CN102896426A - 激光切片方法 - Google Patents

激光切片方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102896426A
CN102896426A CN2012102650791A CN201210265079A CN102896426A CN 102896426 A CN102896426 A CN 102896426A CN 2012102650791 A CN2012102650791 A CN 2012102650791A CN 201210265079 A CN201210265079 A CN 201210265079A CN 102896426 A CN102896426 A CN 102896426A
Authority
CN
China
Prior art keywords
mentioned
irradiation
laser beam
pulse laser
processed substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2012102650791A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102896426B (zh
Inventor
佐藤庄一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shibaura Machine Co Ltd
Original Assignee
Toshiba Machine Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Machine Co Ltd filed Critical Toshiba Machine Co Ltd
Publication of CN102896426A publication Critical patent/CN102896426A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102896426B publication Critical patent/CN102896426B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/50—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece
    • B23K26/53—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece for modifying or reforming the material inside the workpiece, e.g. for producing break initiation cracks
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/0006—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring taking account of the properties of the material involved
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/08—Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
    • B23K26/083—Devices involving movement of the workpiece in at least one axial direction
    • B23K26/0853—Devices involving movement of the workpiece in at least in two axial directions, e.g. in a plane
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/38—Removing material by boring or cutting
    • B23K26/382—Removing material by boring or cutting by boring
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
    • B23K2103/56—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26 semiconducting

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)

Abstract

一种激光切片方法，将被加工基板载置到台上，产生时钟信号，射出与时钟信号同步的脉冲激光束，通过与时钟信号同步而使用脉冲选择器控制脉冲激光束，由此以光脉冲单位切换脉冲激光束向被加工基板的照射和不照射，向第一直线上进行脉冲激光束的第一照射，在第一照射之后，向与第一直线大致平行地相邻的第二直线上进行上述脉冲激光束的第二照射，通过第一照射和第二照射，在被加工基板上形成到达被加工基板表面的裂纹。

Description

激光切片方法
本申请基于2011年7月27日提出的日本专利申请(JPA)第2011-164042号和2012年3月28日提出的日本专利申请(JPA)第2012-074937号并主张其优先权，这里通过引用而包含其全部内容。
技术领域
本发明涉及使用脉冲激光束的激光切片方法。
背景技术
在日本专利第3867107号公报中，公开了在半导体基板的切片中使用脉冲激光束的方法。专利文献1的方法由于通过脉冲激光束产生的光学损伤而在加工对象物的内部形成裂纹区域。而且，以该裂纹区域为起点，将加工对象物切断。
在以往的技术中，以脉冲激光束的能量、光斑径、脉冲激光束和加工对象物的相对移动速度等为参数来控制裂纹区域的形成。
发明内容
本发明的一个技术方案的激光切片方法，将被加工基板载置到台上；产生时钟信号；射出与上述时钟信号同步的脉冲激光束；使上述被加工基板和上述脉冲激光束相对移动；与上述时钟信号同步而使用脉冲选择器控制上述脉冲激光束的通过和截断，由此以光脉冲单位切换上述脉冲激光束向上述被加工基板的照射和不照射，向第一直线上进行上述脉冲激光束的第一照射；在上述第一照射之后，与上述时钟信号同步而使用脉冲选择器控制上述脉冲激光束的通过和截断，由此以光脉冲单位切换上述脉冲激光束向上述被加工基板的照射和不照射，向与上述第一直线大致平行地相邻的第二直线上进行上述脉冲激光束的第二照射；通过上述第一照射和上述第二照射，在上述被加工基板上形成到达上述被加工基板表面的裂纹；在该激光切片方法中，通过控制上述脉冲激光束的照射能量、上述脉冲激光束的加工点深度及上述脉冲激光束的照射区域和不照射区域的长度，上述裂纹在上述被加工基板表面上连续地形成。
上述技术方案的方法中，优选的是，以与上述第一照射相同的加工点深度进行上述第二照射。
上述技术方案的方法中，优选的是，控制上述第一和第二直线之间的间隔、上述脉冲激光束的照射能量、上述脉冲激光束的加工点深度及上述脉冲激光束的照射区域和不照射区域的长度，以使在上述裂纹形成后，切断上述被加工基板所需要的外力大致最小。
上述技术方案的方法中，优选的是，上述第二照射中的上述脉冲激光束的照射和不照射的图案，处于使上述第一照射中的上述脉冲激光束的照射和不照射的图案在与上述第一直线垂直的方向上平行移动了的关系。
上述技术方案的方法中，优选的是，在设上述第一直线和上述第二直线之间的间隔为S、上述脉冲激光束在焦点位置处的理论上的光束直径为d的情况下，3.2≤S/d≤4.8。
上述技术方案的方法中，优选的是，上述被加工基板是蓝宝石基板。
上述技术方案的方法中，优选的是，在上述被加工基板的主面中的一个面上形成发光元件，从另一个面侧照射上述脉冲激光束。
上述技术方案的方法中，优选的是，在上述另一个面上形成金属膜，通过上述第一照射和第二照射除去上述金属膜。
本发明的一个技术方案的激光切片方法，将被加工基板载置到台上；产生时钟信号；射出与上述时钟信号同步的脉冲激光束；使上述被加工基板和上述脉冲激光束相对移动；与上述时钟信号同步而使用脉冲选择器控制上述脉冲激光束的通过和截断，由此以光脉冲单位切换上述脉冲激光束向上述被加工基板的照射和不照射，向第一直线上进行上述脉冲激光束的第一照射；在上述第一照射之后，与上述时钟信号同步而使用脉冲选择器控制上述脉冲激光束的通过和截断，由此以光脉冲单位切换上述脉冲激光束向上述被加工基板的照射和不照射，向与上述第一直线大致平行地相邻的第二直线上以与上述第一照射相同的加工点深度进行上述脉冲激光束的第二照射；在上述第二照射之后，与上述时钟信号同步而使用脉冲选择器控制上述脉冲激光束的通过和截断，由此以光脉冲单位切换上述脉冲激光束向上述被加工基板的照射和不照射，向与第一直线相同或大致平行的第三直线上以与上述第一照射不同的加工点深度进行上述脉冲激光束的第三照射；在上述第三照射之后，与上述时钟信号同步而使用脉冲选择器控制上述脉冲激光束的通过和截断，由此以光脉冲单位切换上述脉冲激光束向上述被加工基板的照射和不照射，向与上述第三直线大致平行地相邻的第四直线上以与上述第三照射相同的加工点深度进行上述脉冲激光束的第四照射；通过上述第一照射、上述第二照射、上述第三照射和上述第四照射，在上述被加工基板上形成到达上述被加工基板表面的裂纹；在该激光切片方法中，通过控制上述脉冲激光束的照射能量、上述脉冲激光束的加工点深度及上述脉冲激光束的照射区域和不照射区域的长度，上述裂纹在上述被加工基板表面上连续地形成。
本发明的一个技术方案的激光切片方法，将表面上具有金属膜的被加工基板载置到台上；产生时钟信号；射出与上述时钟信号同步的脉冲激光束；使上述被加工基板和上述脉冲激光束相对移动；与上述时钟信号同步而使用脉冲选择器控制上述脉冲激光束的通过和截断，由此以光脉冲单位切换上述脉冲激光束向上述被加工基板的照射和不照射，从上述金属膜侧向第一直线上进行上述脉冲激光束的第一照射；在上述第一照射之后，与上述时钟信号同步而使用脉冲选择器控制上述脉冲激光束的通过和截断，由此以光脉冲单位切换上述脉冲激光束向上述被加工基板的照射和不照射，从上述金属膜侧向与上述第一直线大致平行地相邻的第二直线上进行上述脉冲激光束的第二照射；通过上述第一照射和上述第二照射，与除去上述金属膜同时，在上述被加工基板上形成到达上述被加工基板表面的裂纹；在该激光切片方法中，通过控制上述脉冲激光束的照射能量、上述脉冲激光束的加工点深度及上述脉冲激光束的照射区域和不照射区域的长度，与除去上述金属膜同时，上述裂纹在上述被加工基板表面上连续地形成。
上述技术方案的方法中，优选的是，以与上述第一照射相同的加工点深度进行上述第二照射。
上述技术方案的方法中，优选的是，在与上述金属膜相反的上述被加工基板的面上形成LED。
附图说明
图1是表示第一实施方式的激光切片方法中使用的激光切片装置的一例的概略结构图。
图2是说明第一实施方式的激光切片方法的定时控制的图。
图3是表示第一实施方式的激光切片方法的脉冲选择器动作和调制脉冲激光束的定时的图。
图4是第一实施方式的激光切片方法的照射图案的说明图。
图5是表示照射在第一实施方式的蓝宝石基板上的照射图案的俯视图。
图6是图5的AA剖视图。
图7是说明第一实施方式的台移动和切片加工的关系的图。
图8A、8B是说明第一实施方式的激光切片方法的作用的图。
图9是表示第一实施方式的激光切片方法中的照射列间隔S、脉冲激光束的光束直径d和切断力之间的关系的图。
图10是第一实施方式的激光切片方法的说明图。
图11是第一实施方式的激光切片方法的说明图。
图12A、12B是使不同的加工点深度的脉冲激光束在基板的相同扫描线上扫描多次来形成裂纹的情况的说明图。
图13是表示实施例1的照射图案的图。
图14A、14B是表示实施例1的激光切片的结果的图。
图15是表示实施例1的激光切片的结果的图。
图16是表示实施例1~4、比较例1的激光切片的结果的图。
图17是表示实施例5~8、比较例2的激光切片的结果的图。
图18是表示实施例6的照射图案的图。
图19是表示实施例9、比较例3、4的激光切片的结果的图。
图20是表示实施例10~14的激光切片的结果的图。
图21A~21E是表示实施例10~14的激光切片的结果的图。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。另外，本说明书中，所谓加工点，意味着脉冲激光束在被加工基板内的聚光位置(焦点位置)附近的点，是被加工基板的改性程度在深度方向上成为最大的点。而且，所谓加工点深度，意味着脉冲激光束的加工点距离被加工基板表面的深度。
(第一实施方式)
本实施方式的激光切片方法是如下激光切片方法，将被加工基板载置在台上，产生时钟信号，射出与时钟信号同步的脉冲激光束，使被加工基板和脉冲激光束相对移动，通过与时钟信号同步而使用脉冲选择器控制脉冲激光束的通过和截断，由此以光脉冲单位切换向被加工基板的脉冲激光束的照射和不照射，向第一直线上进行脉冲激光束的第一照射。而且，在第一照射之后，通过与时钟信号同步而使用脉冲选择器控制脉冲激光束的通过和截断，由此以光脉冲单位切换向被加工基板的脉冲激光束的照射和不照射，向与第一直线大致平行地相邻的第二直线上，以与第一照射相同的加工点深度进行脉冲激光束的第二照射。而且，通过第一照射和第二照射，在被加工基板上形成到达被加工基板表面的裂纹。而且，通过控制脉冲激光束的照射能量、脉冲激光束的加工点深度及脉冲激光束的照射区域和不照射区域的长度，裂纹在被加工基板表面上连续地形成。
根据本实施方式，能够提供通过上述结构实现优异的切断特性的激光切片方法。这里，所谓优异的切断特性，可以列举：(1)切断部被直线性良好地切断，(2)能够以小的切断力切断，以便提高切片的元件的回收率，(3)裂纹形成时不会因为照射的激光的影响而产生设在基板上元件、例如由基板上的外延层形成的LED元件的劣化等。
而且，通过在被加工基板表面上形成连续的裂纹，尤其使蓝宝石基板之类硬质的基板的切片变得容易。此外，实现窄的切片宽度下的切片。并且，根据本实施方式，通过以相同的加工点深度照射平行的多列脉冲激光束，能够在将被加工基板内的加工点深度保持为较浅的状态下降低切割弹力（割弾力）。因而，即使在被加工基板的相反面上形成有LED或LD等发光元件的情况下，也能够抑制由激光束照射引起的元件的劣化。
实现上述激光切片方法的本实施方式的激光切片装置具备：台，能够载置被加工基板；基准时钟振荡电路，产生时钟信号；激光振荡器，射出脉冲激光束；激光振荡器控制部，使脉冲激光束与时钟信号同步；脉冲选择器，设在激光振荡器和台之间的光路中，切换脉冲激光束向被加工基板的照射和不照射；脉冲选择器控制部，与时钟信号同步，以光脉冲单位控制脉冲激光束在脉冲选择器中的通过和截断。
图1是表示本实施方式的激光切片装置的一例的概略结构图。如图1所示，本实施方式的激光切片装置10作为其主要的结构而具备激光振荡器12、脉冲选择器14、光束整形器16、聚光透镜18、XYZ台部20、激光振荡器控制部22、脉冲选择器控制部24及加工控制部26。在加工控制部26中，具备产生希望的时钟信号S1的基准时钟振荡电路28及加工表部30。
激光振荡器12构成为，射出与由基准时钟振荡电路28产生的时钟信号S1同步的周期Tc的脉冲激光束PL1。照射脉冲光的强度表示高斯分布。时钟信号S1是用于激光切片加工的控制的加工控制用时钟信号。
这里，从激光振荡器12射出的激光波长使用对被加工基板有透过性的波长。作为激光，可以使用Nd：YAG激光、Nd：YVO4激光、Nd：YLF激光等。例如，在被加工基板是蓝宝石基板的情况下，优选地使用波长532nm的Nd：YVO4激光。
脉冲选择器14设在激光振荡器12和聚光透镜18之间的光路中。而且，构成为，通过与时钟信号S1同步来切换脉冲激光束PL1的通过和截断(开/关)而以光脉冲数单位切换脉冲激光束PL1向被加工基板的照射和不照射。这样，通过脉冲选择器14的动作，脉冲激光束PL1为了被加工基板的加工而被控制开/关，成为调制后的调制脉冲激光束PL2。
脉冲选择器14优选地由例如声光元件(AOM)构成。此外，也可以使用例如喇曼衍射型的电光元件(EOM)。
光束整形器16使入射的脉冲激光束PL2成为被整形为希望的形状的脉冲激光束PL3。例如，是将光束径以一定的倍率扩大的光束扩展器。此外，也可以具备例如使光束截面的光强度分布均匀的均化器那样的光学元件。此外，也可以具备例如使光束截面为圆形的元件、或使光束为圆偏振光的光学元件。
聚光透镜18构成为，将由光束整形器16整形的脉冲激光束PL3聚光，对载置在XYZ台部20上的被加工基板W、例如在下表面上形成有LED的蓝宝石基板照射脉冲激光束PL4。
XYZ台部20具备能够载置被加工基板W、能够沿XYZ方向自由移动的XYZ台(以后也仅称作台)、其驱动机构部、测量台的位置的具有例如激光干涉仪的位置传感器等。这里，XYZ台构成为，其定位精度及移动误差成为超微的范围的高精度。而且，通过在Z方向上移动来相对于被加工基板W调整脉冲激光束的焦点位置，能够控制加工点深度。
加工控制部26在整体上控制激光切片装置10的加工。基准时钟振荡电路28产生希望的时钟信号S1。此外，在加工表部30中存储有加工表，该加工表以脉冲激光束的光脉冲数记述有切片加工数据。
接着，使用图1~图7，对使用了上述激光切片装置10的激光切片方法进行说明。
首先，将被加工基板W、例如蓝宝石基板载置到XYZ台部20上。该蓝宝石基板例如是在主面中的一个面(下表面)上具有外延成长的GaN层、在该GaN层上布图形成有多个LED的晶片。以形成在晶片上的槽口或定向平面为基准进行晶片相对于XYZ台的对位。
图2是说明本实施方式的激光切片方法的定时控制的图。在加工控制部26内的基准时钟振荡电路28中，生成周期Tc的时钟信号S1。激光振荡器控制部22进行控制，以使激光振荡器12射出同步于时钟信号S1的周期Tc的脉冲激光束PL1。此时，在时钟信号S1的上升沿和脉冲激光束的上升沿中产生延迟时间t1。
激光使用相对于被加工基板具有透过性的波长的激光。这里，优选地使用照射的激光的光子的能量hv比被加工基板材料的吸收的带隙Eg大的激光。如果能量hv与带隙Eg相比非常大，则发生激光的吸收。将其称作多光子吸收，如果使激光的脉冲宽度很短，使多光子吸收在被加工基板的内部发生，则多光子吸收的能量没有转化为热能，引起离子价数变化、结晶化、非晶质化、极化取向或微小裂纹形成等持久的构造变化，形成彩色中心。
该激光(脉冲激光束)的照射能量(照射功率)选择在被加工基板表面上形成连续的裂纹上最佳的条件。
并且，如果使用相对于被加工基板材料具有透过性的波长，则能够将激光导光、聚光到基板内部的焦点附近。因而，能够局部地作成彩色中心。以后，将该彩色中心称作改性区域。
脉冲选择器控制部24参照从加工控制部26输出的加工图案信号S2，生成同步于时钟信号S1的脉冲选择器驱动信号S3。加工图案信号S2存储在加工表部30中，参照以光脉冲数记述的加工表而以光脉冲单位生成照射图案的信息。脉冲选择器14基于脉冲选择器驱动信号S3，同步于时钟信号S1进行切换脉冲激光束PL1的通过和截断(开/关)的动作。
通过该脉冲选择器14的动作，生成调制脉冲激光束PL2。另外，在时钟信号S1的上升沿与脉冲激光束的上升沿、下降沿产生延迟时间t2、t3。此外，在脉冲激光束的上升沿、下降沿与脉冲选择器动作中，产生延迟时间t4、t5。
在被加工基板的加工时，考虑延迟时间t1~t5而决定脉冲选择器驱动信号S3等的生成定时、被加工基板和脉冲激光束的相对移动定时。
图3是表示本实施方式的激光切片方法的脉冲选择器动作和调制脉冲激光束PL2的定时的图。脉冲选择器动作同步于时钟信号S1而被以光脉冲单位切换。这样，通过使脉冲激光束的振荡和脉冲选择器的动作同步于相同的时钟信号S1，能够实现光脉冲单位的照射图案。
具体而言，基于用光脉冲数规定的规定条件进行脉冲激光束的照射和不照射。即，基于照射光脉冲数(P1)和不照射光脉冲数(P2)执行脉冲选择器动作，切换向被加工基板的照射和不照射。规定脉冲激光束的照射图案的P1值及P2值例如在加工表中规定为照射区域寄存器设定、不照射区域寄存器设定。P1值及P2值根据被加工基板的材质、激光束的条件等而设定为使切片时的裂纹形成最优化的规定条件。
调制脉冲激光束PL2通过光束整形器16成为整形为希望的形状的脉冲激光束PL3。进而，整形后的脉冲激光束PL3被聚光透镜18聚光而成为具有希望的光束径的脉冲激光束PL4，并被照射在作为被加工基板的晶片上。
在将晶片沿X轴方向及Y轴方向切片的情况下，首先，例如使XYZ台沿X轴方向以一定速度移动，而扫描脉冲激光束PL4。并且，在希望的X轴方向的切片结束后，使XYZ台沿Y轴方向以一定速度移动，而扫描脉冲激光束PL4。由此，进行Y轴方向的切片。
根据上述照射光脉冲数(P1)和不照射光脉冲数(P2)及台的速度，来控制脉冲激光束的照射不照射的间隔。
另外，本说明书中，所谓“照射区域的长度”，意味着被加工基板表面上照射光斑被照射的区域沿扫描方向的长度，所谓“不照射区域的长度”，意味着被加工基板表面上照射光斑不被照射的区域沿扫描方向的长度。
关于Z轴方向(高度方向)，进行调节以使聚光透镜的聚光位置(焦点位置)位于晶片内的规定深度。该规定深度被设定为，使得在切片时裂纹在被加工基板表面上形成为希望的形状。
此时，如果设为
被加工基板的折射率：n
距离被加工基板表面的加工位置：L
Z轴移动距离：Lz
则为
Lz=L/n。
即，在设聚光透镜的聚光位置在被加工基板的表面上为Z轴初始位置时，在加工到距离基板表面为深度“L”的位置的情况下，只要使Z轴移动“Lz”就可以。
图4是本实施方式的激光切片方法的照射图案的说明图。如图那样同步于时钟信号S1而生成脉冲激光束PL1。并且，通过同步于时钟信号S1而控制脉冲激光束的通过和截断，来生成调制脉冲激光束PL2。
并且，通过台的横向(X轴方向或Y轴方向)移动，将调制脉冲激光束PL2的照射光脉冲作为照射光斑形成在晶片上。这样，通过生成调制脉冲激光束PL2，在晶片上以光脉冲单位控制照射光斑而断续地照射。在图4的情况下，设照射光脉冲数(P1)=2、不照射光脉冲数(P2)=1，设定照射光脉冲(高斯光)以光斑径的间距反复进行照射和不照射的条件。本实施方式中，这样的脉冲激光束的照射，通过接近而平行地扫描激光束来实现。
这里，如果在
光束光斑径：D(μm)
重复频率：F(KHz)
的条件下进行加工，则用于使照射光脉冲以光斑径的间距反复进行照射和不照射的台移动速度V(m/sec)为
V=D×10-6×F×103。
例如，如果在
光束光斑径：D=2μm
重复频率：F=50KHz
的加工条件下进行，则为
台移动速度：V=100mm/sec。
此外，如果设照射光的功率为P(瓦特)，则将每脉冲照射脉冲能量P/F的光脉冲照射在晶片上。
脉冲激光束的照射能量(照射光的功率)、脉冲激光束的加工点深度及脉冲激光束的照射不照射的间隔的参数被决定为，裂纹在被加工基板表面上连续地形成。
图5是表示照射在蓝宝石基板上的照射图案的俯视图。本实施方式中，通过与时钟信号同步而使用脉冲选择器控制脉冲激光束的通过和截断，由此以光脉冲单位切换脉冲激光束向蓝宝石基板的照射和不照射，向第一直线L1上进行脉冲激光束的第一照射。接着，在第一照射之后，与第一照射同样地，通过与时钟信号同步而使用脉冲选择器控制脉冲激光束的通过和截断，由此以光脉冲单位切换脉冲激光束向蓝宝石基板的照射和不照射，向与第一直线L1大致平行地相邻的第二直线L2上以与第一照射相同的加工点深度进行脉冲激光束的第二照射。
另外，这里所谓相同的加工点深度，是允许加工控制上的误差等导致的深度的偏差的概念。
图5中，以第一照射、第二照射均为从照射面上观察，通过照射光脉冲数(P1)=2、不照射光脉冲数(P2)=1、并以照射光斑径的间距形成照射光斑的情况为例而示出。这样，第二照射中的脉冲激光束的照射和不照射的图案处于使第一照射中的脉冲激光束的照射和不照射的图案在与第一直线垂直的方向上平行移动了的关系，但从使直线性良好地形成裂纹、并在裂纹形成后切断蓝宝石基板所需要的外力(切断力)降低的观点出发，这是优选的。即，优选成为第一照射和第二照射光斑相对于扫描方向正横地排列的照射图案。将该关系称为列方向的照射图案同相。
如图5所示，第一直线及第二直线是相同的切割道上的直线。这里，所谓切割道，例如，是在蓝宝石基板的相反面上形成的多个LED元件间的边界区域，是以将元件切断为各个时切片不会影响LED元件的余量来设定的区域。切割道有时也称为切割线。
图6是图5的AA剖视图。如图所示，在蓝宝石基板内部形成改性区域。而且，形成从该改性区域沿着光脉冲的扫描线上到达基板表面的裂纹(或槽)。而且，该裂纹在被加工基板表面上连续地形成。另外，本实施方式中，裂纹形成为仅露出基板表面侧，而没有到达基板背面侧。
裂纹形成后，例如，通过切断器施加外力，来切断蓝宝石基板。优选控制第一和第二直线的间隔、脉冲激光束的照射能量、脉冲激光束的加工点深度、及脉冲激光束的照射区域和不照射区域的长度，以使这时的外力大致最小。另外，蓝宝石基板也可以在裂纹形成后不施加外力，而是自然切断。
图7是说明台移动与切片加工的关系的图。在XYZ台上，设有在X轴、Y轴方向上检测移动位置的位置传感器。例如，将在台向X轴或Y轴方向移动开始后、台速度进入到速度稳定区域的位置预先设定为同步位置。并且，在位置传感器中检测到同步位置时，通过例如将移动位置检测信号S4(图1)发送给脉冲选择器控制部24而许可脉冲选择器动作，通过脉冲选择器驱动信号S3使脉冲选择器动作。也可以是将同步位置例如设为被加工基板的端面、并用位置传感器检测该端面的结构。
这样，管理
SL：从同步位置到基板的距离
WL：加工长度
W1：从基板端到照射开始位置的距离
W2：加工范围
W3：从照射结束位置到基板端的距离。
这样，台的位置及载置在其上的被加工基板的位置与脉冲选择器的动作开始位置同步。即，取得脉冲激光束的照射和不照射、与台的位置的同步。因此，在脉冲激光束的照射和不照射时，确保台以一定速度移动(处于速度稳定区域)。因而，能够确保照射光斑位置的规则性，实现稳定的裂纹的形成。
图8A、8B是说明本实施方式的激光切片方法的作用的图。图8A是本实施方式的情况下的图，图8B是使不同的加工点深度的脉冲激光束在基板的相同扫描线上扫描两次来形成裂纹的情况下的图。
如图8A所示，本实施方式中，以相同的深度对蓝宝石基板50平行地照射接近的脉冲激光束。图8B是在相同的直线上以不同的深度对蓝宝石基板50照射脉冲激光束。根据图8B的方法，通过以不同的深度照射两次，可降低切断蓝宝石基板50时的切断力。
本实施方式中，通过以相同的深度照射接近的脉冲激光束，能够以小的切断力切断蓝宝石基板50。因而，切断时切断部的直线性提高，并且切断时的被加工基板的崩碎或碎片的产生也得到改善，切片合格率提高。
并且，在蓝宝石基板50的一个面、即相对于照射面相反侧的面的外延层52上设有LED等元件的情况下，在本实施方式中，与以不同的深度照射两次的方法相比较，能够使从由照射形成的改性区域54到外延层的距离拉开。因而，能够抑制由激光切片时的激光束的影响所引起的元件的特性劣化。因此，从该观点出发，切片合格率也会提高。
图9是表示本实施方式的激光切片方法中的照射列间隔S、脉冲激光束的光束直径d与切断力之间的关系的图。这里所谓照射列间隔，是图5中的第一直线L1和第二直线L2之间的间隔，即第一直线L1和第二直线L2之间的距离。此外，所谓光束直径d，是脉冲激光束的焦点位置上的理论上的光束直径，是如果确定激光的照射条件就能通过计算求出的值。
切断力是在由脉冲激光束的照射引起的裂纹形成之后、切断被加工基板所需要的外力的值。另外，图9是使用了蓝宝石基板作为被加工基板的情况下的测定结果。
如图9所示，存在切断力相对于S/d取极小值的区域。这样，优选在切断力取极小值的S/d的条件下进行激光切片。因而，根据图9，在设第一直线和第二直线的间隔为S、脉冲激光束的焦点位置上的理论上的光束直径为d的情况下，优选3.2≤S/d≤4.8，更优选3.5≤S/d≤4.5。
本实施方式中，能够以比较小的切断力切断基板，这被认为是因为，通过由第一照射和第二照射而平行排列地形成的两列改性区域，使改性区域间的基板上产生的应力相互作用，能够有效地在基板表面上形成直线的裂纹。如上所述，切断力相对于S/d取极小值，这被认为是因为，当照射列间隔S相对于光束直径d变得过大时，由于距离而使应力的相互作用降低，当照射列间隔S变得过小时，改性区域间的距离变短，或通过重合而使应力的相互作用降低。
另外，即便使被加工基板为蓝宝石以外的材料、例如石英玻璃、水晶、硅、碳化硅(SiC)等的情况下，也具有与蓝宝石基板同样的关系。
此外，本实施方式中，以第一照射和第二照射的加工点深度相同的情况为例进行了说明。不过，例如为了微调通过切片在被加工基板表面上形成的裂纹的位置或形状，也能够积极地使第一照射和第二照射的加工点深度不同。
而且，在加工厚的基板的情况下，也考虑通过在第一照射和第二照射之后，进一步使不同的加工点深度的脉冲激光束反复扫描而形成裂纹，来提高切断特性的方法。
即，是如下的激光切片方法：将被加工基板载置在台上，产生时钟信号，射出与时钟信号同步的脉冲激光束，使被加工基板和脉冲激光束相对移动，通过与时钟信号同步而使用脉冲选择器控制脉冲激光束的通过和截断，由此以光脉冲单位切换脉冲激光束向被加工基板的照射和不照射，向第一直线上进行脉冲激光束的第一照射，在第一照射之后，通过与时钟信号同步而使用脉冲选择器控制脉冲激光束的通过和截断，由此以光脉冲单位切换脉冲激光束向被加工基板的照射和不照射，向与第一直线大致平行地相邻的第二直线上以与第一照射相同的加工点深度进行脉冲激光束的第二照射，在第二照射之后，通过与时钟信号同步而使用脉冲选择器控制脉冲激光束的通过和截断，由此以光脉冲单位切换脉冲激光束向被加工基板的照射和不照射，向与第一直线相同或大致平行的第三直线上以与第一照射不同的加工点深度进行脉冲激光束的第三照射，在第三照射之后，通过与时钟信号同步而使用脉冲选择器控制脉冲激光束的通过和截断，由此以光脉冲单位切换脉冲激光束向被加工基板的照射和不照射，向与第三直线大致平行地相邻的第四直线上以与第三照射相同的加工点深度进行脉冲激光束的第四照射，通过第一照射、第二照射、第三照射和第四照射，在被加工基板上形成到达被加工基板表面的裂纹。而且，控制脉冲激光束的照射能量、脉冲激光束的加工点深度及脉冲激光束的照射区域和不照射区域的长度。
这样，能够提供一种激光切片方法，通过遍及多层而进行大致平行的相同的加工点深度的脉冲激光束的照射，即使是厚的基板，也能够降低切断力，通过使脉冲激光束的照射条件最优化来控制裂纹的产生，实现优异的切断特性。
这样的多层的加工的情况下，通过使台位置和脉冲选择器的动作开始位置同步，在不同深度的扫描中，能够任意地精度良好地控制脉冲照射位置的关系，能够实现切片条件的最优化。
另外，例如，使第一照射和第三照射或第四照射在相同直线上(相同扫描线上)、使第二照射和第四照射或第三照射在相同直线上(相同扫描线上)，从例如不将切片宽度扩宽为需要以上的观点出发，这是优选的。
(第二实施方式)
本实施方式的激光切片方法，除了在被加工基板的主面中的一个面上形成LED(Light Emitting Diode)，在主面中的另一个面上形成金属膜，并通过脉冲激光束的第一照射和第二照射除去金属膜以外，与第一实施方式相同。因而，对于与第一实施方式重复的内容省略记述。
本实施方式的激光切片方法为如下激光切片方法：将表面上具有金属膜的被加工基板载置在台上，产生时钟信号，射出与时钟信号同步的脉冲激光束，使被加工基板和脉冲激光束相对移动，通过与时钟信号同步而使用脉冲选择器控制脉冲激光束的通过和截断，由此以光脉冲单位切换脉冲激光束向被加工基板的照射和不照射，从金属膜侧向第一直线上进行脉冲激光束的第一照射，在第一照射之后，通过与时钟信号同步而使用脉冲选择器控制脉冲激光束的通过和截断，由此以光脉冲单位切换脉冲激光束向被加工基板的照射和不照射，从金属膜侧向与第一直线大致平行地相邻的第二直线上进行脉冲激光束的第二照射，通过第一照射和第二照射，在除去金属膜的同时在被加工基板上形成到达被加工基板表面的裂纹。而且，通过控制脉冲激光束的照射能量、脉冲激光束的加工点深度及脉冲激光束的照射区域和不照射区域的长度，与除去金属膜同时，裂纹在被加工基板表面上连续地形成。
在设在蓝宝石基板的主面中的一个面上的外延层上形成LED，在蓝宝石基板的另一个面上具有发光装置，该发光装置设有将由LED发出的光反射的金属膜。金属膜也被称为反射层。
在使用激光将这样的发光装置切片的情况下，有在激光切片前预先通过蚀刻处理等其它工序将切割道上的金属膜剥离的方法。在这样的方法中，有用于切片的工序增加的问题。
图10及图11是本实施方式的激光切片方法的说明图。图10是俯视图，图11是图10的BB剖视图。
如图11所示，例如，在作为被加工基板的蓝宝石基板50的主面中的一个面(背面)上形成外延层52。而且，在该外延层52上，例如形成LED。此外，在主面中的另一个面(照射面)上形成成为反射层的金属膜60。金属膜60例如是金(Au)或铝(Al)。
如图10所示，例如，沿着平行的第一直线L1、第二直线L2、第三直线L3，以相同的加工点深度照射脉冲激光束。沿着各条直线的照射是第一照射、第二照射、第三照射。这时，图中虚线所示的照射面、即反射层表面上的激光束的照射区域(照射光斑)，在第一至第三直线方向上，在与第一至第三直线垂直的方向上都相互重合。
另外，图10中示出了，对于第一至第三照射的每一个，设照射光脉冲数(P1)=3、不照射光脉冲数(P2)=3的情况，即、照射三个脉冲数的量、且不照射三个脉冲数的量的照射图案，但是，本实施方式并不限于该照射图案。
根据本实施方式，通过在照射面上作成使相邻的脉冲激光束的照射区域重合那样的照射图案，能够有效剥离金属膜60。同时，在蓝宝石基板50内以相同的深度排列地形成三列改性区域54，形成到达基板表面的裂纹。通过该裂纹的形成，能够以小的切断力切断被加工基板。
根据本实施方式，通过脉冲激光束的照射，能够同时进行金属膜60的除去和对被加工基板的裂纹的形成。因而，不需要为了除去金属膜而设置追加的工序，能够在短时间内以低成本实现设置金属膜的发光装置的切片。
以上，参照具体例对本发明的实施方式进行了说明。但是，本发明并不限定于这些具体例。在实施方式中，在激光切片方法、激光切片装置等中，对于在本发明的说明中不直接需要的部分省略了记载，但能够适当选择使用需要的关于激光切片方法、激光切片装置等的要素。
此外，具备本发明的要素、本领域的技术人员能够适当进行设计变更的所有激光切片方法都包含在本发明的范围内。本发明的范围由权利要求书及其等同物的范围来定义。
例如，在实施方式中，作为被加工基板，以形成有LED的蓝宝石基板为例进行了说明。本发明对于蓝宝石基板那样因硬质而缺乏劈开性的且难以切断的基板是有用的，但被加工基板除此以外也可以是石英玻璃等玻璃基板、水晶等绝缘物基板、SiC(碳化硅)基板等半导体材料基板、压电材料基板等。
此外，在实施方式中，以通过使台移动来使被加工基板和脉冲激光束相对移动的情况为例进行了说明。但是，也可以是例如通过由使用激光束扫描器等扫描脉冲激光束，来使被加工基板和脉冲激光束相对移动的方法。
此外，在实施方式中，以使照射光脉冲数(P1)＝2、不照射光脉冲数(P2)＝1的情况、使照射光脉冲数(P1)=3、不照射光脉冲数(P2)=3的情况为例进行了说明，但P1和P2的值为了设为最优条件而能够取任意的值。此外，在实施方式中，以照射光脉冲以光斑径的间距重复照射和不照射的情况为例进行了说明，但也可以通过改变脉冲频率或者台移动速度来改变照射和不照射的间距而找到最优条件。例如，也可以将照射和不照射的间距设为光斑径的1/n或n倍。
此外，关于切片加工的图案，例如通过设置多个照射区域寄存器、不照射区域寄存器，或者通过实时地将照射区域寄存器、不照射区域寄存器值以希望的定时变更为希望的值，能够实现向各种切片加工图案的对应。
此外，作为激光切片装置，以具备存储以脉冲激光束的光脉冲数记述了切片加工数据的加工表的加工表部的装置为例进行了说明。但是，未必要具备这样的加工表部，只要是具有以光脉冲单位控制脉冲激光束在脉冲选择器中的通过和截断的结构的装置即可。
此外，还能够构成为，为了进一步提高切断特性，在基板表面上形成连续的裂纹之后，进一步通过例如照射激光来对表面追加熔融加工或消融加工。
此外，在本实施方式中，也可以通过反复照射多层的大致平行的两列脉冲激光束，来降低切断力。图12A、12B是使不同的加工点深度的脉冲激光束在基板的相同扫描线上扫描多次来形成裂纹的情况的说明图。是基板截面中的照射图案的示意图。ON(着色)为照射区域，OFF(白色)为不照射区域。图12A是照射的扫描的第一层和第二层同相的情况，即是在第一层和第二层上照射脉冲位置的上下关系一致的情况。图12B是照射的扫描的第一层和第二层异相的情况，即是在第一层和第二层上照射脉冲位置的上下关系偏离的情况。
另外，这里，将照射/不照射的脉冲数以在第一层和第二层中相同的情况为例示出，但是，也可以在第一层和第二层中作为不同的照射/不照射的脉冲数找出最优的条件。
此外，例如，为了进一步提高照射光斑位置的精度，优选的是使台的移动与时钟信号同步。这能够通过例如使从加工控制部26发送到XYZ台部20的台移动信号S5(图1)与时钟信号S1同步来实现。
此外，对于相同的切割道内以直线状照射的脉冲激光束的列数，可以是两列以上，也可以是三列以上。
[实施例]
以下，说明本发明的实施例。
(实施例1)
通过第一实施方式所记载的方法，以下述条件进行激光切片。
被加工基板：蓝宝石基板，基板厚150μm，没有外延层，没有金属膜
激光光源：Nd：YVO4激光
波长：532nm
照射能量：2.5μJ/脉冲
激光频率：100kHz
照射光脉冲数(P1)：3
不照射光脉冲数(P2)：3
照射列数：两列
照射列间隔(S)：4μm
相位：在列方向上同相
脉冲间隔：1.25μm
台速度：5mm/sec
焦点位置：距离被加工基板表面16μm
图13是表示实施例1的照射图案的图。如图所示，在照射三次光脉冲之后，以光脉冲单位不照射三脉冲的量。以后，以照射/不照射=3/3的形式记述该条件。另外，在平行地接近的两条直线上进行这样的照射图案下的照射。即，以平行的两列照射脉冲激光束。
图14示出激光切片的结果。图14A是基板表面的光学照片，图14B是改性区域的光学照片。图14A的光学照片是使焦点对准基板表面的裂纹而摄影的。图14B的光学照片是使焦点对准基板内部的改性区域而摄影的，此外，图15是与裂纹的方向平行的基板的截面光学照片。
被加工基板是宽度约5mm的长条形，与长条的伸长方向垂直地照射脉冲激光束，而形成裂纹。在形成裂纹之后，评价使用切断器进行切断所需的切断力。此外，根据图15所示的截面光学照片测量改性区域的下端和蓝宝石基板下表面的距离(改性区域-下表面距离)。图16示出结果。空白图表表示切断力，阴影线图表表示改性区域-下表面距离。
(实施例2)
除了使焦点位置距离被加工基板表面20μm以外，通过与实施例1同样的方法进行激光切片。图16示出激光切片的结果。
(实施例3)
除了使焦点位置距离被加工基板表面25μm以外，通过与实施例1同样的方法进行激光切片。图16示出激光切片的结果。
(实施例4)
除了使焦点位置距离被加工基板表面30μm以外，通过与实施例1同样的方法进行激光切片。图16示出激光切片的结果。
(比较例1)
如图8(a)所示，实施例1~4中照射列数为两列，相对于此，如图8(b)所示，除了使照射列数为一列、并在相同直线上以不同的两个深度照射脉冲激光束以外，通过与实施例1同样的方法进行激光切片。使焦点位置为距离被加工基板表面14μm、39μm的两层。使相位在深度方向上同相。图16示出激光切片的结果。
在实施例1~4、比较例1的任意一个中，在被加工基板表面上都形成了连续的裂纹。
在实施例1~4的条件下，相对于比较例1，可以将改性区域的下端和蓝宝石基板下表面之间的距离(改性区域-下表面距离)保持得较长，即使在蓝宝石基板上形成了LED等的情况下，也能够抑制由激光切片导致的LED等元件的特性劣化。此外，尤其是在实施例2~4中，切断力与比较例1相比降低约30％。
(实施例5)
通过第一实施方式所记载的方法，以下述条件进行激光切片。
被加工基板：蓝宝石基板，基板厚200μm，没有外延层，没有金属膜
激光光源：Nd：YVO4激光
波长：532nm
照射能量：2.5μJ/脉冲
激光频率：100kHz
照射光脉冲数(P1)：3
不照射光脉冲数(P2)：3
照射列数：两列
照射列间隔(S)：4μm
相位：在列方向上同相
脉冲间隔：1.25μm
台速度：5mm/sec
焦点位置：距离被加工基板表面25μm
与实施例1~4不同，使蓝宝石基板的厚度为200μm。进行与实施例1~实施例4、比较例1同样的评价。图17示出激光切片的结果。空白图表表示切断力，阴影线图表表示改性区域-下表面距离。
(实施例6)
如图18所示，相对于实施例5，除了是在两列之间的位置上在深度方向上追加一层的照射图案以外，通过与实施例5同样的方法进行激光切片。追加的一层的焦点位置距离被加工基板表面65μm。追加的一层在深度方向上与上层同相。图17示出激光切片的结果。
(实施例7)
除了使追加的一层的焦点位置距离被加工基板表面70μm以外，通过与实施例6同样的方法进行激光切片。图17示出激光切片的结果。
(实施例8)
除了使追加的一层的焦点位置距离被加工基板表面75μm以外，通过与实施例6同样的方法进行激光切片。图17示出激光切片的结果。
(比较例2)
除了在相同直线上以不同的三个深度仅照射一列脉冲激光束以外，通过与实施例5同样的方法进行激光切片。使焦点位置成为距离被加工基板表面14μm、49μm、74μm的三层。使相位在深度方向上同相。图17示出激光切片的结果。
在实施例5~8、比较例2的任意一个中，在被加工基板表面上都形成了连续的裂纹。
在实施例5~7的条件下，相对于比较例2，可以将改性区域的下端和蓝宝石基板下表面的距离(改性区域-下表面距离)保持得较长，即使在形成了LED等的情况下，也能够抑制由激光切片导致的特性劣化。此外，在实施例7、8中，切断力与比较例2相比降低。尤其是，在实施例7中，相对于比较例2，将改性区域-下表面距离保持得较长，并且降低了切断力。
(实施例9)
通过第一实施方式所记载的方法，以下述条件进行激光切片。
被加工基板：蓝宝石基板，基板厚300μm，没有外延层，没有金属膜
激光光源：Nd：YVO4激光
波长：532nm
照射能量：2.5μJ/脉冲
激光频率：100kHz
照射光脉冲数(P1)：3
不照射光脉冲数(P2)：3
照射列数：两列
照射列间隔(S)：4μm
深度方向层数：三层
相位：在列方向、深度方向上都同相
脉冲间隔：1.25μm
台速度：5mm/sec
焦点位置：距离被加工基板表面25μm、70μm、125μm
与实施例1~4、5~8不同，使蓝宝石基板的厚度为300μm。此外，使深度方向的层数为三层。而且，进行与实施例1~实施例4、比较例1同样的评价。图19示出激光切片的结果。空白图表表示切断力，阴影线图表表示改性区域-下表面距离。
(比较例3)
除了在相同直线上以不同的四个深度仅照射一列脉冲激光束以外，通过与实施例9同样的方法进行激光切片。使焦点位置成为距离被加工基板表面14μm、49μm、84μm、119μm的四层。使相位在深度方向上同相。图19示出激光切片的结果。
(比较例4)
除了在相同直线上以不同的五个深度仅照射一列脉冲激光束以外，通过与实施例9同样的方法进行激光切片。使焦点位置成为距离被加工基板表面14μm、44μm、74μm、104μm、134μm的五层。使相位在深度方向上同相。图19示出激光切片的结果。
在实施例9、比较例3、4的任意一个中，在被加工基板表面上都形成了连续的裂纹。
在实施例9的条件下，相对于比较例3，可以将改性区域的下端和蓝宝石基板下表面的距离(改性区域-下表面距离)保持得较长，即使在形成了LED等的情况下，也能够抑制由激光切片导致的特性劣化。此外，在实施例9中，切断力与比较例3、4相比降低。因而，相对于比较例4，将改性区域-下表面距离保持得较长，并且降低了切断力。
(实施例10)
通过第二实施方式所记载的方法，以下述条件进行激光切片。
被加工基板：蓝宝石基板，基板厚150μm，有外延层，有金属膜
激光光源：Nd：YVO4激光
波长：532nm
照射能量：3.0μJ/脉冲
激光频率：100kHz
照射光脉冲数(P1)：3
不照射光脉冲数(P2)：3
照射列数：两列
照射列间隔(S)：4μm
相位：在列方向上同相
脉冲间隔：1.25μm
台速度：5mm/sec
焦点位置：距离被加工基板表面18μm
将带有金属膜的蓝宝石基板作为被加工基板进行切片。
被加工基板是宽度约5mm的长条形，与长条的伸长方向垂直地照射脉冲激光束，而形成裂纹。在形成裂纹之后，评价使用切断器进行切断所需的切断力。此外，根据截面光学照片测量改性区域的下端和蓝宝石基板下表面之间的距离(改性区域-下表面距离)。图20示出结果。空白图表表示切断力，阴影线图表表示改性区域-下表面距离。
图21A~21E是激光切片的金属膜除去结果的光学照片。图21A相当于实施例10。
(实施例11)
除了使焦点位置距离被加工基板表面20μm以外，通过与实施例1同样的方法进行激光切片。图20、图21B示出激光切片的结果。
(实施例12)
除了使照射列数为三列以外，通过与实施例11同样的方法进行激光切片。图20、图21C示出激光切片的结果。
(实施例13)
除了使两列重合、即以列间隔0照射两列，并以相对于该列4μm的间隔照射另一列以外，通过与实施例12同样的方法进行激光切片。图20、图21D示出激光切片的结果。
(实施例14)
除了使列间隔为2μm以外，通过与实施例12同样的方法进行激光切片。图20、图21E示出激光切片的结果。
在实施例10~14的任意一个中，在被加工基板表面上都形成了连续的裂纹。此外，在实施例10~14的任意一个中，如图21A~21E所示，金属膜的除去都与裂纹的形成同时实现。尤其是，金属膜的除去，在实施例12~14的条件下残留较少，是良好的。
尤其是，在实施例12的条件下，切断力变得最小。

Claims (12)

1.一种激光切片方法，其特征在于，
将被加工基板载置到台上；
产生时钟信号；
射出与上述时钟信号同步的脉冲激光束；
使上述被加工基板和上述脉冲激光束相对移动；
与上述时钟信号同步而使用脉冲选择器控制上述脉冲激光束的通过和截断，由此以光脉冲单位切换上述脉冲激光束向上述被加工基板的照射和不照射，向第一直线上进行上述脉冲激光束的第一照射；
在上述第一照射之后，与上述时钟信号同步而使用脉冲选择器控制上述脉冲激光束的通过和截断，由此以光脉冲单位切换上述脉冲激光束向上述被加工基板的照射和不照射，向与上述第一直线大致平行地相邻的第二直线上进行上述脉冲激光束的第二照射；
通过上述第一照射和上述第二照射，在上述被加工基板上形成到达上述被加工基板表面的裂纹；
在该激光切片方法中，
通过控制上述脉冲激光束的照射能量、上述脉冲激光束的加工点深度及上述脉冲激光束的照射区域和不照射区域的长度，上述裂纹在上述被加工基板表面上连续地形成。
2.如权利要求1所述的激光切片方法，其特征在于，
以与上述第一照射相同的加工点深度进行上述第二照射。
3.如权利要求1所述的激光切片方法，其特征在于，
控制上述第一和第二直线之间的间隔、上述脉冲激光束的照射能量、上述脉冲激光束的加工点深度及上述脉冲激光束的照射区域和不照射区域的长度，以使在上述裂纹形成后，切断上述被加工基板所需要的外力大致最小。
4.如权利要求1所述的激光切片方法，其特征在于，
上述第二照射中的上述脉冲激光束的照射和不照射的图案，处于使上述第一照射中的上述脉冲激光束的照射和不照射的图案在与上述第一直线垂直的方向上平行移动了的关系。
5.如权利要求1所述的激光切片方法，其特征在于，
在设上述第一直线和上述第二直线之间的间隔为S、上述脉冲激光束在焦点位置处的理论上的光束直径为d的情况下，3.2≤S/d≤4.8。
6.如权利要求1~5中任一项所述的激光切片方法，其特征在于，
上述被加工基板是蓝宝石基板。
7.如权利要求1所述的激光切片方法，其特征在于，
在上述被加工基板的主面中的一个面上形成发光元件，从另一个面侧照射上述脉冲激光束。
8.如权利要求7所述的激光切片方法，其特征在于，
在上述另一个面上形成金属膜，通过上述第一照射和第二照射除去上述金属膜。
9.一种激光切片方法，其特征在于，
将被加工基板载置到台上；
产生时钟信号；
射出与上述时钟信号同步的脉冲激光束；
使上述被加工基板和上述脉冲激光束相对移动；
与上述时钟信号同步而使用脉冲选择器控制上述脉冲激光束的通过和截断，由此以光脉冲单位切换上述脉冲激光束向上述被加工基板的照射和不照射，向第一直线上进行上述脉冲激光束的第一照射；
在上述第一照射之后，与上述时钟信号同步而使用脉冲选择器控制上述脉冲激光束的通过和截断，由此以光脉冲单位切换上述脉冲激光束向上述被加工基板的照射和不照射，向与上述第一直线大致平行地相邻的第二直线上以与上述第一照射相同的加工点深度进行上述脉冲激光束的第二照射；
在上述第二照射之后，与上述时钟信号同步而使用脉冲选择器控制上述脉冲激光束的通过和截断，由此以光脉冲单位切换上述脉冲激光束向上述被加工基板的照射和不照射，向与第一直线相同或大致平行的第三直线上以与上述第一照射不同的加工点深度进行上述脉冲激光束的第三照射；
在上述第三照射之后，与上述时钟信号同步而使用脉冲选择器控制上述脉冲激光束的通过和截断，由此以光脉冲单位切换上述脉冲激光束向上述被加工基板的照射和不照射，向与上述第三直线大致平行地相邻的第四直线上以与上述第三照射相同的加工点深度进行上述脉冲激光束的第四照射；
通过上述第一照射、上述第二照射、上述第三照射和上述第四照射，在上述被加工基板上形成到达上述被加工基板表面的裂纹；
在该激光切片方法中，
通过控制上述脉冲激光束的照射能量、上述脉冲激光束的加工点深度及上述脉冲激光束的照射区域和不照射区域的长度，上述裂纹在上述被加工基板表面上连续地形成。
10.一种激光切片方法，其特征在于，
将表面上具有金属膜的被加工基板载置到台上；
产生时钟信号；
射出与上述时钟信号同步的脉冲激光束；
使上述被加工基板和上述脉冲激光束相对移动；
与上述时钟信号同步而使用脉冲选择器控制上述脉冲激光束的通过和截断，由此以光脉冲单位切换上述脉冲激光束向上述被加工基板的照射和不照射，从上述金属膜侧向第一直线上进行上述脉冲激光束的第一照射；
在上述第一照射之后，与上述时钟信号同步而使用脉冲选择器控制上述脉冲激光束的通过和截断，由此以光脉冲单位切换上述脉冲激光束向上述被加工基板的照射和不照射，从上述金属膜侧向与上述第一直线大致平行地相邻的第二直线上进行上述脉冲激光束的第二照射；
通过上述第一照射和上述第二照射，与除去上述金属膜同时，在上述被加工基板上形成到达上述被加工基板表面的裂纹；
在该激光切片方法中，
通过控制上述脉冲激光束的照射能量、上述脉冲激光束的加工点深度及上述脉冲激光束的照射区域和不照射区域的长度，与除去上述金属膜同时，上述裂纹在上述被加工基板表面上连续地形成。
11.如权利要求10所述的激光切片方法，其特征在于，
以与上述第一照射相同的加工点深度进行上述第二照射。
12.如权利要求10所述的激光切片方法，其特征在于，
在与上述金属膜相反的上述被加工基板的面上形成LED。
CN201210265079.1A 2011-07-27 2012-07-27 激光切片方法 Active CN102896426B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP164042/2011 2011-07-27
JP2011164042 2011-07-27
JP074937/2012 2012-03-28
JP2012074937A JP5140198B1 (ja) 2011-07-27 2012-03-28 レーザダイシング方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102896426A true CN102896426A (zh) 2013-01-30
CN102896426B CN102896426B (zh) 2015-07-01

Family

ID=47569070

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201210265079.1A Active CN102896426B (zh) 2011-07-27 2012-07-27 激光切片方法

Country Status (5)

Country Link
US (2) US8871540B2 (zh)
JP (1) JP5140198B1 (zh)
KR (1) KR101376435B1 (zh)
CN (1) CN102896426B (zh)
TW (1) TWI471186B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104117766A (zh) * 2013-04-26 2014-10-29 三星钻石工业股份有限公司 带图案基板的加工方法及带图案基板的加工装置
CN109262147A (zh) * 2018-09-29 2019-01-25 北京工业大学 一种陶瓷增强金属基复合材料脉冲激光刻蚀加工方法

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5596750B2 (ja) 2012-07-06 2014-09-24 東芝機械株式会社 レーザダイシング方法
NL2011290C2 (en) * 2013-08-12 2015-02-16 Climate Invest B V A laser micromachining system for writing a pattern onto a substrate using laser micromachining and method.
KR102306671B1 (ko) 2015-06-16 2021-09-29 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지
JP6542630B2 (ja) 2015-09-29 2019-07-10 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP2017204574A (ja) * 2016-05-12 2017-11-16 株式会社ディスコ サファイアウェーハの加工方法及びレーザー加工装置
WO2018020145A1 (fr) * 2016-07-25 2018-02-01 Amplitude Systemes Procédé et appareil pour la découpe de matériaux par multi-faisceaux laser femtoseconde
KR102384586B1 (ko) * 2016-08-28 2022-04-11 에이씨에스 모션 컨트롤 리미티드 비교적 큰 가공물을 가공하는 레이저를 위한 방법 및 시스템
DE102016224978B4 (de) * 2016-12-14 2022-12-29 Disco Corporation Substratbearbeitungsverfahren
DE102017200631B4 (de) * 2017-01-17 2022-12-29 Disco Corporation Verfahren zum Bearbeiten eines Substrats
US10576585B1 (en) 2018-12-29 2020-03-03 Cree, Inc. Laser-assisted method for parting crystalline material
US11024501B2 (en) 2018-12-29 2021-06-01 Cree, Inc. Carrier-assisted method for parting crystalline material along laser damage region
US10562130B1 (en) 2018-12-29 2020-02-18 Cree, Inc. Laser-assisted method for parting crystalline material
US11171055B2 (en) * 2019-01-31 2021-11-09 The Government Of The United States Of America, As Represented By The Secretary Of The Navy UV laser slicing of β-Ga2O3 by micro-crack generation and propagation
US10611052B1 (en) 2019-05-17 2020-04-07 Cree, Inc. Silicon carbide wafers with relaxed positive bow and related methods
KR20210038335A (ko) 2019-09-30 2021-04-07 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 발광 소자의 제조 방법
EP3913660B1 (en) 2020-05-22 2024-06-19 Nichia Corporation Method of cutting semiconductor element and semiconductor element
JP7186357B2 (ja) * 2020-05-22 2022-12-09 日亜化学工業株式会社 半導体素子の製造方法および半導体素子
CN112296511B (zh) * 2020-09-30 2023-06-20 北京石榴果科技有限公司 宝石的微缩标识加工、读取、检测方法及加工装置
US20220305588A1 (en) * 2021-03-24 2022-09-29 Applied Materials, Inc. Methods to dice optical devices with optimization of laser pulse spatial distribution

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050184035A1 (en) * 1995-08-07 2005-08-25 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Pulsed laser beam machining method and apparatus for machining a wiring board at multiple locations
CN1967816A (zh) * 2005-11-16 2007-05-23 株式会社电装 晶片以及晶片切割和分割方法
US20070202619A1 (en) * 2005-11-16 2007-08-30 Denso Corporation Laser processing apparatus and laser processing method
US20080057599A1 (en) * 2006-09-06 2008-03-06 Hideharu Kobashi Fabrication method of semiconductor device
US20110095006A1 (en) * 2009-10-26 2011-04-28 Toshiba Kikai Kabushiki Kaisha Laser dicing method and laser dicing apparatus

Family Cites Families (89)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3985597A (en) 1975-05-01 1976-10-12 International Business Machines Corporation Process for forming passivated metal interconnection system with a planar surface
US4519872A (en) 1984-06-11 1985-05-28 International Business Machines Corporation Use of depolymerizable polymers in the fabrication of lift-off structure for multilevel metal processes
CH670211A5 (zh) 1986-06-25 1989-05-31 Lasarray Holding Ag
JP2569711B2 (ja) 1988-04-07 1997-01-08 株式会社ニコン 露光制御装置及び該装置による露光方法
US4894115A (en) 1989-02-14 1990-01-16 General Electric Company Laser beam scanning method for forming via holes in polymer materials
JP2937361B2 (ja) 1989-09-29 1999-08-23 日本電気株式会社 レーザ加工機
US5000811A (en) 1989-11-22 1991-03-19 Xerox Corporation Precision buttable subunits via dicing
EP0513359B1 (en) 1990-07-31 1994-07-20 Materials And Intelligent Devices Research Co., Ltd. Yag laser working machine for precision working of thin film
JP2919037B2 (ja) 1990-09-26 1999-07-12 日本電気株式会社 レーザパターン形成装置
JP2743673B2 (ja) 1991-12-27 1998-04-22 澁谷工業株式会社 三次元レーザ加工装置
US5742634A (en) 1994-08-24 1998-04-21 Imar Technology Co. Picosecond laser
JP3636835B2 (ja) 1996-08-07 2005-04-06 ローム株式会社 基板分割方法およびその基板分割を用いた発光素子製造方法
US6001297A (en) 1997-04-28 1999-12-14 3D Systems, Inc. Method for controlling exposure of a solidfiable medium using a pulsed radiation source in building a three-dimensional object using stereolithography
JPH10305384A (ja) 1997-05-02 1998-11-17 Nec Corp レーザ加工装置
JP3532100B2 (ja) 1997-12-03 2004-05-31 日本碍子株式会社 レーザ割断方法
US6172325B1 (en) 1999-02-10 2001-01-09 Electro Scientific Industries, Inc. Laser processing power output stabilization apparatus and method employing processing position feedback
US20040134894A1 (en) 1999-12-28 2004-07-15 Bo Gu Laser-based system for memory link processing with picosecond lasers
US7838794B2 (en) 1999-12-28 2010-11-23 Gsi Group Corporation Laser-based method and system for removing one or more target link structures
US7723642B2 (en) 1999-12-28 2010-05-25 Gsi Group Corporation Laser-based system for memory link processing with picosecond lasers
JP3867107B2 (ja) * 2000-09-13 2007-01-10 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP3408805B2 (ja) 2000-09-13 2003-05-19 浜松ホトニクス株式会社 切断起点領域形成方法及び加工対象物切断方法
JP4659300B2 (ja) 2000-09-13 2011-03-30 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及び半導体チップの製造方法
US7157038B2 (en) 2000-09-20 2007-01-02 Electro Scientific Industries, Inc. Ultraviolet laser ablative patterning of microstructures in semiconductors
JP2002103066A (ja) 2000-09-25 2002-04-09 Nec Corp レーザ加工装置
US20060091126A1 (en) 2001-01-31 2006-05-04 Baird Brian W Ultraviolet laser ablative patterning of microstructures in semiconductors
US6770544B2 (en) 2001-02-21 2004-08-03 Nec Machinery Corporation Substrate cutting method
JP2002273585A (ja) 2001-03-16 2002-09-25 Ricoh Microelectronics Co Ltd ビーム加工方法及びその装置、並びにタッチパネル基板の製造方法
JP2003100653A (ja) 2001-09-26 2003-04-04 Sharp Corp 加工装置および加工方法
JP2004351466A (ja) 2003-05-29 2004-12-16 Aisin Seiki Co Ltd レーザ加工方法及びレーザ加工装置
EP1665346A4 (en) 2003-09-09 2006-11-15 Csg Solar Ag IMPROVED METHOD OF FORMING OPENINGS IN ORGANIC RESIN MATERIAL
JP2005088068A (ja) 2003-09-19 2005-04-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd レーザ加工装置及びレーザ加工工法
JP2005101413A (ja) 2003-09-26 2005-04-14 Disco Abrasive Syst Ltd 薄板状被加工物の分割方法及び装置
JP4348199B2 (ja) 2004-01-16 2009-10-21 日立ビアメカニクス株式会社 レーザ加工方法およびレーザ加工装置
JP2005268752A (ja) 2004-02-19 2005-09-29 Canon Inc レーザ割断方法、被割断部材および半導体素子チップ
DE102004024475A1 (de) 2004-05-14 2005-12-01 Lzh Laserzentrum Hannover E.V. Verfahren und Vorrichtung zum Trennen von Halbleitermaterialien
JP4694795B2 (ja) 2004-05-18 2011-06-08 株式会社ディスコ ウエーハの分割方法
JP2006123228A (ja) 2004-10-27 2006-05-18 Disco Abrasive Syst Ltd レーザ加工方法およびレーザ加工装置
JP4843212B2 (ja) 2004-10-29 2011-12-21 東京エレクトロン株式会社 レーザー処理装置及びレーザー処理方法
JP4781661B2 (ja) 2004-11-12 2011-09-28 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
US20060102601A1 (en) 2004-11-12 2006-05-18 The Regents Of The University Of California Feedback controlled laser machining system
JP2006159254A (ja) 2004-12-07 2006-06-22 Disco Abrasive Syst Ltd レーザー加工装置
US20060191884A1 (en) 2005-01-21 2006-08-31 Johnson Shepard D High-speed, precise, laser-based material processing method and system
US7528342B2 (en) 2005-02-03 2009-05-05 Laserfacturing, Inc. Method and apparatus for via drilling and selective material removal using an ultrafast pulse laser
US7284396B2 (en) 2005-03-01 2007-10-23 International Gemstone Registry Inc. Method and system for laser marking in the volume of gemstones such as diamonds
JP4751634B2 (ja) 2005-03-31 2011-08-17 富士通セミコンダクター株式会社 半導体装置の製造方法
WO2006129473A1 (ja) 2005-06-01 2006-12-07 Phoeton Corp. レーザー加工装置及びレーザー加工方法
JP2007021528A (ja) 2005-07-15 2007-02-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd レーザ加工装置およびその調整方法
JP2007048995A (ja) 2005-08-11 2007-02-22 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
US7767930B2 (en) 2005-10-03 2010-08-03 Aradigm Corporation Method and system for LASER machining
JP4786997B2 (ja) 2005-10-25 2011-10-05 株式会社ディスコ レーザー加工装置
US7443903B2 (en) 2006-04-19 2008-10-28 Mobius Photonics, Inc. Laser apparatus having multiple synchronous amplifiers tied to one master oscillator
JP5232375B2 (ja) 2006-10-13 2013-07-10 アイシン精機株式会社 半導体発光素子の分離方法
JP4909657B2 (ja) 2006-06-30 2012-04-04 株式会社ディスコ サファイア基板の加工方法
ES2428826T3 (es) 2006-07-03 2013-11-11 Hamamatsu Photonics K.K. Procedimiento de procesamiento por láser y chip
US7529281B2 (en) 2006-07-11 2009-05-05 Mobius Photonics, Inc. Light source with precisely controlled wavelength-converted average power
US8084706B2 (en) 2006-07-20 2011-12-27 Gsi Group Corporation System and method for laser processing at non-constant velocities
GB2444037A (en) 2006-11-27 2008-05-28 Xsil Technology Ltd Laser Machining
US9029731B2 (en) 2007-01-26 2015-05-12 Electro Scientific Industries, Inc. Methods and systems for laser processing continuously moving sheet material
JP2008198905A (ja) 2007-02-15 2008-08-28 Hitachi Metals Ltd セラミックス基板及びセラミックス回路基板の製造方法並びに集合基板と半導体モジュール
JP4885762B2 (ja) 2007-02-27 2012-02-29 株式会社ディスコ チャックテーブルに保持された被加工物の計測装置およびレーザー加工機
JP5162163B2 (ja) 2007-06-27 2013-03-13 株式会社ディスコ ウェーハのレーザ加工方法
US8148663B2 (en) 2007-07-31 2012-04-03 Applied Materials, Inc. Apparatus and method of improving beam shaping and beam homogenization
KR20140137465A (ko) 2007-09-19 2014-12-02 지에스아이 그룹 코포레이션 고속 빔 편향 링크 가공
JP2009123875A (ja) 2007-11-14 2009-06-04 Tokyo Seimitsu Co Ltd レーザーダイシング方法
JP5134928B2 (ja) 2007-11-30 2013-01-30 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物研削方法
JP5043630B2 (ja) 2007-12-18 2012-10-10 株式会社ディスコ レーザー加工機
JP4790735B2 (ja) 2008-01-08 2011-10-12 長野県 レーザ加工装置及びレーザ加工方法
JP5284651B2 (ja) * 2008-01-29 2013-09-11 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP5171294B2 (ja) 2008-02-06 2013-03-27 株式会社ディスコ レーザ加工方法
JP2009200140A (ja) 2008-02-20 2009-09-03 Disco Abrasive Syst Ltd 半導体チップの製造方法
JP4584322B2 (ja) 2008-03-24 2010-11-17 株式会社レーザーシステム レーザ加工方法
US7982160B2 (en) 2008-03-31 2011-07-19 Electro Scientific Industries, Inc. Photonic clock stabilized laser comb processing
US8178818B2 (en) 2008-03-31 2012-05-15 Electro Scientific Industries, Inc. Photonic milling using dynamic beam arrays
KR20100039690A (ko) 2008-10-08 2010-04-16 주식회사 하이닉스반도체 웨이퍼 쏘잉 방법
JP4612733B2 (ja) 2008-12-24 2011-01-12 東芝機械株式会社 パルスレーザ加工装置
JP5132726B2 (ja) * 2008-12-24 2013-01-30 東芝機械株式会社 パルスレーザ加工装置およびパルスレーザ加工方法
WO2010098186A1 (ja) * 2009-02-25 2010-09-02 日亜化学工業株式会社 半導体素子の製造方法
US9701581B2 (en) 2009-06-04 2017-07-11 Corelase Oy Method and apparatus for processing substrates using a laser
JP5148575B2 (ja) 2009-09-15 2013-02-20 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法、及び、レーザ加工装置
JP5452247B2 (ja) 2010-01-21 2014-03-26 東芝機械株式会社 レーザダイシング装置
JP5498852B2 (ja) 2010-05-19 2014-05-21 東芝機械株式会社 パルスレーザ加工装置、シェーディング補正装置およびパルスレーザ加工方法
JP5634765B2 (ja) 2010-06-24 2014-12-03 東芝機械株式会社 パルスレーザ加工方法およびパルスレーザ加工用データ作成方法
JP5981094B2 (ja) 2010-06-24 2016-08-31 東芝機械株式会社 ダイシング方法
JP5632662B2 (ja) 2010-06-24 2014-11-26 東芝機械株式会社 パルスレーザ加工方法
JP5333399B2 (ja) 2010-09-30 2013-11-06 三星ダイヤモンド工業株式会社 レーザー加工装置、被加工物の加工方法および被加工物の分割方法
JP2013027887A (ja) 2011-07-27 2013-02-07 Toshiba Mach Co Ltd レーザダイシング方法
JP2013046924A (ja) 2011-07-27 2013-03-07 Toshiba Mach Co Ltd レーザダイシング方法
JP5827931B2 (ja) 2011-07-27 2015-12-02 東芝機械株式会社 レーザダイシング方法
JP5865671B2 (ja) 2011-10-25 2016-02-17 東芝機械株式会社 パルスレーザ加工装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050184035A1 (en) * 1995-08-07 2005-08-25 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Pulsed laser beam machining method and apparatus for machining a wiring board at multiple locations
CN1967816A (zh) * 2005-11-16 2007-05-23 株式会社电装 晶片以及晶片切割和分割方法
US20070202619A1 (en) * 2005-11-16 2007-08-30 Denso Corporation Laser processing apparatus and laser processing method
US20080057599A1 (en) * 2006-09-06 2008-03-06 Hideharu Kobashi Fabrication method of semiconductor device
US20110095006A1 (en) * 2009-10-26 2011-04-28 Toshiba Kikai Kabushiki Kaisha Laser dicing method and laser dicing apparatus

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104117766A (zh) * 2013-04-26 2014-10-29 三星钻石工业股份有限公司 带图案基板的加工方法及带图案基板的加工装置
CN109262147A (zh) * 2018-09-29 2019-01-25 北京工业大学 一种陶瓷增强金属基复合材料脉冲激光刻蚀加工方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20130029444A1 (en) 2013-01-31
JP5140198B1 (ja) 2013-02-06
CN102896426B (zh) 2015-07-01
TW201318752A (zh) 2013-05-16
KR101376435B1 (ko) 2014-03-21
TWI471186B (zh) 2015-02-01
JP2013048207A (ja) 2013-03-07
KR20130014029A (ko) 2013-02-06
US20140360988A1 (en) 2014-12-11
US8871540B2 (en) 2014-10-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102896426B (zh) 激光切片方法
CN102133690B (zh) 激光切片装置
CN103521934B (zh) 激光切片方法
JP5101073B2 (ja) レーザ加工装置
CN103521932B (zh) 激光切割方法
US7223937B2 (en) Laser beam processing method and laser beam processing machine
KR101229658B1 (ko) 레이저 다이싱 방법 및 레이저 다이싱 장치
CN102896418B (zh) 激光切割方法
KR101426598B1 (ko) 레이저 다이싱 방법
US20110132885A1 (en) Laser machining and scribing systems and methods
CN111655420B (zh) 加工装置
CN102307699A (zh) 加工对象物的切断方法
JP6715632B2 (ja) レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP5827931B2 (ja) レーザダイシング方法
JP2013119106A (ja) レーザ加工装置、レーザ加工方法及びインクジェットヘッド基板
JP4813624B1 (ja) レーザダイシング方法
JP2015123482A (ja) レーザダイシング装置およびレーザダイシング方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant