TWI668734B - 壓印設備，壓印方法及製造物件的方法 - Google Patents

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Abstract

一種壓印設備使用模具在基板的投射區域中形成壓印材料的圖案，並且包括加熱機構，該加熱機構藉由用光照射基板的投射區域來改變基板的形狀，其中該加熱機構包括在基板的投射區域中形成照度分佈的多個光學調變器，並且來自多個光學調變器的光束照明投射區域的相互不同的區域。

Description

壓印設備，壓印方法及製造物件的方法
[0001] 實施例的態樣係有關於一種壓印設備，壓印方法及製造物件的方法。
[0002] 隨著對於半導體裝置、微機電系統(MEMS)等的微加工的需求增長，除了傳統的光微影技術之外，用於使用模具在基板上模製(mold)壓印材料以在基板上形成壓印材料的圖案的壓印技術也已經引起注意。利用壓印技術，可以在基板上形成奈米級的圖案。作為一種壓印技術，例如，光固化方法是已知的。在使用光固化方法的壓印方法中，首先壓印材料被供應到基板上。接下來，使基板上的壓印材料和模具接觸。然後，在壓印材料和模具接觸的同時用紫外線照射壓印材料和模具。在壓印材料固化之後，藉由將模具與固化的壓印材料分離而在基板上形成壓印材料的圖案。 　　[0003] 其上藉由壓印技術而形成有圖案的該基板在一系列裝置製造處理中可能由於在例如濺射的成膜處理中經受熱處理而變形。在這種情況下，圖案區域的形狀(包括放大率)可能改變，其中圖案區域是在基板上形成圖案的區域。因此，當在壓印設備中使基板上的壓印材料和模具接觸時，有必要使預先形成在基板上的圖案區域(基板側圖案區域)的形狀與形成在模具上的圖案區域(模具側圖案區域)的形狀匹配。作為一種用於使基板側圖案區域的形狀與模具側圖案區域的形狀匹配的技術，日本專利申請案特開第2013-102132號討論了藉由加熱基板使基板熱變形的壓印設備。根據日本專利申請案特開第2013-102132號的壓印設備包括一用光照射基板以加熱基板的光源(照射光源)、以及一光學調變器，其調整來自作為用來加熱基板側圖案區域的機構的光源的光的照度分佈。例如，數位面鏡裝置(DMD)被用於該光學調變器。藉由使用該光學調變器，來自光源的光的照度分佈被調整，該基板側圖案區域被該光照射，使得基板側圖案區域因其吸收的熱量而變形。藉由調整來自光源的光的照度分佈，可以使基板側圖案區域的形狀與模具側圖案區域的形狀匹配。 　　[0004] 為了用光照射基板以使基板因其吸收的熱量而熱變形，高功率半導體雷射或類此者被用作為用於加熱的光源。同時，如果作為光學調變器的DMD被用高功率雷射光照射的話，那麼，光學調變器的功能會因為DMD的微面鏡表面的傾斜度誤差或者面鏡表面的反射率的降低而會劣化。如果光學調變器的功能劣化的話，那麼基板側圖案區域中的光的照射位置可能會偏移或者照度不像所顯示的那樣，因而導致基板側圖案區域的形狀與模具側圖案區域的形狀的重疊精確度降低。
[0005] 根據實施例的一個態樣，一種被建構為使用模具在基板的投射區域(shot area)中形成壓印材料的圖案的壓印設備包括一加熱機構，其被建構為藉由用光照射該投射區域來改變該基板的形狀，其中該加熱機構包括多個光學調變器，其被建構來在該投射區域中形成照度分佈，並且來自該等多個光學調變器的光束照明該投射區域的相互不同的區域。 　　[0006] 本揭露內容的其它特徵從下文中參考附圖的範性實施例的描述將變得清楚。
[0017] 在下文中，將參考附圖詳細描述本揭露內容的示範性實施例。在每個圖中，相同的標號表示相同的構件，並且省略重複的描述。 　　[0018] 圖1是例示根據本揭露內容的第一示範性實施例的壓印設備1的構造的圖式。壓印設備1的構造將參考圖1來描述。在此處，圖1中所示每個軸係藉由將其上設置有基板11的平面設定為XY平面並且垂直於XY平面的方向設定為Z方向來加以界定。壓印設備係藉由使供應到基板上的壓印材料與模具接觸並且向壓印材料提供用於固化的能量來形成被轉印有模具的凹凸圖案的固化物質的圖案。圖1中的壓印設備1被用來將諸如半導體裝置之類的裝置製作成物件。在此處，採用光固化的壓印設備1將被描述。 　　[0019] 壓印設備1包括發射光以固化壓印材料的照射單元2、保持模具8的模具保持機構3(模具保持單元)、移動基板11的基板台架4(基板保持單元)、以及將壓印材料供應到該基板上的供應單元5(分配器)。當基板在被預先供應了壓印材料的狀態下被運送到壓印設備1中時，壓印設備1可以不包括供應單元5。壓印設備1還包括加熱該基板11以使該基板11變形的加熱機構6、控制壓印設備1的每個單元的操作的控制單元7、以及檢測形成在模具8上的標記和形成在基板11上的標記的標記檢測單元22。 　　[0020] 該照射單元2在模具8和壓印材料接觸的同時從模具8的背面用紫外線9照射模具8。照射單元2包括發射紫外線9的光源(未示出)和將從光源發射出的紫外線9調整為合適的光的光學構件(未示出)。依據第一示範性實施例的壓印設備1係採用光固化並且因此設有發射紫外線9的照射單元2。另一方面，當採用熱固化時，熱固性樹脂被用作壓印材料，並且設置使熱固性樹脂固化的熱源單元而不是設置照射單元2。 　　[0021] 模具8具有方形(矩形)的外周形狀並且包括圖案部分8a，在該圖案部分8a處形成有將被轉印到基板11上的壓印材料的電路圖案。模具8的材料是可以透射紫外線9的材料，諸如石英。此外，被紫外線9照射的模具8的表面可以具有帶有凹部(空腔8b)的形狀，以利於模具8的圖案部分8a相對於基板11以凸起的形式變形。此外，透光件13被設置在模具保持機構3內部的開口區域17​​中，使得一空間12由該開口區域17​​的一部分、該空腔8b和該透光件13形成，該空間12是一封閉的空間。因而，模具8可以藉由使用壓力控制裝置(未示出)控制空間12內部的壓力而以凸起的形式變形。 　　[0022] 一藉由接收用於固化的能量而被固化的固化組合物(也被稱為未固化樹脂)被用作壓印材料14。電磁波、熱量等被用作為用於固化的能量。電磁波的例子包括具有選自10nm至1mm的範圍的波長的光，諸如紅外線、可見光和紫外線。 　　[0023] 該固化組合物是藉由光的照射或加熱而被固化的組合物。在此類固化組合物當中，被光固化的光固化組合物包含至少一可聚合化合物和一光聚合引發劑，並且如果必要的話還可以包含非可聚合化合物或溶劑。非可聚合化合物是選自包含敏化劑、供氫體、內脫模劑、表面活性劑、抗氧化劑、聚合物成分及類此者的群組中的至少一種化合物。 　　[0024] 壓印材料14藉由旋塗器(spin coater)或狹縫式塗布器(slit coater)以膜的形式施加到基板上。或者，壓印材料14可以由液體噴頭以液滴的形式或由多個液滴結合形成的島或膜的形式供給到基板上。壓印材料的黏度(25℃時的黏度)例如為大於或等於1mPa·s且小於或等於100mPa·s。 　　[0025] 玻璃、陶瓷、金屬、半導體、樹脂等被用於基板11。如果必要的話，可以在基板11的表面上形成由與基板11不同的材料製成的構件。更具體地，基板11是矽晶圓、化合物半導體晶圓、石英玻璃等。 　　[0026] 模具保持機構3包括藉由真空吸力或靜電力保持模具8的模具卡盤15以及保持模具卡盤15以移動模具8(模具卡盤15)的模具驅動單元16。模具卡盤15和模具驅動單元16在其中心部分(在內側)具有開口區域17​​，使得從照射單元2的光源發出的紫外線9朝著基板11發射。模具保持機構3還包括藉由向模具8的側面提供外力而使模具8(圖案部分8a)變形的模具變形機構18。藉由使模具8變形，模具變形機構18可以使圖案部分8a(模具側圖案區域)的形狀與預先形成在基板11上的基板側圖案區域的形狀匹配。 　　[0027] 模具驅動單元16使模具8在Z軸方向上移動，以使模具8與基板11上的壓印材料14接觸(模壓)或將模具8與已經固化的壓印材料14分離(脫模)。例如，線性馬達和氣缸是可用作為用於模具驅動單元16的致動器。模具驅動單元16可以包括多個驅動系統，諸如粗動驅動系統和微動驅動系統，以便以高精確度定位模具8。此外，模具驅動單元16可以不僅在Z軸方向上，而且在X軸方向、Y軸方向或θ(繞Z軸旋轉)方向上均具有定位功能，或者具有校正模具8的傾斜度的傾斜功能。壓印設備1的模壓和脫模中的每個操作可以藉由如上所述在Z軸方向上移動模具8來實現，但是也可以藉由在Z軸方向移動基板台架4來實現。或者，模壓和脫模中的每個操作也可以藉由使模具保持機構3(模具8)和基板台架4(基板11)這兩者相對或依序移動來實現。 　　[0028] 基板台架4是保持基板11的基板保持單元。當模具8和基板11上的壓印材料14接觸時，基板台架4執行模具8和基板11之間的對準。基板台架4包括藉由真空吸引力或靜電力保持基板11的基板卡盤19、以及保持基板卡盤19以使基板11(基板卡盤19)在XY平面中移動的台架驅動單元20。基板台架4還具有在對準模具8時使用的參考標記21。台架驅動單元20可以採用例如線性馬達作為致動器。台架驅動單元20還可以在X軸方向和Y軸方向中的每個方向上包括多個驅動系統，諸如粗動驅動系統和微動驅動系統。台架驅動單元20可以進一步具有用於在Z軸方向上定位的驅動系統、基板11在θ方向上的定位功能、或校正基板11的傾斜度的傾斜功能。 　　[0029] 供應單元5(分配器)將壓印材料14供應(施用)到基板11上。從供應單元5的排出埠(排出噴嘴)排出的壓印材料14的量係根據將要形成在基板11上的壓印材料14的圖案的厚度、將要形成的壓印材料14的圖案的密度等來大致地決定。 　　[0030] 壓印設備1可包括填充監視器27。雖然未示出，但該填充監視器27包括光源、影像感測器和光學系統，並且在模具8和基板11上的壓印材料14接觸時取得壓印材料14與圖案部分8a的接觸的影像。藉由利用該填充監視器27的影像感測器所取得的模具8和基板11上的壓印材料14的接觸狀態的影像，可以檢測夾在模具8和基板11之間的異物。此外，藉由利用該填充監視器27所取得的接觸狀態的影像，壓印設備1可以識別壓印材料14的未填充位置或者檢測模具8與基板11之間的相對傾斜度。 　　[0031] 控制單元7可以控制壓印設備1的每個部件的操作(調整)。控制單元7包括例如電腦，並且經由線路連接到壓印設備1的每個部件，以便能夠根據程式等來控制每個部件。控制單元7可以與壓印設備1被一體地建構(在共同的殼體中)，或者與壓印設備1的其它部分分離地構造(在分離的殼體中)。 　　[0032] 壓印設備1包括檢測形成在模具8或基板11上的標記的標記檢測單元22。例如，藉由檢測形成在基板11上的對準標記和形成在模具8上的對準標記，標記檢測單元22可測量模具8和基板11在X軸和Y軸方向的位置偏移或者模具側圖案區域與基板側圖案區域之間的形狀差異。標記檢測單元22可設置在開口區域17​​中或者經由中繼光學系統設置在與模具8和基板11分開的位置。 　　[0033] 壓印設備1包括一其上設置了該基板台架4的基座台24、一其上被固定了該模具保持機構3的橋台25、及一從該基座工作台24延伸以支撐該橋台25的支柱26。壓印設備1可以進一步包括從壓印設備1的外部將模具8運送到模具保持機構3中或者將模具8運送出壓印設備1的模具輸送機構(未示出)。壓印設備1還可以包括從壓印設備1的外部將基板11運送到基板台架4上或將基板11運送出壓印設備1的基板輸送機構(未示出)。 　　[0034] 加熱機構6加熱該基板11，以改變(校正)形成在由基板台架4所保持的該基板11上的基板側圖案區域的形狀。加熱機構6可例如圖1中所示採用一加熱光源(用於加熱的光源)，其藉著穿過該模具8朝著基板11發射光來加熱基板11。除了加熱光源以外，加熱機構6還包括光學調變器和光學系統，用以將從加熱光源發出的光調整為適於加熱基板側圖案區域的光。一光學元件28(例如，二向色鏡)被設置在從該加熱光源射出的光的光徑上以反射從照射單元2發出的紫外線9並透射來自加熱光源的光。在加熱光的光徑上，還部署了用來反射從填充監視器27的光源發出的光並透射來自加熱光源的光的光學元件29。 　　[0035] 更具體而言，數位微面鏡裝置(DMD)、液晶顯示器(LCD)等被用於光學調變器(照度分佈形成單元)。在第一示範性實施例中，將描述DMD被用作光學調變器的情況。DMD是反射被發出的光的反射式光學調變器，其內配置了幾十萬(例如，1024×768)個可被單獨控制並且每邊為十幾µm的微面鏡。每個微面鏡由數位信號機械地控制，並且相對於一鏡面配置平面66以例如+12度(ON狀態)或-12度(OFF狀態)的角度傾斜。加熱機構6包括用於控制DMD的劑量控制設備。藉由使用劑量控制設備來控制DMD，可以針對基板側圖案區域形成來自加熱光源的光的照度分佈，以獲得目標校正量。 　　[0036] 高功率光源被用來藉由吸收來自加熱機構6的光的熱來使基板11(基板側圖案區域)熱變形，且其例如是半導體雷射。基板11還由基板卡盤19用吸力來予以保持。當吸力增加時，作用在與基板表面垂直的方向上的力增加，並且基板11與基板卡盤19之間的作用在與基板表面平行的方向上的摩擦力也增加。因而，更多的吸收熱被用於使基板側圖案區域變形成目標形狀。 　　[0037] 同時，當朝著DMD發射高功率雷射時，微面鏡更有可能劣化，並且發生鏡面表面的傾斜度誤差或者鏡面的反射率降低。由於微面鏡的劣化，基板側圖案區域的照射位置可能被偏移或者目標照度分佈不能被獲得，進而導致基板側圖案區域的形狀和模具側圖案區域的形狀的重疊精確度降低。 　　[0038] 因此，依據第一示範性實施例的加熱機構6使用多個光學調變器(DMD)來形成用於基板側圖案區域的目標照度分佈。依據第一示範性實施例的加熱機構6將參考圖4和5來描述。圖4中所示的加熱機構6包括劑量控制裝置61、多個加熱光源62(62A、62B)、多個DMD 63(63A、63B)、投影光學系統64、以及照射光學系統65(65A、65B)。 　　[0039] 高功率半導體雷射或類此者被用作加熱光源62，以使基板側圖案區域變形並由光纖會聚。從加熱光源62發出的光是被基板11吸收並且具有在基板11上的壓印材料不會被固化的波長頻帶中的波長的光(例如，可見光或近紅外光)。 　　[0040] 照射光學系統65包括會聚從加熱光源62發出的光的聚光器光學系統(未示出)和用於在使來自聚光器光學系統的光的強度均勻之後對DMD 63進行照明的均勻照明光學系統(未示出)。均勻照明光學系統可包括諸如微透鏡陣列(MLA)之類的光學元件。 　　[0041] 照明DMD 63的光是光強度被該照射光學系統65均勻化的光。包括在DMD 63中作為光學調變器的每個微面鏡如圖6A中所示地相對於鏡面配置平面66以-12度(OFF狀態)或+12度(ON狀態)的角度傾斜。在此處，如果相對於鏡配置平面66，DMD 63上的入射角是α、來自DMD 63的發射角是β並且微面鏡的傾斜度是γ的話，那麼發射角β被表示為β=2γ-α。在此處被假設的是，相對於配置平面的順時針方向為負，而逆時針方向為正。通常，被處於ON狀態的微面鏡反射的光是被發射於與鏡配置平面66垂直的方向(β=0度)上，照明DMD 63的光的入射角α因而被設定為24度。如果DMD 63被用光照射的話，那麼取決於是ON狀態還是OFF狀態，反射光會被反射在不同方向上。照度分佈可根據該被反射光是否入射到被設置在DMD 63下游的投影光學系統64的數值孔徑(NA)中而被形成。被DMD 63的處於ON狀態的微面鏡反射的光被該投影光學系統64形成一影像於基板11上。在此處，DMD 63和基板11處於光學共軛關係。劑量控制裝置61控制DMD 63，使得在基板側圖案區域中形成目標照度分佈。 　　[0042] 在此處，將描述如圖3A中所示之對在Y方向上包含梯形成分的形狀差異的基板側圖案區域31的形狀進行校正的情形。在此情形下，如圖3A中所示，用於加熱基板11的光在Y方向上形成照度分佈32，並且在X方向上使劑量均勻。具有照度分佈32的光被該劑量控制裝置61生成，並且被用於照射基板11。 　　[0043] 當如上所述從加熱光源62發射光時，圖3A中所示的溫度分佈33被形成在基板側圖案區域31中。由於該被形成的溫度分佈33，基板側圖案區域31按照圖3A中所示的位移量34被熱變形。因此，如圖3B中所示，基板側圖案區域31的形狀可得到校正。因此，藉由使基板側圖案區域31變形(校正)，加熱機構6可以使基板側圖案區域31的形狀與模具8上形成有圖案的模具側圖案區域30的形狀匹配。除了上述藉由熱變形進行校正之外，還可以藉由向模具8施加力來使模具側圖案區域變形。 　　[0044] 在依據第一示範性實施例的基板側圖案區域中，其被假設包含了梯形成分的形狀差異，但是本揭露內容並不限於此一例子，且對於多個基板側圖案區域中的每一個基板側圖案區域而言，其可以包含其它成分的形狀差異或者可以包含不同成分的形狀差異。例如，當包含放大率成分的形狀差異的基板側圖案區域透過熱變形而被加熱機構6校正時，DMD應當至少被劑量控制裝置控制以使得均勻的溫度分佈被形成在基板側圖案區域31中。 　　[0045] 如圖4中所示，第一示範性實施例對於加熱光源62、DMD 63和照射光學系統65中的每一種均包括兩個。在此處，基板側圖案區域被加熱器A和加熱器B加熱，其中加熱器A包括加熱光源62A、照射光學系統65A和DMD 63A，加熱器B包括加熱光源62B、照射光學系統65B和DMD 63B。從加熱器A和加熱器B發出的光束經由兩者共用的投影光學系統64加熱該基板側圖案區域。在第一示範性實施例中，其被假設設置了多個單元的加熱光源62，但是本公開不限於此一例子，並且從單個單元的加熱光源62發出的光可以被分束器(光學元件)拆分。 　　[0046] 接下來，使用加熱器A和加熱器B分別照明基板側圖案區域的方法將被描述。如圖4中所示，加熱器A和加熱器B被設置為相對於投影光學系統64的光軸L64旋轉對稱，並且DMD 63被設置為相對於投影光學系統64的光軸L64偏移。被DMD 63A反射(調變)的光和被DMD 63B反射(調變)的光經由兩者共用的投影光學系統64照明該基板側圖案區域。如果基板側圖案區域的尺寸例如是26×33mm的話，那麼每個DMD 63係被劑量控制裝置61控制以使得基板11的圖案上的照明光具有26×16.5mm的尺寸。如果投影光學系統64的成像放大率假設是-3的話，那麼8.67×5.5mm的區域變成DMD 63上的操作區域，而其它區域則變成非操作區域。 　　[0047] 在此處，如果試圖將DMD 63A和DMD 63B設置為彼此相鄰的話，則由於保護DMD 63的微面鏡的包裝的關係，微面鏡不能彼此相鄰地設置。更具體而言，一間隙將存在於被DMD 63A和DMD 63B控制成一目標形狀(例如，26×16.5mm)的照明光束之間，因此，基板側圖案區域不能得到充分校正。因此，在第一示範性實施例中，被DMD 63A和DMD 63B反射之相應的光束的光軸L63A和光軸L63B被設置為相對於投影光學系統64的光軸L64偏移和傾斜。 　　[0048] 被假設的是，例如DMD 63A和DMD 63B被設置在垂直於投影光學系統64的光軸L64的相同平面內且被DMD 63的包裝分離，操作區域之間的間隔是30mm，並且投影光學系統64的成像放大率是-3。來自基板11上的加熱光源的照明光束的距離變成10mm。根據如上文所述地決定的偏移量來決定被DMD 63反射的光的光軸L63A和光軸L63B的傾斜量的方法將被描述。 　　[0049] 首先，根據從加熱光源入射在基板11上的照明光束的距離(偏移量)來確定光軸的傾斜量的方法將參考圖5加以描述。藉由使用軸外光線L63’，影像平面上的影像高度y被表示為y=f*tanθ’，其中軸外光線L63’相對於經過主點(principle point)和​​具有焦距f的光學系統64’的中心的軸線L64’以角度θ’入射。在此處，當軸外光線L63’被用作為光軸時，y可以被認為是影像平面上的偏移量。即，當照明區域在基板側圖案區域中要偏移y時，被DMD 63反射的光的光軸相對於投影光學系統的光軸的角度β僅僅被傾斜β=tan-1 (y/f)。 　　[0050] 接下來，將參考圖6B和6C描述用來將被DMD 63反射的光的光軸L63相對於照明光學系統的光軸傾斜的方法。圖6B和6C例示處於ON狀態的微面鏡。如圖6B中所示，被DMD 63反射的光的光軸可藉由以預定的角度將DMD 63A和DMD 63B的面鏡配置平面66相對於與投影光學系統64的光軸L64垂直的平面傾斜而被傾斜。當面鏡配置平面66傾斜例如Δγ的角度時，Δγ被表示為Δγ=(β+α)/2-γ。即，面鏡配置平面66被傾斜的角度Δγ可以根據如上所述地所決定之被DMD 63反射的光的光軸的角度(發射角度)β來決定。 　　[0051] 另外，將參考圖6C描述用來將被DMD 63反射的光的光軸L63相對於投影光學系統64的光軸L64傾斜的另一種方法。如圖6C中所示，被DMD 63反射的光的光軸可藉由在面鏡設置平面66保持與投影光學系統64的光軸L64垂直的同時將從照射光學系統65發出的光的光軸L65傾斜而相對於投影光學系統64的光軸L64傾斜。如果來自照射光學系統65的光的入射角度α(來自照射光學系統65的光的光軸L65相對於投影光學系統64的光軸L64的角度)被傾斜Δα的話，則角度Δα被表示為Δα=α+β-2γ。 　　[0052] 藉由如上所述地使被DMD 63反射的光的光軸L63相對於投影光學系統64的光軸L64偏心而使得加熱機構6的光學系統成為偏心光學系統，基板側圖案區域可用被DMD 63A和DMD 63B反射的光束來分別照明。因此，來自多個光學調變器的光束可以照明基板側圖案區域的彼此不同的區域。 　　[0053] 接下來，將描述用該加熱機構6來調整照明該基板側圖案區域的照明光的方法。藉由控制與基板側圖案區域的尺寸對應的DMD 63A和DMD 63B的相應操作區域的微面鏡，照明該基板側圖案區域進行的照明光可被調整。當基板側圖案區域被加熱機構6分開照明時，基板側圖案區域中的反射光被填充監視器27的影像感測器觀察到。根據影像感測器的觀察結果，DMD 63位置和傾斜度以及操作區域的範圍被調整。藉由如上所述地調整DMD 63的位置和傾斜度，被DMD 63反射的光的光軸L 63相對於投影光學系統64的光軸L64的偏移和傾斜度可被調整。DMD 63設有傾斜台架或偏移台架(未示出)，以改變其位置或傾斜度。不是使用偏移台架來改變DMD 63的位置，而是該照明光可以藉由偏移DMD 63的操作區域來加以偏移(光軸L63可以被偏移)。在那種情況下，其內形成有DMD 63的微面鏡的區域比操作區域寬。 　　[0054] 依據第一示範性實施例的加熱機構6是在假設設置兩套加熱光源62、DMD 63和照射光學系統65的情況下描述，但是本揭露內容並不侷限於此例子並且可以有三個加熱器或更多個。 (壓印處理) 　　[0055] 接下來，將參考圖2描述壓印設備1的壓印處理。圖2是例示壓印設備1使用用於基板11的模具8在多個基板11上的多個基板側圖案區域(投射區域)中形成壓印材料的圖案的壓印處理的操作序列的流程圖。壓印處理的操作由控制單元7執行。 　　[0056] 當操作序列開始時，在步驟S100中，控制單元7使模具輸送機構將模具8安裝在模具卡盤15上。在步驟S101中，控制單元7使基板輸送機構將基板11安裝在基板卡盤19上。模具8和基板11被運送到壓印設備中的順序沒有特別限制，並且模具8和基板11可以依序或同時被運送。 　　[0057] 在步驟S102中，控制單元7藉由基板台架4將基板11的基板側圖案區域移動到供應單元5的供應位置，然後作為供應處理，使供應單元5將壓印材料14供應(施加)到基板11上。然後，在步驟S103中，控制單元7藉由基板台架4將基板11移動到預定位置，並且將已被供應壓印材料14的基板11移動到模具8下方的位置(模壓位置)，以相對於模具8定位該基板11。 　　[0058] 在步驟S104中，控制單元7操作模具驅動單元16作為模壓過程，並使模具8和被供應到基板側圖案區域的壓印材料14接觸。壓印材料14如何與模具8接觸(如何填充模具8)可被填充監視器27觀察。然後，在步驟S105中，在模具8和壓印材料14接觸的同時，標記檢測單元22檢測來自形成在模具8上的對準標記和形成在基板11上的對準標記的光。模具8和基板11在X軸方向、Y軸方向和θ方向上的位置偏移可根據被標記檢測單元22檢測到的對準標記的檢測結果來加以測量。此外，模具側圖案區域的形狀與基板側圖案區域的形狀之間的差異可根據被測得的對準標記的位置偏移量來加以測量。此外，模具8的模具側圖案區域的形狀的校正量和基板11的基板側圖案區域的形狀的校正量分別被決定，以使得形狀差異減小。 　　[0059] 在步驟S106中，作為模具校正過程，控制單元7使模具變形機構18根據在步驟S105中決定的模具8的模具側圖案區域的形狀的校正量來使模具8變形。控制單元7因而可將模具8的模具側圖案區域的形狀校正至目標形狀。在步驟S107中，作為基板校正處理，控制單元7進一步藉由加熱機構6來加熱基板11，用以根據在步驟S105中決定的基板11的基板側圖案區域的形狀的校正量、藉由向基板側圖案區域提供溫度分佈來使基板11變形。控制單元7因而可將基板11的基板側圖案區域的形狀熱校正至目標形狀。 　　[0060] 現在將描述用來在步驟S107中形成溫度分佈的方法。一發出不會讓壓印材料被固化的波長的光(例如，近紅外光)的加熱光源被加熱機構6用來加熱基板11。從加熱光源發出的光穿過DMD和模具8，然後照射基板11的基板側圖案區域。藉由用DMD中所包括的大量的面鏡來控制從加熱光源發出的光的劑量，可以在基板11上的照射平面中形成照度分佈。根據照度分佈，可以在基板11上形成任何溫度分佈。基板側圖案區域的形狀的校正量可以從步驟S105中對準標記的檢測結果來決定。控制單元7根據從對準標記的檢測結果所決定的校正量來決定校正基板側圖案區域的形狀所需的溫度分佈或照度分佈。然後，劑量控制裝置控制加熱機構6，使得在基板上形成所獲得的溫度分佈或照度分佈。基板11的基板側圖案區域被半導體的製造過程變形。基板側圖案區域的變形大致分為放大率成分的變形、平行四邊形成分的變形和梯形成分的變形，且這些成分經常組合。為了校正每個變形成分，溫度分佈不僅可以在基板側圖案區域內部形成，而且還可以在該區域外部形成。 　　[0061] 接下來，控制單元7驅動台架驅動單元20，以校正在步驟S105中決定的基板側圖案區域和模具側圖案區域的位置偏移。因而，在步驟S108中，模具8和基板11可被相對地對準。 　　[0062] 在步驟S108中模具8和基板11對準之後，在步驟S109中，標記檢測單元22檢測形成在模具8上的對準標記和形成在基板11上的對準標記。根據檢測到的對準標記的結果，控制單元7可決定模具側圖案區域與基板側圖案區域之間在X、Y和θ方向上的位置偏移和形狀差異。然後，根據測得的位置偏移或形狀差異，可以計算基板側圖案區域和模具側圖案區域的形狀的校正量，使得模具側圖案區域的形狀和基板側圖案區域的形狀重合。 　　[0063] 然後，在步驟S110中，控制單元7判斷計算出的模具側圖案區域和基板側圖案區域之間的位置偏移和形狀差異(校正殘差)是否在允許值內。如果控制單元7在步驟S110中判定計算出的值不在允許值內(步驟S110中的“否”)的話，則控制單元7可藉由讓處理返回到步驟S107來校正基板的位置或形狀。另一方面，如果控制單元7在步驟S110中判定計算出的值在允許值內(步驟S110中的“是”)的話，則處理前進到下個步驟S111。此外，控制單元7可在步驟S110中根據模具和基板的相對位置偏移量來做出判定。而且，如果控制單元7在步驟S110中判定計算出的值不在允許值內(步驟S110中的“否”)的話，則控制單元7可以藉由讓處理返回到步驟S106來校正模具的位置或形狀。 　　[0064] 在步驟S111中，在實施模具8和基板11的對準之後，控制單元7使照射單元2用紫外線9照射供應到基板11上的壓印材料，用以固化壓印材料(固化過程)。在步驟S112中，在壓印材料被固化之後，控制單元7驅動模具驅動單元16，用以藉由擴大模具和基板之間的距離來將模具8與基板上固化的壓印材料分離(脫模過程)。 　　[0065] 隨後，在步驟S113中，控制單元7判斷同一基板11上是否仍存在其內應形成壓印材料14的圖案的基板側圖案區域。在此處，如果控制單元7判定仍存在其內應當形成圖案的基板側投射區域(步驟S113中的“是”)的話，則處理返回到步驟S102，用以對下一個基板側投射區域供應壓印材料。另一方面，如果控制單元7確定不存在其內應當形成圖案的基板側照射區域(步驟S113中的“否”)的話，則處理前進到下一步S114。在步驟S114中，控制單元7使基板輸送機構回收基板卡盤19上所保持的基板11。 　　[0066] 接下來，在步驟S115中，控制單元7繼續判斷是否仍然存在應在其上實施類似壓印處理的基板。在此處，如果控制單元7判定仍然存在應在其上實施壓印處理的基板(步驟S115中的“是”)的話，則處理返回到步驟S101，用以用基板輸送機構將下一個基板運送到壓印設備中。另一方面，如果控制單元7判定不存在應在其上實施壓印處理的基板(步驟S115中的“否”)的話，則處理前進到下一個步驟S116。在步驟S116中，控制單元7使模具輸送機構在完成所有步驟之前回收被模具卡盤15保持的模具8。 　　[0067] 依據第一示範性實施例的壓印設備1已經以使用加熱機構6對基板側圖案區域進行加熱的情形加以描述，但照射單元2亦可被使用。在這種情形中，在從照射單元2的光源發出的諸光束中，照射單元2用位於不會讓壓印材料被固化的波長帶內的光來照射基板側圖案區域。因此，照射單元2包括濾光器，該濾光器透射任意波長帶的光，使得光可以如下方式被切換：即在固化處理期間，位在會讓壓印材料被固化的波長帶中的光被發出，而在加熱基板時，則是位在不會讓壓印材料被固化的波長帶中的光被發出。因此，利用照射單元2中所包括的濾光器，照射基板11的光的波長可被用於不同的目的。 　　[0068] 而且，依據第一示範性實施例的壓印設備1已經用形成在模具8上的圖案部分8a的數量是一個的情形加以描述，但是形成在模具8上的圖案部分8a可以是多個。當其上形成有多個圖案部分8a的模具8被用來在多個基板側圖案區域中形成壓印材料的圖案時，這多個基板側圖案區域中的每一個基板側圖案區域可被上述的加熱機構6熱變形。使用其上形成有多個圖案部分8a的模具8來形成圖案可被稱為多區域壓印或多場壓印。如果加熱機構6使用單個DMD照射多個基板側圖案區域的話，則用來照射一個基板側圖案區域的光的照度被降低，使得熱變形量受到限制。因此，藉由如第一示範性實施例中所描述的加熱機構6那樣分別照射基板側圖案區域，可以增加用來照射基板側圖案區域的光的照度而不增加加熱光源62的輸出功率。 　　[0069] 如第一示範性實施例般地其上安裝有加熱機構6的壓印設備1可以藉由用多個DMD來照明藉由劃分基板側圖案區域而獲得的任意基板側圖案區域。 　　[0070] 接下來，將參考圖7描述依據第二示範性實施例的加熱機構6。圖7是例示依據第二示範性實施例的加熱機構6的構造的圖式。使用依據第二示範性實施例的加熱機構6的壓印設備基本上係用和依據第一示範性實施例的壓印設備1相同的方式操作，或者具有和第一示範性實施例相同的壓印處理，因此將僅僅描述不同的構造。 　　[0071] 在第一示範性實施例中，被相應DMD 63 (63A、63B)反射的光束的光軸L63A和光軸L63B係相對於用於照明的投影光學系統64的光軸L64被偏移。而且，為了照明，依據第一示範性實施例的加熱機構6藉由使光軸L63A和光軸L63B相對於投影光學系統64的光軸L64傾斜來利用來自兩個彼此相鄰的加熱器A和B的光束照明基板側圖案區域。 　　[0072] 如果使得從加熱光源62A和加熱光源62B發出的光束的波長和偏極方向中的至少一項不同的話，則依據第二示範性實施例的加熱機構6被設置為使得被DMD 63A反射的光的光軸L63A被偏移。依據第二示範性實施例的加熱機構6的特徵在於，使用分束器67來組合來自加熱器A和加熱器B的光束。因而，加熱機構6可以用從彼此相鄰的加熱器A和加熱器B發出的光束來照明基板側圖案區域。 　　[0073] 首先，將描述被DMD 63反射的光的光軸L63A和光軸L63B相對於投影光學系統64的光軸L64被偏移以及從兩個加熱光源62A和62B發出的光束的波長不同的情形。就像依據第一示範性實施例的加熱機構一樣，圖7中所示的加熱機構6包括劑量控制裝置61、加熱光源62、DMD 63、投影光學系統64以及照射光學系統65。此外，依據第二示範性實施例的加熱機構包括分束器67和面鏡68。 　　[0074] 從加熱光源62A發出的光進入照射光學系統65A。從照射光學系統65A發出的光被面鏡68A反射，以均勻地照射DMD 63A。電介質多層面鏡等被用於面鏡68(68A、68B)，面鏡68(68A、68B)對於從加熱光源62A發出的光的波長和來自照射光學系統65的光的入射角具有高反射率。被面鏡68A反射的光均勻照明的DMD 63A被配置成相對於投影光學系統64的光軸L64被偏移預定的量。例如，被假設的是，基板11上的圖案區域(例如，26×33mm)的一半(26×16.5mm)被加熱器A照射，且投影光學系統64的成像放大率為-3。在此情形中，DMD 63A的發射光軸L63A在圖7中所示的-X方向被偏移5.5mm。被DMD 63A的處於ON狀態的微面鏡反射的光進入分束器67。分束器67具有透射具有不同波長的兩個光束中的一個並反射另一個的功能。在圖7所示的此示範性實施例中，從DMD 63A發出的光穿過分束器67，同時從DMD 63B發出的光被分束器67反射。被分束器67透射和反射的光束進入該單一投影光學系統64，以分別照明基板11上彼此相鄰的圖案區域。 　　[0075] 依據上述示範性實施例的加熱機構6已經用DMD 63被用作光學調變器的情形加以描述。依據第三示範性實施例的加熱機構6使用液晶裝置69作為光學調變器(照度分佈形成單元)。圖8例示當光學調變器是透射型的液晶裝置69時的加熱機構6的示意圖。從加熱光源62A發出的光進入照射光學系統65A。從照射光學系統65A發出的光均勻地照明液晶裝置69A。液晶裝置69A的透射率是由劑量控制裝置61來控制，用以在基板11上的圖案區域中形成目標照度分佈。已穿過液晶裝置69A的光穿過分束器67，以分別照明基板11上彼此相鄰的圖案區域。 　　[0076] 類似地，從加熱光源62B發出的光進入照射光學系統65B。從照射光學系統65B發出的光均勻地照明液晶裝置69B。液晶裝置69B的透射率是由劑量控制裝置61來控制，以在基板11上的圖案區域中形成目標照度分佈。已穿過液晶裝置69B的光被分束器67反射，以分別照明基板11上彼此相鄰的圖案區域。 　　[0077] 該第三示範性實施例已經用已穿過液晶裝置69的光的光軸L63(L63A、L63B)相對於投影光學系統64的光軸被偏移且從兩個加熱光源62A和62B發出的光束的波長不同的情形加以描述。然而，實施例的態樣並不侷限於此例子。圖案區域中的照明光的位置可藉由按照第一示範性實施例中所述的方法，相對於投影光學系統64的光軸傾斜已穿過液晶裝置69的光的光軸L63來加以調整以及分別被照明。 　　[0078] 當使得從兩個加熱光源62A和62B發出的偏極光束不同(例如，從加熱光源62A發射S偏極光並且從加熱光源62B發射P偏極光)時，偏極分束器被用作為分束器67。在圖8所示的第三示範性實施例中，分束器67被設定為透射S偏極光並反射P偏極光。偏極板可被配置在光徑上，以改善分束器67的透射率和反射率。 　　[0079] 藉由如上所述之其上安裝有加熱機構6的該壓印設備，用於增加加熱光源的功率的壓印設備1可用多個光學調變器來提供，用以分別照明基板11的被劃分成多個區域的圖案區域。 　　[0080] 接下來，將參考圖9來描述依據第四示範性實施例的加熱機構6。圖9是例示依據第四示範性實施例的加熱機構6的構造的圖式。使用依據第四示範性實施例的加熱機構6的壓印設備基本上係用與依據第一示範性實施例或第二示範性實施例的壓印設備1相同的方式操作，或者具有與第一示範性實施例或第二示範性實施例相同的壓印處理，因此這裡將僅僅描述不同的構造。 　　[0081] 在第二示範性實施例中，當使得從兩個加熱器的加熱光源62A和62B發出的光束的波長和偏極方向中的至少一個不同時，分束器67被用來組合照明光束。在第四示範性實施例中，使用刀口面鏡(knife-edge mirror)來分別照明彼此相鄰的圖案區域，而和從兩個加熱器的加熱光源62A和62B發出的光束的波長和偏極方向無關。因此，加熱機構6可利用來自彼此相鄰的加熱器A和加熱器B的發射光束來照明基板側圖案區域。 　　[0082] 圖9中所示的加熱機構6除了劑量控制裝置61、加熱光源62、DMD 63、投影光學系統64、照射光學系統65和面鏡68以外還包括成像光學系統70和刀口面鏡71。 　　[0083] DMD 63A和63B中的每一者其內均具有被二維地配置的微面鏡並具有作為衍射光柵的功能。因此，從DMD 63發出的光被衍射並變寬。為了在不遮擋來自DMD 63A的光的情況下讓來自DMD 63B的光被刀口面鏡71高效地反射，刀口面鏡71附近的影像被形成。因此，成像光學系統70具有在DMD 63和刀口面鏡71之間建立基本上光學共軛關係的功能。因而，被DMD 63A調變過的光在刀口面鏡71附近被成像光學系統70A形成影像並且不被遮擋地進入投影光學系統64。同時，被DMD 63B調變過的光在刀口面鏡71附近被成像光學系統70B形成影像並且在進入投影光學系統64之前被反射。因而，加熱器可分別照明基板11上彼此相鄰的圖案區域。 　　[0084] 藉由其上安裝有如上所述的加熱機構的壓印設備，用於增加加熱光源的功率的壓印設備1可用多個光學調變器分別照明基板11上的圖案區域來提供。 　　[0085] 依據上述示範性實施例中的任一者的加熱機構6中的加熱光源62已經用包括多個加熱光源62A和62B的情形加以描述，但加熱光源62的數量可以是一個。在該情形中，從一個加熱光源62發出的光被光學元件拆分(分離)，使得多個光學調變器被其照射。例如，分束器被用作為拆分從加熱光源62發出的光的光學元件。 　　[0086] 依據上述示範性實施例中的任一者的加熱機構6中的多個光學調變器(DMD 63A、63B)分別照明基板11上彼此相鄰的圖案區域。然而，為了用來自多個光學調變器的光束進行覆蓋照明，該等多個光學調變器中的每一者都可以照明基板11上的圖案區域，而無需將圖案區域劃分為多個區域。相較於僅使用一個光學調變器進行照明的情形，當使用多個光學調變器時，從每個光學調變器發出的光的劑量減少，因此可以降低光學調變器的劣化。 　　[0087] 此外，包括在壓印設備1中的加熱機構6已在所有上述示範性實施例中被描述，但是本揭露內容並不侷限於此例子。例如，該等實施例的該態樣對於一種用光學調變器來形成一曝光設備的有效光源分佈的光學圖案形成設備而言亦是有效的。在此處，曝光設備是經由投影光學系統照明在標線片(原片)上形成的圖案以使基板曝露於來自標線片的光的設備。曝光設備的照明方法是已知的，在該方法中，來自光源的光在照明該標線片時具有分佈。來自光源的光的有效光源分佈係被包括在該光學圖案形成設備中的光學調變器(DMD)形成。因此，就像上述示範性實施例中描述的加熱機構6，光學圖案形成設備也可以使用多個光學調變器形成有效光源分佈。因而，可以抑制光學圖案形成設備中包括的光學調變器的功能的劣化。 (用於製造物件的方法) 　　[0088] 接下來，將描述使用包括上述加熱機構的壓印設備來製造物件的方法。例如，在半導體裝置是將被製造的物件的情形中，該半導體裝置係經歷一前端製程(在前端製程中，積體電路被形成在基板上)和一後端製程(在後端製程中，一積體電路晶片被完成在前端製程中所形成的基板上以成為產品)來加以製造。前端製程包括用於使用壓印設備在基板上的壓印材料上形成圖案的處理。後端製程包括組裝處理(切割、接合)和包裝處理(封裝)。依據此示範性實施例之用於製造半導體裝置的方法，半導體裝置可被製造成比過去更高品質的物件。 　　[0089] 用該壓印設備所形成之被固化物質的圖案被永久地用於各種物件的至少一部分或者在製造各種物件時被暫時使用。物件包括電子電路裝置、光學元件、微機電系統(MEMS)、記錄裝置、感測器和模具。電子電路裝置的例子包括揮發性或非揮發性半導體記憶體(諸如動態隨機存取記憶體(DRAM)、靜態隨機存取記憶體(SRAM)、快閃記憶體和磁阻隨機存取記憶體(MRAM))，以及諸如大型積體(LSI)電路、電荷耦合裝置(CCD)、影像感測器和現場可程式閘陣列(FPGA)之類的半導體裝置。模具的例子包括用於壓印的模具。 　　[0090] 被固化物質的圖案被原樣地用作上述物件的組件的至少一部分或暫時用作抗蝕劑遮罩。在基板的製程中，抗蝕劑遮罩在實施蝕刻或離子注入之後即被移除。 　　[0091] 接下來，將描述製造物件的具體方法。如圖10A中所示，諸如矽晶圓之類的基板1z被製備。待處理材料2z(諸如絕緣材料)被形成在基板1z的表面上。隨後，通過噴墨方法等將壓印材料3z施加到待處理材料2z的表面。在此處，多個液滴狀的壓印材料3z被提供在基板1z上的狀態被例示。 　　[0092] 如圖10B中所示，一用於壓印的模具4z被設置成與基板1z上的壓印材料3z相對。模具4z之形成有凹凸圖案的一側係朝向壓印材料3z。如圖10C中所示，施加了壓印材料3z的基板1z被設置成與模具4z接觸並對其施加壓力。模具4z和待處理材料2z之間的間隙被壓印材料3z填充。如果在這種狀態下壓印材料3z被穿過模具4z的光(其係作為用於固化的能量)照射的話，那麼壓印材料3z被固化。 　　[0093] 如圖10D中所示，在壓印材料3z被固化之後，模具4z和基板1z被分離，用以在基板1z上方形成壓印材料3z的被固化物質的圖案。該被固化物質的圖案具有一形狀，在該形狀中模具的凹部與該被固化物質的凸部相對應且模具的凸部與該被固化物質的凹部對應，模具4z的凹凸圖案因而被轉印到壓印材料3z。 　　[0094] 如圖10E中所示，當用該被固化物質的圖案作為抗蝕刻劑遮罩實施蝕刻時，待處理材料2z的沒有該被固化物質或者存在該固化物質的薄殘留膜的表面被移除，以形成凹槽5z。如圖10F中所示，當該被固化物質的圖案被移除時，可以獲得具有在待處理材料2z的表面上形成的凹槽5z的物件。在此處，該被固化物質的圖案被移除，但其亦可被用作為例如包含在半導體裝置中之用於層間絕緣的膜，亦即，作為物件的元件，而不在處理之後被移除。 　　[0095] 在上文中，已經描述了本揭露內容的示範性實施例，但是本揭露內容並不侷限於上述示範性實施例，並且可以在其範圍內以各種方式進行修改或更改。 　　[0096] 雖然已經參考示範性實施例描述了本揭露內容，但是應當理解的是，本揭露內容並不侷限於所揭露的示範性實施例。下列申請專利範圍的範圍應當被賦予最寬泛的解釋，以涵蓋所有此類修改以及等效的結構和功能。
[0097]
1‧‧‧壓印設備
11‧‧‧基板
2‧‧‧照射單元
3‧‧‧模具保持機構
4‧‧‧基板台架
5‧‧‧供應單元
6‧‧‧加熱機構
7‧‧‧控制單元
8‧‧‧模具
9‧‧‧紫外線
22‧‧‧標記檢測單元
8b‧‧‧空腔
17‧‧‧開口區域
13‧‧‧透光件
12‧‧‧空間
14‧‧‧壓印材料
15‧‧‧模具卡盤
16‧‧‧模具驅動單元
8a‧‧‧圖案部分
19‧‧‧基板卡盤
20‧‧‧台架驅動單元
21‧‧‧參考標記
27‧‧‧填充監視器
24‧‧‧基座台
25‧‧‧橋台
28‧‧‧光學元件
29‧‧‧光學元件
66‧‧‧鏡面配置平面
61‧‧‧劑量控制裝置
62‧‧‧加熱光源
62A‧‧‧加熱光源
62B‧‧‧加熱光源
63‧‧‧DMS
63A‧‧‧DMS
63B‧‧‧DMS
64‧‧‧投影光學系統
65‧‧‧照射光學系統
65A‧‧‧照明光學系統
65B‧‧‧照明光學系統
32‧‧‧照度分佈
31‧‧‧基板側圖案區域
33‧‧‧溫度分佈
30‧‧‧模具側圖案區域
L64‧‧‧光軸
L63A‧‧‧光軸
y‧‧‧影像高度
L63’‧‧‧軸外光線
64’‧‧‧光學系統
L63‧‧‧光軸
L65‧‧‧光軸
67‧‧‧分束器
69‧‧‧液晶裝置
69A‧‧‧液晶裝置
69B‧‧‧液晶裝置
L63B‧‧‧光軸
68‧‧‧面鏡
71‧‧‧刀口面鏡
70‧‧‧成像光學系統
70A‧‧‧成像光學系統
70B‧‧‧成像光學系統
1z‧‧‧基板
2z‧‧‧將被處理的材料
3z‧‧‧壓印材料
4z‧‧‧模具
5z‧‧‧溝槽
[0007] 圖1是例示了依據第一示範性實施例的壓印設備的圖式。 　　[0008] 圖2是例示壓印方法的流程圖。 　　[0009] 圖3A和3B是例示基板上的照度分佈、溫度分佈和位移量之間的關係的圖式。 　　[0010] 圖4是例示依據第一示範性實施例的加熱機構的圖式。 　　[0011] 圖5是例示用於確定傾斜量的方法的圖式。 　　[0012] 圖6A、6B和6C是例示用於傾斜光學調變器中所包括的微面鏡的方法的圖式。 　　[0013] 圖7是例示了依據第二示範性實施例的加熱機構的圖。 　　[0014] 圖8是例示依據第三示範性實施例的加熱機構的圖式。 　　[0015] 圖9是例示依據第四示範性實施例的加熱機構的圖式。 　　[0016] 圖10A、10B、10C、10D、10E和10F是例示用於製造物件的方法的圖式。

Claims (20)

  1. 一種被建構為使用模具在基板的投射區域中形成壓印材料的圖案的壓印設備，該設備包含：加熱機構，其被建構為藉由用光照射該投射區域來加熱該基板，其中，該加熱機構包括多個光學調變器，每一光學調變器包括一陣列的面鏡，其被建構來反射該光，且該投射區域的相互不同的區域被來自該等多個光學調變器的光束照射，該等多個光學調變器之間安排有間隙。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的設備，其更包含投影光學系統，其被建構為將來自該加熱機構的光引導到該基板，其中，經由投影光學系統，該投射區域被來自該等多個光學調變器的光束的每一光束照射。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的設備，其中該加熱機構使一光軸相對於該投影光學系統的光軸偏心，其中來自該光學調變器的光係沿著該光軸進入該投影光學系統。
  4. 如申請專利範圍第2項所述的設備，其中該加熱機構使一光軸相對於投影光學系統的光軸傾斜，其中來自該光學調變器的光係沿著該光軸進入該投影光學系統。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的設備，其中該加熱機構用光分別照射該投射區域的多個區域的每一區域。
  6. 如申請專利範圍第4項所述的設備，其中該光學調變器的每一光學調變器包括多個操作性的微面鏡，其中來自該光學調變器的光所沿著進入該投影光學系統的該光軸係藉由改變包括在該光學調變器內的該等多個微面鏡的操作區域而從該投影光學系統的該光軸被偏心。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的設備，其更包含組合單元，其被建構來組合來自該等多個光學調變器的光束，其中，該等被組合的光束照明該投射區域。
  8. 如申請專利範圍第7項所述的設備，其中，該加熱機構包括一光源，其被建構來用不同波長的光束照射該等多個光學調變器，及其中該組合單元是一分束器，其被建構來組合來自該等多個光學調變器的不同波長的光束。
  9. 如申請專利範圍第7項所述的設備，其中，該加熱機構包括一光源，其被建構來用不同偏極方向的光束照射該等多個光學調變器，及 其中該組合單元是一分束器，其建構來組合來自該等多個光學調變器的不同偏極方向的光束。
  10. 如申請專利範圍第1項所述的設備，其中該投影光學系統在該等多個光學調變器的每一光學調變器與該基板之間建立共軛關係。
  11. 如申請專利範圍第1項所述的設備，其中該加熱機構包括：加熱光源，其被建構為用光照射該等多個光學調變器；光學元件，其被建構來拆分來自該加熱光源的光，使得該等多個光學調變器被該光照射；以及照射光學系統，被建構來用該被拆分之後的光照射該等多個光學調變器。
  12. 如申請專利範圍第1項所述的設備，其中該加熱機構包括：多個加熱光源，其被建構來用光束照射該投射區域；及多個照射光學系統，其被建構來用來自該等多個加熱光源的各別光束照射該等多個光學調變器。
  13. 一種被建構為使用模具在基板的投射區域中形成壓印 材料的圖案的壓印設備，該設備包含：加熱機構，其被建構為藉由用光照射該投射區域來加熱該基板，其中該加熱機構包括多個光學調變器，其被建構來在該投射區域中形成照度分佈，且來自該等多個光學調變器的光束各自照明該投射區域的相同區域。
  14. 一種用於使用模具在基板的投射區域中形成壓印材料的圖案的壓印方法，該壓印方法包含：藉由用光分別照該射投射區域的多個區域的每一區域來加熱該基板，其中，該加熱包括用來自多個光學調變器的光束分別照射該投射區域的該等多個區域，該等多個光學調變器的每一者包括一陣列的面鏡，其被建構來反射該光且該等多個光學調變器之間安排有間隙。
  15. 如申請專利範圍第14項所述的方法，其中該等光學調變器的每一者包括多個操作性的微面鏡。
  16. 如申請專利範圍第14項所述的方法，其更包含在該等多個光學調變器的每一光學調變器與基板之間建立共軛關係。
  17. 一種製造物件的方法，其包含： 用如申請專利範圍第1至13項中任一項所述的設備在基板上形成壓印材料的圖案；以及處理其上已形成有該圖案的該基板。
  18. 一種用在曝光設備中的設備，該曝光設備被建構來照明形成在原片上的圖案以使基板曝露於來自該原片的光，該設備包含：多個光學調變器，其被建構來照明形成在該原片上的圖案以使得來自光源的光具有分佈，其中，來自該等多個光學調變器的光束照明形成在該原片上的圖案的相互不同的區域。
  19. 如申請專利範圍第18項所述的設備，其更包含被建構來將來自該多個光學調變器的光束組合的組合單元。
  20. 如申請專利範圍第19項所述的設備，其中該組合單元是一分束器，其被建構來將來自該等多個光學調變器的不同波長的光束組合。
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