JP2012212901A - インプリント方法及びインプリント装置、インプリント方法を用いた部材の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】モールドと基板の位置合わせの制御を行って、基板上のパターン形成層にモールドに形成されたパターンを転写するインプリント方法であって、
位置合わせの制御を開始した後、位置合わせの制御を行いながらモールドと基板を近づけることにより、モールドとパターン形成層を接触させる工程と、
モールドとパターン形成層とが接触した後に位置合わせの制御を停止する工程と、
位置合わせの制御を停止した状態でパターン形成層に接触したモールドと基板を更に近づける工程と、
モールドと基板が更に近づいた状態で、パターン形成層を硬化させる工程と、
パターン形成層が硬化した後に、モールドと基板の間隔を広げる工程と、を有する。
【選択図】 図1
Description
この技術は、ナノインプリントあるいはナノエンボッシングなどと呼ばれ、数nmオーダーの加工分解能を持つ。このため、ステッパ、スキャナ等の光露光機に代わる次世代の半導体製造技術としての応用が期待されている。
また、立体構造をウエハレベルで一括加工可能なため、フォトニッククリスタル等の光学素子やμ−TAS等のバイオチップの製造技術として等々、幅広い分野への応用が期待されている。
まず、ワークを構成する被加工部材である基板(例えば半導体ウエハ)上に光硬化型の樹脂層を形成する。
次に、所望の凹凸パターンによる微細構造が形成されたモールドをワークに合わせて、モールドと基板の間に紫外線硬化樹脂を充填した後、紫外線を照射することで樹脂を硬化させる。
これにより樹脂層に上記モールドの微細構造が転写される。
この樹脂層をマスクとしてエッチング等を行うことにより、上記基板へ上記モールドの微細構造が形成される。
例えば、半導体のプロセスルールが100nm以下になるような昨今の状況において、装置に起因する位置合わせ誤差の許容範囲は数nm〜数十nmと言われている。
この位置合わせ方法として、特許文献1には、2つの波長の光、すなわち、第1と第2の異なる波長の光では焦点距離が違うことを用いる技術が記載されている。
モールドと基板が特定のギャップの時に、第1の波長でモールド表面のマークを撮像素子に結像させ、第2の波長で基板表面のマークを同じ撮像素子に結像させる。
モールド表面のマークと基板表面のマークを観察することでモールドと基板の面内位置合わせを行う。
Stephan Y.Chou et.al., Appl.Phys.Lett,Vol.67,Issue 21,pp. 3114−3116(1995).
しかしながら、上記特許文献1等に開示されている位置合わせ方法では、このような要求に対して必ずしも満足の得られるものではない。
すなわち、上記特許文献1の方法では、モールドのマークと、基板のマークを用いた面内位置合わせにおいて次のような問題が生じる。
このような転写を行うプロセスにおいては、モールドとワークの光硬化樹脂が接触する際の過渡期において、モールドと樹脂との接触界面が不安定な状態になる場合がある。
または、モールドとワーク上の光硬化樹脂とが接触する前後において、位置合わせのための計測や駆動に関する様々な物理条件が変化する場合がある。
そして、本発明者らは、インプリントの際にアライメントに関する制御条件に関して、モールドと樹脂とが非接触の状態から接触状態を経て、当該樹脂を硬化させる過程に至るまでの間、当該制御条件が不変であると不都合が生じる可能性があるとの認識に至った。
例えば、モールド表面のマークと基板表面のマークとを観察して、モールドと基板の面内位置合わせを行う場合を考える。
観察して得られる計測結果にエラーが生じているにもかかわらず、当該エラーが無い場合の制御条件で位置合わせフィードバック制御を行うと、結果として誤動作につながる可能性がある。
前記位置合わせの制御を開始した後、前記位置合わせの制御を行いながら前記モールドと前記基板を近づけることにより、前記モールドと前記パターン形成層を接触させる工程と、
前記モールドと前記パターン形成層とが接触した後に前記位置合わせの制御を停止する工程と、
前記位置合わせの制御を停止した状態で前記パターン形成層に接触した前記モールドと前記基板を更に近づける工程と、
前記モールドと前記基板が更に近づいた状態で、前記パターン形成層を硬化させる工程と、
前記パターン形成層が硬化した後に、前記モールドと前記基板の間隔を広げる工程と、を有することを特徴とする。
前記位置合わせの制御を開始した後、前記位置合わせの制御を行いながら前記モールドと前記基板を近づけることにより、前記モールドと前記パターン形成層を接触させる工程と、
前記モールドと前記パターン形成層とが接触する前に前記位置合わせの制御を停止する工程と、
前記パターン形成層に接触した前記モールドと前記基板を更に近づける工程と、
前記モールドと前記基板が更に近づいた状態で前記パターン形成層を硬化させる工程と、
前記パターン形成層が硬化した後に、前記モールドと前記基板の間隔を広げる工程と、を有し、
前記更に近づける工程の後、前記硬化させる工程までに、前記位置合わせの制御を再開する工程を有することを特徴とする。
前記位置合わせの制御を開始した後、前記位置合わせの制御を行いながら前記モールドと前記基板を近づけることにより、前記モールドと前記パターン形成層を接触させる工程と、
前記モールドと前記パターン形成層とが接触する前に前記位置合わせの制御を停止する工程と、
前記パターン形成層に接触した前記モールドと前記基板を更に近づける工程と、
前記モールドと前記基板が更に近づいた状態で前記パターン形成層を硬化させる工程と、
前記パターン形成層が硬化した後に、前記モールドと前記基板の間隔を広げる工程と、を有し、
前記モールドと前記パターン形成層とが接触した状態で、前記モールドと前記基板との位置合わせが要求する精度を満たさない場合に、前記更に近づける工程の後、前記パターン形成層を硬化させるまでに、前記位置合わせの制御を再開する工程を有することを特徴とする。
前記モールドを保持するためのモールド保持部と、
前記基板を保持するための基板保持部と、
前記位置合わせの制御を開始した後、前記位置合わせの制御を行いながら前記モールド保持部に保持されるモールドと前記基板保持部に保持される基板を近づけることにより、前記モールドと前記パターン形成層を接触させ、前記モールドと前記パターン形成層とが接触した後に前記位置合わせの制御を停止し、前記位置合わせの制御を停止した状態で前記パターン形成層に接触した前記モールドと前記基板を更に近づけ、前記モールドと前記基板が更に近づいた状態で前記パターン形成層を硬化させるように制御する制御部とを備えることを特徴とする。
前記モールドを保持するためのモールド保持部と、
前記基板を保持するための基板保持部と、
前記位置合わせの制御を開始した後、前記位置合わせの制御を行いながら前記モールド保持部に保持されるモールドと前記基板保持部に保持される基板を近づけることにより、前記モールドと前記パターン形成層を接触させ、前記パターン形成層とが接触する前に前記位置合わせの制御を停止し、前記パターン形成層に接触した前記モールドと前記基板を更に近づけ、前記モールドと前記基板が更に近づいた状態で前記パターン形成層を硬化させるように制御する制御部とを備え、
前記制御部は、前記モールドと前記基板を更に近づけた後で前記パターン形成層を硬化させる前に前記位置合わせの制御を再開することを特徴とする。
また、本発明のインプリント装置は、モールドと基板の位置合わせの制御を行って、前記基板上のパターン形成層に前記モールドに形成されたパターンを転写するインプリント装置であって、
前記モールドを保持するためのモールド保持部と、
前記基板を保持するための基板保持部と、
前記位置合わせの制御を開始した後、前記位置合わせの制御を行いながら前記モールド保持部に保持されるモールドと前記基板保持部に保持される基板を近づけることにより、前記モールドと前記パターン形成層を接触させ、前記パターン形成層とが接触する前に前記位置合わせの制御を停止し、前記パターン形成層に接触した前記モールドと前記基板を更に近づけ、前記モールドと前記基板が更に近づいた状態で前記パターン形成層を硬化させるように制御する制御部とを備え、
前記制御部は、前記モールドと前記パターン形成層とが接触した状態で、前記モールドと前記基板との位置合わせが要求する精度を満たさない場合に、前記モールドと前記基板を更に近づけた後で、前記パターン形成層を硬化させるまでに、前記位置合わせの制御を再開することを特徴とする。
ここでいうインプリント方法とは、基板上のパターン形成層に、モールドが有するインプリントパターンをインプリントする方法である。
具体的には、下記の第1から第4のステップを有する。
第1のステップ:位置合わせ制御を行いながら前記基板と前記モールドの位置合わせを行う。
第2のステップ:前記モールドと前記パターン形成層とを接触させる。
第3のステップ:前記パターン形成層を硬化させる。
第4のステップ:前記基板と前記モールドとの間隙を大きくする。
ここで、第2のステップにおけるモールドとパターン形成層との接触とは、モールドとパターン形成層とが直接接触する場合、両者が離型層を介して間接的に接触する場合の両方を含む概念である。斯かる意味では、離型層をも含めてモールドと解釈することもできる。
第3のステップによるパターン形成層の硬化には、紫外線などの光を用いて硬化させる場合や、熱を用いて硬化させる場合が含まれる。
第4のステップは、いわゆる離型動作のことである。
本発明においては、前記モールドと前記樹脂との接触時に発生する前記位置合わせ制御の誤動作を防止するために、下記のステップを更に有する。
具体的には、前記第1のステップと第2のステップとの間、あるいは前記第2のステップと第3のステップとの間の少なくとも一方において、下記(ア)、あるいは(イ)のステップを有する。
(ア)前記位置合わせ制御を停止させるステップ。
(イ)前記位置合わせ制御を行なうための前記ステージの制御方法、駆動プロファイル、あるいは制御パラメータの少なくとも一つを変更するステップ。
以下、上記(ア)あるいは(イ)のステップを特徴事項として有する実施形態について、それぞれ第1の実施形態、第2の実施形態として説明する。
つぎに、上記第1の本発明に係る第1の実施形態におけるフィードバック制御停止の概念を含むインプリントプロセスとインプリント装置について説明する。本実施形態に係るインプリント方法は、基板上のパターン形成層に、モールドが有するインプリントパターンをインプリントするインプリント方法に関するものである。
具体的には、図1に示すように、以下の第1から第4のステップを含み構成される。
(a)第1のステップ: フィードバック制御をかけながら前記基板と前記モールドの位置合わせを行う(S1)。
(b)第2のステップ: 前記モールドと前記パターン形成層とを接触させる(S2)。
(c)第3のステップ: 前記パターン形成層を硬化させる(S3)。
(d)第4のステップ: 前記基板と前記モールドとの間隙を大きくする(S4)。
前記第1のステップと第2のステップとの間において、フィードバック制御を停止させる場合には、フィードバック制御停止後に、前記モールドと前記パターン形成層とが接触することになる。
従って、両者の接触に伴い位置計測情報にエラーが生じた場合、当該エラー情報に基づき制御をかけることが無いので、アライメント制御動作に関する誤動作を防止することができる。
なお、フィードバック制御や上記インプリントプロセスを行うインプリント装置に関しては、それぞれ図3と図2を用いて後述している。
ここで、前記第1のステップで位置合わせを行った後、前記フィードバック制御を停止した状態で、前記第2のステップを行い、その後、フィードバック制御をかけながら前記基板と前記モールドとの位置合わせを行うことができる(詳細は図8を用いて後述する)。
その後、前記第1のステップにおけるフィードバック制御と異なる制御パラメータに基づくフィードバック制御をかけながら前記基板と前記モールドとの位置合わせを行うことも可能である(詳細は図12を用いて後述する)。
なお、フィードバック制御などの位置制御を一旦停止した後、前記第1のステップにおけるフィードバック制御と異なる制御パラメータに代えて、前記第1のステップにおけるフィードバック制御と異なる計測パラメータに基づく制御を行なうことも可能である。
ここで、計測パラメータには、距離算出に用いる屈折率や、位置検出のための階調値の閾値などがあてはまる。
例えば、前記モールドと前記パターンン形成層との接触を検知した直後に、フィードバック制御を停止するようにしておけば、上記同様に誤動作を防止することができる。
ここで、前記第2のステップで、前記モールドと前記パターン形成層とを接触させた後、前記フィードバック制御を停止した状態で、前記基板と前記モールドとのギャップを小さくする。その後、フィードバック制御をかけながら前記基板と前記モールドとの位置合わせを行うことができる(詳細は、図4を用いて後述する。)
また、前記第2のステップで、前記モールドと前記パターン形成層とを接触させた後、前記フィードバック制御を停止した状態で、前記基板と前記モールドとのギャップを小さくする。その後、前記第1のステップにおけるフィードバック制御と異なる制御パラメータに基づくフィードバック制御をかけながら前記基板と前記モールドとの位置合わせを行うこともできる(詳細は、図9を用いて後述する)。
そして、ここでいうアライメントとは、モールドと基板との面内方向の位置関係に関する位置合わせ、あるいは両者間のギャップに関する位置合わせを意味する。
勿論、それら両方のアライメントに関して、前記フィードバック制御を行うことも可能である。
なお、本実施形態におけるフィードバック制御に代えて、フィードフォワードなど他の位置合わせ制御を採用することもできる。
前記第2のステップにおける前記モールドと前記パターン形成層との接触を検知することも適宜可能である。
パターン形成層は、例えば光硬化性の樹脂である。本発明は、いわゆる光インプリントに好適なプロセスであるが、熱可塑性樹脂を用いた熱インプリントにも適用できる。
モールドは、インプリントパターンが凹凸構造により形成されている。モールドは例えば石英から構成される。
なお、モールドの表面には離型剤と呼ばれるフッ素系の樹脂層を塗布する場合がある。
本実施形態においては、このような離型剤が用いられている場合には、この離型剤も含めてモールドであると捉える。
従って、第2のステップには、モールドとパターン形成層とが直接接触する場合のみならず、両者が離型剤を介して接触する場合も当然に含む。
なお、パターン形成層を硬化させている間も、モールドと基板との位置制御(この場合はフィードバック制御に限らない。また、面内方向の位置制御とギャップ制御の両方あるいは一方の制御でも良い。)を行なうのがよい。
第4のステップでは、基板とモールドとの間隙を大きくすることで、硬化しているパターン形成層とモールドとを互いに離す。
なお、第4のステップは、基板側を動かすか、モールド側を動かすか、あるいはその両方を動かすかは適宜定めることができる。
また、大判の基板上に当該基板よりも小さなモールドを用いて、複数回のインプリントプロセスを行い、該基板上全体にインプリントパターンを形成する手法(ステップアンドリピート法)にも本発明は適用できる。
すなわち、モールドを保持するためのモールド保持部と、
基板を保持するための基板保持部と、
フィードバック制御をかけながら、前記モールド保持部に保持されるモールドと、前記基板保持部に保持される基板との位置関係を制御する位置制御部と、
基板上のパターン形成層とモールドとの接触を検知するための接触検出部とを有する。
そして、前記位置制御部によるフィードバック制御を停止した後に、前記パターン形成層と前記モールドとが接触するように前記モールド保持部と前記基板保持部とを相対的に動かすか、あるいは、
前記パターン形成層と前記モールドとの接触を前記接触検出部により検出した後に、前記フィードバック制御を停止することが特徴である。
具体的には、インプリントプロセスを経た前記基板を用意し、且つ前記インプリントパターンが転写された前記パターン形成層をマスクとして、該基板をエッチングするのである。
こうして、前記基板を加工して、所望のパターン形状を備えた部材を得ることができる。ここでいう部材とは、微細な流路を備えたバイオチップや半導体チップである。
なお、本実施形態に係る発明においては、前述の接触部検出部を設けずに、接触しているか否かの情報を、装置の動作時間により把握することもできる。
例えば、モールドと基板との間隔、樹脂(パターン形成層)の厚さ、及びモールドと基板との間隙に関する情報を動作開始時に把握しておく。
そして、間隙を狭めていく際の速度が分かれば、ある時点において、モールドが樹脂に接触しているか否かは把握できる。
具体的には、
モールド保持部と、基板保持部と、位置制御部とを備え、
前記位置制御部によるフィードバック制御を停止した後に、前記パターン形成層と前記モールドとが接触するように前記モールド保持部と前記基板保持部とを相対的に動かすか、あるいは
前記パターン形成層と前記モールドとが接触した後に、前記位置制御を停止するようにインプリント装置を構成する。
つぎに、上記した第1の本発明に係る第2の実施形態におけるインプリント方法に関して説明する。
まず、モールドと基板の位置合わせに際して生じる課題について説明する。
図16はインプリントの状況を説明する。
図16(a)は制御ブロック図である。図16(a)に示されるように、プロファイラからの信号は制御機構に入力され、制御機構の出力はステージなどの制御対象に入力される。
図16(b)はタイムチャートを示す図であり、ここには基板をモールドに近づけ、樹脂がモールドに接触し、UV硬化し、離型するインプリント時におけるz位置のプロファイルが示されている。なお、z=0の所がモールドと基板が完全に接触する位置である。
樹脂があるため、例えば100nmの距離で止めるようなプロファイルになる。(1)はモールドと基板上の樹脂が接触していない領域。
(2)から(5)はモールドと液体の樹脂が接触している領域。
(6)はUV光により樹脂を硬化する領域、(7)はモールドを樹脂から離型する領域、(8)はモールドを退避させる領域である。
樹脂の粘性が高く、樹脂に接触したところ(2)からzの位置に応じて斥力が加わる。なお、ステージの制御パラメータは比例成分Kpで一定である。
ところが、昨今の半導体製造では、プロセスルールが小さくなり、モールドと基板の間隔も数十ナノメートルと小さくなっている。
そのため、低粘度の樹脂を利用し、加圧力も小さくするような試みがなされている。
すなわち、モールドが樹脂に接触している状態の荷重を測定すると、
(1)モールドと樹脂が接触しても荷重にあまり変化のない場合、
(2)モールドと基板の間で斥力の働く場合、
(3)モールドと基板の間で引力が働く場合、が生じる。
この荷重は樹脂の成分、粘性、厚さ、密度、接触面積等によって変化するだけでなく、モールドの表面状態、パターン形状などによって変わる。
そのため、同じ制御パラメータでモールドおよび基板を制御した場合、位置誤差の増大、制定時間の増大が起こる。
さらに、制御が不安定になる場合があり、時にはモールドまたは基板のパターンを破壊することがある。
このような課題に鑑み、上記した第2の本発明ではモールドと基板の位置合わせ精度を向上させるようにしたものである。その具体的構成について、以下に第3の実施形態で説明する。
本実施形態は、上記課題に鑑み、パターン転写におけるモールドと基板との間隔の変化に伴うモールドと樹脂の状態に応じて、モールドと基板に関する制御条件の少なくとも一つを変更し、
モールドと基板の位置合わせ精度を向上させるようにした上記した第2の本発明に係るものである。
具体的には、モールドと基板間に介在する樹脂の状態により、ステージの制御方法、駆動プロファイル、制御パラメータなどの制御条件の、少なくとも一つを変更することで、両者の間に加わる荷重の変化にともなう弊害を避けるようにしたものである。
そのため、本実施形態においては、具体的にはインプリント装置をつぎのように構成することができる。
本実施形態に係るインプリント方法は、
モールドが有するインプリントパターンを、該モールドと基板との間に介在するパターン形成層に転写するインプリント方法であって、以下の特徴を有する。
すなわち、前記モールドまたは前記基板に対する荷重、前記モールドと前記基板との間隔、前記モールドまたは前記基板の変位、前記ステージのトルク、前記モールドまたは前記基板からの反射光量の少なくとも一つによって、
前記インプリントパターンを転写する際の前記モールドと前記パターン形成層の状態を検出する工程と、
前記検出する工程において検出された検出値に基づいて、前記ステージの制御方法、駆動プロファイル、制御パラメータの少なくとも一つを変更する工程と、を有する。
具体的には、
前記モールドと前記基板の位置合わせ制御を行う位置制御工程と、
前記モールドと前記パターン形成層とを接触させる接触工程と、
前記パターン形成層を硬化させる硬化工程と、
前記基板と前記モールドとの間隙を大きくする工程と、
前記位置制御工程と接触工程との間、あるいは接触工程と硬化工程との間の少なくとも一方において、
前記位置制御工程における前記位置合わせ制御を停止させる工程を付加することもできる。
上記インプリント方法を実施するためのインプリント装置は、
モールドのパターンを、該モールドと基板との間に介在する樹脂に転写するインプリント装置であって、以下の特徴を有する。
すなわち、前記モールドまたは前記基板の一方を他方に対して位置決めするステージと、
前記ステージを制御する制御部と、
前記モールドまたは前記基板に対する荷重、前記モールドと前記基板との間隔、前記モールドまたは前記基板の変位、前記ステージのトルク、及び前記モールドまたは前記基板からの反射光量の少なくとも一つによって、前記モールドと前記樹脂との状態を検出する検出手段と、
前記検出手段によって検出された検出値に基づいて、前記ステージの制御方法、駆動プロファイル、あるいは制御パラメータの少なくとも一つを変更する手段と、を有する。
ここで、制御方法として、フィードバック制御、フィードフォワード制御のいずれか、または両方を用いることができる。
そして、以上の構成により、前記モールドと前記樹脂の状態に応じて、特にモールドと基板との間に働く荷重による斥力から引力への変化に起因する前記樹脂の状態に応じて、上記制御条件の、少なくとも一つを変更して、上記した弊害を避けるようにする。
すなわち、その方法として、前記モールドまたは前記基板に対する荷重、前記モールドと前記基板の間隔、前記モールドまたは前記基板の変位、ステージのトルク、前記モールドまたは前記基板からの反射光量の少なくとも一つによって、前記パターンの転写における前記モールドと前記樹脂の状態を検出するようにする。
その際、前記モールドと前記基板との間隔の変化に伴う前記モールドと前記樹脂の状態、または前記モールドと前記基板との間隔を一定に制御して定常状態になるまでの変化に伴う前記モールドと前記樹脂の状態、を検出するように構成することができる。
また、前記検出する工程における検出値に基づいて、ステージの制御方法、駆動プロファイル、制御パラメータの少なくとも一つを変更するようにする。
また、その方法として、モールドと基板との間に樹脂を介在させた状態で、該モールドと該基板とのギャップを狭くする工程と、
前記工程後、該樹脂を硬化させて、該モールドが有するパターンを前記樹脂に転写する工程と、を備えた構成とする。
また、前記ギャップを狭くしていく工程において、前記モールドと基板間に加わる圧力を含む荷重を時間軸上で検出しながら、ギャップが狭くなるにつれて荷重が大きくなる状態と荷重が小さくなる状態とで、
前記モールドと基板とが対向する面に垂直な方向への移動に関する制御条件を変える構成とする。
そして、以上の構成により、モールドと基板とのギャップが狭くなるにつれて、それらの間に働く荷重が斥力から引力に変化した瞬間に、モールドと基板とが接触して破損等をしてしまうことを避けるようにする。
[実施例1]
実施例1においては、上記した第1の本発明を適用したインプリント方法およびインプリント装置について説明する。
図2に、本実施例におけるインプリント装置の構成例を説明する図を示す。
図2において、101は筐体、102はステージ、103は基板保持部、104は基板、105は光硬化樹脂、106は加工面にパターンを有するモールド、107はモールド保持部、108はロードセルである。
109と110はスコープ、111はUV光源、112はディスペンサである。113はプロセス制御回路(プロセス制御手段)、114は塗布制御回路、115は位置検出回路(位置検出手段)、116は露光量制御回路、117は圧力検出回路、118は位置制御回路(位置制御手段)である。
モールド106は基板104側表面に所望の凹凸パターンを有する透明体で、モールド保持部107、ロードセル108、部材を介して筐体101に接続される。
材質としては石英、サファイア、TiO2、SiN等、透明な材料から適宜選択可能であり、基板104側表面にフッ素系シランカップリング剤等を用いた離型処理を施す事が一般的である。
スコープ109は光源とレンズ系と撮像素子から構成されており、モールド106と基板104両者の間の情報を画像として取得する。
スコープ110は光源とレンズ系と分光器から構成されており、モールド106と基板104との対向面間の間隔(以下、ギャップと記す)から得られる干渉スペクトルを取得する。
筐体101のモールド106の裏面側にあたる部分にはUV光源111が設けられる。基板104は基板保持部103を介してステージ102に取り付けられる。
ステージ102は6軸(x、y、z、θ、α、β)の可動方向を持ち、筐体101に取り付けられる。
ディスペンサ112は基板104上の任意の位置に光硬化樹脂105を塗布できるように取り付けられる。
位置検出回路115はスコープ109の取得画像の画像処理とスコープ110の取得波形を解析し、モールド106と基板104の転写面水平方向(XY方向)の面内位置関係および上記ギャップを算出する。
露光量制御回路116はUV光源111を制御して露光を行う。
圧力検出回路117はロードセル108の検出信号と被加工部の面積からモールド106と基板104との間にかかる圧力を算出する。
位置制御回路118はモールド106と基板104とが所望の位置関係になるようにステージ102を制御する。
なお、各機構の配置、方式は本実施例に限るものでなく、例えば、基板104の代わりにモールド106を動かすなど他の構成も適用可能である事はいうまでもない。
まず、ディスペンサ112を用いて基板104上に、パターン形成層としての光硬化樹脂105を塗布する。
次に、光硬化樹脂105が塗布された基板104をモールド106と相対させ、スコープ109とスコープ110を用いて両者の位置関係を調整しながら、モールド106と基板104を合わせて両者の間に樹脂を充填する。
このとき、圧力検出回路117によってモールド106と基板104との間にかかる圧力を検出する。
次に、UV光源111よりUV光を照射して基板104とモールド106との間の樹脂を硬化させる。
最後に、基板104とモールド106とを遠ざけて硬化した樹脂をモールドから剥離する。
以上の工程により、基板104上の樹脂層にモールド106表面の凹凸パターンであるインプリントパターンが転写される。
モールド106と基板104の面内方向の位置合わせは、モールド106上のマークと基板104上のマークをスコープ109で観察して行う。
位置検出回路115ではスコープ109で取得した画像の階調値に閾値を設けてマークの位置を検出する画像処理を行いモールド106と基板104の面内方向の位置関係を検出する。
モールド106と基板104のギャップ計測は、スコープ110から出たブロードバンド(広帯域)光のモールド106と基板104の間における干渉を観測することで行う。ブロードバンド光として、ハロゲン光源、キセノン光源等がある。位置検出回路115では、スコープ110で得られた干渉波を用いて、モールド106と基板104間の空間の屈折率等からギャップを算出する。ここで、モールド106と基板104のギャップ計測法はこれだけに限らず、ブロードバンド光源の代わりにレーザ、LED等のナローバンド(狭帯域)光源を用いてもよい。
S1−1にて位置合わせフィードバック制御を開始する。
S1−2にてモールド106と基板104の位置関係を計測する。
次にS1−3にて計測値と目標値の差が基準以内であるかどうかを判断する。
基準以内でなければS1−4の基板位置制御を実行する。
その後再びS1−2の計測を行う。
基準以内であれば、S1−5にて位置合わせフィードバック制御を終了する。
なお、このフィードバック制御はモールドと基板との面内方向の位置合わせ、あるいはモールドと基板とのギャップに関する位置合わせ、あるいはその両方に適用が可能である。
S2−1にてパターン転写工程を開始する。
この時、基板104上に光硬化樹脂105が塗布されていて、モールド106は光硬化樹脂105に接触(接液)していない状態である。
S2−2で位置合わせフィードバック制御を開始する。
次に、S2−3にてモールド106が光硬化樹脂105に接触(接液)するのを検出すると、S2−4で位置合わせフィードバック制御を停止する。
制御停止後、S2−5でステージ102を駆動してモールド106と基板104を一定距離だけ近づけ、モールド106と基板104との対向面間の間隔調整を行う。
モールド106と光硬化樹脂105が接触して光硬化樹脂105が流動している状態(接触過渡状態)を終えた後、S2−6にて位置合わせフィードバック制御を再開する。位置合わせフィードバック制御が終了した後、S2−7にてUV光源111を照射して光硬化樹脂105を硬化する。
S2−8でモールド106を硬化した光硬化樹脂105から離型し、S2−9でパターン転写工程を終了する。
これにより、モールドと樹脂との接触時に発生するフィードバック制御の誤動作を低減可能に、該フィードバック制御を動作させ、インプリントすることができる。
なお、モールド106が光硬化樹脂105との接触による位置ずれが要求する精度を満たすときは、位置合わせフィードバック制御を接触後に行わずに光硬化樹脂105を硬化するという工程も可能である。
また、位置合わせフィードバック制御は、モールド106と光硬化樹脂105の接触後のみ行うという工程も可能である。
基板104とモールド106の間の物質が入れ替わることで屈折率が変わり、接触前後両方での正確なギャップ計測ができなく、正確なフィードバック制御が難しくなることがあるが、接触後のみギャップの位置合わせフィードバック制御を行うことで回避できる。
図5(a)は位置検出回路115においてスコープ109で取得した画像上のある一定領域における階調値を表した図である。
この点における階調値をG1とする。
図5(b)はこの点における階調値の時間的変化を表した図である。
モールド106が光硬化樹脂105に接触(接液)すると反射率が変化するので、図5(b)のように階調値がG1からG2へと不連続的に変化する。
よって、階調値が不連続的に変化した時間T1でモールド106と光硬化樹脂105が接触していると判断する。
このように階調値の時間的変化を用いて接触検出手段を構成することができる。
図6はモールド106と光硬化樹脂105が接触する前後のモールド106と基板104のギャップ計測結果の時間変化を示したものである。
図5の時間T2において、上記ギャップの値が非連続に変化している。
これは、モールド106が光硬化樹脂105に接触したことにより、計測に用いる光の光路中の屈折率が空気の屈折率から光硬化樹脂105の屈折率に変わったためである。
実際の屈折率が変化したにも関わらずギャップ算出に用いる屈折率は変えていないため、モールド106と光硬化樹脂105が接触すると、ギャップ計測値が不連続に変化する。よってギャップ値が不連続に変化したT2でモールド106と光硬化樹脂105が接触していると判断する。
図7は、圧力検出回路117で計算されたモールド106と基板104との間にかかる圧力の時間変化を示している。
時間T3でそれまで一定だった圧力に変化が生じている。これはモールド106が光硬化樹脂105に接触したためであり、よって圧力に変化が起きたT3でモールド106と光硬化樹脂105が接触していると判断する。
以上3種類の接触を検出する構成例以外でも、モールド106と光硬化樹脂105の接触を検出可能な手段、あるいは方法を適用することが可能である。
このようにすることにより、モールド106と光硬化樹脂105の接触時の過渡期における位置合わせ動作の誤動作の発生を低減することが可能である。
これによって、より高速でかつモールドおよび基板の破壊を減少させる加工が可能となる。
なお、モールド106と基板104の位置合わせに関わる装置構成は本実施例に限るものでなく、モールド106と基板104を位置合わせ可能な他の方法も適用可能である。
つぎに、上記した第1の本発明を適用した実施例2におけるインプリント方法およびインプリント装置について説明する。
実施例1との差異は、パターン転写工程の動作シーケンスであるためその部分についてのみ説明する。
図8に、モールドの有するパターンをインプリントするパターン転写工程におけるフィードバック制御を動作させる工程を説明する図を示す。
S3−1にてパターン転写工程を開始する。この時、基板104上に光硬化樹脂105が塗布されていて、モールド106は光硬化樹脂105に接触(接液)していない状態である。
次に、S3−2で位置合わせフィードバック制御を開始する。
次に、S3−3において、モールド106と基板104に塗布された光硬化樹脂105との接触位置(接液位置)より手前の予め設定された位置状態となった際に、フィードバック制御を停止する。
制御停止後、S3−4でステージ102を駆動してモールド106と基板104を近づけ、モールド106と基板104との対向面間の間隔調整(間隔制御)を行う。
すなわち、後のS3−6のステップでので位置合わせフィードバック制御の再開前に、上記間隔調整(間隔制御)を行う。
次に、S3−5でモールド106が光硬化樹脂105に接触(接液)するのを検出すると、S3−6で位置合わせフィードバック制御を再開する。
位置合わせフィードバック制御が終了した後、S3−7にてUV光源111を照射して光硬化樹脂105を硬化する。
次に、S3−8でモールド106を硬化した光硬化樹脂105から離型し、S3−9でパターン転写工程を終了する。
そして、接触(接液)を検出後に再開する。このようにすることにより、モールド106と光硬化樹脂105の接触(接液)時における位置合わせ動作の誤動作の発生を低減することが可能である。
これによって、より高速でかつモールドおよび基板の破壊を減少させる加工が可能となる。
つぎに、上記した第1の本発明を適用した実施例3におけるインプリント方法およびインプリント装置について説明する。
実施例1との差異はパターン転写工程の動作シーケンスに関する構成だけであるため、その部分についてのみ説明する。
S4−1にてパターン転写工程を開始する。この時、基板104上に光硬化樹脂105が塗布されていて、モールド106は光硬化樹脂105に接触(接液)していない状態である。
S4−2で位置合わせフィードバック制御を開始する。
次に、S4−3にてモールド106が光硬化樹脂105に接触(接液)するのを検出したら、S4−4で位置合わせフィードバック制御を停止する。
制御停止後、S5−4でステージ102を駆動してモールド106と基板104を一定距離だけ近づけ、モールド106と基板104との対向面間の間隔の調整を行う。
モールド106と光硬化樹脂105の接触過渡状態を終えた後、S4−6で位置合わせフィードバック制御の計測・制御パラメータを変更してから、S4−7にて位置合わせフィードバック制御を再開する。
位置合わせフィードバック制御が終了した後、S4−8にてUV光源111を照射して光硬化樹脂105を硬化する。
S4−9でモールド106を硬化した光硬化樹脂105から離型し、S4−10でパターン転写工程を終了する。
なお、モールド106が光硬化樹脂105の接触による位置ずれが要求する精度を満たす場合は、接触後に計測のみ行いフィードバックを行わないという工程も可能である。
前述したように、図5(a)は位置検出回路115においてスコープ109で取得した観察画像上のある一定領域における階調値を表した図であり、図5(b)はこの領域における階調値の時間的変化を表した図である。
モールド106が光硬化樹脂105に接触(接液)すると図5(b)のようにこの領域における階調値がG1からG2に変化する。
このようにモールド106が光硬化樹脂105に接触(接液)することで全体的に階調値が変化して、マークの検出が難しくなることがある。
このためマーク検出のための階調値の閾値を、接触(接液)後の状態でマークの検出が可能となるように修正する。
モールド106と光硬化樹脂105が接触(接液)することにより、図10のようにスコープ110の下のモールド106と基板104間の物質が、空気から光硬化樹脂105に入れ替わる。物質が入れ替わったことによりギャップ計測のための光路中の屈折率が変化して、ギャップ計測結果(距離計測結果)が誤った値となることがある。このため、ギャップの算出に用いる屈折率を空気の屈折率から光硬化樹脂105の屈折率に変更する。
モールド106と光硬化樹脂105の接触により図11(a)のようにモールド106と基板104との間にかかる圧力は変化する場合がある。
ここでT4はモールド106と光硬化樹脂105が接触した時間である。このようにモールド106と光硬化樹脂105の接触前後ではモールド106と基板104の間にかかる圧力が0からP1に変わる。
この圧力変化に伴ってステージにかかる圧力も変わるので、高精度にステージを駆動するために、ステージ駆動のためにゲイン等のパラメータを修正する。
また、パターン転写時の圧力変化の様子はこれだけに限らず、図11(b)のように0からP2となり互いに引き寄せられるようにかかることもある。
なお、位置合わせフィードバック制御の計測・制御パラメータの変更はこれだけに限らず、フィードバック制御に関わるモールドと樹脂の接触により生じる物理的変化に対応した変更を行う。
そして、フィードバック制御の計測・制御パラメータを変更してから制御を再開する。
このようにすることにより、モールド106と光硬化樹脂105の接触時における位置合わせ動作の誤動作の発生を低減することが可能である。
これによって、より高速でかつモールドおよび基板の破壊を減少させる加工が可能となる。
なお、フィードバック制御の計測・制御パラメータの変更の工程は本実施例に限るものではなく、例えば、モールド106と光硬化樹脂105の接触に際して、段階的にパラメータを変更するという工程も可能である。
つぎに、上記した第1の本発明を適用した実施例4におけるインプリント方法およびインプリント装置について説明する。
実施例3との差異は、パターン転写工程の動作シーケンスに関する構成だけであるため、その部分についてのみ説明する。
図12にモールドの有するパターンをインプリントするパターン転写工程におけるフィードバック制御を動作させる工程を説明する図を示す。
まず、S5−1にてパターン転写工程を開始する。
この時、基板104上に光硬化樹脂105が塗布されていて、モールド106は光硬化樹脂105に接触(接液)していない状態である。
次に、S5−2で位置合わせフィードバック制御を開始する。
次に、S5−3において、モールド106と基板104に塗布された光硬化樹脂105との接触位置(接液位置)より手前の予め設定された位置状態となった際に、フィードバック制御を停止する。
制御停止後、S5−4でステージ102を駆動してモールド106と基板104を近づけ、モールド106と基板104との対向面間の間隔調整(間隔制御)を行う。
すなわち、後のS5−7のステップでので位置合わせフィードバック制御の再開前(制御パラメータの変更前)に、上記間隔調整(間隔制御)を行う。
次に、S5−5でモールド106が光硬化樹脂105に接触(接液)するのを検出すると、S5−6で位置合わせフィードバック制御の計測・制御パラメータを変更してから、S5−7で位置合わせフィードバック制御を再開する。
位置合わせフィードバック制御が終了した後、S5−8にてUV光源111を照射して光硬化樹脂104を硬化する。S5−9でモールド106を硬化した光硬化樹脂105から離型し、S5−10でパターン転写工程を終了する。
そして、接触(接液)を検出後、フィードバック制御の計測・制御パラメータを変更してから制御を再開する。
このようにすることにより、モールド106と光硬化樹脂105の接触(接液)時における位置合わせ動作の誤動作の発生を低減することが可能である。
これによって、より高速でかつモールドおよび基板の破壊を減少させる加工が可能となる。
まず、第1の部材と、流体材料と接触している第2の部材とを対向して配置する。
ここで、第1の部材とは、前述のモールドや液浸露光装置において用いられるレンズが該当する。流体材料とは、前述の光硬化性の樹脂や、水などの液体、ゲル状材料を含む概念である。
第2の部材は、例えば、石英や半導体などからなるウエハである。いわゆるSiウエハなど平板状の材料であることが望ましい。
そして、既述のように第1の部材と、前記流体材料と接触している第2の部材とを対向して配置した状態で、フィードバック制御をかけながら該第1の部材と第2の部材との位置合わせを行う。
ここでいう、位置合わせには、平板状部材の面内方向の位置合わせあるいはギャップに関する位置合わせの少なくとも一方を含む概念である。
次に、フィードバック制御をかけながら、両部材のギャップを小さいくしていき、前記第1の部材と前記流体材料との接触に関する情報を利用して、前記フィードバック制御を停止するか、あるいは前記フィードバック制御における制御条件を変更する。
ここで、接触に関する情報とは、前記第1の部材と前記流体材料とが接触したことを示す情報であったり、接触後所定の時間経過していることを示す情報であったり、あるいは、接触後所定の状態になったことを示す情報のことである。
このように、フィードバック制御を停止、あるいは変更することにより、第1の部材と流体材料(当初は互いに接触せず、アライメント中に接触するものとする。)とが接触することにより生じる、フィードバック制御の誤動作を防止することができる。
これにより、第1の部材と、流体材料と接触している第2の部材とを対向して配置し、フィードバック制御をかけながら該第1の部材と第2の部材との位置合わせを行い、且つ、
前記第1の部材と前記流体材料との接触に関する情報を利用して、前記フィードバック制御を停止するか、あるいは前記フィードバック制御における制御条件を変更することが可能となる位置合わせ方法を実現することができる。
本発明に係る位置合わせ方法は、既述のインプリント装置のみならず、液浸露光装置などにも適用できる。
107はモールド保持部、108はロードセル、109はスコープ、110はスコープ、111はUV光源、112はディスペンサである。
113はプロセス制御回路(プロセス制御手段)、114は塗布制御回路、115は位置検出回路(位置検出手段)、116は露光量制御回路、117は圧力検出回路、118は位置制御回路(位置制御手段)である。
つぎに、上記した第2の本発明を適用した実施例5の構成例について説明する。
以下、図面を用いて、本実施例について詳細な説明を行う。
当然適用される装置の構成や各種条件によって適宜修正または変更される。
なお、本実施例では固定されているモールドに樹脂の塗布された基板をステージの移動によって接触させ、インプリントを行うものとする。
また、本実施例では、モールドと基板の位置合わせは、最初に基板の数点を計測しておき、この計測した結果からチップごとに目標位置を設定するグローバル方式で行われる。
図13に、本実施例の一つのチップに対してインプリントを行う工程を説明するためのフローチャートを示す。
ここでは、モールドと基板とが対向する面に垂直な方向(z)に、予め設定されたプロファイルに基づいて近づける。
また、モールドおよび基板の面内方向(xyおよびθ)は、常に同じ値を保持するようなプロファイルである。
次に、S6−2の工程において、状態の確認を行う。
この時の状態の確認とは、
・ モールドまたは基板に加わる荷重、ステージのトルクを計測すること、
・ モールドと基板の距離、ステージの位置を計測すること、
(3)モールドと樹脂の接触の有無を判定すること、
等である。
次に、S6−3の工程では、S6−2で得た情報が条件を満たしているか否かを判定することによって、次の工程を決定する。
このときの条件は、目標位置と現在位置の偏差、位置振動が設定値より小さい場合のことである。
条件を満たしていない場合にはS6−4の工程によって制御の変更を行う。
この時の制御の変更とは、制御機構の制御パラメータ、駆動プロファイル、等の変更である。当然、ここにはフィードバックのオン−オフを切り替える制御の方法の変更も含まれる。
この制御の変更を行った後、S6−5に進む。S6−5の工程では、S6−2は終了条件であるかどうかを判定する。このときの終了条件とは、ステージが目標値にあること等である。
この終了条件を満たす場合には、S6−7の工程に進む。また、終了条件を満たさない場合は、S6−6の工程にてステージの姿勢を制御する。
このときの制御は、z方向には変更された後の駆動プロファイルに基づいて行われる。当然、樹脂を固めるためのUV照射の開始時間、継続時間もプロファイルに応じて変更される。
図14に本実施例のステージの制御を説明するための図を示す。
図14(a)は制御ブロック図、図14(b)はPI制御機構を説明する図、図14(c)はタイムチャートを示す図である。
図14(a)においてプロファイラは、予め設定されたステージの駆動プロファイルに基づいて、ステージの目標値を設定する。
制御機構1にはプロファイラから出た参照信号(ref)と位置計測結果の間の偏差(err)が入力される。
この制御機構1は、例えば比例と積分からなるPI制御である。また、フィードバックのスイッチをオンオフできるスイッチ(SW)がある。
スイッチにより積分制御を加えないことも可能である。更に制御機構1には、ローパスフィルター、バンドパスフィルター、ノッチフィルターなどのフィルターがあり、フィルターの次数、周波数などフィルターパラメータの設定を行うことが可能である。
制御機構1から出た信号は、制御対象に入力される。ここで、制御対象はステージの各軸である。
実際の信号はステージを動かすモーターに加えられる。判定機構には位置計測のみならずモールドまたは基板に加わる荷重など検出機構で計測されたデータが入力される。
判定機構により制御機構1の制御パラメータまたは駆動プロファイルの変更が指示される。
この制御パラメータには、PIDパラメータ、フィードフォワードパラメータ、フィルターパラメータのいずれかが含まれる。
また、駆動プロファイルは、ステージの位置だけでなく、ステージの加速度、速度、駆動電圧、駆動電流であってもよい。
基板をモールドに近づけ、樹脂がモールドに接触し、UV硬化し、離型するインプリント時のz位置のプロファイルを示す。
基板の法線方向(z)に動かす時の駆動プロファイルのタイムチャート例を、図14(c)のz位置として示す。
基板の面内方向(xy)やその他(θαβ)の軸の駆動プロファイルも存在する。なお、xyは同じ値を保持する駆動プロファイルである。
図において、(1)はモールドと基板上の樹脂が接触していない領域、(2)−(5)はモールドと液体の樹脂が接触している領域である。
(6)はUV光により樹脂を硬化する領域、(7)はモールドを樹脂から離型する領域、(8)はモールドを退避させる領域である。
この例は、zの駆動プロファイルは変更しない場合である。このプロファイルによってzの位置を移動したとき、モールドに対する荷重の経時変化が観察される。この荷重のデータに基づいてz方向の比例ゲインKpz、と積分時間Tizを変更する。図14(c)にそれらの様子を合わせて示す。当然、各軸に対して比例ゲイン、積分時間を設定する。ただし、変化の様子、制御は同じであるためz軸だけを例に挙げる。
(1)の領域はモールドと樹脂が接触していないため荷重の変化はない。
(2)の領域はモールドと樹脂が接触している領域である。
z方向の荷重は無視できる程度の変化しかないが粘性抵抗は大きくなる。この時偏差が発生しやすくなるので、比例ゲインを大きく、積分時間を小さくする。
なお、接触した直後に挙動が安定しない場合には予め接触する直前にフィードバックをオフし、接触後にオンするプロファイルを設定しておいても良い。なお、ステージの速度が十分大きい時や粘性が大きいときにはz位置の変化にともない荷重が増加することもある。
(3)の領域は近づけるほどモールドの荷重が大きくなる領域である。
ここでは荷重に応じて比例ゲインを大きく、積分時間を小さくする。
(4)の領域は基板の目標値が一定になった後、荷重が小さくなる領域である。ここでは荷重に応じて比例ゲインを小さく、積分時間を大きくする。なお、樹脂の塗布状況などによって荷重が小さくなる領域がない場合も存在する。
(5)の領域はほぼ定常状態になった領域である。荷重は引力を示すマイナスになることがある。
これはモールドと基板の間隔、樹脂の量、樹脂の接触面積によって変わる。例えば、モールドの外側にも十分樹脂がある場合、モールドの各辺付近まで樹脂がある場合、モールドの一部にしか樹脂がない場合などの違いである。
なお、樹脂が拡散することによって荷重が小さくなるという理由は、マイナスになることの説明になりにくい。荷重がマイナスになる状況は近年ナノインプリントで発現する特徴的な現象である。
その理由は、粘性の低い樹脂を使うようになったこと、数十ナノメートル程度のギャップであること、モールドと樹脂に強い圧力を加えていないことなどに起因していると考えられる。
したがって、マイナスになる理由は表面張力や毛細管現象の影響が大きく寄与していると考えられる。この荷重に応じて制御パラメータを設定する。
(6)はUV照射を行う領域である。UV照射により粘性が大きくなり、いずれは固まってしまう。目標値からのずれが起きた場合に大きく動かさないと元に戻らない。そのため、比例ゲインを大きく、積分時間を小さくする。
なお、荷重が定常状態になるまでに時間を要する場合には荷重、偏差、時間によって定常状態になる前にUV照射を行ってもよい。
(7)は離型を開始したがモールドと樹脂が離れていない領域である。荷重に応じて制御パラメータを変更する。
(8)はモールドと基板が離れ、退避する領域。この領域では荷重の変動がないため制御パラメータは一定である。
例えば、
(1)樹脂と接触している場合で荷重に変化のない場合は比例ゲインを一定にする。
(2)樹脂に接触している場合で荷重に変化のある場合はその変化に応じて比例ゲインを変化する。
(3)樹脂を硬化させる場合には比例ゲインを一定にする。
(4)離型をする場合には比例ゲインをその荷重に応じて変化させる。
等である。
条件を判断する値は、検出した値の変化に加え、微分係数の変化(符号変化を含む)、2階微分係数の変化(符号変化を含む)、等もその情報に含まれる。
当然、この駆動プロファイル、制御パラメータは一例であって、樹脂の成分、粘性、量などによって変更される。
図15において、301は露光光源、302はモールド保持部、303は基板保持部、304は基板昇降機構、305は面内移動機構である。306はモールドと基板の相対位置を計測する光学系、309は相対位置の算出するための解析機構である。
本実施例におけるグローバル方式では、この計測結果を基にチップごとのステージの駆動プロファイルを設定する。
なお、この光学系はモールドと樹脂の接触の有無を計測することもできる。例えば樹脂が画面内に入ってきたことを観察する方法や、樹脂による入射光量の変化を観察する方法などがある。
307は荷重を計測するためのロードセル、308は変位を計測するための干渉計である。
この干渉計によっても樹脂の接触の有無を計測できる。例えば干渉計の振動成分やノイズの振幅を計測し、樹脂の接触により振動が小さくなることにより接触したと判断する方法などである。
また、他の計測手段として、ステージのモーターのトルクを測定することも可能である。トルクはモーターに加える電流を計測することによって計算することができる。311はモールド、312は基板、313は光硬化樹脂である。モールド保持部302は、真空チャック方式等によってモールド311のチャッキングを行う。基板は面内移動機構305により所望の位置に移動することができ、基板昇降機構304により基板の高さの調整および加圧を行うことができる。
基板の位置移動、加圧、露光等の制御はインプリント制御機構310によって行う。
このインプリント制御機構310の中には、図14におけるプロファイラ、判断機構、制御機構が含まれている。
つぎに、上記した第2の本発明を適用した実施例6の構成例について説明する。
以下、図面を用いて、本実施例について説明を行う。
ここでは、モールドのx方向とy方向で、制御条件の異なる場合について説明する。
図17に、本実施例のパターンがラインアンドスペースのモールド1700を示す。
x方向がラインの向き、y方向がラインに垂直な向きである。このような構造の場合、x方向には樹脂が広がりやすく、y方向には広がりにくい。
このようなときに、各軸で制御パラメータ、制御方法、駆動プロファイルなどの制御条件を変えることが特に有効である。ここでは、樹脂がy方向に広がりにくいため、モールドがy方向に圧力を受け、y方向に偏差が発生しやすい場合を考える。ただし、この関係はモールドの表面処理および形状、樹脂の特性によって左右されるためx方向に偏差が発生しやすい場合もある。なお、実施例5と同様に、固定されているモールドに樹脂の塗布された基板をステージの移動によって接触させ、インプリントを行うものとする。ただし、モールドと基板の位置合わせはチップごとに行うダイバイダイ方式とする。ダイバイダイ方式の場合モールドと基板の面内方向の相対的位置変化をチップごとに計測しながら位置合わせを行う。
ここでは、基板に垂直な方向(z)に予め設定された駆動プロファイルに基づいて近づける。
また、モールドおよび基板の面内方向(xyおよびθ)は常に同じ値を保持するような駆動プロファイルである。
まず、S8−1の工程において、モールドと樹脂の塗布された基板を対向させ、モールドと基板の相対的な位置を計測し、所望の位置となるように位置合わせを行い、インプリント可能な状態にする。
次に、z制御の工程S8−2とxy制御の工程S8−4に移る。ここはいわゆる並列制御である。
S8−4の工程では、xy状態の確認を行う。この時のxy状態の確認とは、モールドまたは基板に加わる荷重、モールドと基板の相対的位置とする。
このときの条件として、(1)は目標位置と現在位置の偏差、位置振動が設定値より小さい場合のことである。また、(2)は設定値より大きい場合であり、(3)は終了条件である。
S8−5の工程からS8−6の工程に移った場合、S8−6の工程ではxy方向は常に設定値以内に収まるように制御条件を変更する。
また、S8−5の工程からS8−3の工程に移った場合、S8−3の工程では条件4は終了条件か否かである。終了条件でない場合にはS8−2の工程でz制御を行い、終了条件である場合にはS8−7の工程に移り、終了する。
図19に、本実施例のインプリントの様子を説明するためのタイムチャートを示す。
ここでは、駆動プロファイルは変更しない。zの位置プロファイル、モールドに対する荷重の経時変化、この荷重のデータに基づくx方向の比例ゲインKpx、と比例ゲインKpyの例を示す。
(1)の領域はモールドと樹脂が接触していない領域である。ここでは制御パラメータは同じである。
(2)の領域はモールドと樹脂が接触している領域であるがz方向の荷重は無視できる程度の変化しかない。
x方向には樹脂が拡散しやすいが、y方向には拡散しにくいため、樹脂の流動によりy方向に偏差が発生しやすくなる。この時、x方向に比べy方向の比例ゲインを大きくする。(3)の領域は近づけるほどモールドの荷重が大きくなる領域である。
y方向には荷重に応じて比例ゲインを大きくする。x方向には荷重に関係なく一定の比例ゲインを設定する。
(4)の領域は基板の目標値が一定になった後、荷重が小さくなる領域である。y方向には荷重に応じて比例ゲインを小さくする。x方向には荷重と関係なく一定の比例ゲインを設定する。
(5)の領域ではほぼ定常状態になった領域である。荷重は引力を示すマイナスになることがある。この荷重に応じてx、y共に制御パラメータを設定する。
(6)UV照射を行う領域である。なお、定常状態になるまでに時間を要する場合には荷重、偏差、時間によって定常状態になる前にUV照射を行ってもよい。UV光によって樹脂が収縮または膨張をする。
y方向にはその影響により位置誤差を発生しやすくなるため比例ゲインを大きくする。当然、UV照射によって荷重の変化が起こることもある。樹脂の成分やモールドとの接触状態によって、荷重がマイナスのままの場合や、マイナスからプラスに変化する場合がある。これらは再現性があるので、変化の状態に合わせてフィードバックの切り替え(オンオフ)など制御方法の変更を行う。
(7)離型を開始したがモールドと樹脂が離れていない領域である。樹脂が固まっているので、xy方向とも一定の比例ゲインとする。
(8)はモールドと基板が離れ、退避する領域。この領域では荷重の変動がないため比例ゲインは一定である。
つぎに、上記した第2の本発明を適用した実施例7の構成例について説明する。
以下、図面を用いて、本実施例について説明を行う。
ここでは、特にフィードフォワード制御とフィードバック制御を組み合わせた制御条件について説明する。
インプリントでは、樹脂との接触、UV照射など外乱の原因となりうるものの一部が予め分かっており、そのような時に有効である。
特に、フィードバック制御のみである場合、外乱が起こってその影響が検出されるまで時間がかかる。この方法は応答の遅れをなくすために有効である。
図20(a)において、プロファイラは予め設定されたステージの駆動プロファイルに基づいて、ステージの目標値を設定する。
制御機構2にはプロファイラから出た参照信号(ref)と位置計測結果の間の偏差(err)が入力される。この制御機構2は例えば比例と積分からなるPID制御である。
更に制御機構2には、ローパスフィルター、バンドパスフィルター、ノッチフィルターなどのフィルターがあり、フィルターの次数、周波数等のフィルターパラメータの設定を行うことが可能である。
制御機構2から出た信号は制御対象に入力される。ここで、制御対象はステージの各軸である。実際の信号はステージを動かすモーターに加えられる。
判定機構には位置計測のみならずモールドまたは基板に加わる荷重など検出機構で計測されたデータが入力される。
また、制御機構3はプロファイラからz補正の信号が入力される。これは制御機構2と別の制御条件で信号を加えたい場合に有効である。
制御機構3の構成は比例ゲインとフィルターである。判定機構により制御機構2および制御機構3の制御パラメータまたは駆動プロファイルの変更が指示される。
ここでは、z位置のプロファイルは変更せず、制御パラメータおよびz補正プロファイルを変更する。
z位置とz補正と共にモールドに対する荷重の経時変化、この荷重のデータに基づく微分時間Tdの変更例を示す。
(1)の領域はモールドと樹脂が接触していない領域である。
(2)の領域はモールドと樹脂が接触している領域であるが荷重は無視できる程度の変化しかない。接触の前後で発生する外乱を抑えるため、(1)と(2)の境界で微分時間Tdを大きくする。
(3)の領域は近づけるほどモールドの荷重が大きくなる領域である。荷重が定常的に変化するので(2)と(3)の境界から微分時間Tdを設定する。
また、偏差も大きくなる場合には目標値を補正する。
(4)の領域は基板の目標値が一定になった後、樹脂が拡散する領域で荷重が小さくなる領域である。ここでも引き続き微分時間Tdを設定する。
(5)の領域ではほぼ定常状態になった領域である。ここでも引き続き微分時間Tdを設定する。
(6)UV照射を行う領域である。UV照射を行う前後においては外乱が発生するため(5)と(6)の境界で微分時間Tdを設定する。
(7)離型を開始したがモールドと樹脂が離れていない領域である。定常的に荷重が変化するので微分時間Tdを設定する。
(8)はモールドと基板が離れ、退避する領域。この領域では荷重の変動がないため一定である。
なお、(2)と(3)や(4)と(5)の境界は条件を決めるためのインプリントをすればおおよその制御パラメータ、駆動プロファイル、制御方法などの制御条件を知ることができる。
なお、図13から20において、301は露光光源、302はモールド保持部、303は基板保持部、304は基板昇降機構である。
305は面内移動機構、306は光学系、307はロードセル、308は干渉計、309は解析機構、310はインプリント制御機構、311はモールド、312は基板、313は光硬化樹脂である。
102:ステージ
103:基板保持部
104:基板
105:光硬化樹脂
106:モールド
107:モールド保持部
108:ロードセル
109:スコープ
110:スコープ
111:UV光源
112:ディスペンサ
113:プロセス制御回路(プロセス制御手段)
114:塗布制御回路
115:位置検出回路(位置検出手段)
116:露光量制御回路
117:圧力検出回路
118:位置制御回路(位置制御手段)
301:露光光源
302:モールド保持部
303:基板保持部
304:基板昇降機構
305:面内移動機構
306:光学系
307:ロードセル
308:干渉計
309:解析機構
310:インプリント制御機構
311:モールド
312:基板
313:光硬化樹脂
Claims (14)
- モールドと基板の位置合わせの制御を行って、前記基板上のパターン形成層に前記モールドに形成されたパターンを転写するインプリント方法であって、
前記位置合わせの制御を開始した後、前記位置合わせの制御を行いながら前記モールドと前記基板を近づけることにより、前記モールドと前記パターン形成層を接触させる工程と、
前記モールドと前記パターン形成層とが接触した後に前記位置合わせの制御を停止する工程と、
前記位置合わせの制御を停止した状態で前記パターン形成層に接触した前記モールドと前記基板を更に近づける工程と、
前記モールドと前記基板が更に近づいた状態で、前記パターン形成層を硬化させる工程と、
前記パターン形成層が硬化した後に、前記モールドと前記基板の間隔を広げる工程と、を有することを特徴とするインプリント方法。 - 前記位置合わせの制御を停止した状態で前記モールドと前記基板を更に近づけた後、前記硬化させる工程までに、前記位置合わせの制御を再開することを特徴とする請求項1に記載のインプリント方法。
- 前記位置合わせの制御において、停止する前の前記位置合わせの制御に用いる駆動プロファイルと、再開された前記位置合わせの制御に用いる駆動プロファイルとは異なることを特徴とする請求項2に記載のインプリント方法。
- 前記位置合わせの制御において、停止する前の前記位置合わせの制御に用いる制御パラメータと、再開された前記位置合わせの制御に用いる制御パラメータとは異なることを特徴とする請求項2に記載のインプリント方法。
- 前記位置合わせの制御を停止する工程において、前記モールドと前記パターン形成層との接触を検出し、該検出結果に基づいて前記位置合わせの制御を停止することを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載のインプリント方法。
- モールドと基板の位置合わせの制御を行って、前記基板上のパターン形成層に前記モールドに形成されたパターンを転写するインプリント方法であって、
前記位置合わせの制御を開始した後、前記位置合わせの制御を行いながら前記モールドと前記基板を近づけることにより、前記モールドと前記パターン形成層を接触させる工程と、
前記モールドと前記パターン形成層とが接触する前に前記位置合わせの制御を停止する工程と、
前記パターン形成層に接触した前記モールドと前記基板を更に近づける工程と、
前記モールドと前記基板が更に近づいた状態で前記パターン形成層を硬化させる工程と、
前記パターン形成層が硬化した後に、前記モールドと前記基板の間隔を広げる工程と、を有し、
前記更に近づける工程の後、前記硬化させる工程までに、前記位置合わせの制御を再開する工程を有することを特徴とするインプリント方法。 - 前記位置合わせの制御において、停止する前の前記位置合わせの制御に用いる駆動プロファイルと、再開された前記位置合わせの制御に用いる駆動プロファイルとは異なることを特徴とする請求項6に記載のインプリント方法。
- 前記位置合わせの制御において、停止する前の前記位置合わせの制御に用いる制御パラメータと、再開された前記位置合わせの制御に用いる制御パラメータとは異なることを特徴とする請求項6に記載のインプリント方法。
- モールドと基板の位置合わせの制御を行って、前記基板上のパターン形成層に前記モールドに形成されたパターンを転写するインプリント方法であって、
前記位置合わせの制御を開始した後、前記位置合わせの制御を行いながら前記モールドと前記基板を近づけることにより、前記モールドと前記パターン形成層を接触させる工程と、
前記モールドと前記パターン形成層とが接触する前に前記位置合わせの制御を停止する工程と、
前記パターン形成層に接触した前記モールドと前記基板を更に近づける工程と、
前記モールドと前記基板が更に近づいた状態で前記パターン形成層を硬化させる工程と、
前記パターン形成層が硬化した後に、前記モールドと前記基板の間隔を広げる工程と、を有し、
前記モールドと前記パターン形成層とが接触した状態で、前記モールドと前記基板との位置合わせが要求する精度を満たさない場合に、前記更に近づける工程の後、前記パターン形成層を硬化させるまでに、前記位置合わせの制御を再開する工程を有することを特徴とするインプリント方法。 - モールドと基板の位置合わせの制御を行って、前記基板上のパターン形成層に前記モールドに形成されたパターンを転写するインプリント装置であって、
前記モールドを保持するためのモールド保持部と、
前記基板を保持するための基板保持部と、
前記位置合わせの制御を開始した後、前記位置合わせの制御を行いながら前記モールド保持部に保持されるモールドと前記基板保持部に保持される基板を近づけることにより、前記モールドと前記パターン形成層を接触させ、前記モールドと前記パターン形成層とが接触した後に前記位置合わせの制御を停止し、前記位置合わせの制御を停止した状態で前記パターン形成層に接触した前記モールドと前記基板を更に近づけ、前記モールドと前記基板が更に近づいた状態で前記パターン形成層を硬化させるように制御する制御部とを備えることを特徴とするインプリント装置。 - 前記モールドと前記パターン形成層との接触を検出するための接触検出部を備え、
前記制御部は、前記接触検出部により前記モールドと前記パターン形成層との接触を検出した後に、前記位置合わせの制御を停止することを特徴とする請求項10に記載のインプリント装置。 - モールドと基板の位置合わせの制御を行って、前記基板上のパターン形成層に前記モールドに形成されたパターンを転写するインプリント装置であって、
前記モールドを保持するためのモールド保持部と、
前記基板を保持するための基板保持部と、
前記位置合わせの制御を開始した後、前記位置合わせの制御を行いながら前記モールド保持部に保持されるモールドと前記基板保持部に保持される基板を近づけることにより、前記モールドと前記パターン形成層を接触させ、前記パターン形成層とが接触する前に前記位置合わせの制御を停止し、前記パターン形成層に接触した前記モールドと前記基板を更に近づけ、前記モールドと前記基板が更に近づいた状態で前記パターン形成層を硬化させるように制御する制御部とを備え、
前記制御部は、前記モールドと前記基板を更に近づけた後で前記パターン形成層を硬化させる前に前記位置合わせの制御を再開することを特徴とするインプリント装置。 - モールドと基板の位置合わせの制御を行って、前記基板上のパターン形成層に前記モールドに形成されたパターンを転写するインプリント装置であって、
前記モールドを保持するためのモールド保持部と、
前記基板を保持するための基板保持部と、
前記位置合わせの制御を開始した後、前記位置合わせの制御を行いながら前記モールド保持部に保持されるモールドと前記基板保持部に保持される基板を近づけることにより、前記モールドと前記パターン形成層を接触させ、前記パターン形成層とが接触する前に前記位置合わせの制御を停止し、前記パターン形成層に接触した前記モールドと前記基板を更に近づけ、前記モールドと前記基板が更に近づいた状態で前記パターン形成層を硬化させるように制御する制御部とを備え、
前記制御部は、前記モールドと前記パターン形成層とが接触した状態で、前記モールドと前記基板との位置合わせが要求する精度を満たさない場合に、前記モールドと前記基板を更に近づけた後で、前記パターン形成層を硬化させるまでに、前記位置合わせの制御を再開することを特徴とするインプリント装置。 - 請求項1から9のいずれか1項に記載のインプリント方法を用いて前記基板上のパターン形成層に、前記モールドに形成された前記パターンを転写する工程と、
前記工程で前記パターンが転写された前記パターン形成層をマスクとして、前記基板をエッチングする工程と、を含むことを特徴とする部材の製造方法。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011181944A (ja) * | 2006-04-18 | 2011-09-15 | Canon Inc | インプリント方法およびインプリント装置 |
JP2018082104A (ja) * | 2016-11-17 | 2018-05-24 | キヤノン株式会社 | インプリント装置及び物品の製造方法 |
Families Citing this family (59)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20060231301A1 (en) | 2005-04-19 | 2006-10-19 | Rose Timothy L | Coast control for motorized pallet truck |
EP2584408B1 (en) * | 2007-02-06 | 2020-10-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Imprint method and imprint apparatus |
JP4810496B2 (ja) * | 2007-04-25 | 2011-11-09 | 株式会社東芝 | パターン形成装置、パターン形成方法及びテンプレート |
US8945444B2 (en) * | 2007-12-04 | 2015-02-03 | Canon Nanotechnologies, Inc. | High throughput imprint based on contact line motion tracking control |
JP5517423B2 (ja) * | 2008-08-26 | 2014-06-11 | キヤノン株式会社 | インプリント装置及びインプリント方法 |
JPWO2010082300A1 (ja) * | 2009-01-13 | 2012-06-28 | パイオニア株式会社 | 転写装置 |
JP5563243B2 (ja) * | 2009-06-01 | 2014-07-30 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、および、物品の製造方法 |
JP2010283207A (ja) | 2009-06-05 | 2010-12-16 | Toshiba Corp | パターン形成装置およびパターン形成方法 |
JP5284212B2 (ja) * | 2009-07-29 | 2013-09-11 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
US9044879B2 (en) * | 2009-08-31 | 2015-06-02 | Konica Minolta Opto, Inc. | Production method of wafer lens |
JP5385749B2 (ja) * | 2009-10-08 | 2014-01-08 | 東芝機械株式会社 | 転写装置および転写方法 |
JP5379636B2 (ja) * | 2009-10-14 | 2013-12-25 | キヤノン株式会社 | インプリント装置及び物品の製造方法 |
JP4963718B2 (ja) * | 2009-10-23 | 2012-06-27 | キヤノン株式会社 | インプリント方法及びインプリント装置、それを用いた物品の製造方法 |
JP5495767B2 (ja) | 2009-12-21 | 2014-05-21 | キヤノン株式会社 | インプリント装置及び方法、並びに物品の製造方法 |
NL2005735A (en) * | 2009-12-23 | 2011-06-27 | Asml Netherlands Bv | Imprint lithographic apparatus and imprint lithographic method. |
WO2011077584A1 (ja) * | 2009-12-26 | 2011-06-30 | キヤノン株式会社 | インプリント装置及び物品の製造方法 |
JP5574801B2 (ja) * | 2010-04-26 | 2014-08-20 | キヤノン株式会社 | インプリント装置及び物品の製造方法 |
JP2013538447A (ja) | 2010-08-05 | 2013-10-10 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | インプリントリソグラフィ |
SG187700A1 (en) * | 2010-08-06 | 2013-03-28 | Soken Kagaku Kk | Resin mold, production method thereof, and use thereof |
CN103080779B (zh) | 2010-09-02 | 2015-09-09 | Ev集团有限责任公司 | 用于制造透镜晶片的冲模工具、设备和方法 |
KR101828636B1 (ko) * | 2010-10-26 | 2018-02-12 | 에베 그룹 게엠베하 | 렌즈 웨이퍼를 제조하기 위한 방법 및 장치 |
JP5809799B2 (ja) * | 2010-12-13 | 2015-11-11 | 東芝機械株式会社 | マスター型製造装置およびマスター型製造方法 |
JP5871627B2 (ja) * | 2011-03-04 | 2016-03-01 | キヤノン株式会社 | インプリントシステム、およびインプリント方法 |
JP5769451B2 (ja) * | 2011-03-07 | 2015-08-26 | キヤノン株式会社 | インプリント装置および物品の製造方法 |
JP2013067124A (ja) * | 2011-09-26 | 2013-04-18 | Hitachi Industrial Equipment Systems Co Ltd | 転写装置 |
JP6029494B2 (ja) | 2012-03-12 | 2016-11-24 | キヤノン株式会社 | インプリント方法およびインプリント装置、それを用いた物品の製造方法 |
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JP6494185B2 (ja) * | 2013-06-26 | 2019-04-03 | キヤノン株式会社 | インプリント方法および装置 |
JP6497849B2 (ja) * | 2014-04-15 | 2019-04-10 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、および物品の製造方法 |
JP6431290B2 (ja) * | 2014-06-06 | 2018-11-28 | キヤノン株式会社 | リソグラフィ装置及び物品の製造方法 |
JP6465577B2 (ja) * | 2014-07-11 | 2019-02-06 | キヤノン株式会社 | インプリント装置及び物品の製造方法 |
JP6472189B2 (ja) * | 2014-08-14 | 2019-02-20 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、インプリント方法及び物品の製造方法 |
JP6632270B2 (ja) * | 2014-09-08 | 2020-01-22 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、インプリント方法および物品の製造方法 |
JP6549834B2 (ja) * | 2014-11-14 | 2019-07-24 | キヤノン株式会社 | インプリント装置及び物品の製造方法 |
US10495989B2 (en) * | 2015-02-12 | 2019-12-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Imprint apparatus and method of manufacturing article |
JP6562795B2 (ja) * | 2015-02-12 | 2019-08-21 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、および物品の製造方法 |
JP6584176B2 (ja) * | 2015-07-09 | 2019-10-02 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、インプリント方法および物品の製造方法 |
JP6207671B1 (ja) * | 2016-06-01 | 2017-10-04 | キヤノン株式会社 | パターン形成装置、基板配置方法及び物品の製造方法 |
JP6748496B2 (ja) * | 2016-06-30 | 2020-09-02 | キヤノン株式会社 | モールド、インプリント方法、インプリント装置および物品製造方法 |
JP6818522B2 (ja) * | 2016-11-17 | 2021-01-20 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、および物品製造方法 |
JP6993782B2 (ja) * | 2017-03-09 | 2022-01-14 | キヤノン株式会社 | インプリント装置および物品製造方法 |
JP7025132B2 (ja) * | 2017-06-05 | 2022-02-24 | キヤノン株式会社 | インプリント装置及び物品の製造方法 |
US11175598B2 (en) * | 2017-06-30 | 2021-11-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Imprint apparatus and method of manufacturing article |
JP6882103B2 (ja) * | 2017-07-04 | 2021-06-02 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、および物品の製造方法 |
US10895806B2 (en) * | 2017-09-29 | 2021-01-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Imprinting method and apparatus |
US10409178B2 (en) * | 2017-12-18 | 2019-09-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Alignment control in nanoimprint lithography based on real-time system identification |
WO2019151975A1 (en) * | 2018-01-30 | 2019-08-08 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Alignment devices |
JP7210162B2 (ja) * | 2018-05-24 | 2023-01-23 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、インプリント方法および物品の製造方法 |
JP7351104B2 (ja) * | 2018-05-31 | 2023-09-27 | 新東工業株式会社 | 鋳物への刻印方法及び刻印装置 |
US11131923B2 (en) * | 2018-10-10 | 2021-09-28 | Canon Kabushiki Kaisha | System and method of assessing surface quality by optically analyzing dispensed drops |
TWI771623B (zh) * | 2018-11-08 | 2022-07-21 | 日商佳能股份有限公司 | 壓印裝置和產品製造方法 |
TWI776003B (zh) * | 2018-12-14 | 2022-09-01 | 揚明光學股份有限公司 | 模造鏡片的製造設備及方法 |
KR20210012932A (ko) * | 2019-07-24 | 2021-02-03 | 캐논 가부시끼가이샤 | 임프린트 장치, 임프린트 방법 및 물품 제조 방법 |
JP7341769B2 (ja) * | 2019-07-24 | 2023-09-11 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、インプリント方法および物品の製造方法 |
JP7391806B2 (ja) * | 2020-09-16 | 2023-12-05 | キオクシア株式会社 | インプリント装置、情報処理装置、及びインプリント方法 |
US11869813B2 (en) | 2020-12-15 | 2024-01-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Planarization apparatus, planarization process, and method of manufacturing an article |
US11815811B2 (en) | 2021-03-23 | 2023-11-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Magnification ramp scheme to mitigate template slippage |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2004093171A1 (ja) * | 2003-04-11 | 2004-10-28 | Scivax Corporation | パターン形成装置、パターン形成方法 |
JP2006116602A (ja) * | 2004-09-24 | 2006-05-11 | Bondotekku:Kk | 加圧装置の平行調整方法及び装置 |
JP2006165371A (ja) * | 2004-12-09 | 2006-06-22 | Canon Inc | 転写装置およびデバイス製造方法 |
WO2007105474A1 (ja) * | 2006-03-10 | 2007-09-20 | Pioneer Corporation | インプリント方法及びインプリント装置 |
Family Cites Families (41)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE69231451T2 (de) | 1991-03-11 | 2001-05-10 | Mips Tech Inc | Rückwärts kompatible Rechnerarchitektur mit erweiterten Wortbreiten und Adressraum |
JP3372635B2 (ja) * | 1994-03-14 | 2003-02-04 | キヤノン株式会社 | 制御装置 |
JP3960395B2 (ja) | 1995-07-25 | 2007-08-15 | オートモーティブ・テクノロジーズ・インターナショナル,インク. | 車内の確認及び監視システム |
JPH0939278A (ja) | 1995-08-03 | 1997-02-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | クリーニングシート |
JP3377165B2 (ja) * | 1997-05-19 | 2003-02-17 | キヤノン株式会社 | 半導体露光装置 |
EP2264524A3 (en) * | 2000-07-16 | 2011-11-30 | The Board of Regents of The University of Texas System | High-resolution overlay alignement methods and systems for imprint lithography |
KR20030040378A (ko) * | 2000-08-01 | 2003-05-22 | 보드 오브 리전츠, 더 유니버시티 오브 텍사스 시스템 | 임프린트 리소그래피를 위한 투명한 템플릿과 기판사이의고정확성 갭 및 방향설정 감지 방법 |
AU2001297642A1 (en) * | 2000-10-12 | 2002-09-04 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Template for room temperature, low pressure micro- and nano-imprint lithography |
US6852355B2 (en) | 2001-03-01 | 2005-02-08 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Thermal imaging processes and products of electroactive organic material |
US6879336B2 (en) * | 2001-03-19 | 2005-04-12 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Laser thermal transfer recording method and apparatus therefor |
MY164487A (en) * | 2002-07-11 | 2017-12-29 | Molecular Imprints Inc | Step and repeat imprint lithography processes |
EP1573395A4 (en) * | 2002-08-01 | 2010-09-29 | Molecular Imprints Inc | SPREADING MEASUREMENT DEVICE FOR THE PRINTING LITHOGRAPHY |
EP1546804A1 (en) * | 2002-08-27 | 2005-06-29 | Obducat AB | Device for transferring a pattern to an object |
TW570290U (en) * | 2003-05-02 | 2004-01-01 | Ind Tech Res Inst | Uniform pressing device for nanometer transfer-print |
KR20060034239A (ko) * | 2003-06-26 | 2006-04-21 | 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 | 기판에서의 충전된 유전체 물질의 패턴 형성 방법 |
JP2005101201A (ja) * | 2003-09-24 | 2005-04-14 | Canon Inc | ナノインプリント装置 |
DE10355681A1 (de) * | 2003-11-28 | 2005-07-07 | Süss Microtec Lithography Gmbh | Direkte Justierung in Maskalignern |
TWI228764B (en) * | 2003-12-31 | 2005-03-01 | Ind Tech Res Inst | Nanoimprint method with uniform pressurization and method for protecting mold thereof |
JP4522166B2 (ja) * | 2004-06-29 | 2010-08-11 | キヤノン株式会社 | 露光方法 |
US7927090B2 (en) * | 2004-08-10 | 2011-04-19 | Asml Netherlands B.V. | Imprint lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby |
US7391090B2 (en) | 2004-12-17 | 2008-06-24 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Systems and methods for electrically coupling wires and conductors |
US7796800B2 (en) * | 2005-01-28 | 2010-09-14 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Determining a dimensional change in a surface using images acquired before and after the dimensional change |
JP4596981B2 (ja) * | 2005-05-24 | 2010-12-15 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | インプリント装置、及び微細構造転写方法 |
US8999218B2 (en) * | 2005-06-06 | 2015-04-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for producing member having pattern, pattern transfer apparatus, and mold |
JP3958344B2 (ja) * | 2005-06-07 | 2007-08-15 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、インプリント方法及びチップの製造方法 |
JP4290177B2 (ja) * | 2005-06-08 | 2009-07-01 | キヤノン株式会社 | モールド、アライメント方法、パターン形成装置、パターン転写装置、及びチップの製造方法 |
CN101604124B (zh) * | 2005-06-08 | 2011-07-27 | 佳能株式会社 | 模子、图案形成方法以及图案形成设备 |
US7927089B2 (en) * | 2005-06-08 | 2011-04-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Mold, apparatus including mold, pattern transfer apparatus, and pattern forming method |
JP2007027168A (ja) | 2005-07-12 | 2007-02-01 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機半導体材料、有機半導体膜、有機半導体デバイス及び有機薄膜トランジスタ |
KR100870829B1 (ko) | 2005-07-18 | 2008-11-27 | 주식회사 에이디피엔지니어링 | 임프린트 장치 및 방법 |
US8202075B2 (en) * | 2005-08-12 | 2012-06-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Imprint apparatus and imprint method |
JP4646733B2 (ja) * | 2005-08-15 | 2011-03-09 | キヤノン株式会社 | 画像形成装置およびその制御方法 |
US8603381B2 (en) * | 2005-10-03 | 2013-12-10 | Massachusetts Insitute Of Technology | Nanotemplate arbitrary-imprint lithography |
JP5268239B2 (ja) * | 2005-10-18 | 2013-08-21 | キヤノン株式会社 | パターン形成装置、パターン形成方法 |
JP4533358B2 (ja) * | 2005-10-18 | 2010-09-01 | キヤノン株式会社 | インプリント方法、インプリント装置およびチップの製造方法 |
JP4736821B2 (ja) | 2006-01-24 | 2011-07-27 | 株式会社日立製作所 | パターン形成方法およびパターン形成装置 |
JP4958614B2 (ja) * | 2006-04-18 | 2012-06-20 | キヤノン株式会社 | パターン転写装置、インプリント装置、パターン転写方法および位置合わせ装置 |
US20080090160A1 (en) * | 2006-10-13 | 2008-04-17 | Jason Blackstock | Alignment for contact lithography |
US20080090312A1 (en) * | 2006-10-17 | 2008-04-17 | Inkyu Park | LITHOGRAPHY ALIGNMENT SYSTEM AND METHOD USING nDSE-BASED FEEDBACK CONTROL |
EP2584408B1 (en) * | 2007-02-06 | 2020-10-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Imprint method and imprint apparatus |
US7837907B2 (en) * | 2007-07-20 | 2010-11-23 | Molecular Imprints, Inc. | Alignment system and method for a substrate in a nano-imprint process |
-
2008
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2012
- 2012-06-07 JP JP2012130289A patent/JP5587363B2/ja active Active
-
2013
- 2013-03-14 US US13/804,973 patent/US9579843B2/en active Active
-
2017
- 2017-01-10 US US15/402,261 patent/US10670961B2/en active Active
-
2020
- 2020-04-10 US US16/845,357 patent/US10990005B2/en active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2004093171A1 (ja) * | 2003-04-11 | 2004-10-28 | Scivax Corporation | パターン形成装置、パターン形成方法 |
JP2006116602A (ja) * | 2004-09-24 | 2006-05-11 | Bondotekku:Kk | 加圧装置の平行調整方法及び装置 |
JP2006165371A (ja) * | 2004-12-09 | 2006-06-22 | Canon Inc | 転写装置およびデバイス製造方法 |
WO2007105474A1 (ja) * | 2006-03-10 | 2007-09-20 | Pioneer Corporation | インプリント方法及びインプリント装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011181944A (ja) * | 2006-04-18 | 2011-09-15 | Canon Inc | インプリント方法およびインプリント装置 |
JP2018082104A (ja) * | 2016-11-17 | 2018-05-24 | キヤノン株式会社 | インプリント装置及び物品の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20200241411A1 (en) | 2020-07-30 |
JP2008244441A (ja) | 2008-10-09 |
EP2118706A2 (en) | 2009-11-18 |
KR101281279B1 (ko) | 2013-07-03 |
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JP5587363B2 (ja) | 2014-09-10 |
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US20130196016A1 (en) | 2013-08-01 |
CN102645841A (zh) | 2012-08-22 |
WO2008099795A3 (en) | 2009-02-12 |
KR101238137B1 (ko) | 2013-02-28 |
CN101600993B (zh) | 2013-01-16 |
WO2008099795A2 (en) | 2008-08-21 |
EP2584408A3 (en) | 2018-03-21 |
EP2584408A2 (en) | 2013-04-24 |
EP2118706B1 (en) | 2019-09-18 |
CN102645841B (zh) | 2015-04-29 |
US9573319B2 (en) | 2017-02-21 |
US9579843B2 (en) | 2017-02-28 |
EP2584408B1 (en) | 2020-10-07 |
CN102360162A (zh) | 2012-02-22 |
CN102360162B (zh) | 2015-08-26 |
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JP5020844B2 (ja) | 2012-09-05 |
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CN101600993A (zh) | 2009-12-09 |
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