JP2012216786A5 - - Google Patents

Claims (13)

1. ウエハー載置面を有するセラミックス基体と、
   該セラミックス基体の内部に埋設された電極と、
   前記電極の一部であって前記セラミックス基体の前記ウエハー載置面とは反対側の面に露出する電極露出部と、
   前記電極に給電するための給電部材と、
   前記セラミックス基体と前記給電部材との間に介在し、前記給電部材と前記セラミックス基体とを接合すると同時に前記給電部材と前記電極露出部とを電気的に接続する接合層と、
   を備え、
   前記接合層は、接合材であるＡｕＧｅ系合金、ＡｕＳｎ系合金、又はＡｕＳｉ系合金を用いて形成され、
   前記セラミックス基体と前記給電部材とは、前記給電部材の熱膨張係数から前記セラミックス基体の熱膨張係数を引いた熱膨張係数差Ｄが−２．２≦Ｄ≦６（単位：ｐｐｍ／Ｋ）となるように選択され、
   ２００℃における接合強度が３．５ＭＰａ以上である、
   半導体製造装置用部材。
2. 前記セラミックス基体と前記給電部材とは、前記熱膨張係数差Ｄが−１．５≦Ｄ≦６（単位：ｐｐｍ／Ｋ）となるように選択されている、
   請求項１に記載の半導体製造装置用部材。
3. 前記接合層は、接合前に前記電極露出部を含む所定領域を被覆していたメタライズ層に含まれていた金属と前記接合材中のＡｕ以外の元素とが反応して生成した金属間化合物相を含有する、
   請求項１又は２に記載の半導体製造装置用部材。
4. 前記接合層は、接合前に前記電極露出部を含む所定領域を被覆していたメタライズ層に含まれていた金属と前記接合材中のＡｕ以外の元素とを含む金属間化合物相を含有する、
   請求項１又は２に記載の半導体製造装置用部材。
5. 前記接合層は、前記接合材中のＡｕ以外の元素が前記メタライズ層に含まれていた金属と反応して消費されることにより生成したＡｕリッチ相を含有する、
   請求項３又は４に記載の半導体製造装置用部材。
6. 前記接合層は、Ａｕ濃度が９５ｗｔ％以上のＡｕリッチ相を含有する、
   請求項３又は４に記載の半導体製造装置用部材。
7. 前記接合層には、前記セラミックス基体側から順に、前記メタライズ層、前記金属間化合物相を主体とする層及び前記Ａｕリッチ相を主体とする層が積層されている、
   請求項５又は６に記載の半導体製造装置用部材。
8. 前記接合層では、前記金属間化合物相を主体とする層が前記メタライズ層または前記セラミックス基体に接している、
   請求項３〜７のいずれか１項に記載の半導体製造装置用部材。
9. 前記セラミックス基体は、Ａｌ₂Ｏ₃，ＡｌＮ，ＭｇＯ，Ｙ₂Ｏ₃及びＳｉＣからなる群より選ばれた１種を主成分とするものであり、
   前記給電部材は、Ｔｉ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｍｏ，ＣｕＷ，Ｗ及びこれらの合金並びにＦｅＮｉＣｏ系合金からなる群より選ばれたものである、
   請求項１〜８のいずれか１項に記載の半導体製造装置用部材。
10. 前記セラミックス基体の穴の直径から前記給電部材の直径を差し引いた値であるクリアランスＣと、前記セラミックス基体の穴径Ｒとの比率Ｃ／Ｒは、Ｃ／Ｒ≦０．１５を満たす、
    請求項１〜９のいずれか１項に記載の半導体製造装置用部材。
11. 前記比率Ｃ／Ｒは、Ｃ／Ｒ≦０．０９を満たす、
    請求項１０に記載の半導体製造装置用部材。
12. 前記給電部材は、前記セラミックス基体と接合される面とは反対側の面に連結部材が接合され、該連結部材の熱膨張係数から前記セラミックス基体の熱膨張係数を引いた熱膨張係数差Ｄ’が６ｐｐｍ／Ｋを超える、
    請求項１〜１１のいずれか１項に記載の半導体製造装置用部材。
13. 前記連結部材は、Ｃｕ及びその合金からなる金属である、
    請求項１２に記載の半導体製造装置用部材。