JP2013048207A - レーザダイシング方法 - Google Patents
レーザダイシング方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013048207A JP2013048207A JP2012074937A JP2012074937A JP2013048207A JP 2013048207 A JP2013048207 A JP 2013048207A JP 2012074937 A JP2012074937 A JP 2012074937A JP 2012074937 A JP2012074937 A JP 2012074937A JP 2013048207 A JP2013048207 A JP 2013048207A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- irradiation
- laser beam
- substrate
- pulse
- processed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 81
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 232
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 claims abstract description 18
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 67
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 44
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 44
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 41
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 41
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 28
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 25
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 10
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 20
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 11
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 7
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 2
- 238000001069 Raman spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000002679 ablation Methods 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005280 amorphization Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000010128 melt processing Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/50—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece
- B23K26/53—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece for modifying or reforming the material inside the workpiece, e.g. for producing break initiation cracks
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/0006—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring taking account of the properties of the material involved
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/08—Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
- B23K26/083—Devices involving movement of the workpiece in at least one axial direction
- B23K26/0853—Devices involving movement of the workpiece in at least in two axial directions, e.g. in a plane
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/36—Removing material
- B23K26/38—Removing material by boring or cutting
- B23K26/382—Removing material by boring or cutting by boring
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
- B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
- B23K2103/56—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26 semiconducting
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Dicing (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
Abstract
【解決手段】被加工基板をステージに載置し、クロック信号を発生し、クロック信号に同期したパルスレーザビームを出射し、被加工基板へのパルスレーザビームの照射と非照射を、クロック信号に同期して、パルスピッカーを用いてパルスレーザビームを制御することで、光パルス単位で切り替え、第1の直線上にパルスレーザビームの第1の照射を行い、第1の照射の後に、第1の直線に略平行に隣接する第2の直線上に前記パルスレーザビームの第2の照射を行い、第1の照射および第2の照射によって、被加工基板に被加工基板表面に達するクラックを形成するレーザダイシング方法。
【選択図】図1
Description
前記パルスレーザビームの照射エネルギー、前記パルスレーザビームの加工点深さ、および、前記パルスレーザビームの照射領域および非照射領域の長さを制御することにより、前記クラックが前記被加工基板表面において連続するよう形成することを特徴とする。
前記第1の照射および前記第2の照射によって、前記金属膜を除去すると同時に前記被加工基板に前記被加工基板表面に達するクラックを形成するレーザダイシング方法であって、前記パルスレーザビームの照射エネルギー、前記パルスレーザビームの加工点深さ、および、前記パルスレーザビームの照射領域および非照射領域の長さを制御することにより、前記金属膜を除去すると同時に前記クラックが前記被加工基板表面において連続するよう形成することを特徴とする。
本実施の形態のレーザダイシング方法は、被加工基板をステージに載置し、クロック信号を発生し、クロック信号に同期したパルスレーザビームを出射し、被加工基板とパルスレーザビームとを相対的に移動させ、被加工基板へのパルスレーザビームの照射と非照射を、クロック信号に同期して、パルスピッカーを用いてパルスレーザビームの通過と遮断を制御することで、光パルス単位で切り替え、第1の直線上にパルスレーザビームの第1の照射を行う。そして、第1の照射の後に、被加工基板へのパルスレーザビームの照射と非照射を、クロック信号に同期して、パルスピッカーを用いてパルスレーザビームの通過と遮断を制御することで、光パルス単位で切り替え、第1の直線に略平行して隣接する第2の直線上に、第1の照射と同一の加工点深さでパルスレーザビームの第2の照射を行う。そして、第1の照射および第2の照射によって、被加工基板に被加工基板表面に達するクラックを形成する。レーザダイシング方法である。そして、パルスレーザビームの照射エネルギー、パルスレーザビームの加工点深さ、および、パルスレーザビームの照射領域および非照射領域の長さを制御することにより、クラックが被加工基板表面において連続するよう形成する。
被加工基板の屈性率:n
被加工基板表面からの加工位置:L
Z軸移動距離:Lz
とすると、
Lz=L/n
となる。即ち、集光レンズによる集光位置を被加工基板の表面をZ軸初期位置とした時、基板表面から深さ「L」の位置に加工する場合、Z軸を「Lz」移動させればよい。
ビームスポット径:D(μm)
繰り返し周波数:F(KHz)
の条件で加工を行うとすると、照射光パルスがスポット径のピッチで照射と非照射を繰り返すためのステージ移動速度V(m/sec)は、
V=D×10−6×F×103
となる。
ビームスポット径:D=2μm
繰り返し周波数:F=50KHz
の加工条件で行うとすると、
ステージ移動速度:V=100mm/sec
となる。
SL:同期位置から基板までの距離
WL:加工長
W1:基板端から照射開始位置までの距離
W2:加工範囲
W3:照射終了位置から基板端までの距離
が管理される。
本実施の形態のレーザダイシング方法は、被加工基板の主面の一方の面にLED(Light Emitting Diode)が形成され、主面の他方の面に金属膜が形成され、パルスレーザビームの第1の照射および第2の照射により金属膜を除去する以外は、第1の実施の形態と同様である。したがって、第1の実施の形態と重複する内容については記述を省略する。
第1の実施の形態に記載した方法により、下記条件でレーザダイシングを行った。
被加工基板:サファイア基板、基板厚150μm、エピタキシャル層なし、金属膜なし
レーザ光源:Nd:YVO4レーザ
波長:532nm
照射エネルギー:2.5μJ/パルス
レーザ周波数:100kHz
照射光パルス数(P1):3
非照射光パルス数(P2):3
照射列数:2列
照射列間隔(S):4μm
位相:列方向に同相
パルス間隔:1.25μm
ステージ速度:5mm/sec
焦点位置:被加工基板表面から16μm
焦点位置を被加工基板表面から20μmとする以外は、実施例1と同様の方法でレーザダイシングを行った。レーザダイシングの結果を、図16に示す。
焦点位置を被加工基板表面から25μmとする以外は、実施例1と同様の方法でレーザダイシングを行った。レーザダイシングの結果を、図16に示す。
焦点位置を被加工基板表面から30μmとする以外は、実施例1と同様の方法でレーザダイシングを行った。レーザダイシングの結果を、図16に示す。
実施例1〜4が、図8(a)に示すように、照射列数が2列であるのに対し、照射列数を1列とし、図8(b)に示すように、同一直線上で異なる2つの深さでパルスレーザビームを照射する以外は、実施例1と同様の方法でレーザダイシングを行った。焦点位置は、被加工基板表面から14μm、39μmの2層とした。位相は深さ方向に同相とした。レーザダイシングの結果を、図16に示す。
第1の実施の形態に記載した方法により、下記条件でレーザダイシングを行った。
被加工基板:サファイア基板、基板厚200μm、エピタキシャル層なし、金属膜なし
レーザ光源:Nd:YVO4レーザ
波長:532nm
照射エネルギー:2.5μJ/パルス
レーザ周波数:100kHz
照射光パルス数(P1):3
非照射光パルス数(P2):3
照射列数:2列
照射列間隔(S):4μm
位相:列方向に同相
パルス間隔:1.25μm
ステージ速度:5mm/sec
焦点位置:被加工基板表面から25μm
図18に示すように、実施例5に対し、2列の間の位置に、深さ方向に1層追加する照射パターンである以外は、実施例5と同様の方法でレーザダイシングを行った。追加する1層の焦点位置は被加工基板表面から65μmとした。追加する1層は上層と深さ方向に同相とした。レーザダイシングの結果を、図17に示す。
追加する1層の焦点位置を被加工基板表面から70μmとする以外は、実施例6と同様の方法でレーザダイシングを行った。レーザダイシングの結果を、図17に示す。
追加する1層の焦点位置を被加工基板表面から75μmとする以外は、実施例6と同様の方法でレーザダイシングを行った。レーザダイシングの結果を、図17に示す。
同一直線上で異なる3つの深さで1列だけパルスレーザビームを照射する以外は、実施例5と同様の方法でレーザダイシングを行った。焦点位置は、被加工基板表面から14μm、49μm、74μmの3層とした。位相は深さ方向に同相とした。レーザダイシングの結果を、図17に示す。
第1の実施の形態に記載した方法により、下記条件でレーザダイシングを行った。
被加工基板:サファイア基板、基板厚300μm、エピタキシャル層なし、金属膜なし
レーザ光源:Nd:YVO4レーザ
波長:532nm
照射エネルギー:2.5μJ/パルス
レーザ周波数:100kHz
照射光パルス数(P1):3
非照射光パルス数(P2):3
照射列数:2列
照射列間隔(S):4μm
深さ方向層数:3層
位相:列方向、深さ方向ともに同相
パルス間隔:1.25μm
ステージ速度:5mm/sec
焦点位置:被加工基板表面から25μm、70μm、125μm
同一直線上で異なる4つの深さで1列だけパルスレーザビームを照射する以外は、実施例9と同様の方法でレーザダイシングを行った。焦点位置は、被加工基板表面から14μm、49μm、84μm、119μmの4層とした。位相は深さ方向に同相とした。レーザダイシングの結果を、図19に示す。
同一直線上で異なる5つの深さで1列だけパルスレーザビームを照射する以外は、実施例9と同様の方法でレーザダイシングを行った。焦点位置は、被加工基板表面から14μm、44μm、74μm、104μm、134μmの5層とした。位相は深さ方向に同相とした。レーザダイシングの結果を、図19に示す。
第2の実施の形態に記載した方法により、下記条件でレーザダイシングを行った。
被加工基板:サファイア基板、基板厚150μm、エピタキシャル層あり、金属膜あり
レーザ光源:Nd:YVO4レーザ
波長:532nm
照射エネルギー:3.0μJ/パルス
レーザ周波数:100kHz
照射光パルス数(P1):3
非照射光パルス数(P2):3
照射列数:2列
照射列間隔(S):4μm
位相:列方向に同相
パルス間隔:1.25μm
ステージ速度:5mm/sec
焦点位置:被加工基板表面から18μm
焦点位置を被加工基板表面から20μmとする以外は、実施例1と同様の方法でレーザダイシングを行った。レーザダイシングの結果を、図20、図21(b)に示す。
照射列数を3列とする以外は、実施例11と同様の方法でレーザダイシングを行った。レーザダイシングの結果を、図20、図21(c)に示す。
2列を重ねる、すなわち、列間隔0で2列を照射し、その列に対し4μmの間隔でもう1列を照射する以外は、実施例12と同様の方法でレーザダイシングを行った。レーザダイシングの結果を、図20、図21(d)に示す
列間隔を2μmとする以外は、実施例12と同様の方法でレーザダイシングを行った。レーザダイシングの結果を、図20、図21(e)に示す
12 レーザ発振器
14 パルスピッカー
16 ビーム整形器
18 集光レンズ
20 XYZステージ部
22 レーザ発振器制御部
24 パルスピッカー制御部
26 加工制御部
28 基準クロック発振回路
30 加工テーブル部
50 サファイア基板
52 エピタキシャル層
54 改質領域
60 金属膜
L1 第1の直線
L2 第2の直線
L3 第3の直線
Claims (12)
- 被加工基板をステージに載置し、
クロック信号を発生し、
前記クロック信号に同期したパルスレーザビームを出射し、
前記被加工基板と前記パルスレーザビームとを相対的に移動させ、
前記被加工基板への前記パルスレーザビームの照射と非照射を、前記クロック信号に同期して、パルスピッカーを用いて前記パルスレーザビームの通過と遮断を制御することで、光パルス単位で切り替え、第1の直線上に前記パルスレーザビームの第1の照射を行い、
前記第1の照射の後に、前記被加工基板への前記パルスレーザビームの照射と非照射を、前記クロック信号に同期して、パルスピッカーを用いて前記パルスレーザビームの通過と遮断を制御することで、光パルス単位で切り替え、前記第1の直線に略平行に隣接する第2の直線上に前記パルスレーザビームの第2の照射を行い、
前記第1の照射および前記第2の照射によって、前記被加工基板に前記被加工基板表面に達するクラックを形成するレーザダイシング方法であって、
前記パルスレーザビームの照射エネルギー、前記パルスレーザビームの加工点深さ、および、前記パルスレーザビームの照射領域および非照射領域の長さを制御することにより、前記クラックが前記被加工基板表面において連続するよう形成することを特徴とするレーザダイシング方法。 - 前記第2の照射を、前記第1の照射と同一の加工点深さで行うことを特徴とする請求項1記載のレーザダイシング方法。
- 前記クラック形成後に前記被加工基板を割断するに要する外力が略最小となるよう前記第1および第2の直線の間隔、前記パルスレーザビームの照射エネルギー、前記パルスレーザビームの加工点深さ、および、前記パルスレーザビームの照射領域および非照射領域の長さを制御することを特徴とする請求項1または請求項2記載のレーザダイシング方法。
- 前記第2の照射における前記パルスレーザビームの照射と非照射のパターンが、前記第1の照射における前記パルスレーザビームの照射と非照射のパターンを、前記第1の直線に垂直な方向に平行移動した関係にあることを特徴とする請求項1ないし請求項3いずれか一項記載のレーザダイシング方法。
- 前記第1の直線と前記第2の直線の間隔をS、前記パルスレーザビームの焦点位置での理論上のビーム直径をdとした場合に、3.2≦S/d≦4.8であることを特徴とする請求項1ないし請求項4いずれか一項記載のレーザダイシング方法。
- 前記被加工基板がサファイア基板であることを特徴とする請求項1ないし請求項5いずれか一項記載のレーザダイシング方法。
- 前記被加工基板の主面の一方の面に発光素子が形成され、他方の面側から前記パルスレーザビームを照射することを特徴とする請求項1ないし請求項6いずれか一項記載のレーザダイシング方法。
- 前記他方の面上に金属膜が形成され、前記第1の照射および第2の照射により前記金属膜を除去することを特徴とする請求項7記載のレーザダイシング方法。
- 被加工基板をステージに載置し、
クロック信号を発生し、
前記クロック信号に同期したパルスレーザビームを出射し、
前記被加工基板と前記パルスレーザビームとを相対的に移動させ、
前記被加工基板への前記パルスレーザビームの照射と非照射を、前記クロック信号に同期して、パルスピッカーを用いて前記パルスレーザビームの通過と遮断を制御することで、光パルス単位で切り替え、第1の直線上に前記パルスレーザビームの第1の照射を行い、
前記第1の照射の後に、前記被加工基板への前記パルスレーザビームの照射と非照射を、前記クロック信号に同期して、パルスピッカーを用いて前記パルスレーザビームの通過と遮断を制御することで、光パルス単位で切り替え、前記第1の直線に略平行に隣接する第2の直線上に前記第1の照射と同一の加工点深さで前記パルスレーザビームの第2の照射を行い、
前記第2の照射後に、前記被加工基板への前記パルスレーザビームの照射と非照射を、前記クロック信号に同期して、パルスピッカーを用いて前記パルスレーザビームの通過と遮断を制御することで、光パルス単位で切り替え、第1の直線と同一または略平行の第3の直線上に前記第1の照射と異なる加工点深さで前記パルスレーザビームの第3の照射を行い、
前記第3の照射の後に、前記被加工基板への前記パルスレーザビームの照射と非照射を、前記クロック信号に同期して、パルスピッカーを用いて前記パルスレーザビームの通過と遮断を制御することで、光パルス単位で切り替え、前記第3の直線に略平行に隣接する第4の直線上に前記第3の照射と同一の加工点深さで前記パルスレーザビームの第4の照射を行い、
前記第1の照射、前記第2の照射、前記第3の照射および前記第4の照射によって、前記被加工基板に前記被加工基板表面に達するクラックを形成するレーザダイシング方法であって、
前記パルスレーザビームの照射エネルギー、前記パルスレーザビームの加工点深さ、および、前記パルスレーザビームの照射領域および非照射領域の長さを制御することにより、前記クラックが前記被加工基板表面において連続するよう形成することを特徴とするレーザダイシング方法。 - 表面に金属膜を有する被加工基板をステージに載置し、
クロック信号を発生し、
前記クロック信号に同期したパルスレーザビームを出射し、
前記被加工基板と前記パルスレーザビームとを相対的に移動させ、
前記被加工基板への前記パルスレーザビームの照射と非照射を、前記クロック信号に同期して、パルスピッカーを用いて前記パルスレーザビームの通過と遮断を制御することで、光パルス単位で切り替え、第1の直線上に前記パルスレーザビームの第1の照射を前記金属膜側から行い、
前記第1の照射の後に、前記被加工基板への前記パルスレーザビームの照射と非照射を、前記クロック信号に同期して、パルスピッカーを用いて前記パルスレーザビームの通過と遮断を制御することで、光パルス単位で切り替え、前記第1の直線に略平行に隣接する第2の直線上に前記パルスレーザビームの第2の照射を前記金属膜側から行い、
前記第1の照射および前記第2の照射によって、前記金属膜を除去すると同時に前記被加工基板に前記被加工基板表面に達するクラックを形成するレーザダイシング方法であって、
前記パルスレーザビームの照射エネルギー、前記パルスレーザビームの加工点深さ、および、前記パルスレーザビームの照射領域および非照射領域の長さを制御することにより、前記金属膜を除去すると同時に前記クラックが前記被加工基板表面において連続するよう形成することを特徴とするレーザダイシング方法。 - 前記第2の照射を、前記第1の照射と同一の加工点深さで行うことを特徴とする請求項10記載のレーザダイシング方法。
- 前記金属膜と反対の前記被加工基板の面にLEDが形成されることを特徴とする請求項10または請求項11記載のレーザダイシング方法。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012074937A JP5140198B1 (ja) | 2011-07-27 | 2012-03-28 | レーザダイシング方法 |
TW101125650A TWI471186B (zh) | 2011-07-27 | 2012-07-17 | Laser cutting method |
US13/556,618 US8871540B2 (en) | 2011-07-27 | 2012-07-24 | Laser dicing method |
KR1020120081534A KR101376435B1 (ko) | 2011-07-27 | 2012-07-26 | 레이저 다이싱 방법 |
CN201210265079.1A CN102896426B (zh) | 2011-07-27 | 2012-07-27 | 激光切片方法 |
US14/466,755 US20140360988A1 (en) | 2011-07-27 | 2014-08-22 | Laser dicing method |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011164042 | 2011-07-27 | ||
JP2011164042 | 2011-07-27 | ||
JP2012074937A JP5140198B1 (ja) | 2011-07-27 | 2012-03-28 | レーザダイシング方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012192985A Division JP5827931B2 (ja) | 2011-07-27 | 2012-09-03 | レーザダイシング方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP5140198B1 JP5140198B1 (ja) | 2013-02-06 |
JP2013048207A true JP2013048207A (ja) | 2013-03-07 |
Family
ID=47569070
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012074937A Expired - Fee Related JP5140198B1 (ja) | 2011-07-27 | 2012-03-28 | レーザダイシング方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8871540B2 (ja) |
JP (1) | JP5140198B1 (ja) |
KR (1) | KR101376435B1 (ja) |
CN (1) | CN102896426B (ja) |
TW (1) | TWI471186B (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9283639B2 (en) | 2012-07-06 | 2016-03-15 | Toshiba Kikai Kabushiki Kaisha | Laser dicing method |
WO2017056744A1 (ja) * | 2015-09-29 | 2017-04-06 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 |
KR20170128099A (ko) * | 2016-05-12 | 2017-11-22 | 가부시기가이샤 디스코 | 사파이어 웨이퍼의 가공 방법 및 레이저 가공 장치 |
EP3913660A1 (en) | 2020-05-22 | 2021-11-24 | Nichia Corporation | Method of cutting semiconductor element and semiconductor element |
JP2021184460A (ja) * | 2020-05-22 | 2021-12-02 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体素子の製造方法および半導体素子 |
US11437542B2 (en) | 2019-09-30 | 2022-09-06 | Nichia Corporation | Method of manufacturing light-emitting element |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL2011290C2 (en) * | 2013-08-12 | 2015-02-16 | Climate Invest B V | A laser micromachining system for writing a pattern onto a substrate using laser micromachining and method. |
KR102306671B1 (ko) | 2015-06-16 | 2021-09-29 | 삼성전자주식회사 | 발광 소자 패키지 |
CN109789511B (zh) * | 2016-07-25 | 2021-12-07 | 幅度系统公司 | 通过多光束飞秒激光来切割材料的方法和装置 |
WO2018042414A1 (en) * | 2016-08-28 | 2018-03-08 | ACS Motion Control Ltd. | Method and system for laser machining of relatively large workpieces |
DE102016224978B4 (de) * | 2016-12-14 | 2022-12-29 | Disco Corporation | Substratbearbeitungsverfahren |
DE102017200631B4 (de) * | 2017-01-17 | 2022-12-29 | Disco Corporation | Verfahren zum Bearbeiten eines Substrats |
CN109262147A (zh) * | 2018-09-29 | 2019-01-25 | 北京工业大学 | 一种陶瓷增强金属基复合材料脉冲激光刻蚀加工方法 |
US10576585B1 (en) | 2018-12-29 | 2020-03-03 | Cree, Inc. | Laser-assisted method for parting crystalline material |
US10562130B1 (en) | 2018-12-29 | 2020-02-18 | Cree, Inc. | Laser-assisted method for parting crystalline material |
US11024501B2 (en) | 2018-12-29 | 2021-06-01 | Cree, Inc. | Carrier-assisted method for parting crystalline material along laser damage region |
US11171055B2 (en) * | 2019-01-31 | 2021-11-09 | The Government Of The United States Of America, As Represented By The Secretary Of The Navy | UV laser slicing of β-Ga2O3 by micro-crack generation and propagation |
US10611052B1 (en) | 2019-05-17 | 2020-04-07 | Cree, Inc. | Silicon carbide wafers with relaxed positive bow and related methods |
CN112296511B (zh) * | 2020-09-30 | 2023-06-20 | 北京石榴果科技有限公司 | 宝石的微缩标识加工、读取、检测方法及加工装置 |
WO2022203983A1 (en) * | 2021-03-24 | 2022-09-29 | Applied Materials, Inc. | Methods to dice optical devices with optimization of laser pulse spatial distribution |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3867107B2 (ja) * | 2000-09-13 | 2007-01-10 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP2010228007A (ja) * | 2008-12-24 | 2010-10-14 | Toshiba Mach Co Ltd | パルスレーザ加工装置およびパルスレーザ加工方法 |
JP2011091322A (ja) * | 2009-10-26 | 2011-05-06 | Toshiba Mach Co Ltd | レーザダイシング方法およびレーザダイシング装置 |
Family Cites Families (91)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3985597A (en) | 1975-05-01 | 1976-10-12 | International Business Machines Corporation | Process for forming passivated metal interconnection system with a planar surface |
US4519872A (en) | 1984-06-11 | 1985-05-28 | International Business Machines Corporation | Use of depolymerizable polymers in the fabrication of lift-off structure for multilevel metal processes |
CH670211A5 (ja) | 1986-06-25 | 1989-05-31 | Lasarray Holding Ag | |
JP2569711B2 (ja) | 1988-04-07 | 1997-01-08 | 株式会社ニコン | 露光制御装置及び該装置による露光方法 |
US4894115A (en) | 1989-02-14 | 1990-01-16 | General Electric Company | Laser beam scanning method for forming via holes in polymer materials |
JP2937361B2 (ja) | 1989-09-29 | 1999-08-23 | 日本電気株式会社 | レーザ加工機 |
US5000811A (en) | 1989-11-22 | 1991-03-19 | Xerox Corporation | Precision buttable subunits via dicing |
DE69102995T2 (de) | 1990-07-31 | 1994-10-27 | Materials And Intelligent Devi | Yag-laserbearbeitungsmaschine zur bearbeitung von dünnschichten. |
JP2919037B2 (ja) | 1990-09-26 | 1999-07-12 | 日本電気株式会社 | レーザパターン形成装置 |
JP2743673B2 (ja) | 1991-12-27 | 1998-04-22 | 澁谷工業株式会社 | 三次元レーザ加工装置 |
US5742634A (en) | 1994-08-24 | 1998-04-21 | Imar Technology Co. | Picosecond laser |
US6373026B1 (en) * | 1996-07-31 | 2002-04-16 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Laser beam machining method for wiring board, laser beam machining apparatus for wiring board, and carbonic acid gas laser oscillator for machining wiring board |
JP3636835B2 (ja) | 1996-08-07 | 2005-04-06 | ローム株式会社 | 基板分割方法およびその基板分割を用いた発光素子製造方法 |
US6001297A (en) | 1997-04-28 | 1999-12-14 | 3D Systems, Inc. | Method for controlling exposure of a solidfiable medium using a pulsed radiation source in building a three-dimensional object using stereolithography |
JPH10305384A (ja) | 1997-05-02 | 1998-11-17 | Nec Corp | レーザ加工装置 |
JP3532100B2 (ja) | 1997-12-03 | 2004-05-31 | 日本碍子株式会社 | レーザ割断方法 |
US6172325B1 (en) | 1999-02-10 | 2001-01-09 | Electro Scientific Industries, Inc. | Laser processing power output stabilization apparatus and method employing processing position feedback |
US20040134894A1 (en) | 1999-12-28 | 2004-07-15 | Bo Gu | Laser-based system for memory link processing with picosecond lasers |
US7838794B2 (en) | 1999-12-28 | 2010-11-23 | Gsi Group Corporation | Laser-based method and system for removing one or more target link structures |
US7723642B2 (en) | 1999-12-28 | 2010-05-25 | Gsi Group Corporation | Laser-based system for memory link processing with picosecond lasers |
JP3408805B2 (ja) | 2000-09-13 | 2003-05-19 | 浜松ホトニクス株式会社 | 切断起点領域形成方法及び加工対象物切断方法 |
JP4659300B2 (ja) | 2000-09-13 | 2011-03-30 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及び半導体チップの製造方法 |
US7157038B2 (en) | 2000-09-20 | 2007-01-02 | Electro Scientific Industries, Inc. | Ultraviolet laser ablative patterning of microstructures in semiconductors |
JP2002103066A (ja) | 2000-09-25 | 2002-04-09 | Nec Corp | レーザ加工装置 |
US20060091126A1 (en) | 2001-01-31 | 2006-05-04 | Baird Brian W | Ultraviolet laser ablative patterning of microstructures in semiconductors |
US6770544B2 (en) | 2001-02-21 | 2004-08-03 | Nec Machinery Corporation | Substrate cutting method |
JP2002273585A (ja) | 2001-03-16 | 2002-09-25 | Ricoh Microelectronics Co Ltd | ビーム加工方法及びその装置、並びにタッチパネル基板の製造方法 |
JP2003100653A (ja) | 2001-09-26 | 2003-04-04 | Sharp Corp | 加工装置および加工方法 |
JP2004351466A (ja) | 2003-05-29 | 2004-12-16 | Aisin Seiki Co Ltd | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 |
WO2005024920A1 (en) | 2003-09-09 | 2005-03-17 | Csg Solar, Ag | Improved method of forming openings in an organic resin material |
JP2005088068A (ja) | 2003-09-19 | 2005-04-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | レーザ加工装置及びレーザ加工工法 |
JP2005101413A (ja) | 2003-09-26 | 2005-04-14 | Disco Abrasive Syst Ltd | 薄板状被加工物の分割方法及び装置 |
JP4348199B2 (ja) | 2004-01-16 | 2009-10-21 | 日立ビアメカニクス株式会社 | レーザ加工方法およびレーザ加工装置 |
JP2005268752A (ja) | 2004-02-19 | 2005-09-29 | Canon Inc | レーザ割断方法、被割断部材および半導体素子チップ |
DE102004024475A1 (de) | 2004-05-14 | 2005-12-01 | Lzh Laserzentrum Hannover E.V. | Verfahren und Vorrichtung zum Trennen von Halbleitermaterialien |
JP4694795B2 (ja) | 2004-05-18 | 2011-06-08 | 株式会社ディスコ | ウエーハの分割方法 |
JP2006123228A (ja) | 2004-10-27 | 2006-05-18 | Disco Abrasive Syst Ltd | レーザ加工方法およびレーザ加工装置 |
JP4843212B2 (ja) | 2004-10-29 | 2011-12-21 | 東京エレクトロン株式会社 | レーザー処理装置及びレーザー処理方法 |
JP4781661B2 (ja) | 2004-11-12 | 2011-09-28 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
US20060102601A1 (en) | 2004-11-12 | 2006-05-18 | The Regents Of The University Of California | Feedback controlled laser machining system |
JP2006159254A (ja) | 2004-12-07 | 2006-06-22 | Disco Abrasive Syst Ltd | レーザー加工装置 |
US20060191884A1 (en) | 2005-01-21 | 2006-08-31 | Johnson Shepard D | High-speed, precise, laser-based material processing method and system |
US7528342B2 (en) | 2005-02-03 | 2009-05-05 | Laserfacturing, Inc. | Method and apparatus for via drilling and selective material removal using an ultrafast pulse laser |
US7284396B2 (en) | 2005-03-01 | 2007-10-23 | International Gemstone Registry Inc. | Method and system for laser marking in the volume of gemstones such as diamonds |
JP4751634B2 (ja) | 2005-03-31 | 2011-08-17 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
KR100915273B1 (ko) | 2005-06-01 | 2009-09-03 | 페톤 가부시끼가이샤 | 레이저 가공장치 및 레이저 가공방법 |
JP2007021528A (ja) | 2005-07-15 | 2007-02-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | レーザ加工装置およびその調整方法 |
JP2007048995A (ja) | 2005-08-11 | 2007-02-22 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
AU2006299612A1 (en) | 2005-10-03 | 2007-04-12 | Aradigm Corporation | Method and system for laser machining |
JP4786997B2 (ja) | 2005-10-25 | 2011-10-05 | 株式会社ディスコ | レーザー加工装置 |
JP2007165850A (ja) * | 2005-11-16 | 2007-06-28 | Denso Corp | ウェハおよびウェハの分断方法 |
JP2007142000A (ja) * | 2005-11-16 | 2007-06-07 | Denso Corp | レーザ加工装置およびレーザ加工方法 |
US7443903B2 (en) | 2006-04-19 | 2008-10-28 | Mobius Photonics, Inc. | Laser apparatus having multiple synchronous amplifiers tied to one master oscillator |
JP5232375B2 (ja) | 2006-10-13 | 2013-07-10 | アイシン精機株式会社 | 半導体発光素子の分離方法 |
JP4909657B2 (ja) | 2006-06-30 | 2012-04-04 | 株式会社ディスコ | サファイア基板の加工方法 |
ES2428826T3 (es) | 2006-07-03 | 2013-11-11 | Hamamatsu Photonics K.K. | Procedimiento de procesamiento por láser y chip |
US7529281B2 (en) | 2006-07-11 | 2009-05-05 | Mobius Photonics, Inc. | Light source with precisely controlled wavelength-converted average power |
US8084706B2 (en) | 2006-07-20 | 2011-12-27 | Gsi Group Corporation | System and method for laser processing at non-constant velocities |
JP5054949B2 (ja) * | 2006-09-06 | 2012-10-24 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
GB2444037A (en) | 2006-11-27 | 2008-05-28 | Xsil Technology Ltd | Laser Machining |
US9029731B2 (en) | 2007-01-26 | 2015-05-12 | Electro Scientific Industries, Inc. | Methods and systems for laser processing continuously moving sheet material |
JP2008198905A (ja) | 2007-02-15 | 2008-08-28 | Hitachi Metals Ltd | セラミックス基板及びセラミックス回路基板の製造方法並びに集合基板と半導体モジュール |
JP4885762B2 (ja) | 2007-02-27 | 2012-02-29 | 株式会社ディスコ | チャックテーブルに保持された被加工物の計測装置およびレーザー加工機 |
JP5162163B2 (ja) | 2007-06-27 | 2013-03-13 | 株式会社ディスコ | ウェーハのレーザ加工方法 |
US8148663B2 (en) | 2007-07-31 | 2012-04-03 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method of improving beam shaping and beam homogenization |
KR101420703B1 (ko) | 2007-09-19 | 2014-07-23 | 지에스아이 그룹 코포레이션 | 고속 빔 편향 링크 가공 |
JP2009123875A (ja) | 2007-11-14 | 2009-06-04 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | レーザーダイシング方法 |
JP5134928B2 (ja) | 2007-11-30 | 2013-01-30 | 浜松ホトニクス株式会社 | 加工対象物研削方法 |
JP5043630B2 (ja) | 2007-12-18 | 2012-10-10 | 株式会社ディスコ | レーザー加工機 |
JP4790735B2 (ja) | 2008-01-08 | 2011-10-12 | 長野県 | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 |
JP5284651B2 (ja) | 2008-01-29 | 2013-09-11 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
JP5171294B2 (ja) | 2008-02-06 | 2013-03-27 | 株式会社ディスコ | レーザ加工方法 |
JP2009200140A (ja) | 2008-02-20 | 2009-09-03 | Disco Abrasive Syst Ltd | 半導体チップの製造方法 |
JP4584322B2 (ja) | 2008-03-24 | 2010-11-17 | 株式会社レーザーシステム | レーザ加工方法 |
US8178818B2 (en) | 2008-03-31 | 2012-05-15 | Electro Scientific Industries, Inc. | Photonic milling using dynamic beam arrays |
US7982160B2 (en) | 2008-03-31 | 2011-07-19 | Electro Scientific Industries, Inc. | Photonic clock stabilized laser comb processing |
KR20100039690A (ko) | 2008-10-08 | 2010-04-16 | 주식회사 하이닉스반도체 | 웨이퍼 쏘잉 방법 |
JP4612733B2 (ja) | 2008-12-24 | 2011-01-12 | 東芝機械株式会社 | パルスレーザ加工装置 |
BR122019015544B1 (pt) | 2009-02-25 | 2020-12-22 | Nichia Corporation | método para fabricar um elemento semicondutor, e, elemento semicondutor |
WO2010139841A1 (en) | 2009-06-04 | 2010-12-09 | Corelase Oy | Method and apparatus for processing substrates |
JP5148575B2 (ja) | 2009-09-15 | 2013-02-20 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法、及び、レーザ加工装置 |
JP5452247B2 (ja) | 2010-01-21 | 2014-03-26 | 東芝機械株式会社 | レーザダイシング装置 |
JP5498852B2 (ja) | 2010-05-19 | 2014-05-21 | 東芝機械株式会社 | パルスレーザ加工装置、シェーディング補正装置およびパルスレーザ加工方法 |
JP5634765B2 (ja) | 2010-06-24 | 2014-12-03 | 東芝機械株式会社 | パルスレーザ加工方法およびパルスレーザ加工用データ作成方法 |
JP5632662B2 (ja) | 2010-06-24 | 2014-11-26 | 東芝機械株式会社 | パルスレーザ加工方法 |
JP5981094B2 (ja) * | 2010-06-24 | 2016-08-31 | 東芝機械株式会社 | ダイシング方法 |
JP5333399B2 (ja) | 2010-09-30 | 2013-11-06 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | レーザー加工装置、被加工物の加工方法および被加工物の分割方法 |
JP2013046924A (ja) | 2011-07-27 | 2013-03-07 | Toshiba Mach Co Ltd | レーザダイシング方法 |
JP2013027887A (ja) | 2011-07-27 | 2013-02-07 | Toshiba Mach Co Ltd | レーザダイシング方法 |
JP5827931B2 (ja) | 2011-07-27 | 2015-12-02 | 東芝機械株式会社 | レーザダイシング方法 |
JP5865671B2 (ja) | 2011-10-25 | 2016-02-17 | 東芝機械株式会社 | パルスレーザ加工装置 |
-
2012
- 2012-03-28 JP JP2012074937A patent/JP5140198B1/ja not_active Expired - Fee Related
- 2012-07-17 TW TW101125650A patent/TWI471186B/zh active
- 2012-07-24 US US13/556,618 patent/US8871540B2/en active Active
- 2012-07-26 KR KR1020120081534A patent/KR101376435B1/ko active IP Right Grant
- 2012-07-27 CN CN201210265079.1A patent/CN102896426B/zh active Active
-
2014
- 2014-08-22 US US14/466,755 patent/US20140360988A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3867107B2 (ja) * | 2000-09-13 | 2007-01-10 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP2010228007A (ja) * | 2008-12-24 | 2010-10-14 | Toshiba Mach Co Ltd | パルスレーザ加工装置およびパルスレーザ加工方法 |
JP2011091322A (ja) * | 2009-10-26 | 2011-05-06 | Toshiba Mach Co Ltd | レーザダイシング方法およびレーザダイシング装置 |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9283639B2 (en) | 2012-07-06 | 2016-03-15 | Toshiba Kikai Kabushiki Kaisha | Laser dicing method |
WO2017056744A1 (ja) * | 2015-09-29 | 2017-04-06 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 |
CN108136539A (zh) * | 2015-09-29 | 2018-06-08 | 浜松光子学株式会社 | 激光加工方法及激光加工装置 |
TWI706823B (zh) * | 2015-09-29 | 2020-10-11 | 日商濱松赫德尼古斯股份有限公司 | 雷射加工方法及雷射加工裝置 |
US11103959B2 (en) | 2015-09-29 | 2021-08-31 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method, and laser processing device |
KR20170128099A (ko) * | 2016-05-12 | 2017-11-22 | 가부시기가이샤 디스코 | 사파이어 웨이퍼의 가공 방법 및 레이저 가공 장치 |
KR102250212B1 (ko) | 2016-05-12 | 2021-05-07 | 가부시기가이샤 디스코 | 사파이어 웨이퍼의 가공 방법 및 레이저 가공 장치 |
US11437542B2 (en) | 2019-09-30 | 2022-09-06 | Nichia Corporation | Method of manufacturing light-emitting element |
EP3913660A1 (en) | 2020-05-22 | 2021-11-24 | Nichia Corporation | Method of cutting semiconductor element and semiconductor element |
JP2021184460A (ja) * | 2020-05-22 | 2021-12-02 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体素子の製造方法および半導体素子 |
JP7186357B2 (ja) | 2020-05-22 | 2022-12-09 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体素子の製造方法および半導体素子 |
US11901233B2 (en) | 2020-05-22 | 2024-02-13 | Nichia Corporation | Method of manufacturing semiconductor element and semiconductor element |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102896426A (zh) | 2013-01-30 |
US20140360988A1 (en) | 2014-12-11 |
TWI471186B (zh) | 2015-02-01 |
KR101376435B1 (ko) | 2014-03-21 |
US20130029444A1 (en) | 2013-01-31 |
TW201318752A (zh) | 2013-05-16 |
KR20130014029A (ko) | 2013-02-06 |
JP5140198B1 (ja) | 2013-02-06 |
US8871540B2 (en) | 2014-10-28 |
CN102896426B (zh) | 2015-07-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5140198B1 (ja) | レーザダイシング方法 | |
JP5452247B2 (ja) | レーザダイシング装置 | |
JP5620669B2 (ja) | レーザダイシング方法およびレーザダイシング装置 | |
JP5981094B2 (ja) | ダイシング方法 | |
JP2014011358A (ja) | レーザダイシング方法 | |
KR101426598B1 (ko) | 레이저 다이싱 방법 | |
JP5827931B2 (ja) | レーザダイシング方法 | |
KR101376398B1 (ko) | 레이저 다이싱 방법 | |
JP5596750B2 (ja) | レーザダイシング方法 | |
JP4813624B1 (ja) | レーザダイシング方法 | |
JP2015123482A (ja) | レーザダイシング装置およびレーザダイシング方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121113 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121116 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5140198 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151122 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |