JP6748496B2 - モールド、インプリント方法、インプリント装置および物品製造方法 - Google Patents
モールド、インプリント方法、インプリント装置および物品製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6748496B2 JP6748496B2 JP2016130918A JP2016130918A JP6748496B2 JP 6748496 B2 JP6748496 B2 JP 6748496B2 JP 2016130918 A JP2016130918 A JP 2016130918A JP 2016130918 A JP2016130918 A JP 2016130918A JP 6748496 B2 JP6748496 B2 JP 6748496B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mold
- light
- curing
- pattern
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
- G03F7/2014—Contact or film exposure of light sensitive plates such as lithographic plates or circuit boards, e.g. in a vacuum frame
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70775—Position control, e.g. interferometers or encoders for determining the stage position
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/565—Moulds
Description
(インプリント装置について)
まず、本発明の第1実施形態におけるインプリント装置100の構成について説明する。図1は、第1実施形態のインプリント装置100の構成を示した図である。インプリント装置は、基板上に供給されたインプリント材を型と接触させ、インプリント材に硬化用のエネルギーを与えることにより、型の凹凸パターンが転写された硬化物のパターンを形成する装置である。さらに、インプリント装置100は、半導体デバイスなどのデバイス製造に使用され、被処理体である基板W上のインプリント材RにモールドM(型)を用いて、パターンを形成する装置である。第1実施形態のインプリント装置100は、光の照射によってインプリント材を硬化させる光硬化法を採用するものとする。以下の図において、基板WおよびモールドMの面内の互いに直交する方向をX軸およびY軸とし、X軸とY軸とに垂直な方向をZ軸として説明する。
図3は、第1実施形態のモールドMの断面図である。モールドMは、第1部分40と第2部分41とを含む。第1部分40は、パターンMpが設けられたパターン部40a(メサ部)とパターン部40aを取り囲む周辺部40b(オフメサ部)とを含む第1面4a1と、第1面4a1の反対側の第2面4a2とを有する。第2部分41は、第1部分40を取り囲み、かつ第1部分40よりモールドMの厚み(Z方向)が厚くなるように構成される。また、パターン部40a(メサ部)は、基板Wに向かって突出した構成(凸型)となっている。パターン部40aにはパターンMpを囲むようにスクライブラインが配置されていることある。モールドMの位置合わせに用いられるモールド側マーク10はスクライブライン上に形成されていることが多い。本実施形態では、モールドのパターン部はパターンMpとスクライブラインが含まれているものとする。このように構成されたモールドMには、第1部分40の第2面4a2と第2部分41の内側の第3面4a3とによって凹部4c(キャビティ、コアアウト)が形成される。このようにモールドMに凹部4cを形成することで、凹部4c内の圧力(例えば気圧)を変えたときにモールドMの第1部分40(第1面4a1)が変形しやすくなっている。
次に、図4を用いてインプリント装置100によるインプリント処理について説明する。インプリント処理が開始されると、第1実施形態のモールドMがインプリント装置100に搬入され、モールド保持部6によって保持される(S401)。このとき、図2に示す状態で、アライメント光学系2の受光ユニット2aが、モールド側マーク10と基準マーク12を検出し、基板ステージ5に対するモールドMの位置合わせを行う(S401)。その際、ステージ基準プレート7の基準マーク12は、モールドMを透過して検出するが、モールドのパターンがあると基準マーク12が検出しにくい。そのため、基準マーク12は、パターンやマークが形成されていないオフメサ部(図3の40b)を透過する位置に形成されている。
そこで、第1実施形態におけるモールドMの凹部には、図3に示すように、周辺部40b(オフメサ部)のうち基板Wに対向する面の反対側の面に遮光部9が設けられている。遮光部9は、モールドMに入射した硬化光がパターンMpのパターン部40aを透過するように、パターン部40aの周囲に設けられている。ただし、遮光部9が、例えばクロムなどの金属膜で構成されると、硬化光(紫外光)のみならず、アライメント光や観察光(可視〜赤外光)も遮光されてしまうため好ましくない。
図8は、遮光部9が設けられた第1実施形態の実施例2のモールドMを示す図である。モールドMは、インプリント装置100において用いられる。図8(a)に示すようにモールドMは、モールドMの第1面4a1においてパターンMpが形成されたパターン部40aを囲むように遮光部9(遮光膜9a)が設けられている。実施例1のモールドは、モールドMの第2面4a2にパターン部40aを取り囲むように遮光部9(遮光膜9a)が設けられている場合について説明した。図8(a)のように、遮光部9はモールドMの第2面4a2に限られず、モールドMの第1面4a1に設けても良い。さらに、遮光膜9aは、図8(b)に示すように、モールドMの第1面4a1および第2面4a2の周辺部40b(オフメサ部)に対応する領域に形成されてもよい。実施例1と同様に、実施例2の遮光膜9aは、硬化光は遮光するが、観察光またはアライメント光は透過する特性を有している。
次に、第2実施形態のインプリント装置について説明する。第1実施形態では、遮光部9は、モールドMの表面に設けられた遮光膜9aとして構成されているが、第2実施形態では、遮光部9は、モールドMの凹部4cに取り外しできるように構成された遮光部材9bとして構成される。
上述の何れの実施形態も、基板Wの全面にインプリント材Rが塗布されている基板を用いたが、それに限られず、インプリント材Rが塗布されていない基板Wをインプリント装置100に搬入しても良い。インプリント装置100に設けられた供給部(ディスペンサ)によって、インプリント材Rを所望の数のショット領域上に塗布してもよい。
インプリント装置を用いて形成した硬化物のパターンは、各種物品の少なくとも一部に恒久的に、或いは各種物品を製造する際に一時的に、用いられる。物品とは、電気回路素子、光学素子、MEMS、記録素子、センサ、或いは、型等である。電気回路素子としては、DRAM、SRAM、フラッシュメモリ、MRAMのような、揮発性或いは不揮発性の半導体メモリや、LSI、CCD、イメージセンサ、FPGAのような半導体素子等が挙げられる。型としては、インプリント用のモールド等が挙げられる。
2 アライメント光学系
3 観察光学系
5 基板ステージ
6 モールド保持部
7 ステージ基準プレート
M モールド
W 基板
R インプリント材
9 遮光部
100 インプリント装置
Claims (20)
- 基板上にインプリント材のパターンを形成するために用いられるモールドであって、
前記インプリント材を硬化させる硬化光が透過するパターン部と、
前記パターン部を取り囲む周辺部と、を含み、
前記周辺部に、前記インプリント材を硬化させる硬化光を減光し、且つ前記モールドを介して被検物を検出するための検出光を透過させる膜が設けられており、
前記パターン部は、前記モールドと前記基板との位置合わせのために用いられるマークを含み、前記パターン部には、前記膜が設けられていないことを特徴とするモールド。 - インプリント装置に用いるモールドであって、
インプリント材を硬化させる硬化光が透過するパターン部と、
前記パターン部を取り囲む周辺部と、を含み、
前記周辺部に、前記インプリント材を硬化させる硬化光を減光し、且つ前記モールドを介して被検物を検出するための検出光を透過させる膜が設けられており、
前記膜は、前記硬化光の波長帯域の透過率が0%以上、1%以下であり、前記検出光の波長帯域の透過率が10%以上、100%以下であることを特徴とするモールド。 - インプリント装置に用いるモールドであって、
インプリント材を硬化させる硬化光が透過するパターン部と、
前記パターン部を取り囲む周辺部と、を含み、
前記周辺部に、前記インプリント材を硬化させる硬化光を減光し、且つ前記モールドを介して被検物を検出するための検出光を透過させる膜が設けられており、
前記膜は、500〜800nmの波長帯域の波長の消衰係数に対する300〜380nmの波長帯域の波長の消衰係数の比が1.8以上であることを特徴とするモールド。 - 前記膜は、前記パターン部のパターンが形成されている面とは反対側の面に設けられていることを特徴とする請求項1ないし3の何れか1項に記載のモールド。
- 前記膜は、前記パターン部のパターンが形成されている面に設けられていることを特徴とする請求項1ないし4の何れか1項に記載のモールド。
- 前記膜は、前記モールドの表面に設けられた遮光膜を有することを特徴とする請求項1ないし5の何れか1項に記載のモールド。
- 前記膜は、前記モールドに取り付けられた遮光部材であり、前記遮光部材は前記硬化光に対して透明な部材の表面に、前記硬化光を減光し前記検出光を透過させる遮光膜が設けられていることを特徴とする請求項1ないし5の何れか1項に記載のモールド。
- 前記検出光を透過させる膜は、CrN、Cr2O3、またはTaNの何れか一つの材料より成ることを特徴とする請求項1ないし7の何れか1項に記載のモールド。
- 前記検出光を透過させる膜は、誘電体多層膜、金属窒化物、または金属酸化物の何れか一つの材料より成ることを特徴とする請求項1ないし7の何れか1項に記載のモールド。
- 前記被検物は、前記インプリント装置の基準マークを含むことを特徴とする請求項1ないし9の何れか1項に記載のモールド。
- 前記被検物は、基板の上に供給されたインプリント材を含むことを特徴とする請求項1ないし10の何れか1項に記載のモールド。
- 前記膜は、前記モールドのパターン部を基板上のインプリント材と接触させたときの前記周辺部に対応する領域のインプリント材を検出する検出光を透過させることを特徴とする請求項1ないし11の何れか1項に記載のモールド。
- 前記膜は、前記硬化光としての紫外光を減光し、且つ、前記検出光としての可視光または赤外光を透過させることを特徴とする請求項1ないし12の何れか1項に記載のモールド。
- 前記硬化光の波長と前記検出光の波長は異なることを特徴とする請求項1ないし13の何れか1項に記載のモールド。
- 前記検出光を透過させる膜は、前記モールドから取り外し可能な部材であることを特徴とする請求項1ないし14の何れか1項に記載のモールド。
- インプリント材を硬化させる硬化光が透過するパターン部と該パターン部を取り囲む周辺部を含むモールドであり、前記周辺部に、前記インプリント材を硬化させる硬化光を減光し、且つ前記モールドを介して被検物を検出するための検出光を透過させる膜が設けられたモールドを用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント方法であって、
前記モールドと前記基板を位置合わせする工程と、
前記モールドを前記インプリント材に接触させ、前記インプリント材を硬化させる工程と、を含み、
前記パターン部には前記膜が設けられておらず、モールドと前記基板の位置合わせにおいて、前記パターン部に設けられたマークが検出されることを特徴とするインプリント方法。 - インプリント材を硬化させる硬化光が透過するパターン部と該パターン部を取り囲む周辺部に膜が設けられたモールドを用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント方法であって、
前記モールドと前記基板を位置合わせする工程と、
前記モールドを前記インプリント材に接触させ、前記インプリント材を硬化させる工程と、を含み、
前記膜は、前記インプリント材を硬化させる硬化光を減光し、且つ前記モールドを介して被検物を検出するための検出光を透過させ、
前記膜は、前記硬化光の波長帯域の透過率が0%以上、1%以下であり、前記検出光の波長帯域の透過率が10%以上、100%以下であることを特徴とするインプリント方法。 - インプリント材を硬化させる硬化光が透過するパターン部と該パターン部を取り囲む周辺部に膜が設けられたモールドを用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント方法であって、
前記モールドと前記基板を位置合わせする工程と、
前記モールドを前記インプリント材に接触させ、前記インプリント材を硬化させる工程と、を含み、
前記膜は、前記インプリント材を硬化させる硬化光を減光し、且つ前記モールドを介して被検物を検出するための検出光を透過させ、
前記膜は、500〜800nmの波長帯域の波長の消衰係数に対する300〜380nmの波長帯域の波長の消衰係数の比が1.8以上であることを特徴とするインプリント方法。 - 請求項1ないし15の何れか1項に記載のモールドを用いて基板上にインプリント材のパターンを形成することを特徴とするインプリント装置。
- 請求項16ないし18の何れか1項に記載のインプリント方法を用いて基板上にインプリント材のパターンを形成する工程と、
前記工程で前記パターンが形成された前記基板を加工する工程と、
を含むことを特徴とする物品製造方法。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016130918A JP6748496B2 (ja) | 2016-06-30 | 2016-06-30 | モールド、インプリント方法、インプリント装置および物品製造方法 |
SG10201704389PA SG10201704389PA (en) | 2016-06-30 | 2017-05-30 | Mold, imprinting method, imprint apparatus, and method for manufacturing a semiconductor article |
TW106119300A TWI643019B (zh) | 2016-06-30 | 2017-06-09 | 模具、壓印方法、壓印設備、及製造半導體物件的方法 |
US15/630,600 US20180004091A1 (en) | 2016-06-30 | 2017-06-22 | Mold, imprinting method, imprint apparatus, and method for manufacturing a semiconductor article |
KR1020170078955A KR102280003B1 (ko) | 2016-06-30 | 2017-06-22 | 몰드, 임프린트 방법, 임프린트 장치 및 반도체 물품 제조 방법 |
CN201710506145.2A CN107561855A (zh) | 2016-06-30 | 2017-06-28 | 模具、压印方法、压印装置和用于制造半导体制品的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016130918A JP6748496B2 (ja) | 2016-06-30 | 2016-06-30 | モールド、インプリント方法、インプリント装置および物品製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018006553A JP2018006553A (ja) | 2018-01-11 |
JP2018006553A5 JP2018006553A5 (ja) | 2019-07-18 |
JP6748496B2 true JP6748496B2 (ja) | 2020-09-02 |
Family
ID=60806962
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016130918A Active JP6748496B2 (ja) | 2016-06-30 | 2016-06-30 | モールド、インプリント方法、インプリント装置および物品製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20180004091A1 (ja) |
JP (1) | JP6748496B2 (ja) |
KR (1) | KR102280003B1 (ja) |
CN (1) | CN107561855A (ja) |
SG (1) | SG10201704389PA (ja) |
TW (1) | TWI643019B (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6815894B2 (ja) * | 2017-02-27 | 2021-01-20 | 株式会社ディスコ | 静電チャックテーブルの使用方法 |
CN108445711A (zh) * | 2018-03-13 | 2018-08-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板及其制作方法、显示装置 |
US11281095B2 (en) | 2018-12-05 | 2022-03-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Frame curing template and system and method of using the frame curing template |
JP2021027107A (ja) | 2019-08-01 | 2021-02-22 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、インプリント方法及び物品の製造方法 |
JP7346268B2 (ja) | 2019-12-05 | 2023-09-19 | キヤノン株式会社 | インプリント用のテンプレート、テンプレートを用いたインプリント方法 |
JP7465146B2 (ja) * | 2020-05-12 | 2024-04-10 | キヤノン株式会社 | インプリント方法、インプリント装置、判定方法及び物品の製造方法 |
CN113885295B (zh) * | 2020-07-01 | 2024-03-08 | 吉佳蓝科技股份有限公司 | 纳米压印用复制模制作装置 |
US11747731B2 (en) | 2020-11-20 | 2023-09-05 | Canon Kabishiki Kaisha | Curing a shaped film using multiple images of a spatial light modulator |
JP2022182118A (ja) | 2021-05-27 | 2022-12-08 | キヤノン株式会社 | モールド、インプリント装置、および物品の製造方法 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3410089B2 (ja) * | 1991-11-13 | 2003-05-26 | 株式会社東芝 | 露光用マスクの製造方法及び露光方法 |
EP2584408B1 (en) * | 2007-02-06 | 2020-10-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Imprint method and imprint apparatus |
JP5182470B2 (ja) * | 2007-07-17 | 2013-04-17 | 大日本印刷株式会社 | インプリントモールド |
JP4799575B2 (ja) * | 2008-03-06 | 2011-10-26 | 株式会社東芝 | インプリント方法 |
JP5257225B2 (ja) * | 2009-04-28 | 2013-08-07 | 大日本印刷株式会社 | ナノインプリント用モールドおよびその製造方法 |
JP5531702B2 (ja) * | 2010-03-23 | 2014-06-25 | 旭硝子株式会社 | 遮光膜付ガラス基板および液晶表示装置 |
JP6029494B2 (ja) * | 2012-03-12 | 2016-11-24 | キヤノン株式会社 | インプリント方法およびインプリント装置、それを用いた物品の製造方法 |
KR20150112945A (ko) * | 2013-01-24 | 2015-10-07 | 소켄 케미칼 앤드 엔지니어링 캄파니, 리미티드 | 광투과형 임프린트용 몰드, 대면적 몰드의 제조방법 |
JP6368075B2 (ja) * | 2013-06-26 | 2018-08-01 | キヤノン株式会社 | モールド |
JP5909210B2 (ja) * | 2013-07-11 | 2016-04-26 | キヤノン株式会社 | インプリント装置及び物品の製造方法 |
JP6097704B2 (ja) * | 2014-01-06 | 2017-03-15 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、インプリント方法及び物品の製造方法 |
JP2015144193A (ja) * | 2014-01-31 | 2015-08-06 | 株式会社東芝 | インプリント方法、テンプレートおよびインプリント装置 |
TWI662591B (zh) * | 2014-07-08 | 2019-06-11 | 日商綜研化學股份有限公司 | 使用分步重複用壓印用模具的分步重複壓印方法、及分步重複用壓印用模具之製造方法 |
JP5900589B2 (ja) * | 2014-12-12 | 2016-04-06 | 大日本印刷株式会社 | インプリント用モールド、アライメント方法、インプリント方法、およびインプリント装置 |
JP2016028442A (ja) * | 2015-10-08 | 2016-02-25 | 大日本印刷株式会社 | テンプレート |
-
2016
- 2016-06-30 JP JP2016130918A patent/JP6748496B2/ja active Active
-
2017
- 2017-05-30 SG SG10201704389PA patent/SG10201704389PA/en unknown
- 2017-06-09 TW TW106119300A patent/TWI643019B/zh active
- 2017-06-22 KR KR1020170078955A patent/KR102280003B1/ko active IP Right Grant
- 2017-06-22 US US15/630,600 patent/US20180004091A1/en not_active Abandoned
- 2017-06-28 CN CN201710506145.2A patent/CN107561855A/zh active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20180003437A (ko) | 2018-01-09 |
CN107561855A (zh) | 2018-01-09 |
TW201802578A (zh) | 2018-01-16 |
SG10201704389PA (en) | 2018-01-30 |
JP2018006553A (ja) | 2018-01-11 |
US20180004091A1 (en) | 2018-01-04 |
KR102280003B1 (ko) | 2021-07-21 |
TWI643019B (zh) | 2018-12-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6748496B2 (ja) | モールド、インプリント方法、インプリント装置および物品製造方法 | |
TWI720301B (zh) | 壓印裝置及製造物品的方法 | |
TWI668734B (zh) | 壓印設備,壓印方法及製造物件的方法 | |
KR20140119800A (ko) | 임프린트 방법, 임프린트 장치 및 이를 사용한 물품 제조 방법 | |
JP2016004794A (ja) | インプリント方法、インプリント装置、および物品の製造方法 | |
US11709421B2 (en) | Imprint apparatus | |
KR102317410B1 (ko) | 임프린트 장치, 임프린트 방법, 임프린트재의 배치 패턴의 결정 방법 및 물품의 제조 방법 | |
KR20180118043A (ko) | 임프린트 장치, 제어 데이터의 생성 방법, 및 물품의 제조 방법 | |
US10386737B2 (en) | Imprint apparatus and method for producing article | |
JP2021082672A (ja) | インプリント装置、インプリント方法、および、物品の製造方法 | |
WO2018088049A1 (ja) | インプリント装置、インプリント方法、及び物品製造方法 | |
US20210132492A1 (en) | Imprint apparatus, imprint method, and method for manufacturing article | |
US20210187797A1 (en) | Imprint apparatus, imprint method, and method of manufacturing article | |
KR20210065854A (ko) | 임프린트 장치, 임프린트 방법, 물품의 제조 방법, 기판, 및 몰드 | |
JP2020161634A (ja) | インプリント装置、インプリント方法、および物品の製造方法 | |
JP2018113418A (ja) | インプリント装置、および物品製造方法 | |
JP7383450B2 (ja) | インプリント装置、インプリント方法及び物品の製造方法 | |
JP7171383B2 (ja) | インプリント装置及び物品の製造方法 | |
US20230415403A1 (en) | Imprint system, substrate, imprint method, replica mold manufacturing method, and article manufacturing method | |
US20230294351A1 (en) | Object alignment method, imprint method, article manufacturing method, detection apparatus, imprint apparatus, mold, and substrate | |
KR102211390B1 (ko) | 임프린트 장치 및 물품 제조 방법 | |
JP2022038752A (ja) | 基板処理方法、基板保持装置、成形装置、及び物品の製造方法 | |
JP2021068766A (ja) | 液体吐出装置、成形装置、及び物品の製造方法 | |
JP2018182303A (ja) | 半導体基板、パターン形成方法および物品製造方法 | |
JP2019021875A (ja) | インプリント方法、インプリント装置、および物品の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190612 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190612 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20200311 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200421 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200617 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200714 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200807 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6748496 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |