JP4322694B2 - 半導体記憶装置および半導体記憶装置のリフレッシュ方法 - Google Patents
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Description
前記リテンション時間を測定するステップとして、前記メモリセルがマトリクス状に配置されたサブメモリセルアレイのチエックワード線上のメモリセルデータをデータ退避ワード線上のメモリセルにコピーするステップと、前記チエックワード線と前記データ退避ワード線とを長周期リフレッシュするステップと、前記データ退避ワード線を短周期リフレッシュするステップと、前記チエックワード線上のメモリセルデータを読み出しレジスタに蓄えるステップと、前記データ退避ワード線上のメモリセルデータと前記レジスタに蓄えられた前記チエックワード線上のメモリセルデータとを比較判定するステップと、を有することを特徴とする。
10 メモリセルアレイ
11 サブメモリセルアレイ
12 ロウデコーダおよびワード線ドライバー回路
13 センスアンプ
14 カラムデコーダ
15 アレイコントロール回路
16 データアンプ、データレジスタおよび比較回路
17 カラムアドレス生成およびデータアンプコントロール回路
18 コマンドデコーダ
20 セルフリフレッシュコントロール回路
21 リフレッシュ周期生成オシレータ回路
22 リフレッシュアドレス生成回路
23 長周期リフレッシュデータリテンションチエックコントロール回路
24 リフレッシュ周期設定レジスタ
25 リフレッシュ信号生成回路
26 論理回路
161 データアンプ
162 レジスタ
163 比較回路
164 リテンション時間判定回路
Claims (13)
- 半導体記憶装置において、該半導体記憶装置がリフレッシュモードにエントリーされた時、メモリセルがマトリクス状に配置されたサブメモリセルアレイのチエックワード線上のメモリセルデータを、センスアンプから直接に前記サブメモリセルアレイのデータ退避ワード線上のメモリセルにコピーし、前記データ退避ワード線上のメモリセルに対しては短周期リフレッシュを実施し、前記チエックワード線に対しては長周期リフレッシュを実施し、しかるのち、前記データ退避ワード線上のメモリセルデータと前記チエックワード線上のメモリセルデータとを比較判定することで、前記エントリー時に書きこまれているデータパターンに対する前記チエックワード線上のメモリセルのリテンション時間を測定することを特徴とする半導体記憶装置。
- 前記リテンション時間に対応する複数のリフレッシュ周期を設定し、前記複数のリフレッシュ周期にしたがってリフレッシュすることを特徴とする請求項1記載の半導体記憶装置。
- 前記複数のリフレッシュ周期は短周期Tと、該短周期Tをn倍された長周期nTとを含むことを特徴とする請求項2記載の半導体記憶装置。
- 前記複数のリフレッシュ周期は、前記サブメモリセルアレイのそれぞれのワード線に対して設定されることを特徴とする請求項2または請求項3記載の半導体記憶装置。
- 前記データ退避ワード線上のメモリセルデータと前記チエックワード線上のメモリセルデータとを比較判定し、前記チエックワード線上のメモリセルデータにエラーがある場合には、前記データ退避ワード線上のメモリセルデータを、前記チエックワード線上のメモリセルにコピーバックすることを特徴とする請求項1記載の半導体記憶装置。
- 前記メモリセルがマトリクス状に配置されたサブメモリセルアレイに、さらにデータ退避ワード線を備えたデータ退避用メモリセルアレイを備えたことを特徴とする請求項1記載の半導体記憶装置。
- 前記リテンション時間を測定されるチエックワード線上の被測定メモリセルのデータと、前記データ退避ワード線上のメモリセルのデータとを比較する比較回路を備えたことを特徴とする請求項1記載の半導体記憶装置。
- 前記リテンション時間を測定されるチエックワード線上の被測定メモリセルのデータを保持するレジスタの出力データと、前記データ退避ワード線上のメモリセルのデータを出力するデータアンプからの出力データとを比較する比較回路を備えたことを特徴とする請求項1記載の半導体記憶装置。
- 前記チエックワード線上のメモリセルに対する前記比較回路からの一致/不一致を示す出力情報により、前記チエックワード線のリテンション時間を判定するリテンション判定回路を備えたことを特徴とする請求項7または請求項8記載の半導体記憶装置。
- 前記リテンション判定回路からのリフレッシュ周期設定信号を保持するリフレッシュ周期設定レジスタを備えたことを特徴とする請求項9記載の半導体記憶装置。
- 前記データ退避ワード線はリダンダンシー回路に設けられた冗長ワード線から選択して、設けられることを特徴とする請求項1記載の半導体記憶装置。
- 半導体記憶装置のリフレッシュ方法において、
該半導体記憶装置がリフレッシュモードにエントリーされるステップと、ワード線毎にメモリセルのリテンション時間を測定するステップと、該リテンション時間に対応する複数のリフレッシュ周期を設定するステップと、前記複数のリフレッシュ周期にしたがってリフレッシュするステップと、を有し、
前記リテンション時間を測定するステップとして、
前記メモリセルがマトリクス状に配置されたサブメモリセルアレイのチエックワード線上のメモリセルデータをデータ退避ワード線上のメモリセルにコピーするステップと、前記チエックワード線と前記データ退避ワード線とを長周期リフレッシュするステップと、前記データ退避ワード線を短周期リフレッシュするステップと、前記チエックワード線上のメモリセルデータを読み出しレジスタに蓄えるステップと、前記データ退避ワード線上のメモリセルデータと前記レジスタに蓄えられた前記チエックワード線上のメモリセルデータとを比較判定するステップと、を有することを特徴とする半導体記憶装置のリフレッシュ方法。 - 前記複数のリフレッシュ周期は短周期Tと、該短周期Tをn倍された長周期nTとを含むことを特徴とする請求項12記載の半導体記憶装置のリフレッシュ方法。
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