JP2013229096A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2013229096A5
JP2013229096A5 JP2013091188A JP2013091188A JP2013229096A5 JP 2013229096 A5 JP2013229096 A5 JP 2013229096A5 JP 2013091188 A JP2013091188 A JP 2013091188A JP 2013091188 A JP2013091188 A JP 2013091188A JP 2013229096 A5 JP2013229096 A5 JP 2013229096A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cell row
refresh
memory device
command
control circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2013091188A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2013229096A (ja
JP5952771B2 (ja
Filing date
Publication date
Priority claimed from KR1020120042411A external-priority patent/KR101966858B1/ko
Application filed filed Critical
Publication of JP2013229096A publication Critical patent/JP2013229096A/ja
Publication of JP2013229096A5 publication Critical patent/JP2013229096A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5952771B2 publication Critical patent/JP5952771B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

JP2013091188A 2012-04-24 2013-04-24 メモリ装置及びメモリコントローラ並びにメモリシステム Active JP5952771B2 (ja)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120042411A KR101966858B1 (ko) 2012-04-24 2012-04-24 휘발성 메모리 장치의 동작 방법, 휘발성 메모리 장치 및 메모리 시스템의 제어 방법
KR10-2012-0042411 2012-04-24
US13/720,998 2012-12-19
US13/720,998 US9165637B2 (en) 2012-04-24 2012-12-19 Volatile memory device and a memory controller

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2013229096A JP2013229096A (ja) 2013-11-07
JP2013229096A5 true JP2013229096A5 (cg-RX-API-DMAC10.html) 2015-12-10
JP5952771B2 JP5952771B2 (ja) 2016-07-13

Family

ID=49381238

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013091188A Active JP5952771B2 (ja) 2012-04-24 2013-04-24 メモリ装置及びメモリコントローラ並びにメモリシステム

Country Status (4)

Country Link
US (2) US9165637B2 (cg-RX-API-DMAC10.html)
JP (1) JP5952771B2 (cg-RX-API-DMAC10.html)
KR (1) KR101966858B1 (cg-RX-API-DMAC10.html)
CN (1) CN103377158B (cg-RX-API-DMAC10.html)

Families Citing this family (48)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101977665B1 (ko) * 2012-07-12 2019-08-28 삼성전자주식회사 리프레쉬 주기를 조절하는 반도체 메모리 장치, 메모리 시스템 및 그 동작방법
KR102048407B1 (ko) * 2012-10-19 2019-11-25 삼성전자주식회사 리프레쉬 어드레스 생성기 및 휘발성 메모리 장치
KR102125230B1 (ko) * 2013-03-13 2020-06-22 삼성전자주식회사 디램 및 리프레시 제어방법
US9349433B2 (en) * 2013-03-13 2016-05-24 Inphi Corporation Hidden refresh of weak memory storage cells in semiconductor memory
KR20140113191A (ko) * 2013-03-15 2014-09-24 삼성전자주식회사 반도체 메모리 장치 및 이의 리프레쉬 방법
US10691344B2 (en) * 2013-05-30 2020-06-23 Hewlett Packard Enterprise Development Lp Separate memory controllers to access data in memory
US9685217B2 (en) * 2013-07-22 2017-06-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Memory device with over-refresh and method thereof
JP2015076110A (ja) * 2013-10-08 2015-04-20 マイクロン テクノロジー， インク． 半導体装置及びこれを備えるデータ処理システム
US10020045B2 (en) * 2013-11-26 2018-07-10 Micron Technology, Inc. Partial access mode for dynamic random access memory
US9230634B2 (en) 2013-12-09 2016-01-05 Qualcomm Incorporated Refresh scheme for memory cells with next bit table
KR102285994B1 (ko) * 2014-05-13 2021-08-06 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 시스템 및 메모리 컨트롤러의 동작 방법
CN108231109B (zh) 2014-06-09 2021-01-29 华为技术有限公司 动态随机存取存储器dram的刷新方法、设备以及系统
WO2016014399A1 (en) * 2014-07-21 2016-01-28 Rensselaer Polytechnic Institute Error tolerant memory system
JP6180450B2 (ja) * 2015-02-02 2017-08-16 キヤノン株式会社 制御装置、制御装置の制御方法及びプログラム
US9384820B1 (en) * 2015-06-12 2016-07-05 Apple Inc. Aligning calibration segments for increased availability of memory subsystem
CN105632546A (zh) * 2015-07-21 2016-06-01 上海磁宇信息科技有限公司 一种mram芯片及其自刷新操作方法
KR102432701B1 (ko) * 2015-11-18 2022-08-16 에스케이하이닉스 주식회사 리프레시 액티브 제어회로 및 이를 포함하는 메모리 장치
KR102501651B1 (ko) * 2016-03-02 2023-02-21 에스케이하이닉스 주식회사 리프레쉬 제어 장치
KR20170118484A (ko) * 2016-04-15 2017-10-25 에스케이하이닉스 주식회사 리프레쉬 제어 장치
KR102439671B1 (ko) * 2016-04-25 2022-09-02 에스케이하이닉스 주식회사 메모리 장치
KR102517700B1 (ko) * 2016-06-10 2023-04-05 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 메모리 장치 및 그의 동작 방법
KR102558044B1 (ko) * 2016-06-14 2023-07-20 에스케이하이닉스 주식회사 비교회로 및 반도체장치
KR102553181B1 (ko) * 2016-07-12 2023-07-10 에스케이하이닉스 주식회사 메모리 장치 및 메모리 장치의 동작 방법
US10318187B2 (en) * 2016-08-11 2019-06-11 SK Hynix Inc. Memory controller and memory system including the same
US10372566B2 (en) 2016-09-16 2019-08-06 Micron Technology, Inc. Storing memory array operational information in nonvolatile subarrays
KR20180114712A (ko) * 2017-04-11 2018-10-19 에스케이하이닉스 주식회사 리프레쉬 컨트롤러 및 그를 포함하는 반도체 메모리 장치
CN108959106B (zh) * 2017-05-18 2020-12-18 华为技术有限公司 内存访问方法和装置
US10109339B1 (en) * 2017-07-28 2018-10-23 Micron Technology, Inc. Memory devices with selective page-based refresh
KR20190047451A (ko) * 2017-10-27 2019-05-08 에스케이하이닉스 주식회사 저항 변화 메모리 장치를 구비한 반도체 메모리 시스템 및 그 구동 방법
KR20190054812A (ko) * 2017-11-14 2019-05-22 삼성전자주식회사 메모리 장치의 구동 방법 및 이를 수행하는 메모리 장치
KR102408867B1 (ko) * 2017-12-20 2022-06-14 삼성전자주식회사 반도체 메모리 장치, 메모리 시스템 및 반도체 메모리 장치의 동작 방법
US10503670B2 (en) * 2017-12-21 2019-12-10 Advanced Micro Devices, Inc. Dynamic per-bank and all-bank refresh
US20190243720A1 (en) * 2018-02-08 2019-08-08 Micron Technology, Inc. Backup operations from volatile to non-volatile memory
KR20190123990A (ko) * 2018-04-25 2019-11-04 에스케이하이닉스 주식회사 메모리 컨트롤러 및 그 동작 방법
KR102573270B1 (ko) * 2018-10-08 2023-08-31 삼성전자주식회사 반도체 메모리 장치 및 이의 구동 방법
US10483978B1 (en) 2018-10-16 2019-11-19 Micron Technology, Inc. Memory device processing
US10824573B1 (en) 2019-04-19 2020-11-03 Micron Technology, Inc. Refresh and access modes for memory
US10991413B2 (en) * 2019-07-03 2021-04-27 Micron Technology, Inc. Memory with programmable die refresh stagger
KR102406449B1 (ko) * 2020-06-25 2022-06-08 에스케이하이닉스 주식회사 스토리지 장치 및 그 동작 방법
KR102853722B1 (ko) * 2020-08-31 2025-09-03 에스케이하이닉스 주식회사 래치 회로 및 이를 포함하는 메모리 장치
US12566557B2 (en) * 2021-06-30 2026-03-03 Rambus Inc. DRAM refresh control with master wordline granularity of refresh intervals
US11520661B1 (en) 2021-07-12 2022-12-06 Apple Inc. Scheduling of data refresh in a memory based on decoding latencies
US20230359558A1 (en) * 2022-05-09 2023-11-09 Advanced Micro Devices, Inc. Approach for skipping near-memory processing commands
US12118221B2 (en) 2022-06-22 2024-10-15 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor memory devices and memory systems including the same
CN115985365B (zh) * 2023-01-03 2025-12-05 长鑫存储技术有限公司 一种补偿刷新方法、装置及存储器
US20240296879A1 (en) * 2023-01-13 2024-09-05 Micron Technology, Inc. Data integrity improvement programming techniques
CN117672290B (zh) * 2024-02-01 2024-05-17 长鑫存储技术(西安)有限公司 存储器结构、刷新方法及存储器
CN120496600A (zh) * 2024-02-07 2025-08-15 长鑫科技集团股份有限公司 存储器结构、刷新方法及存储器

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1139861A (ja) 1997-07-16 1999-02-12 Toshiba Corp ダイナミック型半導体記憶装置
US5909404A (en) 1998-03-27 1999-06-01 Lsi Logic Corporation Refresh sampling built-in self test and repair circuit
US6058069A (en) 1999-04-12 2000-05-02 Etron Technology, Inc. Protection circuit to ensure DRAM signal in write cycle
US6556482B2 (en) 1999-06-24 2003-04-29 Nec Electronics Corporation Semiconductor memory device
US6275437B1 (en) * 2000-06-30 2001-08-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Refresh-type memory with zero write recovery time and no maximum cycle time
US7095669B2 (en) * 2003-11-07 2006-08-22 Infineon Technologies Ag Refresh for dynamic cells with weak retention
JP4322694B2 (ja) * 2004-02-04 2009-09-02 エルピーダメモリ株式会社 半導体記憶装置および半導体記憶装置のリフレッシュ方法
US7099221B2 (en) * 2004-05-06 2006-08-29 Micron Technology, Inc. Memory controller method and system compensating for memory cell data losses
US7193920B2 (en) 2004-11-15 2007-03-20 Hynix Semiconductor Inc. Semiconductor memory device
KR100689708B1 (ko) * 2005-01-05 2007-03-08 삼성전자주식회사 반도체 장치
JP2006344345A (ja) * 2005-05-12 2006-12-21 Nec Electronics Corp 揮発性半導体記憶装置
US7283395B2 (en) * 2005-06-24 2007-10-16 Infineon Technologies Flash Gmbh & Co. Kg Memory device and method for operating the memory device
US7734866B2 (en) * 2005-08-04 2010-06-08 Rambus Inc. Memory with address-differentiated refresh rate to accommodate low-retention storage rows
US8086461B2 (en) 2007-06-13 2011-12-27 At&T Intellectual Property Ii, L.P. System and method for tracking persons of interest via voiceprint
WO2010085405A1 (en) * 2009-01-22 2010-07-29 Rambus Inc. Maintenance operations in a dram
US7990795B2 (en) * 2009-02-19 2011-08-02 Freescale Semiconductor, Inc. Dynamic random access memory (DRAM) refresh
US7872929B2 (en) * 2009-04-28 2011-01-18 Lsi Corporation Accessing memory cells in a memory circuit
KR101879442B1 (ko) * 2011-05-25 2018-07-18 삼성전자주식회사 휘발성 메모리 장치의 리프레쉬 방법, 리프레쉬 어드레스 생성기 및 휘발성 메모리 장치
KR101893895B1 (ko) * 2011-12-16 2018-09-03 삼성전자주식회사 메모리 시스템 및 그 동작 제어 방법
KR20130117198A (ko) * 2012-04-18 2013-10-25 삼성전자주식회사 메모리 셀의 리프레쉬 방법 및 이를 이용한 반도체 메모리 장치
KR102050473B1 (ko) * 2012-09-24 2019-11-29 삼성전자주식회사 리프레쉬 주기를 조절하는 반도체 메모리 장치 및 메모리 시스템
KR20140076735A (ko) * 2012-12-13 2014-06-23 삼성전자주식회사 휘발성 메모리 장치 및 메모리 시스템

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2012009129A5 (cg-RX-API-DMAC10.html)
US11100973B2 (en) Apparatuses and methods for memory devices with continuous self-refresh timer
KR102011796B1 (ko) 메모리 장치 및 이를 포함하는 메모리 시스템
US20160180917A1 (en) Techniques to Reduce Memory Cell Refreshes for a Memory Device
JP2013239228A5 (cg-RX-API-DMAC10.html)
JP2012014824A5 (cg-RX-API-DMAC10.html)
JP2009205578A5 (cg-RX-API-DMAC10.html)
JP2012168927A5 (cg-RX-API-DMAC10.html)
JP2010534897A5 (cg-RX-API-DMAC10.html)
CN107845397B (zh) 存储器系统以及处理器系统
KR102021401B1 (ko) 메모리 장치
JP2016541050A5 (cg-RX-API-DMAC10.html)
JPWO2008047443A1 (ja) メモリ装置及びリフレッシュ調整方法
JP2016526748A5 (cg-RX-API-DMAC10.html)
JP2012104110A5 (cg-RX-API-DMAC10.html)
GB2516400A (en) Method, apparatus and system for a per-dram addressability mode
JP2005537598A (ja) ソフトウェアリフレッシュメモリ装置及び方法
US20220276956A1 (en) Memory system with activate-leveling method
TW201530544A (zh) 記憶體及包含該記憶體的記憶體系統
RU2016133316A (ru) Уменьшение разрушения током считывания в памяти с узлами пересечения
TW200746142A (en) Self refresh operation of semiconductor memory device
JP2014078229A5 (cg-RX-API-DMAC10.html)
KR20160114662A (ko) 메모리 디바이스와 연관된 커맨드의 디스에이블링
JP2016143169A5 (cg-RX-API-DMAC10.html)
KR20170044347A (ko) 메모리 장치 및 메모리 장치의 동작 방법