JP2013070036A - SiC半導体素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】SiC基板上にオーミック電極を形成する工程を含むSiC半導体素子の製造方法において、
上記SiC基板にそれよりも欠陥密度の高いゲッタリング層を基板面に並行して形成した後に、該ゲッタリング層よりも該基板の外寄りに上記オーミック電極を形成することを特徴とするSiC半導体素子の製造方法。
【選択図】図1
Description
上記SiC基板にそれよりも欠陥密度の高いゲッタリング層を基板面に並行して形成した後に、該ゲッタリング層よりも該基板の外寄りに上記オーミック電極を形成することを特徴とするSiC半導体素子の製造方法が提供される。
〔比較例1〕
従来法により、SiC単結晶基板上のエピタキシャル成長層の表面にNiを80nm蒸着し、1000℃×30分の熱処理を行なった。
〔比較例2〕
従来法により、n型の導電性SiC単結晶基板の表面にNiを80nm蒸着し、1000℃×30分の熱処理を行なった。
〔実施例1〕
本発明法により、SiC単結晶基板のエピタキシャル成長層にH+を注入(エネルギー350keV、注入ドーズ量1.9×1015cm−2)して意図的に欠陥を導入した後、表面にNiを80nm蒸着し、1000℃×30分の熱処理を行なった。
〔実施例2〕
本発明法により、SiC単結晶基板のエピタキシャル成長層にNiをイオン注入(密度1×1017cm−3、深さ400nm)した試料に、Heイオンを注入(エネルギー350keV、注入ドーズ量1.6×1016cm−2)して意図的に欠陥を導入した後、1780℃×30分の熱処理を行なった。
U 基板表面(基板面)
R 基板裏面(基板面)
P エピタキシャル層
D 高濃度ドープ層
G ゲッタリング層
E オーミック電極(オーミック電極用の電極金属層)
C ショトキー電極
Claims (3)
- SiC基板上にオーミック電極を形成する工程を含むSiC半導体素子の製造方法において、
上記SiC基板にそれよりも欠陥密度の高いゲッタリング層を基板面に並行して形成した後に、該ゲッタリング層よりも該基板の外寄りに上記オーミック電極を形成することを特徴とするSiC半導体素子の製造方法。 - 請求項1において、上記SiC基板上に更にSiCエピタキシャル層を形成し、該SiCエピタキシャル層上に上記オーミック電極を形成することを特徴とするSiC半導体素子の製造方法。
- 請求項1または2において、上記オーミック電極をNiにより形成することを特徴とするSiC半導体素子の製造方法。
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