JP5092353B2 - 炭化珪素へのドーピング方法および炭化珪素半導体装置の製造方法 - Google Patents
炭化珪素へのドーピング方法および炭化珪素半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
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松波弘之編著,「半導体SiC技術と応用」,日刊工業新聞社(2003)
よびSi膜が1900℃以下に加熱されることが好ましい。これにより、SiCの昇華を抑制しながら、SiCの表面の再構成を実現し、Si膜中のドーパントをSiC中に取り込むことが可能となる。
以下、図1〜図3を参照して、本発明のSiCへのドーピング方法の好ましい一例について説明する。
域が形成される。
以下、図4〜図12を参照して、本発明のSiC半導体装置の製造方法の好ましい一例について説明する。
まず、図4〜図10に示すように、SiC基板201の表面上にn型SiC膜202をエピタキシャル成長させ、n型SiC膜202の一部を除去する。そして、その除去によって露出したn型SiC膜202の表面上にp型SiC膜203を形成し、p型SiC膜203の表面の一部にn型ドーパントがドーピングされたドーピング領域205を形成する。ここまでは実施の形態2と同様である。
したドーピング領域205の表面上にソース電極207aおよびドレイン電極207bを形成する。
まず、図4に示すように、SiC基板201の表面上にn型SiC膜202をCVD法によりエピタキシャル成長させる。ここで、n型SiC膜202の膜厚は10μmで、n型SiC膜202中のn型ドーパント(リン)の濃度は1×1016cm-3である。
まず、図18の模式的断面図に示すように、n型SiC基板301の表面上にn型SiC膜302をCVD法によりエピタキシャル成長させる。ここで、n型SiC膜302の膜厚は10μmで、n型SiC膜302中のn型ドーパント(リン)の濃度は1×1015
cm-3である。
まず、図4〜図10に示すように、SiC基板201の表面上にn型SiC膜202をエピタキシャル成長させ、n型SiC膜202の一部を除去する。そして、その除去により露出したn型SiC膜202の表面上にp型SiC膜203を形成し、p型SiC膜203の表面の一部にリンがドーピングされたドーピング領域205を形成する。ここまでは実施例1と同様である。
ソース電極、207b ドレイン電極、208 ゲート電極、209 成長マスク、306 Ti膜、307 Al膜、308 Ni膜。
Claims (12)
- ドーパントを含む珪素膜を炭化珪素の表面の少なくとも一部に形成する工程と、前記珪素膜を前記炭化珪素に形成した状態で前記炭化珪素および前記珪素膜を熱処理する工程と、を含む、炭化珪素へのドーピング方法。
- 前記熱処理によって前記炭化珪素および前記珪素膜が800℃以上に加熱されることを特徴とする、請求項1に記載の炭化珪素へのドーピング方法。
- 前記熱処理によって前記炭化珪素および前記珪素膜が1900℃以下に加熱されることを特徴とする、請求項1または2に記載の炭化珪素へのドーピング方法。
- 前記珪素膜中の前記ドーパントの濃度が1×1014cm-3以上であることを特徴とする、請求項1から3のいずれかに記載の炭化珪素へのドーピング方法。
- 前記珪素膜中の前記ドーパントの濃度が1×1018cm-3以上であることを特徴とする、請求項1から3のいずれかに記載の炭化珪素へのドーピング方法。
- ドーパントを含む珪素膜を炭化珪素の表面の少なくとも一部に形成する工程と、前記珪素膜を前記炭化珪素に形成した状態で前記炭化珪素および前記珪素膜を熱処理する工程と、を含む、炭化珪素半導体装置の製造方法。
- 前記熱処理によって前記炭化珪素および前記珪素膜が800℃以上に加熱されることを特徴とする、請求項6に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
- 前記熱処理によって前記炭化珪素および前記珪素膜が1900℃以下に加熱されることを特徴とする、請求項6または7に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
- 前記珪素膜中の前記ドーパントの濃度が1×1014cm-3以上であることを特徴とする、請求項6から8のいずれかに記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
- 前記珪素膜中の前記ドーパントの濃度が1×1018cm-3以上であることを特徴とする、請求項6から8のいずれかに記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
- 前記熱処理によって前記炭化珪素に前記ドーパントがドーピングされた領域の少なくとも一部にオーミック電極を形成する工程を含むことを特徴とする、請求項6から10のいずれかに記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
- 前記炭化珪素にドーパントをイオン注入法によりドーピングする工程を含み、前記熱処理は前記炭化珪素にイオン注入法によりドーピングされた前記ドーパントを活性化する工程を兼ねることを特徴とする、請求項6から11のいずれかに記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
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