JP2012257208A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】入力端子が、第1のトランスミッションゲートの第1の端子に電気的に接続され、第1のトランスミッションゲートの第2の端子が、第1のインバータの第1の端子及び機能回路の第2の端子に電気的に接続され、第1のインバータの第2の端子及び機能回路の第1の端子が、第2のトランスミッションゲートの第1の端子に電気的に接続され、第2のトランスミッションゲートの第2の端子が第2のインバータの第1の端子及びクロックドインバータの第2の端子に電気的に接続され、第2のインバータの第2の端子及びクロックドインバータの第1の端子は出力端子に電気的に接続されており、機能回路にはオフ電流が小さいトランジスタと容量素子との間にデータ保持部を有する半導体装置とする。
【選択図】図1
Description
試料1および試料2のいずれも、BT試験前後におけるしきい値電圧の変動が小さく、信頼性が高いことがわかる。
102 第1のトランスミッションゲート
104 第1のインバータ
106 機能回路
107 クロックドインバータ
108 第2のトランスミッションゲート
110 第2のインバータ
112 クロックドインバータ
114 ノード
116 ノード
120 第1のpチャネル型トランジスタ
122 第2のpチャネル型トランジスタ
124 トランジスタ
126 データ保持部
128 容量素子
130 Dフリップフロップ回路
140 第1のpチャネル型トランジスタ
142 第2のpチャネル型トランジスタ
144 第3のpチャネル型トランジスタ
146 トランジスタ
148 データ保持部
150 容量素子
200 pチャネル型トランジスタ及びnチャネル型トランジスタが設けられた半導体基板
201 高濃度不純物領域
202 低濃度不純物領域
203 ゲート絶縁膜
204 ゲート電極
205 層間絶縁膜
210 酸化物半導体層にチャネル形成領域を有するトランジスタ
211 酸化物半導体層
212a ソース電極
212b ドレイン電極
213 ゲート絶縁膜
214a 電極
214b ゲート電極
301 下地絶縁膜
302 埋め込み絶縁膜
303a 半導体領域
303b 半導体領域
303c 半導体領域
304 ゲート絶縁膜
305 ゲート
306a 側壁絶縁物
306b 側壁絶縁物
307 絶縁膜
308a ソース
308b ドレイン
Claims (5)
- 入力端子と、第1及び第2のトランスミッションゲートと、第1及び第2のインバータと、機能回路と、クロックドインバータと、出力端子と、を有し、
前記入力端子が、前記第1のトランスミッションゲートの第1の端子に電気的に接続され、
前記第1のトランスミッションゲートの第2の端子が、前記第1のインバータの第1の端子及び前記機能回路の第2の端子に電気的に接続され、
前記第1のインバータの第2の端子及び前記機能回路の第1の端子が、前記第2のトランスミッションゲートの第1の端子に電気的に接続され、
前記第2のトランスミッションゲートの第2の端子が前記第2のインバータの第1の端子及び前記クロックドインバータの第2の端子に電気的に接続され、
前記第2のインバータの第2の端子及び前記クロックドインバータの第1の端子が、前記出力端子に電気的に接続され、
前記機能回路は、
第1のpチャネル型トランジスタと、第2のpチャネル型トランジスタと、オフ電流が小さいトランジスタと、容量素子と、を有し、
前記第1のpチャネル型トランジスタのソース及びドレインの一方は第1の配線に電気的に接続され、
前記第1のpチャネル型トランジスタのソース及びドレインの他方は前記第2のpチャネル型トランジスタのソース及びドレインの一方に電気的に接続され、
前記第1のpチャネル型トランジスタのゲートにはタイミング信号が入力され、
前記第2のpチャネル型トランジスタのソース及びドレインの他方は、前記オフ電流が小さいトランジスタのソース及びドレインの一方と前記第1のインバータの前記第1の端子に電気的に接続され、
前記第2のpチャネル型トランジスタのゲートは前記第1のインバータの前記第2の端子に電気的に接続され、
前記オフ電流が小さいトランジスタのソース及びドレインの他方は前記容量素子の一方の電極に電気的に接続され、
前記容量素子の他方の電極は第2の配線に電気的に接続されていることを特徴とする回路を搭載した半導体装置。 - 請求項1において、前記第1の配線及び前記第2の配線は一定の電位が供給される電源電位線であり、
前記第1の配線の電位は前記第2の配線の電位よりも高いことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1または請求項2において、
再起動時には、
前記クロックドインバータにはクロック信号が入力されず該クロック信号が入力される配線の電位は一定に保持され、
前記第1のpチャネル型トランジスタの前記ゲートに入力される前記タイミング信号は、前記オフ電流が小さいトランジスタがオンする前にHレベルとなり、
前記再起動時経過後には、
前記タイミング信号は前記クロックドインバータに入力される前記クロック信号と同一の信号が入力されることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至請求項3のいずれか一に記載の半導体装置が有するフローティング状態のノードにリセット用トランジスタのソース及びドレインの一方が電気的に接続され、
前記リセット用トランジスタのソース及びドレインの他方は前記第1の配線または前記第2の配線に電気的に接続され、
前記リセット用トランジスタにはリセット信号が入力されることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか一において、
前記オフ電流が小さいトランジスタのチャネル幅1μmあたりのオフ電流は、室温下において10aA以下であることを特徴とする半導体装置。
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---|---|---|---|---|
KR102081792B1 (ko) | 2011-05-19 | 2020-02-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 연산회로 및 연산회로의 구동방법 |
US20130240875A1 (en) * | 2012-03-14 | 2013-09-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
JP6185311B2 (ja) | 2012-07-20 | 2017-08-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電源制御回路、及び信号処理回路 |
JP6273112B2 (ja) | 2012-09-11 | 2018-01-31 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | フリップフロップ回路および半導体装置 |
US9461126B2 (en) | 2013-09-13 | 2016-10-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Transistor, clocked inverter circuit, sequential circuit, and semiconductor device including sequential circuit |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05110392A (ja) * | 1991-10-16 | 1993-04-30 | Hitachi Ltd | 状態保持回路を具備する集積回路 |
JP2006339948A (ja) * | 2005-06-01 | 2006-12-14 | Renesas Technology Corp | パルスラッチ回路及び半導体集積回路 |
JP2008219491A (ja) * | 2007-03-05 | 2008-09-18 | Nec Electronics Corp | マスタスレーブ型フリップフロップ回路およびラッチ回路 |
JP2010193432A (ja) * | 2009-01-22 | 2010-09-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Rfidタグ |
US20110101332A1 (en) * | 2009-10-29 | 2011-05-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
Family Cites Families (133)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4809225A (en) | 1987-07-02 | 1989-02-28 | Ramtron Corporation | Memory cell with volatile and non-volatile portions having ferroelectric capacitors |
JP3298974B2 (ja) | 1993-03-23 | 2002-07-08 | 電子科学株式会社 | 昇温脱離ガス分析装置 |
KR100394896B1 (ko) | 1995-08-03 | 2003-11-28 | 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. | 투명스위칭소자를포함하는반도체장치 |
JP3625598B2 (ja) | 1995-12-30 | 2005-03-02 | 三星電子株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
JP4170454B2 (ja) | 1998-07-24 | 2008-10-22 | Hoya株式会社 | 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法 |
JP2000077982A (ja) | 1998-08-27 | 2000-03-14 | Kobe Steel Ltd | 半導体集積回路 |
JP2000150861A (ja) | 1998-11-16 | 2000-05-30 | Tdk Corp | 酸化物薄膜 |
JP3276930B2 (ja) | 1998-11-17 | 2002-04-22 | 科学技術振興事業団 | トランジスタ及び半導体装置 |
TW460731B (en) | 1999-09-03 | 2001-10-21 | Ind Tech Res Inst | Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD |
JP4089858B2 (ja) | 2000-09-01 | 2008-05-28 | 国立大学法人東北大学 | 半導体デバイス |
US6483363B1 (en) * | 2000-09-15 | 2002-11-19 | Intel Corporation | Storage element with stock node capacitive load |
US6783365B2 (en) * | 2000-09-26 | 2004-08-31 | Alan Seltzer | Dental handpiece having internal filter unit |
KR20020038482A (ko) | 2000-11-15 | 2002-05-23 | 모리시타 요이찌 | 박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널 |
JP3997731B2 (ja) | 2001-03-19 | 2007-10-24 | 富士ゼロックス株式会社 | 基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法 |
JP2002289859A (ja) | 2001-03-23 | 2002-10-04 | Minolta Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JP2003078037A (ja) | 2001-09-04 | 2003-03-14 | Nec Corp | 半導体メモリ装置 |
JP4090716B2 (ja) | 2001-09-10 | 2008-05-28 | 雅司 川崎 | 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置 |
JP3925839B2 (ja) | 2001-09-10 | 2007-06-06 | シャープ株式会社 | 半導体記憶装置およびその試験方法 |
JP4164562B2 (ja) | 2002-09-11 | 2008-10-15 | 独立行政法人科学技術振興機構 | ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ |
EP1443130B1 (en) | 2001-11-05 | 2011-09-28 | Japan Science and Technology Agency | Natural superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film |
JP4083486B2 (ja) | 2002-02-21 | 2008-04-30 | 独立行政法人科学技術振興機構 | LnCuO(S,Se,Te)単結晶薄膜の製造方法 |
US7049190B2 (en) | 2002-03-15 | 2006-05-23 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Method for forming ZnO film, method for forming ZnO semiconductor layer, method for fabricating semiconductor device, and semiconductor device |
JP3933591B2 (ja) | 2002-03-26 | 2007-06-20 | 淳二 城戸 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
US7339187B2 (en) | 2002-05-21 | 2008-03-04 | State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University | Transistor structures |
JP2004022625A (ja) | 2002-06-13 | 2004-01-22 | Murata Mfg Co Ltd | 半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法 |
US7105868B2 (en) | 2002-06-24 | 2006-09-12 | Cermet, Inc. | High-electron mobility transistor with zinc oxide |
US7067843B2 (en) | 2002-10-11 | 2006-06-27 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Transparent oxide semiconductor thin film transistors |
JP2004212477A (ja) | 2002-12-27 | 2004-07-29 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP4166105B2 (ja) | 2003-03-06 | 2008-10-15 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2004273732A (ja) | 2003-03-07 | 2004-09-30 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板およびその製造方法 |
JP4108633B2 (ja) | 2003-06-20 | 2008-06-25 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス |
US7262463B2 (en) | 2003-07-25 | 2007-08-28 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Transistor including a deposited channel region having a doped portion |
EP3537607B1 (en) * | 2004-02-19 | 2022-11-23 | MOSAID Technologies Incorporated | Low leakage and data retention circuitry |
EP1737044B1 (en) | 2004-03-12 | 2014-12-10 | Japan Science and Technology Agency | Amorphous oxide and thin film transistor |
US7282782B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-10-16 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Combined binary oxide semiconductor device |
US7145174B2 (en) | 2004-03-12 | 2006-12-05 | Hewlett-Packard Development Company, Lp. | Semiconductor device |
US7297977B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-11-20 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Semiconductor device |
US7211825B2 (en) | 2004-06-14 | 2007-05-01 | Yi-Chi Shih | Indium oxide-based thin film transistors and circuits |
JP2006100760A (ja) | 2004-09-02 | 2006-04-13 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
US7285501B2 (en) | 2004-09-17 | 2007-10-23 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method of forming a solution processed device |
US7298084B2 (en) | 2004-11-02 | 2007-11-20 | 3M Innovative Properties Company | Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes |
US7863611B2 (en) | 2004-11-10 | 2011-01-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Integrated circuits utilizing amorphous oxides |
EP1812969B1 (en) | 2004-11-10 | 2015-05-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor comprising an amorphous oxide |
US7453065B2 (en) | 2004-11-10 | 2008-11-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Sensor and image pickup device |
US7829444B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-11-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor manufacturing method |
CN101057333B (zh) | 2004-11-10 | 2011-11-16 | 佳能株式会社 | 发光器件 |
US7868326B2 (en) | 2004-11-10 | 2011-01-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor |
US7791072B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-09-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Display |
JP2006203479A (ja) | 2005-01-20 | 2006-08-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | フリップフロップ回路 |
US7579224B2 (en) | 2005-01-21 | 2009-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a thin film semiconductor device |
TWI562380B (en) | 2005-01-28 | 2016-12-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Semiconductor device, electronic device, and method of manufacturing semiconductor device |
US7608531B2 (en) | 2005-01-28 | 2009-10-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, electronic device, and method of manufacturing semiconductor device |
US7858451B2 (en) | 2005-02-03 | 2010-12-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof |
US7948171B2 (en) | 2005-02-18 | 2011-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
US20060197092A1 (en) | 2005-03-03 | 2006-09-07 | Randy Hoffman | System and method for forming conductive material on a substrate |
US8681077B2 (en) | 2005-03-18 | 2014-03-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof |
WO2006105077A2 (en) | 2005-03-28 | 2006-10-05 | Massachusetts Institute Of Technology | Low voltage thin film transistor with high-k dielectric material |
US7645478B2 (en) | 2005-03-31 | 2010-01-12 | 3M Innovative Properties Company | Methods of making displays |
US8300031B2 (en) | 2005-04-20 | 2012-10-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element |
JP2006344849A (ja) | 2005-06-10 | 2006-12-21 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
US7402506B2 (en) | 2005-06-16 | 2008-07-22 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7691666B2 (en) | 2005-06-16 | 2010-04-06 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7507618B2 (en) | 2005-06-27 | 2009-03-24 | 3M Innovative Properties Company | Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles |
JP2007043069A (ja) * | 2005-07-08 | 2007-02-15 | Seiko Epson Corp | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
KR100711890B1 (ko) | 2005-07-28 | 2007-04-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광표시장치 및 그의 제조방법 |
JP2007059128A (ja) | 2005-08-23 | 2007-03-08 | Canon Inc | 有機el表示装置およびその製造方法 |
JP2007073705A (ja) | 2005-09-06 | 2007-03-22 | Canon Inc | 酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP5116225B2 (ja) | 2005-09-06 | 2013-01-09 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体デバイスの製造方法 |
JP4280736B2 (ja) | 2005-09-06 | 2009-06-17 | キヤノン株式会社 | 半導体素子 |
JP4850457B2 (ja) | 2005-09-06 | 2012-01-11 | キヤノン株式会社 | 薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード |
JP5078246B2 (ja) | 2005-09-29 | 2012-11-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、及び半導体装置の作製方法 |
JP5064747B2 (ja) | 2005-09-29 | 2012-10-31 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、電気泳動表示装置、表示モジュール、電子機器、及び半導体装置の作製方法 |
EP3614442A3 (en) | 2005-09-29 | 2020-03-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufactoring method thereof |
JP5037808B2 (ja) | 2005-10-20 | 2012-10-03 | キヤノン株式会社 | アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置 |
US20070090459A1 (en) * | 2005-10-26 | 2007-04-26 | Motorola, Inc. | Multiple gate printed transistor method and apparatus |
KR101117948B1 (ko) | 2005-11-15 | 2012-02-15 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액정 디스플레이 장치 제조 방법 |
TWI292281B (en) | 2005-12-29 | 2008-01-01 | Ind Tech Res Inst | Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same |
US7867636B2 (en) | 2006-01-11 | 2011-01-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transparent conductive film and method for manufacturing the same |
JP4977478B2 (ja) | 2006-01-21 | 2012-07-18 | 三星電子株式会社 | ZnOフィルム及びこれを用いたTFTの製造方法 |
US7576394B2 (en) | 2006-02-02 | 2009-08-18 | Kochi Industrial Promotion Center | Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof |
US7977169B2 (en) | 2006-02-15 | 2011-07-12 | Kochi Industrial Promotion Center | Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof |
KR20070101595A (ko) | 2006-04-11 | 2007-10-17 | 삼성전자주식회사 | ZnO TFT |
US20070252928A1 (en) | 2006-04-28 | 2007-11-01 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof |
JP5028033B2 (ja) | 2006-06-13 | 2012-09-19 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
JP4999400B2 (ja) | 2006-08-09 | 2012-08-15 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
JP4609797B2 (ja) | 2006-08-09 | 2011-01-12 | Nec液晶テクノロジー株式会社 | 薄膜デバイス及びその製造方法 |
JP4332545B2 (ja) | 2006-09-15 | 2009-09-16 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
JP4274219B2 (ja) | 2006-09-27 | 2009-06-03 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置 |
JP5164357B2 (ja) | 2006-09-27 | 2013-03-21 | キヤノン株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
US7622371B2 (en) | 2006-10-10 | 2009-11-24 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Fused nanocrystal thin film semiconductor and method |
US7772021B2 (en) | 2006-11-29 | 2010-08-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays |
JP2008140684A (ja) | 2006-12-04 | 2008-06-19 | Toppan Printing Co Ltd | カラーelディスプレイおよびその製造方法 |
KR101303578B1 (ko) | 2007-01-05 | 2013-09-09 | 삼성전자주식회사 | 박막 식각 방법 |
US8207063B2 (en) | 2007-01-26 | 2012-06-26 | Eastman Kodak Company | Process for atomic layer deposition |
KR100851215B1 (ko) | 2007-03-14 | 2008-08-07 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치 |
US7795613B2 (en) | 2007-04-17 | 2010-09-14 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure with transistor |
KR101325053B1 (ko) | 2007-04-18 | 2013-11-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법 |
KR20080094300A (ko) | 2007-04-19 | 2008-10-23 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이 |
KR101334181B1 (ko) | 2007-04-20 | 2013-11-28 | 삼성전자주식회사 | 선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법 |
US8274078B2 (en) | 2007-04-25 | 2012-09-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Metal oxynitride semiconductor containing zinc |
KR101345376B1 (ko) | 2007-05-29 | 2013-12-24 | 삼성전자주식회사 | ZnO 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
KR20090027042A (ko) | 2007-09-11 | 2009-03-16 | 주식회사 동부하이텍 | 리텐션 기능을 갖는 mtcmos 플립플롭 |
JP5215158B2 (ja) | 2007-12-17 | 2013-06-19 | 富士フイルム株式会社 | 無機結晶性配向膜及びその製造方法、半導体デバイス |
JP5140459B2 (ja) | 2008-02-28 | 2013-02-06 | ローム株式会社 | 不揮発性記憶ゲートおよびその動作方法、および不揮発性記憶ゲート組込み型論理回路およびその動作方法 |
JP4623179B2 (ja) | 2008-09-18 | 2011-02-02 | ソニー株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP5451280B2 (ja) | 2008-10-09 | 2014-03-26 | キヤノン株式会社 | ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置 |
JP5336205B2 (ja) | 2009-01-14 | 2013-11-06 | ローム株式会社 | プログラマブルロジックデバイスを用いた信号処理回路 |
KR101608887B1 (ko) * | 2009-04-17 | 2016-04-05 | 삼성전자주식회사 | 인버터와 그 제조방법 및 인버터를 포함하는 논리회로 |
KR20190006091A (ko) | 2009-10-29 | 2019-01-16 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
CN102668077B (zh) * | 2009-11-20 | 2015-05-13 | 株式会社半导体能源研究所 | 非易失性锁存电路和逻辑电路,以及使用其的半导体器件 |
CN104658598B (zh) | 2009-12-11 | 2017-08-11 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件、逻辑电路和cpu |
KR101729933B1 (ko) | 2009-12-18 | 2017-04-25 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 불휘발성 래치 회로와 논리 회로, 및 이를 사용한 반도체 장치 |
TWI525614B (zh) | 2011-01-05 | 2016-03-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 儲存元件、儲存裝置、及信號處理電路 |
TWI525619B (zh) | 2011-01-27 | 2016-03-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 記憶體電路 |
WO2012102281A1 (en) | 2011-01-28 | 2012-08-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US8787083B2 (en) | 2011-02-10 | 2014-07-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory circuit |
JP2011108358A (ja) | 2011-03-02 | 2011-06-02 | Konica Minolta Holdings Inc | 光ピックアップ装置及び記録装置並びに再生装置 |
JP5827145B2 (ja) | 2011-03-08 | 2015-12-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 信号処理回路 |
US8760903B2 (en) | 2011-03-11 | 2014-06-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Storage circuit |
JP5839474B2 (ja) | 2011-03-24 | 2016-01-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 信号処理回路 |
TWI567735B (zh) | 2011-03-31 | 2017-01-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 記憶體電路,記憶體單元,及訊號處理電路 |
JP2012256406A (ja) | 2011-04-08 | 2012-12-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 記憶装置、及び当該記憶装置を用いた半導体装置 |
US9142320B2 (en) | 2011-04-08 | 2015-09-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory element and signal processing circuit |
US8854867B2 (en) | 2011-04-13 | 2014-10-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory device and driving method of the memory device |
US9070776B2 (en) | 2011-04-15 | 2015-06-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and driving method thereof |
JP6001900B2 (ja) | 2011-04-21 | 2016-10-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 信号処理回路 |
US10079053B2 (en) | 2011-04-22 | 2018-09-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory element and memory device |
US8681533B2 (en) | 2011-04-28 | 2014-03-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory circuit, signal processing circuit, and electronic device |
US9935622B2 (en) | 2011-04-28 | 2018-04-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Comparator and semiconductor device including comparator |
KR101963457B1 (ko) | 2011-04-29 | 2019-03-28 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 기억 장치 및 그 구동 방법 |
US8446171B2 (en) | 2011-04-29 | 2013-05-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Signal processing unit |
TWI525615B (zh) | 2011-04-29 | 2016-03-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體儲存裝置 |
TWI568181B (zh) | 2011-05-06 | 2017-01-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 邏輯電路及半導體裝置 |
-
2012
- 2012-05-02 WO PCT/JP2012/062073 patent/WO2012157533A1/en active Application Filing
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- 2012-05-02 KR KR1020137032835A patent/KR101957315B1/ko active IP Right Grant
- 2012-05-08 TW TW101116352A patent/TWI590587B/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05110392A (ja) * | 1991-10-16 | 1993-04-30 | Hitachi Ltd | 状態保持回路を具備する集積回路 |
JP2006339948A (ja) * | 2005-06-01 | 2006-12-14 | Renesas Technology Corp | パルスラッチ回路及び半導体集積回路 |
JP2008219491A (ja) * | 2007-03-05 | 2008-09-18 | Nec Electronics Corp | マスタスレーブ型フリップフロップ回路およびラッチ回路 |
JP2010193432A (ja) * | 2009-01-22 | 2010-09-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Rfidタグ |
US20110101332A1 (en) * | 2009-10-29 | 2011-05-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP2011119672A (ja) * | 2009-10-29 | 2011-06-16 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
SG11201503709SA (en) | 2015-07-30 |
US8564331B2 (en) | 2013-10-22 |
WO2012157533A1 (en) | 2012-11-22 |
TW201306484A (zh) | 2013-02-01 |
DE112012002077T5 (de) | 2014-02-13 |
CN103548263A (zh) | 2014-01-29 |
KR20140044818A (ko) | 2014-04-15 |
DE112012002077B4 (de) | 2019-06-19 |
TWI590587B (zh) | 2017-07-01 |
CN103548263B (zh) | 2016-12-07 |
JP5886127B2 (ja) | 2016-03-16 |
KR101957315B1 (ko) | 2019-03-12 |
US20120286823A1 (en) | 2012-11-15 |
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