミー槽の陽極電極と陰極電極の間に流れる電
流値と等しくすることにより、溶解性の陽極電極が複数
個あるにも拘らず、その管理は１台の循環槽又はダミー
槽の陽極電極の管理をするだけでよいことになる。
板と不溶解性の陽極電極の間に流れる電流値の総計を循
環槽又はダミー槽の陽極電極と陰極電極の間に流れる電
流値と等しくすることにより、溶解性の陽極電極が複数
個あるにも拘らず、その管理は１台の循環槽又はダミー
槽の陽極電極の管理をするだけでよいことになる。
【００１０】また、請求項３に記載の発明は、請求項１
に記載の基板メッキ装置において、メッキ処理槽の陽極
電極と循環槽又はダミー槽の陰極電極、メッキ処理槽の
陰極電極である被処理基板と循環槽又はダミー槽の陽極
電極をそれぞれ接続し、該メッキ処理槽の陰極電極と陽
極電極の間と該循環槽又はダミー槽の陽極電極と陰極電
極の間に流れる電流値を同一値にすることを特徴とす
る。
に記載の基板メッキ装置において、メッキ処理槽の陽極
電極と循環槽又はダミー槽の陰極電極、メッキ処理槽の
陰極電極である被処理基板と循環槽又はダミー槽の陽極
電極をそれぞれ接続し、該メッキ処理槽の陰極電極と陽
極電極の間と該循環槽又はダミー槽の陽極電極と陰極電
極の間に流れる電流値を同一値にすることを特徴とす
る。
【００１１】上記のように、メッキ処理槽の陰極電極と
陽極電極の間と該循環槽又はダミー槽の陽極電極と陰極
電極の間に流れる電流値を同一値にすることにより、メ
ッキ処理槽で消費される金属イオンと同量の金属イオン
を自動的に補給できる。
陽極電極の間と該循環槽又はダミー槽の陽極電極と陰極
電極の間に流れる電流値を同一値にすることにより、メ
ッキ処理槽で消費される金属イオンと同量の金属イオン
を自動的に補給できる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態例を図
面に基づいて説明する。図１は本発明に係る基板メッキ
装置の構成例を示す図である。本基板メッキ装置は１台
の循環槽又はダミー槽１０と複数台（図では３台）のメ
ッキ処理槽１１を具備する。メッキ処理槽１１内にはＣ
ｕメッキを施す半導体ウエハ１２と不溶解性の陽極電極
１３とが対向して配置され、半導体ウエハ１２と不溶解
性の陽極電極１３との間にはメッキ電源１５が接続され
ている。
面に基づいて説明する。図１は本発明に係る基板メッキ
装置の構成例を示す図である。本基板メッキ装置は１台
の循環槽又はダミー槽１０と複数台（図では３台）のメ
ッキ処理槽１１を具備する。メッキ処理槽１１内にはＣ
ｕメッキを施す半導体ウエハ１２と不溶解性の陽極電極
１３とが対向して配置され、半導体ウエハ１２と不溶解
性の陽極電極１３との間にはメッキ電源１５が接続され
ている。
【００１３】循環槽又はダミー槽１０にはダミー陰極電
極１６と溶解性の陽極電極（銅製）１７が対向して配置
され、その間にアニオン交換膜１８が配置され、循環槽
又はダミー槽１０をダミー陰極電極側と陽極電極側に区
分（隔離）している。ダミー陰極電極１６と溶解性の陽
極電極１７の間には電源（直流）１９が接続される。ま
た、循環槽又はダミー槽１０にはその内部の液の導電率
を測定する導電率計２１が設けられ、液の導電率が一定
になるように硫酸源２０から硫酸（Ｈ2ＳＯ4）が供給さ
れる。
極１６と溶解性の陽極電極（銅製）１７が対向して配置
され、その間にアニオン交換膜１８が配置され、循環槽
又はダミー槽１０をダミー陰極電極側と陽極電極側に区
分（隔離）している。ダミー陰極電極１６と溶解性の陽
極電極１７の間には電源（直流）１９が接続される。ま
た、循環槽又はダミー槽１０にはその内部の液の導電率
を測定する導電率計２１が設けられ、液の導電率が一定
になるように硫酸源２０から硫酸（Ｈ2ＳＯ4）が供給さ
れる。
【００１４】循環槽又はダミー槽１０のダミー陰極電極
１６と陽極電極１７の間に電源１９から所定の電圧値の
直流電圧を印加することにより、陽極電極１７からＣｕ
2＋の陽イオンが陽極電極側の液中に放出される。一
方、陰極電極側ではＳＯ4 2−の陰イオンとＨ2ガスが発
生すると共に、Ｈ2ガスは外部に放出される。該ＳＯ4
2−はアニオン交換膜１８を通して陽極電極側に供給さ
れるが、Ｃｕ2＋イオンはアニオン交換膜１８を通過し
ない。該Ｃｕ2＋イオンとＳＯ4 2−イオンが混合・含有
した水溶液がメッキ液としてポンプ２２により開閉弁２
３、２３、２３を通して、メッキ処理槽１１、１１、１
１のそれぞれに供給される。
１６と陽極電極１７の間に電源１９から所定の電圧値の
直流電圧を印加することにより、陽極電極１７からＣｕ
2＋の陽イオンが陽極電極側の液中に放出される。一
方、陰極電極側ではＳＯ4 2−の陰イオンとＨ2ガスが発
生すると共に、Ｈ2ガスは外部に放出される。該ＳＯ4
2−はアニオン交換膜１８を通して陽極電極側に供給さ
れるが、Ｃｕ2＋イオンはアニオン交換膜１８を通過し
ない。該Ｃｕ2＋イオンとＳＯ4 2−イオンが混合・含有
した水溶液がメッキ液としてポンプ２２により開閉弁２
３、２３、２３を通して、メッキ処理槽１１、１１、１
１のそれぞれに供給される。
【００１５】メッキ処理槽１１、１１、１１のそれぞれ
をオーバーフローしたメッキ液は捕集樋１４、１４、１
４で回収され、循環槽又はダミー槽１０のアニオン交換
膜１８で区分された陽極電極側に戻る。ここで、陽極電
極１７からＣｕ2＋の陽イオンが補充され、再びメッキ
処理槽１１、１１、１１のそれぞれに供給される。即
ち、メッキ処理槽１１、１１、１１のそれぞれでＣｕメ
ッキ処理を行うことによって消費された分のＣｕ2＋イ
オンが補給される。
をオーバーフローしたメッキ液は捕集樋１４、１４、１
４で回収され、循環槽又はダミー槽１０のアニオン交換
膜１８で区分された陽極電極側に戻る。ここで、陽極電
極１７からＣｕ2＋の陽イオンが補充され、再びメッキ
処理槽１１、１１、１１のそれぞれに供給される。即
ち、メッキ処理槽１１、１１、１１のそれぞれでＣｕメ
ッキ処理を行うことによって消費された分のＣｕ2＋イ
オンが補給される。
【００１６】上記構成のメッキ装置において、メッキ処
理槽１１、１１、１１のそれぞれの半導体ウエハ１２と
陽極電極１３の間に流れる電流値Ｉ1、Ｉ2、Ｉ3の総計
は循環槽又はダミー槽１０の陽極電極１７とダミー陰極
電極１６の間に流れる電流値Ｉと等しくする（Ｉ＝Ｉ1
＋Ｉ2＋Ｉ3）ことにより、メッキ処理槽１１、１１、１
１へのＣｕ2＋イオンのメッキに伴う消費分に対応した
補給が可能となると同時に、メッキ処理槽１１、１１、
１１の陽極電極の定期的な交換や、表面のブラックフィ
ルムの発生に起因した汚染防止といった従来法につきも
のの厄介な対策・作業の必要がなくなる。なお、図１に
おいて、２４は排液用のポンプである。
理槽１１、１１、１１のそれぞれの半導体ウエハ１２と
陽極電極１３の間に流れる電流値Ｉ1、Ｉ2、Ｉ3の総計
は循環槽又はダミー槽１０の陽極電極１７とダミー陰極
電極１６の間に流れる電流値Ｉと等しくする（Ｉ＝Ｉ1
＋Ｉ2＋Ｉ3）ことにより、メッキ処理槽１１、１１、１
１へのＣｕ2＋イオンのメッキに伴う消費分に対応した
補給が可能となると同時に、メッキ処理槽１１、１１、
１１の陽極電極の定期的な交換や、表面のブラックフィ
ルムの発生に起因した汚染防止といった従来法につきも
のの厄介な対策・作業の必要がなくなる。なお、図１に
おいて、２４は排液用のポンプである。
【００１７】図２は本発明に係る基板メッキ装置の循環
槽又はダミー槽１０の他の構成例を示す図である。本循
環槽又はダミー槽１０が図１の循環槽又はダミー槽１０
と異なる点は、ダミー陰極電極１６と溶解性の陽極電極
１７の間にアニオン交換膜１８に替えてＨ＋イオンは透
過するがＣｕ2＋イオンを透過しないカチオン選択性交
換膜２５が配置されている点である。
槽又はダミー槽１０の他の構成例を示す図である。本循
環槽又はダミー槽１０が図１の循環槽又はダミー槽１０
と異なる点は、ダミー陰極電極１６と溶解性の陽極電極
１７の間にアニオン交換膜１８に替えてＨ＋イオンは透
過するがＣｕ2＋イオンを透過しないカチオン選択性交
換膜２５が配置されている点である。
【００１８】上記循環槽又はダミー槽１０のダミー陰極
電極１６と溶解性の陽極電極１７の間に電源１９から所
定電圧値の直流電圧を印加し、陽極電極１７から放出さ
れたＣｕ2＋イオンの混入する液をメッキ液として、ポ
ンプ２２により、図１のメッキ処理槽１１、１１、１１
へ開閉弁２３、２３、２３を通して供給し、メッキ処理
槽１１、１１、１１からオーバーフローしたメッキ液を
循環槽又はダミー槽１０の陽極電極側に戻すようにする
点は図示は省略するが、図１と同一である。
電極１６と溶解性の陽極電極１７の間に電源１９から所
定電圧値の直流電圧を印加し、陽極電極１７から放出さ
れたＣｕ2＋イオンの混入する液をメッキ液として、ポ
ンプ２２により、図１のメッキ処理槽１１、１１、１１
へ開閉弁２３、２３、２３を通して供給し、メッキ処理
槽１１、１１、１１からオーバーフローしたメッキ液を
循環槽又はダミー槽１０の陽極電極側に戻すようにする
点は図示は省略するが、図１と同一である。
【００１９】図３は本発明に係る基板メッキ装置の他の
構成例を示す図である。基板メッキ装置は１台のメッキ
処理槽１１に対応して、１台の循環槽又はダミー槽１０
を設け、循環槽又はダミー槽１０のアニオン交換膜１８
又はカチオン選択性交換膜２５で区分された陽極電極側
の液をメッキ液としてメッキ処理槽１１に供給すると共
に、メッキ処理槽１１からオーバーフローしたメッキ液
を循環槽又はダミー槽１０の陽極電極側に戻すように構
成している。
構成例を示す図である。基板メッキ装置は１台のメッキ
処理槽１１に対応して、１台の循環槽又はダミー槽１０
を設け、循環槽又はダミー槽１０のアニオン交換膜１８
又はカチオン選択性交換膜２５で区分された陽極電極側
の液をメッキ液としてメッキ処理槽１１に供給すると共
に、メッキ処理槽１１からオーバーフローしたメッキ液
を循環槽又はダミー槽１０の陽極電極側に戻すように構
成している。
【００２０】また、メッキ処理槽１１の陰極電極となる
半導体ウエハ１２と循環槽又はダミー槽１０の陽極電極
１７を接続し、メッキ処理槽１１の陽極電極１３と循環
槽又はダミー槽１０のダミー陰極電極１６を接続してい
る。そして半導体ウエハ１２と陽極電極１７を接続した
接続線２７又は不溶解性の陽極電極１３とダミー陰極電
極１６を接続した接続線２８に電源２６を挿入接続して
いる。
半導体ウエハ１２と循環槽又はダミー槽１０の陽極電極
１７を接続し、メッキ処理槽１１の陽極電極１３と循環
槽又はダミー槽１０のダミー陰極電極１６を接続してい
る。そして半導体ウエハ１２と陽極電極１７を接続した
接続線２７又は不溶解性の陽極電極１３とダミー陰極電
極１６を接続した接続線２８に電源２６を挿入接続して
いる。
【００２１】基板メッキ装置を上記のように構成するこ
とにより、メッキ処理槽１１の半導体ウエハ１２と陽極
電極１３に流れる電流Ｉと同一の電流が循環槽又はダミ
ー槽１０の陽極電極１７とダミー陰極電極１６の間にも
流れることになり、メッキ処理槽１１で消費されたＣｕ
2＋イオンと等量のＣｕ2＋イオンが循環槽又はダミー槽
１０から供給されることになる。
とにより、メッキ処理槽１１の半導体ウエハ１２と陽極
電極１３に流れる電流Ｉと同一の電流が循環槽又はダミ
ー槽１０の陽極電極１７とダミー陰極電極１６の間にも
流れることになり、メッキ処理槽１１で消費されたＣｕ
2＋イオンと等量のＣｕ2＋イオンが循環槽又はダミー槽
１０から供給されることになる。
【００２２】なお、図１乃至図３に示す構成の基板メッ
キ装置において、循環槽又はダミー槽１０のダミー陰極
電極１６と溶解性の陽極電極１７の間に配置されるイオ
ン選択性の交換膜の接液面積は、それぞれのイオン（Ｈ
＋、Ｃｕ2＋、ＳＯ4 2−等）の液中移動速度が電気鍍金
研究会編、「めっき教本」（日刊工業新聞社）、Ｐ５に
よって、下記のように相異なることを考慮して、各場合
毎に調整する必要があることは言うまでもない。
キ装置において、循環槽又はダミー槽１０のダミー陰極
電極１６と溶解性の陽極電極１７の間に配置されるイオ
ン選択性の交換膜の接液面積は、それぞれのイオン（Ｈ
＋、Ｃｕ2＋、ＳＯ4 2−等）の液中移動速度が電気鍍金
研究会編、「めっき教本」（日刊工業新聞社）、Ｐ５に
よって、下記のように相異なることを考慮して、各場合
毎に調整する必要があることは言うまでもない。
【００２３】 イオンの移動速度（水溶液，１８℃の場合） カチオン選択性交換膜 Ｈ＋ ３１．５μｍ／ｓ Ｃｕ2＋ ２．９μｍ／ｓ アニオン選択性交換膜 ＳＯ4 2− ５．９３μｍ／ｓ ここで上の値は電極間距離１ｃｍのところに１Ｖの電圧
を加えたときの移動速度μｍ／ｓを示す。
を加えたときの移動速度μｍ／ｓを示す。
【００２４】なお、上記実施形態例では循環槽又はダミ
ー槽１０に配置する溶解性の陽極電極１７を銅製とし、
陽極電極１７からＣｕ2＋イオンを発生し、メッキ処理
槽１１で半導体ウエハ１２に銅メッキ処理を行う場合を
例に示したが、メッキ処理槽１１で行うメッキは銅メッ
キに限らず、他の金属メッキ処理でもよく、その場合は
循環槽又はダミー槽１０の溶解性の陽極電極１７はその
金属陽イオンを放出する金属製の陽極電極であればよ
い。
ー槽１０に配置する溶解性の陽極電極１７を銅製とし、
陽極電極１７からＣｕ2＋イオンを発生し、メッキ処理
槽１１で半導体ウエハ１２に銅メッキ処理を行う場合を
例に示したが、メッキ処理槽１１で行うメッキは銅メッ
キに限らず、他の金属メッキ処理でもよく、その場合は
循環槽又はダミー槽１０の溶解性の陽極電極１７はその
金属陽イオンを放出する金属製の陽極電極であればよ
い。
【００２５】また、被メッキ基板も半導体ウエハに限定
されるものではなく、メッキ処理できる基板であれば、
どのような基板でも適用できる。
されるものではなく、メッキ処理できる基板であれば、
どのような基板でも適用できる。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように各請求項に記載の発
明によれば、下記のような優れた効果が得られる。
明によれば、下記のような優れた効果が得られる。
【００２７】請求項１に記載の発明によれば、メッキ処
理槽とは別に設けられた循環槽又はダミー槽内の溶解性
の陽極電極から発生する金属イオンをメッキ処理槽内に
補給することにより、金属イオンの自動補給が可能とな
ると同時に、メッキ処理槽の陽極電極の定期的な交換
や、表面のブラックフィルム対策が不要となる。
理槽とは別に設けられた循環槽又はダミー槽内の溶解性
の陽極電極から発生する金属イオンをメッキ処理槽内に
補給することにより、金属イオンの自動補給が可能とな
ると同時に、メッキ処理槽の陽極電極の定期的な交換
や、表面のブラックフィルム対策が不要となる。
【００２８】請求項２に記載の発明によれば、メッキ処
理槽の被メッキ基板と不溶解性の陽極電極の間に流れる
電流値の総計を循環槽又はダミー槽の陽極電極と陰極電
極の間に流れる電流値と等しくすることにより、溶解性
の陽極電極の管理は１台の循環槽又はダミー槽の陽極電
極について行なうだけでよい。
理槽の被メッキ基板と不溶解性の陽極電極の間に流れる
電流値の総計を循環槽又はダミー槽の陽極電極と陰極電
極の間に流れる電流値と等しくすることにより、溶解性
の陽極電極の管理は１台の循環槽又はダミー槽の陽極電
極について行なうだけでよい。
【００２９】請求項３に記載の発明によればメッキ処理
槽の陰極電極と陽極電極の間に流れる電流を該循環槽又
はダミー槽の陽極電極と陰極電極の間に流れる電流と同
一にすることによって、メッキ処理槽で消費される金属
イオンと同量の金属イオンを補給できる。
槽の陰極電極と陽極電極の間に流れる電流を該循環槽又
はダミー槽の陽極電極と陰極電極の間に流れる電流と同
一にすることによって、メッキ処理槽で消費される金属
イオンと同量の金属イオンを補給できる。
【図１】本発明に係る基板メッキ装置の構成例を示す図
である。
である。
【図２】本発明に係る基板メッキ装置の循環槽又はダミ
ー槽の他の構成例を示す図である。
ー槽の他の構成例を示す図である。
【図３】本発明に係る基板メッキ装置の他の構成例を示
す図である。
す図である。
【図４】従来のこの種の基板メッキ装置の概略構成を示
す図である。
す図である。
１０ 循環槽又はダミー槽 １１ メッキ処理槽 １２ 半導体ウエハ １３ 不溶解性の陽極電極 １４ 捕集樋 １５ メッキ電源 １６ ダミー陰極電極 １７ 溶解性の陽極電極 １８ アニオン交換膜 １９ 電源 ２０ 硫酸源 ２１ 導電率計 ２２ ポンプ ２３ 開閉弁 ２４ ポンプ ２５ カチオン選択性交換膜 ２６ 電源
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 上山 浩幸 東京都大田区羽田旭町11番１号 株式会社 荏原製作所内 (72)発明者 山川 純逸 東京都大田区羽田旭町11番１号 株式会社 荏原製作所内 Ｆターム(参考） 4K024 AA09 AB01 BA11 BB12 CA01 CB02 CB04 CB07 CB11 CB15 CB26 GA16 4M104 BB04 DD52
Claims (3)
- 【請求項１】 メッキ液を収容したメッキ処理槽内に金
属メッキを施す被メッキ基板と不溶解性の陽極電極を対
向して配置した構成の基板メッキ装置において、 前記メッキ処理槽とは別に設けられた循環槽又はダミー
槽内に溶解性の陽極電極と陰極電極を対向して配置する
と共に、該陽極電極と陰極電極の間にアニオン交換膜又
はカチオン選択性交換膜を配置し隔離し、該陽極電極と
陰極電極の間に電流を流すことで金属イオンを発生さ
せ、該金属イオンを前記メッキ処理槽内に補充する手段
を設けたことを特徴とする基板メッキ装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載の基板メッキ装置におい
て、 前記メッキ処理槽は複数台設置され、該メッキ処理槽の
被メッキ基板と不溶解性の陽極電極の間に流れる電流値
の総計は前記循環槽又はダミー槽の陽極電極と陰極電極
の間に流れる電流値と等しくすることを特徴とする基板
メッキ装置。 - 【請求項３】 請求項１に記載の基板メッキ装置におい
て、 前記メッキ処理槽の陽極電極と前記循環槽又はダミー槽
の陰極電極、前記メッキ処理槽の陰極電極である被処理
基板と前記循環槽又はダミー槽の陽極電極をそれぞれ接
続し、該メッキ処理槽の陰極電極と陽極電極の間と該循
環槽又はダミー槽の陽極電極と陰極電極の間に流れる電
流値を同一値にすることを特徴とする基板メッキ装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10254395A JP2000087300A (ja) | 1998-09-08 | 1998-09-08 | 基板メッキ装置 |
| EP99943206A EP1029954A4 (en) | 1998-09-08 | 1999-09-08 | DEVICE FOR PLACING SUBSTRATES |
| KR1020007003701A KR100683268B1 (ko) | 1998-09-08 | 1999-09-08 | 기판도금장치 |
| US09/530,805 US6365017B1 (en) | 1998-09-08 | 1999-09-08 | Substrate plating device |
| PCT/JP1999/004861 WO2000014308A1 (fr) | 1998-09-08 | 1999-09-08 | Dispositif de plaquage de substrats |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10254395A JP2000087300A (ja) | 1998-09-08 | 1998-09-08 | 基板メッキ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000087300A true JP2000087300A (ja) | 2000-03-28 |
Family
ID=17264389
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10254395A Pending JP2000087300A (ja) | 1998-09-08 | 1998-09-08 | 基板メッキ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000087300A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6767437B2 (en) | 2000-05-22 | 2004-07-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Electroplating apparatus and electroplating method |
| KR100877923B1 (ko) * | 2001-06-07 | 2009-01-12 | 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈, 엘.엘.씨 | 전해 구리 도금법 |
| CN113825861A (zh) * | 2019-05-17 | 2021-12-21 | 株式会社荏原制作所 | 镀覆方法、镀覆用的不溶性阳极和镀覆装置 |
-
1998
- 1998-09-08 JP JP10254395A patent/JP2000087300A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6767437B2 (en) | 2000-05-22 | 2004-07-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Electroplating apparatus and electroplating method |
| KR100877923B1 (ko) * | 2001-06-07 | 2009-01-12 | 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈, 엘.엘.씨 | 전해 구리 도금법 |
| CN113825861A (zh) * | 2019-05-17 | 2021-12-21 | 株式会社荏原制作所 | 镀覆方法、镀覆用的不溶性阳极和镀覆装置 |
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