TWI471186B - Laser cutting method - Google Patents

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TWI471186B
TWI471186B TW101125650A TW101125650A TWI471186B TW I471186 B TWI471186 B TW I471186B TW 101125650 A TW101125650 A TW 101125650A TW 101125650 A TW101125650 A TW 101125650A TW I471186 B TWI471186 B TW I471186B
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Shoichi Sato
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Description

雷射切割方法
本發明係主張JP2011-164042(申請日：2011年7月27日)及JP2012-074937(申請日：2012年3月28日)之優先權，內容亦引用該JP2011-164042及JP2012-074937之全部內容。
本發明關於使用脈衝雷射束之雷射切割方法。
半導體基板之切割使用脈衝雷射束之方法係被揭示於日本專利第3867107號公報。該專利文獻1之方法係藉由脈衝雷射束產生之光學損傷而於加工對象物內部形成裂痕區域。之後，以該裂痕區域為起點來切斷加工對象物。
於習知技術，係以脈衝雷射束之能量，光點直徑，脈衝雷射束與加工對象物之相對移動速度等作為參數，來控制裂痕區域之形成。
本發明之一態樣之雷射切割方法，其特徵為：將被加工基板載置於載置台；產生時脈信號；射出和上述時脈信 號同步之脈衝雷射束；使上述被加工基板與上述脈衝雷射束相對移動；使上述脈衝雷射束對上述被加工基板之照射與非照射同步於上述時脈信號，使用脈衝拾取器來控制上述脈衝雷射束之通過與遮斷，依據光脈衝單位進行切換，於第1直線上進行上述脈衝雷射束之第1照射；於上述第1照射之後，使上述脈衝雷射束對上述被加工基板之照射與非照射同步於上述時脈信號，使用脈衝拾取器來控制上述脈衝雷射束之通過與遮斷，依據光脈衝單位進行切換，於和上述第1直線略平行而鄰接的第2直線上進行上述脈衝雷射束之第2照射；藉由上述第1照射及上述第2照射，於上述被加工基板形成到達上述被加工基板表面的裂痕；藉由對上述脈衝雷射束之照射能量、上述脈衝雷射束之加工點深度以及上述脈衝雷射束之照射區域及非照射區域之長度進行控制，而使上述裂痕於上述被加工基板表面呈連續而被形成。
於上述態樣之方法中，上述第2照射，係藉由和上述第1照射同一之加工點深度來進行。
於上述態樣之方法中，在上述裂痕形成後係以切斷上述被加工基板所要的外力成為大致最小的方式，針對上述第1及第2直線之間隔、上述脈衝雷射束之照射能量、上述脈衝雷射束之加工點深度、以及上述脈衝雷射束之照射區域及非照射區域之長度進行控制而較好。
於上述態樣之方法中較好是，上述第2照射中之上述脈衝雷射束之照射與非照射之圖案，和上述第1照射中之 上述脈衝雷射束之照射與非照射之圖案，係於上述第1直線之垂直方向具有平行移動之關係。
於上述態樣之方法中較好是，上述第1直線與上述第2直線間之間隔設為S，上述脈衝雷射束之於焦點位置的理論上之射束直徑設為d時，3.2≦S/d≦4.8。
於上述態樣之方法中較好是，上述被加工基板為藍寶石基板。
於上述態樣之方法中較好是，於上述被加工基板之主面之一方之面形成發光元件，由另一方之面側進行上述脈衝雷射束之照射。
於上述態樣之方法中較好是，於上述另一方之面上形成金屬膜，藉由上述第1照射及第2照射除去上述金屬膜。
本發明之一態樣之雷射切割方法，其特徵為：將被加工基板載置於載置台；產生時脈信號；射出和上述時脈信號同步之脈衝雷射束；使上述被加工基板與上述脈衝雷射束相對移動；使上述脈衝雷射束對上述被加工基板之照射與非照射同步於上述時脈信號，使用脈衝拾取器來控制上述脈衝雷射束之通過與遮斷，依據光脈衝單位進行切換，於第1直線上進行上述脈衝雷射束之第1照射；於上述第1照射之後，使上述脈衝雷射束對上述被加工基板之照射與非照射同步於上述時脈信號，使用脈衝拾取器來控制上述脈衝雷射束之通過與遮斷，依據光脈衝單位進行切換，於和上述第1直線略平行而鄰接的第2直線上藉由和上述 第1照射同一之加工點深度進行上述脈衝雷射束之第2照射；於上述第2照射之後，使上述脈衝雷射束對上述被加工基板之照射與非照射同步於上述時脈信號，使用脈衝拾取器來控制上述脈衝雷射束之通過與遮斷，依據光脈衝單位進行切換，於和上述第1直線同一或略平行的第3直線上藉由和上述第1照射不同之加工點深度進行上述脈衝雷射束之第3照射；於上述第3照射之後，使上述脈衝雷射束對上述被加工基板之照射與非照射同步於上述時脈信號，使用脈衝拾取器來控制上述脈衝雷射束之通過與遮斷，依據光脈衝單位進行切換，於和上述第3直線略平行而鄰接的第4直線上藉由和上述第3照射同一之加工點深度進行上述脈衝雷射束之第4照射；藉由上述第1照射、上述第2照射、上述第3照射及上述第4照射，於上述被加工基板形成到達上述被加工基板表面的裂痕；藉由對上述脈衝雷射束之照射能量、上述脈衝雷射束之加工點深度以及上述脈衝雷射束之照射區域及非照射區域之長度進行控制，而使上述裂痕於上述被加工基板表面呈連續而被形成。
本發明之一態樣之雷射切割方法，其特徵為：將表面具有金屬膜的被加工基板載置於載置台；產生時脈信號；射出和上述時脈信號同步之脈衝雷射束；使上述被加工基板與上述脈衝雷射束相對移動；使上述脈衝雷射束對上述被加工基板之照射與非照射同步於上述時脈信號，使用脈衝拾取器來控制上述脈衝雷射束之通過與遮斷，依據光脈衝單位進行切換，於第1直線上由上述金屬膜側進行上述 脈衝雷射束之第1照射；於上述第1照射之後，使上述脈衝雷射束對上述被加工基板之照射與非照射同步於上述時脈信號，使用脈衝拾取器來控制上述脈衝雷射束之通過與遮斷，依據光脈衝單位進行切換，於和上述第1直線略平行而鄰接的第2直線上由上述金屬膜側進行上述脈衝雷射束之第2照射；藉由上述第1照射及上述第2照射，除去上述金屬膜之同時於上述被加工基板形成到達上述被加工基板表面的裂痕；藉由對上述脈衝雷射束之照射能量、上述脈衝雷射束之加工點深度以及上述脈衝雷射束之照射區域及非照射區域之長度進行控制，而除去上述金屬膜之同時使上述裂痕於上述被加工基板表面呈連續而被形成。
於上述態樣之方法中較好是，上述第2照射，係藉由和上述第1照射同一之加工點深度而進行。
於上述態樣之方法中較好是，於上述被加工基板之和上述金屬膜呈相反側之面，形成有LED。
以下參照圖面說明本發明之實施形態。又，本說明書中，加工點係指脈衝雷射束之於被加工基板內之聚光位置(焦點位置)附近之點，意味著被加工基板之改質程度於深度方向成為最大之點。因此，加工點深度係意味著脈衝雷射束之加工點由被加工基板表面起之深度。
(第1實施形態)
本實施形態之雷射切割方法，係將被加工基板載置於載置台，產生時脈信號，射出和時脈信號同步之脈衝雷射束，使被加工基板與脈衝雷射束相對移動，使脈衝雷射束對被加工基板之照射與非照射同步於時脈信號，使用脈衝拾取器來控制脈衝雷射束之通過與遮斷，依據光脈衝單位進行切換，於第1直線上進行脈衝雷射束之第1照射。於第1照射之後，使脈衝雷射束對被加工基板之照射與非照射同步於時脈信號，使用脈衝拾取器來控制脈衝雷射束之通過與遮斷，依據光脈衝單位進行切換，於和第1直線略平行而鄰接的第2直線上，藉由和第1照射同一之加工點深度進行脈衝雷射束之第2照射。藉由第1照射及第2照射，於被加工基板形成到達被加工基板表面的裂痕之雷射切割方法。藉由對脈衝雷射束之照射能量、脈衝雷射束之加工點深度以及脈衝雷射束之照射區域及非照射區域之長度進行控制，而使裂痕於被加工基板表面呈連續而被形成。
依據本實施形態，藉由上述構成可提供能實現極佳割斷特性的雷射切割方法。於此，極佳割斷特性例如有(1)割斷部被直線性良好地割斷，(2)可以在切割元件之良品率提升之較小割斷力進行割斷，(3)裂痕形成時不會因為照射雷射之影響而導致基板上設置的元件，例如基板上之磊晶層所形成的LED元件之劣化等。
藉由在被加工基板表面形成連續裂痕，則特別是藍寶石基板之硬質基板之切割變為容易。另外，可實現窄切割 幅之切割。另外，依據本實施形態，以同一之加工點深度照射平行之複數列之脈衝雷射束，則可以將被加工基板內之加工點深度保持較淺之狀態下減輕切割反彈力。因此，即使於被加工基板之相反面形成LED或LD等之發光元件時，亦可抑制雷射束照射引起的元件之劣化。
實現上述雷射切割方法之本實施形態之雷射切割裝置，係具備：載置台，可以載置被加工基板；基準時脈振盪電路，用於產生時脈信號；雷射振盪器，用於射出脈衝雷射束；雷射振盪器控制部，用於使脈衝雷射束同步於時脈信號；脈衝拾取器，設於雷射振盪器與載置台之間之光路，用於切換脈衝雷射束對被加工基板之照射與非照射；脈衝拾取器控制部，係同步於時脈信號，依據光脈衝單位來控制脈衝雷射束於脈衝拾取器之通過與遮斷。
圖1表示本實施形態之雷射切割裝置之一例之概略構成圖。如圖1所示，本實施形態之雷射切割裝置10，其主要構成為具備：雷射振盪器12，脈衝拾取器14，射束整型器16，聚光透鏡18，XYZ載置台部20，雷射振盪器控制部22，脈衝拾取器控制部24，及加工控制部26。加工控制部26，係具備用於產生所要之時脈信號S1的基準時脈振盪電路28及加工表格部30。
雷射振盪器12，係構成為可射出和基準時脈振盪電路28產生之時脈信號S1同步之週期Tc之脈衝雷射束PL1。照射脈衝光之強度係表示高斯(Gaussian)分布。時脈信號S1，雷射切割加工之控制所使用的加工控制用 時脈信號。
由雷射振盪器12射出之雷射波長係使用對被加工基板具有透過性之波長。雷射可以使用Nd：YAG雷射、Nd：YVO4 雷射、Nd：YLF雷射等。例如被加工基板為藍寶石基板時較好是使用波長532nm之Nd：YVO4 雷射。
脈衝拾取器14係設於雷射振盪器12與聚光透鏡18之間之光路。構成為和時脈信號S1同步進行脈衝雷射束PL1之通過與遮斷(ON/OFF)，如此而可以光脈衝數單位進行脈衝雷射束對被加工基板之照射與非照射之切換。如此則，藉由脈衝拾取器14之動作，脈衝雷射束PL1將成為，為加工被加工基板而被控制ON/OFF、被調變之調變脈衝雷射束PL2。
脈衝拾取器14較好是由例如音響光學元件(AOM)構成。另外，亦可使用例如拉曼(Raman)繞射型光電元件(EOM)。
射束整型器16，係將射入之脈衝雷射束PL2整型成為所要形狀之脈衝雷射束PL3。例如射束直徑以一定倍率予以擴大之射束擴大器。另外，例如具備使射束斷面之光強度分布成為均勻之均化器等之光學元件亦可。另外，例如具備使射束斷面成為圓形之元件或使射束成為圓偏光之光學元件亦可。
聚光透鏡18，係將射束整型器16整型後之脈衝雷射束PL3予以聚光，而對載置於XYZ載置台部20上之被加工基板W，例如在下面形成有LED的藍寶石基板照射脈 衝雷射束PL4而構成。
XYZ載置台部20，係可以載置被加工基板W，具備：可於XYZ方向自由移動之XYZ載置台(以下亦有簡單稱為載置台)，其之驅動機構部，具有測定載置台之位置的例如雷射干涉計之位置感測器等。XYZ載置台係構成為其之定位精確度及移動誤差成為次微米(sub-micro)範圍之高精確度。藉由Z方向之移動可使脈衝雷射束之焦點位置對被加工基板W進行調整，可控制加工點深度。
加工控制部26係控制雷射切割裝置10之加工全體。基準時脈振盪電路28係產生所要之時脈信號S1。另外，於加工表格部30記憶著以脈衝雷射束之光脈衝數記述切割加工資料而成的之加工表格。
以下依據圖1-7說明使用上述雷射切割裝置10之雷射切割方法。
首先，將被加工基板W之例如藍寶石基板載置於XYZ載置台部20。該藍寶石基板，係於例如主面之一方之面(下面)具有磊晶成長之GaN層，於該GaN層將複數個LED予以圖案形成之晶圓。以形成於晶圓之溝槽或定位平面為基準而對XYZ載置台進行晶圓之定位。
圖2表示本實施形態之雷射切割方法之時序控制說明圖。於加工控制部26內之基準時脈振盪電路28產生週期Tc之時脈信號S1。雷射振盪器控制部22，係以雷射振盪器12射出同步於時脈信號S1之週期Tc之脈衝雷射束PL1的方式進行控制。此時，於時脈信號S1之上升與脈 衝雷射束之上升產生延遲時間t1 。
雷射光係使用對被加工基板具有透過性之波長者。於此，較好是使用相較於被加工基板材料之吸收之能隙Eg，照射之雷射光之光子之能量hν為較大之雷射光。能量hν相較於能隙Eg為極大時，會產生雷射光之吸收。此稱為多光子吸收，將雷射光之脈寬設為極短，於被加工基板內部產生多光子吸收時，多光子吸收之能量不會轉化為熱能，而激發出離子價數變化、結晶化、非晶質化、極化配向或微小裂痕形成等之永續之構造變化，而形成色中心(color center)。
該雷射光(脈衝雷射束)之照射能量(照射電力)，係以在被加工基板表面可形成呈連續的裂痕的方式來選擇最佳條件。
對被加工基板材料使用具有透過性之波長時，可於基板內部之焦點附近導引、聚集雷射光。因此，可局部性作成色中心。之後稱該色中心為改質區域。
脈衝拾取器控制部24，係參照加工控制部26所輸出之加工圖案信號S2，產生同步於時脈信號S1之脈衝拾取器驅動信號S3。加工圖案信號S2，係參照被記憶於加工表格部30，針對照射圖案之資訊藉由光脈衝單位以光脈衝數予以記述之加工表格而產生。脈衝拾取器14，係依據脈衝拾取器驅動信號S3，同步於時脈信號S1進行脈衝雷射束PL1之通過與遮斷(ON/OFF)之切換動作。
藉由該脈衝拾取器14之動作而產生調變脈衝雷射束 PL2。另外，於時脈信號S1之上升與脈衝雷射束之上升、下降會產生延遲時間t2 、t3 。另外，於脈衝雷射束之上升、下降與脈衝拾取器動作會產生延遲時間t4 、t5 。
於被加工基板之加工時，考慮延遲時間t1 ~t5 ，來決定脈衝拾取器驅動信號S3等之產生時序或被加工基板與脈衝雷射束間之相對移動時序。
圖3表示本實施形態之雷射切割方法之脈衝拾取器動作及調變脈衝雷射束PL2之時序圖。脈衝拾取器動作，係同步於時脈信號S1而以光脈衝單位進行切換。如上述說明，使脈衝雷射束之振盪及脈衝拾取器之動作，同步於時脈信號S1而可以實現光脈衝單位之照射圖案。
具體言之為，脈衝雷射束之照射與非照射係依據由光脈衝數界定之特定條件來進行。亦即，依據照射光脈衝數(P1)及非照射光脈衝數(P2)來執行脈衝拾取器動作，而切換對被加工基板之照射與非照射。用於界定脈衝雷射束之照射圖案的P1值及P2值，例如係於加工表格作為照射區域暫存器設定、非照射區域暫存器設定而被界定。P1值或P2值，係依據被加工基板之材質、雷射束之條件等，而設為使切割時之裂痕形成成為最佳化之特定條件。
調變脈衝雷射束PL2，係藉由射束整型器16被整型成為所要形狀之脈衝雷射束PL3。另外，整型後之脈衝雷射束PL3，係藉由聚光透鏡18被聚光而成為具有所要射束直徑之脈衝雷射束PL4，而照射至被加工基板之晶圓上。
使晶圓於X軸方向及Y軸方向進行切割時，首先，例如使XYZ載置台以一定速度於X軸方向移動，掃描脈衝雷射束PL4。當所要之X軸方向之切割結束後，使XYZ載置台以一定速度於Y軸方向移動，掃描脈衝雷射束PL4。如此而進行Y軸方向之切割。
藉由上述之照射光脈衝數(P1)、非照射光脈衝數(P2)及載置台之速度，來控制脈衝雷射束之照射非照射之間隔。
又，本說明書中，「照射區域之長度」，係指於被加工基板表面上被照射有照射光點的區域之掃描方向之長度，「非照射區域之長度」係指於被加工基板表面上未被照射照射光點的區域之掃描方向之長度。
關於Z軸方向(高度方向)，係以使聚光透鏡之聚光位置(焦點位置)位於晶圓內之特定深度的方式進行調整。該特定深度，係以切割時裂痕以所要之形狀被形成於被加工基板表面的方式予以設定。
此時，設定如下：被加工基板之折射率：n
被加工基板表面起之加工位置：L
Z軸移動距離：Lz
則Lz=L/n。亦即，聚光透鏡之聚光位置，當以被加工基板之表面為Z軸初期位置時，欲加工至基板表面起深度「L」之位置時，使Z軸移動「Lz」即可。
圖4表示本實施形態之雷射切割方法之照射圖案說明 圖。如圖所示，同步於時脈信號S1而產生脈衝雷射束PL1。同步於時脈信號S1而控制脈衝雷射束之通過與遮斷，如此而產生調變脈衝雷射束PL2。
藉由載置台之橫向(X軸方向或Y軸方向)之移動，使調變脈衝雷射束PL2之照射光脈衝於晶圓上形成照射光點。如上述說明，藉由產生調變脈衝雷射束PL2，照射光點可以光脈衝單位被控制而以斷續方式照射至晶圓上。圖4之情況下，設定照射光脈衝數(P1)=2，非照射光脈衝數(P2)=1，則被設定之條件為照射光脈衝(高斯光)以光點直徑之間距重複進行照射與非照射。本實施形態中，該脈衝雷射束之照射，可藉由近接且平行進行雷射束之掃描來實現。
於此，設定以下條件進行加工，射束光點直徑：D(μm)
重複頻率：F(KHz)
則被照射光脈衝以光點直徑之間距重複進行照射與非照射時之載置台移動速度V(m/sec)成為V=D×10-6 ×F×103
例如設定以下之加工條件進行時，射束光點直徑：D=2μm
重複頻率：F=50KHz
則載置台移動速度：V=100mm/sec。
另外，照射光之功率設為P(瓦特)時，脈衝單位之照射脈衝能量P/F之光脈衝將被照射至晶圓。
脈衝雷射束之照射能量(照射光之功率)、脈衝雷射束之加工點深度、以及脈衝雷射束之照射非照射之間隔之參數，係以裂痕於被加工基板表面呈連續形成的方式予以決定。
圖5表示照射至藍寶石基板上之照射圖案之上面圖。本實施形態中，係使脈衝雷射束對藍寶石基板之照射與非照射同步於時脈信號，使用脈衝拾取器來控制脈衝雷射束之通過與遮斷，依據光脈衝單位進行切換，於第1直線L1上進行脈衝雷射束之第1照射。接著，於第1照射之後，和第1照射同樣，使脈衝雷射束對藍寶石基板之照射與非照射同步於時脈信號，使用脈衝拾取器來控制脈衝雷射束之通過與遮斷，依據光脈衝單位進行切換，於和第1直線L1略平行而鄰接的第2直線L2上，藉由和第1照射同一之加工點深度進行脈衝雷射束之第2照射。
又，於此同一之加工點深度，係指加工控制上之誤差等引起的深度之變動維可容許之概念。
圖5之例為，由照射面上看時，第1照射、第2照射均為照射光脈衝數(P1)=2，非照射光脈衝數(P2)=1，照射光點係以照射光點直徑之間距被形成。第2照射中之脈衝雷射束之照射與非照射之圖案，和第1照射中之脈衝雷射束之照射與非照射之圖案，係於第1直線之垂直方向具有平行移動之關係，此就裂痕直線性之良好形成，裂痕形成後割斷藍寶石基板所要的外力(割斷力)之減輕觀點乃較好者。亦即，第1照射與第2照射光點對於掃描方 向設為真正橫向並列之照射圖案乃較好者。該關係被稱為列方向之照射圖案為同相。
第1直線及第2直線，係如圖5所示，為同一切割區間(dicing street)上之直線。切割區間，例如為形成於藍寶石基板之相反面的複數LED元件間之境界區域，係具有餘裕度而被設定的區域，該餘裕度乃將元件切斷為各個時為使切割之影響不對LED元件帶來任何影響而設者。切割區間亦有稱為切割線。
圖6為圖5之AA斷面圖。如圖所示，於藍寶石基板內部形成改質區域。由該改質區域起沿著光脈衝之掃描線上被形成到達基板表面之裂痕(或溝)。另外，該裂痕係於被加工基板表面呈連續而形成。又，本實施形態中，裂痕係僅露出基板表面側而被形成，而未到達基板背面側。
裂痕形成後，例如藉由切斷器(breaker)施加外力而割斷藍寶石基板。此時之外力以大致成為最小的方式，針對第1及第2直線之間隔、脈衝雷射束之照射能量、脈衝雷射束之加工點深度、以及脈衝雷射束之照射區域及非照射區域之長度進行控制乃較好者。又，藍寶石基板於裂痕形成後未被施加外力，而自然割斷亦可。
圖7表示載置台移動與切割加工間之關係說明圖。於XYZ載置台設有位置感測器用於檢測X軸、Y軸方向之移動位置。例如載置台對X軸、Y軸方向之移動開始後，事先將載置台速度進入速度穩定區域之位置設為同步位置 。於位置感測器檢測出同步位置時，例如使移動位置檢測信號S4(圖1)被傳送至脈衝拾取器控制部24，而使脈衝拾取器動作被許可，藉由脈衝拾取器驅動信號S3使脈衝拾取器進行動作。同步位置，例如係設為被加工基板之端面，藉由位置感測器來檢測該端面之構成亦可。
如上述說明，以下被管理，
SL ：同步位置起至基板間之距離
WL ：加工長度
W1 ：基板端起至照射開始位置之間之距離
W2 ：加工範圍
W3 ：照射終了位置起至基板端之間之距離
如上述說明，載置台位置及其所載置的被加工基板之位置，與脈衝拾取器之動作開始位置呈同步。亦即，脈衝雷射束之照射與非照射可以取得和載置台位置間之同步。因此，脈衝雷射束之照射與非照射時，可以擔保載置台以一定速度移動(處於速度穩定區域)。因此，照射光點位置之規則性可以確保，可實現穩定之裂痕之形成。
圖8A、8B係表示本實施形態之雷射切割方法之作用說明圖。圖8A係表示本實施形態時，圖8B係表示藉由不同加工點深度之脈衝雷射束，對基板之同一掃描線上進行2次掃描而形成裂痕時之圖。
如圖8A所示，本實施形態中，係使近接的脈衝雷射束以同一深度對藍寶石基板50進行平行照射。圖8B係於同一之直線上使脈衝雷射束以不同深度對藍寶石基板50 進行照射。圖8B之方法係以不同深度進行2次照射，而減低藍寶石基板50割斷時之割斷力。
於本實施形態，藉由以同一之深度照射近接的脈衝雷射束，可以較小割斷力割斷藍寶石基板50。因此，割斷時割斷部之直線性可以提升之同時，可以防止割斷時之被加工基板之缺陷或破片之產生，切割良品率可以提升。
另外，於藍寶石基板50之一方之面，亦即照射面之相反側之面之磊晶層52設置LED等之元件時，和藉由不同深度進行2次照射之方法比較，本實施形態中，藉由照射所形成的改質區域54起至磊晶層為止之距離更為分離。因此，雷射切割時之雷射束之影響所導致元件之特性劣化可以被抑制。基於此一觀點而可以提升切割良品率。
圖9係表示本實施形態之雷射切割方法中之照射列間隔S，脈衝雷射束之射束直徑d與割斷力之關係圖。於此，照射列間隔係指圖5中之第1直線L1與第2直線L2之間之間隔，亦即第1直線L1與第2直線L2之間之距離。又，射束直徑d係指脈衝雷射束之焦點位置之理論上之射束直徑，藉由雷射之照射條件之決定而可以由計算求出之值。
割斷力，係藉由脈衝雷射束之照射而於裂痕形成之後，割斷被加工基板所要的外力之值。又，圖9係表示被加工基板設為藍寶石基板時之測定結果。
如圖9所示，基於S/d之關係而存在有割斷力極小值之區域。如上述說明，在割斷力為極小值之S/d之條件下 進行雷射切割乃較好者。因此，由圖9可知，第1直線與第2直線之間隔設為S，脈衝雷射束之焦點位置之理論上之射束直徑設為d時，較好是3.2≦S/d≦4.8，更好是3.5≦S/d≦4.5。
本實施形態之所以可以較小割斷力進行基板之割斷可以推測為，藉由第1照射與第2照射，藉由平行並列之2列之改質區域，使產生於改質區域間之基板的應力相互作用，而可於基板表面有效形成直線性裂痕。如上述說明，對應於S/d之關係而之所以能獲取割斷力之極小值乃基於以下之考量，亦即相對於射束直徑d，當照射列間隔S變為太大時因為距離之關係使得應力之相互作用降低，當照射列間隔S變為太小時改質區域間之距離會變短或者重疊而導致應力之相互作用降低。
又，被加工基板為藍寶石以外之材料，例如石英玻璃，水晶，矽，碳化矽(SiC)等時，亦具有和藍寶石基板同樣之關係。
又，本實施形態中說明第1照射與第2照射之加工點深度同一時之例。但是例如切割時藉由對被加工基板表面形成的裂痕之位置或形狀進行微調整，可以積極地將第1照射與第2照射之加工點深度設為不同。
進行厚基板之加工時，進行第1照射及第2照射之後，更進一步藉由不同加工點深度之脈衝雷射束，重複進行掃描而形成裂痕，而提升割斷特性之方法亦可以被考慮。
亦即，將被加工基板載置於載置台；產生時脈信號； 射出和時脈信號同步之脈衝雷射束；使被加工基板與脈衝雷射束相對移動；使脈衝雷射束對被加工基板之照射與非照射同步於時脈信號，使用脈衝拾取器來控制脈衝雷射束之通過與遮斷，依據光脈衝單位進行切換，於第1直線上進行脈衝雷射束之第1照射；於第1照射之後，使脈衝雷射束對被加工基板之照射與非照射同步於時脈信號，使用脈衝拾取器來控制脈衝雷射束之通過與遮斷，依據光脈衝單位進行切換，於和第1直線略平行而鄰接的第2直線上藉由和第1照射同一之加工點深度進行脈衝雷射束之第2照射；於第2照射之後，使脈衝雷射束對被加工基板之照射與非照射同步於時脈信號，使用脈衝拾取器來控制脈衝雷射束之通過與遮斷，依據光脈衝單位進行切換，於和第1直線同一或略平行的第3直線上藉由和第1照射不同之加工點深度進行脈衝雷射束之第3照射；於第3照射之後，使脈衝雷射束對被加工基板之照射與非照射同步於時脈信號，使用脈衝拾取器來控制脈衝雷射束之通過與遮斷，依據光脈衝單位進行切換，於和第3直線略平行而鄰接的第4直線上藉由和第3照射同一之加工點深度進行脈衝雷射束之第4照射；藉由第1照射、第2照射、第3照射及第4照射，於被加工基板形成到達被加工基板表面的裂痕的雷射切割方法。對脈衝雷射束之照射能量，脈衝雷射束之加工點深度以及脈衝雷射束之照射區域及非照射區域之長度進行控制。
如此則，針對複數層，藉由略平行之同一加工點深度 之脈衝雷射束之照射之進行，即使厚的基板其割斷力亦可減輕，藉由脈衝雷射束之照射條件之最佳化條件來控制裂痕之產生，可以提供能實現極佳割斷特性的雷射切割方法。
此種複數層之加工時，藉由載置台位置與脈衝拾取器之動作開始位置之同步，則於不同深度之掃描，可以良好精確度針對脈衝照射位置之關係進行任意控制，切割條件之最佳化成為可能。
又，例如將第1照射與第3照射或第4照射設為同一直線上(同一掃描線上)，將第2照射與第4照射或第3照射設為同一直線上(同一掃描線上)，則例如切割幅不會大於必要以上而為較好。
(第2實施形態)
本實施形態之雷射切割方法，除了於被加工基板之主面之一方之面形成LED(Light Emitting Diode)，於主面之另一方之面形成金屬膜，藉由脈衝雷射束之第1照射及第2照射除去金屬膜除去以外，均和第1實施形態同樣。因此，省略和第1實施形態重複內容之記述。
本實施形態之雷射切割方法，係將表面具有金屬膜的被加工基板載置於載置台；產生時脈信號；射出和時脈信號同步之脈衝雷射束；使被加工基板與脈衝雷射束相對移動；使脈衝雷射束對被加工基板之照射與非照射同步於時脈信號，使用脈衝拾取器來控制脈衝雷射束之通過與遮斷 ，依據光脈衝單位進行切換，於第1直線上由金屬膜側進行脈衝雷射束之第1照射；於第1照射之後，使脈衝雷射束對被加工基板之照射與非照射同步於時脈信號，使用脈衝拾取器來控制脈衝雷射束之通過與遮斷，依據光脈衝單位進行切換，於和第1直線略平行而鄰接的第2直線上由金屬膜側進行脈衝雷射束之第2照射；藉由第1照射及第2照射，除去金屬膜之同時於被加工基板形成到達被加工基板表面的裂痕。藉由對脈衝雷射束之照射能量、脈衝雷射束之加工點深度以及脈衝雷射束之照射區域及非照射區域之長度進行控制，而除去金屬膜之同時使裂痕於被加工基板表面呈連續而被形成。
在設於藍寶石基板之主面之一方之面上的磊晶層形成LED，於藍寶石基板之另一方之面，設置使LED發出之光反射的金屬膜之發光裝置存在。金屬膜亦稱為反射層。
使用雷射進行該發光裝置之切割時，於雷射切割前藉由蝕刻處理等之其他工程將切割區間上之金屬膜予以剝離之方法存在。於該方法存在著切割工程增加之問題。
圖10及圖11係表示本實施形態之雷射切割方法之說明圖。圖10為上面圖，圖11為圖10之BB斷面圖。
如圖11所示，例如於被加工基板之藍寶石基板50之主面之一方之面(背面)形成磊晶層52。之後於該磊晶層52形成例如LED。又，於主面之另一方之面(照射面)形成成為反射層的金屬膜60。金屬膜60係為例如金(Au)或鋁(Al)。
如圖10所示，例如沿著平行的第1直線L1、第2直線L2、第3直線L3，以同一之加工點深度進行脈衝雷射束之照射。沿著個別直線之照射係為第1照射，第2照射，第3照射。此時，圖中虛線所示照射面，亦即反射層表面中之雷射束之照射區域(照射光點)，不論於第1~第3直線方向，或和第1~第3直線呈垂直的方向均互為重疊。
又，於圖10，關於第1~第3之各照射，其之照射圖案雖設為照射光脈衝數(P1)=3，非照射光脈衝數(P2)=3，亦即進行3脈衝數分之照射，3脈衝數分之非照射，但本實施形態不限定於該照射圖案。
依據本實施形態，於照射面，設為將鄰接的脈衝雷射束之照射區域予以重疊的照射圖案，可有效剝離金屬膜60。同時，於藍寶石基板50內被形成同一深度並列的3列之改質區域54，形成到達基板表面之裂痕。藉由該裂痕之形成，可以小的割斷力割斷被加工基板。
依據本實施形態，藉由脈衝雷射束之照射，可同時進行金屬膜60之除去與對於被加工基板之裂痕之形成。因此，無須為了金屬膜除去而設置追加之工程，可於短時間、低成本實現設有金屬膜的發光裝置之切割。
以上係參照具體例說明本發明之實施形態。但是，本發明不限定於彼等具體例。於實施形態中，於雷射切割方法、雷射切割裝置等雖省略與本發明之說明無直接必要部分之記載，針對必要的雷射切割方法、雷射切割裝置等相 關的要素可以適宜選擇予以使用。
此外，具備本發明之要素，而業者經由適宜設計變更之全部雷射切割方法，亦包含於本發明之範圍。本發明之範圍，可藉由申請專利範圍及其之均等物之範圍予以定義。
例如實施形態中，被加工基板之例雖說明形成有LED的藍寶石基板。本發明雖使用於藍寶石基板等硬質、缺乏劈開性之割斷困難的基板，但是除上述以外，被加工基板亦可為石英玻璃等之玻璃基板，水晶等之絕緣物基板，SiC(碳化矽)基板等之半導體材料基板，壓電材料基板等。
又，實施形態中說明藉由移動載置台，而使被加工基板與脈衝雷射束相對移動之例，但是例如使用雷射束掃描器等進行脈衝雷射束之掃描，而使被加工基板與脈衝雷射束相對移動之方法或裝置亦可。
又，實施形態中說明照射光脈衝數(P1)=2，非照射光脈衝數(P2)=1，照射光脈衝數(P1)=3，非照射光脈衝數(P2)=3之例，但P1與P2之值可取任意之值據以設為最佳條件。另外，實施形態中說明照射光脈衝以光點直徑之間距重複進行照射與非照射之例，但是藉由變化脈衝頻率或載置台移動速度，而變化照射與非照射之間距，找出最佳條件亦可以。例如照射與非照射之間距可以設為光點直徑之1/n或n倍。
另外，關於切割加工之圖案，例如藉由設置複數個照 射區域暫存器及非照射區域暫存器，以即時方式於所要時序將照射區域暫存器及非照射區域暫存器值變更為所要之值，如此則，可以對應於各種切割加工圖案。
另外，雷射切割裝置，係說明具備加工表格部之裝置之例，該加工表格部係記憶著：將切割加工資料以脈衝雷射束之光脈衝數予以記述而成的加工表格。但是，未必一定需要該加工表格部，只要是裝置之為構成具有可以光脈衝單位進行脈衝雷射束之脈衝拾取器中之通過與遮斷之控制即可。
又，為了更進一步提升割斷特性，於基板表面形成呈連續之裂痕後，另外藉由例如雷射照射而對表面追加進行溶融加工或消融加工之構成亦可能。
又，本實施形態中，藉由重複照射複數層之略平行的2列之脈衝雷射束，而減輕割斷力亦可。圖12A，12B係表示使不同加工點深度之脈衝雷射束，於基板之同一掃描線上進行複數次掃描而形成裂痕時之說明圖。係基板斷面中之照射圖案之模式圖。ON(著色)為照射，OFF(白色)為非照射區域。圖12A為照射之掃描之第1層與第2層為同相時，亦即，於第1層與第2層之照射脈衝位置之上下關係被整合之情況。圖12B係表示照射之掃描之第1層與第2層為異相時，亦即，第1層與第2層之照射脈衝位置之上下關係偏移之情況。
又，於此說明針對照射/非照射之脈衝數，於第1層與第2層設為同一之例，但於第1層與第2層設為不同的 照射/非照射之脈衝數亦可求出最佳條件。
又，例如載置台之移動係同步於時脈信號，但較好是更進一步提高照射光點位置之精確度。此可藉由例如使由加工控制部26傳送至XYZ載置台部20的載置台移動信號S5(圖1)同步於時脈信號S1而實現。
又，同一之切割區間內以直線狀照射的脈衝雷射束之列數，只要是2列以上即可，亦可為3列以上。
[實施例]
以下，說明本發明之實施例。
(實施例1)
藉由第1實施形態記載之方法，於下記條件進行雷射切割。
被加工基板：藍寶石基板，基板厚度150μm，無磊晶層，無金屬膜
雷射光源：Nd：YVO4 雷射
波長：532nm
照射能量：2.5μJ/脈衝
雷射頻率：100kHz
照射光脈衝數(P1)：3
非照射光脈衝數(P2)：3
照射列數：2列
照射列間隔(S)：4μm
相位：列方向同相
脈衝間隔：1.25μm
載置台速度：5mm/sec
焦點位置：被加工基板表面起16μm
圖13表示實施例1之照射圖案之圖。如圖所示，照射3次光脈衝之後，依光脈衝單位設定3脈衝分之非照射。以下將該條件以照射/非照射=3/3之形式予以記述。又，該照射圖案之照射係於平行近接之2條直線上進行。亦即，脈衝雷射束設為平行之2列而進行照射。
雷射切割之結果如圖14。圖14A為基板表面之光學照片，圖14B為改質區域之光學照片。圖14A之光學照片係對焦於基板表面之裂痕進行攝影。圖14B之光學照片係對焦於基板內部之改質區域而攝影。又，圖15為和裂痕之方向平行的基板之斷面光學照片。
被加工基板為寬約5mm之短冊狀，於短冊之伸長方向以垂直方式照射脈衝雷射束，形成裂痕。裂痕形成後，評估使用切斷器(bleaker)進行割斷所要的割斷力。又，由圖15之斷面光學照片測定改質區域之下端與藍寶石基板下面間之距離(改質區域-下面距離)。結果如圖16所示。白色之圖形為割斷力，斜線之圖形為改質區域-下面距離。
(實施例2)
除了焦點位置設為被加工基板表面起20μm以外，藉由和實施例1同樣之方法進行雷射切割。雷射切割之結果圖示於圖16。
(實施例3)
除焦點位置設為被加工基板表面起25μm以外，藉由和實施例1同樣之方法進行雷射切割。雷射切割之結果圖示於圖16。
(實施例4)
除焦點位置設為被加工基板表面起30μm以外，藉由和實施例1同樣之方法進行雷射切割。雷射切割之結果圖示於圖16。
(比較例1)
實施例1~4，係如圖8(a)所示，相對於照射列數為2列，而將照射列數設為1列，如圖8(b)所示，於同一直線上以不同的2個深度進行脈衝雷射束之照射以外，藉由和實施例1同樣之方法進行雷射切割。焦點位置設為自被加工基板表面起14μm、39μm之2層。相位係於深度方向設為同相。雷射切割之結果圖示於圖16。
於實施例1~4、比較例1之任一，均可於被加工基板表面形成呈連續之裂痕。
相對於比較例1，於實施例1~4之條件下，可將改 質區域之下端與藍寶石基板下面之距離(改質區域-下面距離)保持於較長，即使於藍寶石基板形成LED等時，雷射切割引起之LED等之元件特性劣化可以被抑制。又，特別是和比較例1比較，實施例2~4之割斷力可以減輕約30%。
(實施例5)
藉由第1實施形態記載之方法，於下記條件下進行雷射切割。
被加工基板：藍寶石基板，基板厚度200μm，無磊晶層，無金屬膜
雷射光源：Nd：YVO4 雷射
波長：532nm
照射能量：2.5μJ/脈衝
雷射頻率：100kHz
照射光脈衝數(P1)：3
非照射光脈衝數(P2)：3
照射列數：2列
照射列間隔(S)：4μm
相位：列方向同相
脈衝間隔：1.25μm
載置台速度：5mm/sec
焦點位置：被加工基板表面起25μm
和實施例1~4不同，藍寶石基板之厚度設為200μm。和實施例1~實施例4、比較例1進行同樣之評估。雷射切割之結果圖示於圖17。白色之圖形為割斷力，斜線之圖形為改質區域-下面距離。
(實施例6)
如圖18所示，相對於實施例5，除於2列之間之位置，於深度方向除追加之1層照射圖案以外，藉由和實施例5同樣之方法進行雷射切割。追加之1層之焦點位置係設為被加工基板表面起65μm。追加之1層係和上層於深度方向為同相。雷射切割之結果如圖17所示。
(實施例7)
除追加之1層之焦點位置設為自被加工基板表面起70μm以外，藉由和實施例6同樣之方法進行雷射切割。雷射切割之結果係圖示於圖17。
(實施例8)
除追加之1層之焦點位置設為自被加工基板表面起75μm以外，藉由和實施例6同樣之方法進行雷射切割。雷射切割之結果係圖示於圖17。
(比較例2)
除了於同一直線上以不同的3個深度照射1列之脈衝 雷射束以外，藉由和實施例5同樣之方法進行雷射切割。焦點位置係設為自被加工基板表面起14μm、49μm、74μm之3層。相位係於深度方向為同相。雷射切割之結果係圖示於圖17。
於實施例5~8、比較例2之任一，均可於被加工基板表面形成呈連續之裂痕。
比起比較例2，於實施例5~7之條件下可保持較長的改質區域之下端與藍寶石基板下面間之距離(改質區域-下面距離)，即使形成有LED等時，亦可抑制雷射切割所導致之特性劣化。又，比起比較例2，實施例7、8之割斷力可以減輕。特別是比起比較例2，實施例7之改質區域-下面距離可以保持較長，而且割斷力可以減輕。
(實施例9)
藉由第1實施形態記載之方法，於下記條件下進行雷射切割。
被加工基板：藍寶石基板，基板厚度300μm，無磊晶層，無金屬膜
雷射光源：Nd：YVO4 雷射
波長：532nm
照射能量：2.5μJ/脈衝
雷射頻率：100kHz
照射光脈衝數(P1)：3
非照射光脈衝數(P2)：3
照射列數：2列
照射列間隔(S)：4μm
深度方向層數：3層
相位：列方向，深度方向均為同相
脈衝間隔：1.25μm
載置台速度：5mm/sec
焦點位置：被加工基板表面起25μm，70μm，125μm
和實施例1~4、5~8不同，藍寶石基板之厚度設為300μm。又，深度方向之層數設為3層。進行和實施例1~實施例4，比較例1同樣之評估。雷射切割之結果係圖示於圖19。白色之圖形表示割斷力，斜線之圖形表示改質區域-下面距離。
(比較例3)
除了於同一直線上以不同之4個深度進行1列脈衝雷射束之照射以外，藉由和實施例9同樣之方法進行雷射切割。焦點位置係設為自被加工基板表面起14μm，49μm，84μm，119μm之4層。相位係於深度方向設為同相。雷射切割之結果係圖示於圖19。
(比較例4)
除了於同一直線上以不同之5個深度進行1列脈衝雷 射束之照射以外，藉由和實施例9同樣之方法進行雷射切割。焦點位置係設為自被加工基板表面起14μm，44μm，74μm，104μm，134μm之5層。相位係於深度方向設為同相。雷射切割之結果係圖示於圖19。
於實施例9、比較例3、4之任一，均可於被加工基板表面形成呈連續之裂痕。
比起比較例3，於實施例9之條件下，改質區域之下端與藍寶石基板下面間之距離(改質區域-下面距離)可以保持較長，即使形成有LED等時，亦可抑制雷射切割引起之特性劣化。又，和比較例3、4比較，實施例9之割斷力可以減輕。因此，比起比較例4，可以保持較長的改質區域-下面距離，而且，可以減輕割斷力。
(實施例10)
藉由第2實施形態記載之方法，於下記條件下進行雷射切割。
被加工基板：藍寶石基板，基板厚度150μm，有磊晶層，有金屬膜
雷射光源：Nd：YVO4 雷射
波長：532nm
照射能量：3.0μJ/脈衝
雷射頻率：100kHz
照射光脈衝數(P1)：3
非照射光脈衝數(P2)：3
照射列數：2列
照射列間隔(S)：4μm
相位：列方向為同相
脈衝間隔：1.25μm
載置台速度：5mm/sec
焦點位置：被加工基板表面起18μm
以具有金屬膜之藍寶石基板設為被加工基板而進行切割。
被加工基板為寬約5mm之短冊狀，於短冊之伸長方向以垂直方式進行脈衝雷射束之照射，形成裂痕。裂痕形成之後，評估使用切斷器所要的割斷力。又，由斷面光學照片針對改質區域之下端與藍寶石基板下面之距離(改質區域-下面距離)進行測長。結果如圖20所示。白色之圖形為割斷力，斜線之圖形為改質區域-下面距離。
圖21A~21E係表示藉由雷射切割之金屬膜除去結果之光學照片。圖21A係相當於實施例10。
(實施例11)
除焦點位置設為被加工基板表面起20μm以外，藉由實施例1同樣之方法進行雷射切割。雷射切割之結果係圖示於圖20，圖21B。
(實施例12)
除照射列數設為3列以外，藉由和實施例11同樣之方法進行雷射切割。雷射切割之結果係圖示於圖20，圖21C。
(實施例13)
除了將2列重疊、亦即藉由列間隔0而進行2列照射，對該列隔開4μm之間隔進行另一列之照射以外，藉由和實施例12同樣之方法進行雷射切割。雷射切割之結果係圖示於圖20，圖21D。
(實施例14)
列間隔2μm以外，實施例12同樣之方法雷射切割。雷射切割之結果係圖示於圖20，圖21E。
於實施例10~14之任一，均可於被加工基板表面形成呈連續之裂痕。又，如圖21A~21E所示，於實施例10~14之任一，均可同時實現金屬膜之除去與裂痕之形成。特別是於實施例12~14之條件下殘留較少，金屬膜之除去效果更為良好。
特別是，於實施例12之條件下割斷力最小。
10‧‧‧脈衝雷射加工裝置
12‧‧‧雷射振盪器
14‧‧‧脈衝拾取器
16‧‧‧射束整型器
18‧‧‧聚光透鏡
20‧‧‧XYZ載置台部
22‧‧‧雷射振盪器控制部
24‧‧‧脈衝拾取器控制部
26‧‧‧加工控制部
28‧‧‧基準時脈振盪電路
30‧‧‧加工表格部
50‧‧‧藍寶石基板
52‧‧‧磊晶層
54‧‧‧改質區域
60‧‧‧金屬膜
L1‧‧‧第1直線
L2‧‧‧第2直線
L3‧‧‧第3直線
S1‧‧‧時脈信號
S2‧‧‧加工圖案信號
S3‧‧‧脈衝拾取器驅動信號
S4‧‧‧移動位置檢測信號
S5‧‧‧載置台移動信號
PL1‧‧‧脈衝雷射束
PL2‧‧‧調變脈衝雷射束
PL3‧‧‧脈衝雷射束
PL4‧‧‧脈衝雷射束
W‧‧‧被加工基板
圖1係表示第1實施形態之雷射切割方法使用的雷射切割裝置之一例之概略構成圖。
圖2係表示第1實施形態之雷射切割方法之時序控制 說明圖。
圖3係表示第1實施形態之雷射切割方法之脈衝拾取器動作與調變脈衝雷射束之時序圖。
圖4係表示第1實施形態之雷射切割方法之照射圖案之說明圖。
圖5係表示第1實施形態之藍寶石基板上被照射的照射圖案之上面圖。
圖6係表示圖5之AA斷面圖。
圖7係表示第1實施形態之載置台移動與切割加工之關係說明圖。
圖8A，8B係表示第1實施形態之雷射切割方法之作用說明圖。
圖9係表示第1實施形態之雷射切割方法中之照射列間隔S、脈衝雷射束之射束直徑d與割斷力之關係圖。
圖10係表示第1實施形態之雷射切割方法之說明圖。
圖11係表示第1實施形態之雷射切割方法之說明圖。
圖12A，12B係表示將不同加工點深度之脈衝雷射束，進行複數次基板之同一掃描線上之掃描而形成裂痕時之說明圖。
圖13係表示實施例1之照射圖案之圖。
圖14A，14B係表示實施例1之雷射切割之結果圖。
圖15係表示實施例1之雷射切割之結果圖。
圖16係表示實施例1~4，比較例1之雷射切割之結果圖。
圖17係表示實施例5~8，比較例2之雷射切割之結果圖。
圖18係表示實施例6之照射圖案圖。
圖19係表示實施例9，比較例3、4之雷射切割之結果圖。
圖20係表示實施例10~14之雷射切割之結果圖。
圖21A~21E係表示實施例10~14之雷射切割之結果圖。
10‧‧‧脈衝雷射加工裝置
12‧‧‧雷射振盪器
14‧‧‧脈衝拾取器
16‧‧‧射束整型器
18‧‧‧聚光透鏡
20‧‧‧XYZ載置台部
22‧‧‧雷射振盪器控制部
24‧‧‧脈衝拾取器控制部
26‧‧‧加工控制部
28‧‧‧基準時脈振盪電路
30‧‧‧加工表格部
S1‧‧‧時脈信號
S2‧‧‧加工圖案信號
S3‧‧‧脈衝拾取器驅動信號
S4‧‧‧移動位置檢測信號
S5‧‧‧載置台移動信號
PL1‧‧‧脈衝雷射束
PL2‧‧‧調變脈衝雷射束
PL3‧‧‧脈衝雷射束
PL4‧‧‧脈衝雷射束
W‧‧‧被加工基板

Claims (10)

  1. 一種雷射切割方法，其特徵為：將被加工基板載置於載置台；產生時脈信號；射出和上述時脈信號同步之脈衝雷射束；使上述被加工基板與上述脈衝雷射束相對移動；使上述脈衝雷射束對上述被加工基板之照射與非照射同步於上述時脈信號，使用脈衝拾取器來控制上述脈衝雷射束之通過與遮斷，依據光脈衝單位進行切換，於第1直線上進行上述脈衝雷射束之第1照射；於上述第1照射之後，使上述脈衝雷射束對上述被加工基板之照射與非照射同步於上述時脈信號，使用脈衝拾取器來控制上述脈衝雷射束之通過與遮斷，依據光脈衝單位進行切換，於和上述第1直線略平行而鄰接的第2直線上以和上述第1照射同一之加工點深度進行上述脈衝雷射束之第2照射；藉由上述第1照射及上述第2照射，於上述被加工基板形成到達上述被加工基板表面的裂痕；藉由對上述脈衝雷射束之照射能量、上述脈衝雷射束之加工點深度以及上述脈衝雷射束之照射區域及非照射區域之長度進行控制，而使上述裂痕於上述被加工基板表面呈連續而被形成。
  2. 如申請專利範圍第1項之雷射切割方法，其中在上述裂痕形成後以切斷上述被加工基板所要的外力 成為最小的方式，針對上述第1及第2直線之間隔、上述脈衝雷射束之照射能量、上述脈衝雷射束之加工點深度、以及上述脈衝雷射束之照射區域及非照射區域之長度進行控制。
  3. 如申請專利範圍第1項之雷射切割方法，其中上述第2照射中之上述脈衝雷射束之照射與非照射之圖案，和上述第1照射中之上述脈衝雷射束之照射與非照射之圖案，係於上述第1直線之垂直方向具有平行移動之關係。
  4. 如申請專利範圍第1項之雷射切割方法，其中上述第1直線與上述第2直線間之間隔設為S，上述脈衝雷射束之於焦點位置的理論上之射束直徑設為d時，3.2≦S/d≦4.8。
  5. 如申請專利範圍第1~4項中任一項之雷射切割方法，其中上述被加工基板為藍寶石基板。
  6. 如申請專利範圍第1項之雷射切割方法，其中於上述被加工基板之主面之一方之面形成發光元件，由另一方之面側進行上述脈衝雷射束之照射。
  7. 如申請專利範圍第6項之雷射切割方法，其中於上述另一方之面上形成金屬膜，藉由上述第1照射及第2照射除去上述金屬膜。
  8. 一種雷射切割方法，其特徵為：將被加工基板載置於載置台； 產生時脈信號；射出和上述時脈信號同步之脈衝雷射束；使上述被加工基板與上述脈衝雷射束相對移動；使上述脈衝雷射束對上述被加工基板之照射與非照射同步於上述時脈信號，使用脈衝拾取器來控制上述脈衝雷射束之通過與遮斷，依據光脈衝單位進行切換，於第1直線上進行上述脈衝雷射束之第1照射；於上述第1照射之後，使上述脈衝雷射束對上述被加工基板之照射與非照射同步於上述時脈信號，使用脈衝拾取器來控制上述脈衝雷射束之通過與遮斷，依據光脈衝單位進行切換，於和上述第1直線略平行而鄰接的第2直線上藉由和上述第1照射同一之加工點深度進行上述脈衝雷射束之第2照射；於上述第2照射之後，使上述脈衝雷射束對上述被加工基板之照射與非照射同步於上述時脈信號，使用脈衝拾取器來控制上述脈衝雷射束之通過與遮斷，依據光脈衝單位進行切換，於和第1直線同一或略平行的第3直線上藉由和上述第1照射不同之加工點深度進行上述脈衝雷射束之第3照射；於上述第3照射之後，使上述脈衝雷射束對上述被加工基板之照射與非照射同步於上述時脈信號，使用脈衝拾取器來控制上述脈衝雷射束之通過與遮斷，依據光脈衝單位進行切換，於和上述第3直線略平行而鄰接的第4直線上藉由和上述第3照射同一之加工點深度進行上述脈衝雷 射束之第4照射；藉由上述第1照射、上述第2照射、上述第3照射及上述第4照射，於上述被加工基板形成到達上述被加工基板表面的裂痕；藉由對上述脈衝雷射束之照射能量、上述脈衝雷射束之加工點深度以及上述脈衝雷射束之照射區域及非照射區域之長度進行控制，而使上述裂痕於上述被加工基板表面呈連續而被形成。
  9. 一種雷射切割方法，其特徵為：將表面具有金屬膜的被加工基板載置於載置台；產生時脈信號；射出和上述時脈信號同步之脈衝雷射束；使上述被加工基板與上述脈衝雷射束相對移動；使上述脈衝雷射束對上述被加工基板之照射與非照射同步於上述時脈信號，使用脈衝拾取器來控制上述脈衝雷射束之通過與遮斷，依據光脈衝單位進行切換，於第1直線上由上述金屬膜側進行上述脈衝雷射束之第1照射；於上述第1照射之後，使上述脈衝雷射束對上述被加工基板之照射與非照射同步於上述時脈信號，使用脈衝拾取器來控制上述脈衝雷射束之通過與遮斷，依據光脈衝單位進行切換，於和上述第1直線略平行而鄰接的第2直線上以和上述第1照射同一之加工點深度由上述金屬膜側進行上述脈衝雷射束之第2照射；藉由上述第1照射及上述第2照射，除去上述金屬膜 之同時於上述被加工基板形成到達上述被加工基板表面的裂痕；藉由對上述脈衝雷射束之照射能量、上述脈衝雷射束之加工點深度以及上述脈衝雷射束之照射區域及非照射區域之長度進行控制，而除去上述金屬膜之同時使上述裂痕於上述被加工基板表面呈連續而被形成。
  10. 如申請專利範圍第9項之雷射切割方法，其中於上述被加工基板之和上述金屬膜呈相反側之面，形成有LED。
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