JP2012182435A - 光電変換素子、およびこれを用いた光電変換装置、撮像システム - Google Patents
光電変換素子、およびこれを用いた光電変換装置、撮像システム Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012182435A JP2012182435A JP2012000680A JP2012000680A JP2012182435A JP 2012182435 A JP2012182435 A JP 2012182435A JP 2012000680 A JP2012000680 A JP 2012000680A JP 2012000680 A JP2012000680 A JP 2012000680A JP 2012182435 A JP2012182435 A JP 2012182435A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- refractive index
- plane
- photoelectric conversion
- insulating layer
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
【解決手段】光路部材220は、中心部分222と、中心部分222の屈折率よりも低い屈折率を有する周辺部分221と、を含んでおり、光電変換部110の受光面111に平行な第5平面1005内、および受光面111に平行で第5平面1005よりも受光面111に近い第6平面1006内において、周辺部分221が中心部分222に連続して中心部分222を囲み、かつ、周辺部分221の屈折率が絶縁膜200の屈折率よりも高く、第5平面1005内における周辺部分221の厚みTH2よりも、第6平面1006内における周辺部分221の厚みTH4が小さい。
【選択図】図2
Description
入射光の利用効率を高めるためには、特許文献1に記載されているように、光電変換部(受光部)の受光面上に光導波路を設けることが有効である。
図1の例では、絶縁膜200は基板100の主面101と、光電変換部110の受光面111を覆っている。絶縁膜200は、複数の光電変換部110同士が導通しない程度の絶縁性(基板100の導電率よりも低い導電率)を有する。典型的には、絶縁膜200は透明である。絶縁膜200は一種類の材料からなる単層膜であってもよいが、典型的には絶縁膜200は互いに異なる材料からなる複数の層が積層された多層膜である。
図2(a)は第1実施形態に係る光電変換素子1の一部の、主面101(および受光面111)に垂直な方向の断面図であり、図2(b)は第1実施形態に係る光電変換素子1の一部の、主面101(および受光面111)に平行な方向の断面図である。
周辺部分221の屈折率を中心部分222の屈折率よりも低くすることにより、光電変換素子1の感度を向上することができる。
図4(a)は第2実施形態に係る光電変換素子1の一部の、主面101(および受光面111)に垂直な方向の断面図であり、図4(b)は第2実施形態に係る光電変換素子1の一部の一部の、主面101(および受光面111)に平行な方向の断面図である。
図5(a)は第3実施形態に係る光電変換素子1の一部の、主面101(および受光面111)に垂直な方向の断面図であり、図5(b)は第3実施形態に係る光電変換素子1の一部の、主面101(および受光面111)に平行な方向の断面図である。
図6(a)は第4実施形態に係る光電変換素子1の一部の、主面101(および受光面111)に垂直な方向の断面図であり、図6(b)は第4実施形態に係る光電変換素子1の一部の、主面101(および受光面111)に平行な方向の断面図である。
図7(a)は第5実施形態に係る光電変換素子1の一部の、主面101(および受光面111)に垂直な方向の断面図であり、図7(b)は第5実施形態に係る光電変換素子1の一部の、主面101(および受光面111)に平行な方向の断面図である。
図8(a)は第6実施形態に係る光電変換素子1の一部の、主面101(および受光面111)に垂直な方向の断面図であり、図8(b)は第6実施形態に係る光電変換素子1の一部の、主面101(および受光面111)に平行な方向の断面図である。
図1を用いて、光電変換素子1の一例を詳細に説明する。
図9を用いて、光電変換装置10およびそれを用いた撮像システム30の一例を説明する。光電変換装置10は、例えば、イメージングセンサーや測距センサー、測光センサーとしての利用が可能である。光電変換装置10が、イメージングセンサーと測距センサー、測光センサーとしての機能のうちの複数の機能を兼ね備えていてもよい。
110 光電変換部
200 絶縁膜
220 光路部材
221 周辺部分
222 中心部分
319 透明膜
Claims (23)
- 光電変換部と、前記光電変換部の上に設けられ、絶縁膜に囲まれた光路部材と、を備える光電変換素子において、
前記光路部材は、第1部分と、前記第1部分の屈折率よりも低い屈折率を有する第2部分と、を含んでおり、
前記光電変換部の受光面に平行な或る平面内および前記受光面に平行で前記或る平面よりも前記受光面に近い別の平面内において、前記第2部分が前記第1部分に連続するとともに前記第1部分を囲み、かつ、前記第2部分の屈折率が前記絶縁膜の屈折率よりも高く、
前記或る平面内における前記第2部分の厚みよりも、前記別の平面内における前記第2部分の厚みが小さいことを特徴とする光電変換素子。 - 前記第2部分は、前記第1部分と化学量論的組成が同じであることを特徴とする請求項1に記載の光電変換素子。
- 光電変換部と、前記光電変換部の上に設けられ、絶縁膜に囲まれた光路部材と、を備える光電変換素子において、
前記光路部材は、窒化シリコンを材料とする第1部分と、窒化シリコンを材料とし、かつ、前記第1部分よりも窒化シリコンの密度が低い第2部分と、を含み、
前記絶縁膜は、各々が酸化シリコンまたは珪酸塩ガラスを材料とする第1の絶縁層および第2の絶縁層を含み、
前記光電変換部の受光面に平行な或る平面内において、前記第2部分が前記第1部分と前記第1の絶縁層との間に位置し、かつ、前記第2部分が前記第1部分に連続するとともに前記第1部分を囲み、
前記光電変換部の受光面に平行で前記或る平面よりも前記受光面に近い別の平面内において、前記第2部分が前記第1部分と前記第2の絶縁層との間に位置し、かつ、前記第2部分が前記第1部分に連続するとともに前記第1部分を囲み、
前記或る平面内における前記第2部分の厚みよりも、前記別の平面内における前記第2部分の厚みが小さいことを特徴とする光電変換素子。 - 光電変換部と、前記光電変換部の上に設けられ、絶縁膜に囲まれた光路部材と、を備える光電変換素子において、
前記光路部材は、窒化シリコンを材料とする第1部分と、窒化シリコンを材料とし、かつ、前記第1部分よりも窒素に対するシリコンの比が低い第2部分と、を含み、
前記絶縁膜は、各々が酸化シリコンまたは珪酸塩ガラスを材料とする第1の絶縁層および第2の絶縁層を含み、
前記光電変換部の受光面に平行な或る平面内において、前記第2部分が前記第1部分と前記第1の絶縁層との間に位置し、かつ、前記第2部分が前記第1部分に連続するとともに前記第1部分を囲み、
前記光電変換部の受光面に平行で前記或る平面よりも前記受光面に近い別の平面内において、前記第2部分が前記第1部分と第2の絶縁層との間に位置し、かつ、前記第2部分が前記第1部分に連続するとともに前記第1部分を囲み、
前記或る平面内における前記第2部分の厚みよりも、前記別の平面内における前記第2部分の厚みが小さいことを特徴とする光電変換素子。 - 前記受光面に垂直で、前記或る平面および前記別の平面内において前記第1部分を通る軸から、前記絶縁膜へ向かって、前記第1部分および前記第2部分の屈折率が連続的に変化していることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の光電変換素子。
- 前記別の平面内における前記第2部分の厚みが、前記或る平面内における前記第2部分の厚みの1/2以下であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の光電変換素子。
- 前記光路部材は、前記絶縁膜の上面から連続する側面と、前記側面に連続する底面とを有する、前記絶縁膜の開口部内に設けられており、
前記受光面を含む平面を第1平面とし、前記上面を含み前記第1平面に平行な平面を第2平面として、前記底面は、前記第1平面と前記第2平面との間の、前記第1平面に平行な第3平面内に位置しており、
前記第2平面および前記第3平面から等距離に位置する、前記第1平面に平行な平面を第4平面とし、前記第2平面および前記第4平面から等距離に位置する、前記第1平面に平行な平面を第5平面とし、前記第3平面および前記第4平面から等距離に位置する、前記第1平面に平行な平面を第6平面として、前記或る平面は、前記第4平面と前記第5平面との間に位置し、前記別の平面は、前記第4平面と前記第6平面との間または前記第6平面と前記第3平面との間に位置することを特徴とする請求項6に記載の光電変換素子。 - 前記光路部材に入射する光の波長をλ、前記絶縁膜の屈折率をn0、前記第2部分の屈折率をn1として、前記第2部分の厚みの最大値がλ/2√(n1 2−n0 2)よりも大きく、前記第2部分の厚みの最小値がλ/4√(n1 2−n0 2)よりも小さいことを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の光電変換素子。
- 前記絶縁膜は、各々が前記第2部分の屈折率以上の屈折率を有し前記光路部材を囲む第1の高屈折率絶縁層および第2の高屈折率絶縁層と、各々が前記第2部分の屈折率未満の屈折率を有し前記光路部材を囲む第1の低屈折率絶縁層および第2の低屈折率絶縁層と、を含む多層膜であって、
前記第1の高屈折率絶縁層および前記第2の高屈折率絶縁層の厚みが前記第1の低屈折率絶縁層および前記第2の低屈折率絶縁層の厚みよりも小さく、前記第1の低屈折率絶縁層は前記第1の高屈折率絶縁層と前記第2の高屈折率絶縁層との間に位置しており、
前記或る平面内には、前記第1の低屈折率絶縁層が位置し、前記別の平面内には、前記第2の低屈折率絶縁層が位置し、前記別の平面内における前記第2部分の厚みが、前記或る平面内における前記第2部分の厚みの1/2以下であることを特徴とする請求項1または2に記載の光電変換素子。 - 前記絶縁膜は、各々が窒化シリコンを材料とする第3の絶縁層および第4の絶縁層を含み、
前記第3の絶縁層および前記第4の絶縁層の厚みが前記第1の絶縁層および前記第2の絶縁層よりも小さく、前記第1の絶縁層は前記第3の絶縁層と前記第4の絶縁層との間に位置しており、
前記別の平面内における前記第2部分の厚みが、前記或る平面内における前記第2部分の厚みの1/2以下であることを特徴とする請求項3又は4に記載の光電変換素子。 - 前記光路部材は、前記第1部分と前記光電変換部との間に、前記第1部分と化学量論的組成が同じであり、かつ、前記第2部分の屈折率よりも低い屈折率を有する第3部分を含むことを特徴とする請求項1乃至10のいずれか1項に記載の光電変換素子。
- 前記光路部材が前記絶縁膜と接していることを特徴とする請求項1乃至11のいずれか1項に記載の光電変換素子。
- 前記第2部分が前記絶縁膜と接していることを特徴とする請求項1乃至12のいずれか1項に記載の光電変換素子。
- 前記第2部分と前記絶縁膜との間に、前記第2部分の屈折率より低い屈折率を有する低屈折率層が設けられていることを特徴とする請求項1乃至12のいずれか1項に記載の光電変換素子。
- 前記第2部分と前記絶縁膜との間に、前記第2部分とは化学量論的組成が異なる、前記第2部分の屈折率より高い屈折率を有する高屈折率層が設けられていることを特徴とする請求項1乃至12のいずれか1項に記載の光電変換素子。
- 前記別の平面内における前記光路部材の幅が、前記或る平面内における前記光路部材の幅よりも小さく、前記第2部分は、前記或る平面および前記別の平面の間で、前記絶縁膜に沿って連続的に延在しており、かつ、前記第2部分の厚みは、前記受光面に近づくに従って連続的に薄くなることを特徴とする請求項1乃至15のいずれか1項に記載の光電変換素子。
- 前記光路部材の上から前記絶縁膜の上に延在し、前記第1部分と化学量論的組成が同じである透明膜が設けられていることを特徴とする請求項1乃至16のいずれか1項に記載の光電変換素子。
- 前記透明膜は、前記第2部分に連続した第1領域と、前記第1部分に連続した第2領域とを有し、
前記第1領域は、前記受光面に平行な平面内において前記第2領域を囲み、
前記第2領域の屈折率が、前記第1領域の屈折率よりも高いことを特徴とする請求項17に記載の光電変換素子。 - 前記光路部材に入射する光の波長をλ、前記透明膜の屈折率をn3として、前記透明膜の厚みがλ/4n3以上2λ/n3以下であることを特徴とする請求項17または18に記載の光電変換素子。
- 前記絶縁膜の内部には、プラグ層を介して互いに接続された複数の配線層が設けられており、前記光路部材に対して前記光電変換部とは反対側には、第1レンズ体層と、前記第1レンズ体層と前記光路部材との間に位置する第2レンズ体層とが設けられていることを特徴とする請求項1乃至19のいずれか1項に記載の光電変換素子。
- 前記第1部分および前記第2部分の材料が窒化シリコンであること、または前記第1部分および前記第2部分の材料が樹脂であることを特徴とする請求項1、2又は9に記載の光電変換素子。
- 請求項1乃至21のいずれか1項に記載の光電変換素子を含む画素の複数が配列されており、互いに隣り合う前記光電変換素子のそれぞれの前記受光面に垂直で、前記或る平面内および前記別の平面内において前記第1部分を通る軸の間隔が5.0μm以下であることを特徴とする画素増幅型の光電変換装置。
- 請求項1乃至21のいずれか1項に記載の光電変換素子の複数が配列された光電変換装置と、前記光電変換装置から出力された信号が入力され、前記信号を処理する信号処理装置と、を有することを特徴とする撮像システム。
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012000680A JP5888985B2 (ja) | 2011-02-09 | 2012-01-05 | 光電変換素子、およびこれを用いた光電変換装置、撮像システム |
EP20120152231 EP2487717B1 (en) | 2011-02-09 | 2012-01-24 | Photoelectric conversion element, photoelectric conversion apparatus and image sensing system |
US13/363,930 US8773558B2 (en) | 2011-02-09 | 2012-02-01 | Photoelectric conversion element, and photoelectric conversion apparatus and image sensing system |
BR102012002806A BR102012002806B1 (pt) | 2011-02-09 | 2012-02-07 | elemento de conversão fotoelétrica, aparelho de conversão fotoelétrica, e, sistema sensor de imagem |
KR20120012763A KR101407909B1 (ko) | 2011-02-09 | 2012-02-08 | 광전 변환 소자, 광전 변환 장치 및 촬상 시스템 |
RU2012104520/28A RU2497234C2 (ru) | 2011-02-09 | 2012-02-08 | Фотоэлектрический преобразующий элемент, фотоэлектрическое преобразующее устройство и система для считывания изображений |
CN201210028220.6A CN102637710B (zh) | 2011-02-09 | 2012-02-09 | 光电转换元件、光电转换装置和图像感测系统 |
US14/274,529 US9140603B2 (en) | 2011-02-09 | 2014-05-09 | Photoelectric conversion element, and photoelectric conversion apparatus and image sensing system |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011026344 | 2011-02-09 | ||
JP2011026344 | 2011-02-09 | ||
JP2012000680A JP5888985B2 (ja) | 2011-02-09 | 2012-01-05 | 光電変換素子、およびこれを用いた光電変換装置、撮像システム |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012182435A true JP2012182435A (ja) | 2012-09-20 |
JP2012182435A5 JP2012182435A5 (ja) | 2015-02-26 |
JP5888985B2 JP5888985B2 (ja) | 2016-03-22 |
Family
ID=47013343
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012000680A Active JP5888985B2 (ja) | 2011-02-09 | 2012-01-05 | 光電変換素子、およびこれを用いた光電変換装置、撮像システム |
JP2012000681A Active JP5274678B2 (ja) | 2011-02-09 | 2012-01-05 | 光電変換素子、およびこれを用いた光電変換装置、撮像システム |
JP2013104178A Active JP5968261B2 (ja) | 2011-02-09 | 2013-05-16 | 光電変換素子、およびこれを用いた光電変換装置、撮像システム |
Family Applications After (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012000681A Active JP5274678B2 (ja) | 2011-02-09 | 2012-01-05 | 光電変換素子、およびこれを用いた光電変換装置、撮像システム |
JP2013104178A Active JP5968261B2 (ja) | 2011-02-09 | 2013-05-16 | 光電変換素子、およびこれを用いた光電変換装置、撮像システム |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (3) | JP5888985B2 (ja) |
BR (1) | BR102012002806B1 (ja) |
RU (1) | RU2497234C2 (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015228468A (ja) * | 2014-06-02 | 2015-12-17 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置および撮像システム |
JP2016004882A (ja) * | 2014-06-16 | 2016-01-12 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置およびその製造方法、撮像システム |
JP2016133510A (ja) * | 2015-01-16 | 2016-07-25 | パーソナル ジェノミクス タイワン インコーポレイテッドPersonal Genomics Taiwan,Inc. | 導光機能を有する光学センサー及びその製造方法 |
JP2018041810A (ja) * | 2016-09-06 | 2018-03-15 | キヤノン株式会社 | 撮像素子及び撮像装置 |
CN107833902A (zh) * | 2013-07-05 | 2018-03-23 | 索尼公司 | 固态成像装置、其制造方法和电子设备 |
US10008528B2 (en) | 2015-09-30 | 2018-06-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state image sensor, method of manufacturing the same, and camera |
JP2019054400A (ja) * | 2017-09-14 | 2019-04-04 | 日本電信電話株式会社 | レンズ及び複眼レンズ |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102356695B1 (ko) * | 2014-08-18 | 2022-01-26 | 삼성전자주식회사 | 광 유도 부재를 가지는 이미지 센서 |
JP6711692B2 (ja) * | 2016-05-24 | 2020-06-17 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置及び画像読み取り装置 |
JP6929057B2 (ja) | 2016-12-27 | 2021-09-01 | キヤノン株式会社 | 光電変換素子、撮像システム |
RU2688863C1 (ru) * | 2018-07-11 | 2019-05-22 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ) | Способ изготовления полупроводникового прибора |
RU2694160C1 (ru) * | 2018-11-29 | 2019-07-09 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет" | Способ изготовления полупроводникового прибора |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007305690A (ja) * | 2006-05-09 | 2007-11-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置用素子及びその製造方法 |
JP2008192951A (ja) * | 2007-02-07 | 2008-08-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置およびその製造方法 |
JP2010135465A (ja) * | 2008-12-03 | 2010-06-17 | Sony Corp | 固体撮像装置、および、その製造方法、カメラ |
JP2010278276A (ja) * | 2009-05-29 | 2010-12-09 | Sony Corp | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法および電子機器 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2833941B2 (ja) * | 1992-10-09 | 1998-12-09 | 三菱電機株式会社 | 固体撮像装置とその製造方法 |
JP3620237B2 (ja) * | 1997-09-29 | 2005-02-16 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子 |
JP3672085B2 (ja) * | 2000-10-11 | 2005-07-13 | シャープ株式会社 | 固体撮像素子およびその製造方法 |
JP2004133446A (ja) * | 2002-09-20 | 2004-04-30 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光モジュール及び製造方法 |
JP4427949B2 (ja) * | 2002-12-13 | 2010-03-10 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子及びその製造方法 |
JP2004221487A (ja) * | 2003-01-17 | 2004-08-05 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
KR100689885B1 (ko) * | 2004-05-17 | 2007-03-09 | 삼성전자주식회사 | 광감도 및 주변광량비 개선을 위한 cmos 이미지 센서및 그 제조방법 |
JP2006191000A (ja) * | 2004-12-08 | 2006-07-20 | Canon Inc | 光電変換装置 |
WO2007037294A1 (en) * | 2005-09-27 | 2007-04-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion device and fabrication method therefor |
JP2008103633A (ja) * | 2006-10-20 | 2008-05-01 | Fujifilm Corp | 固体撮像素子 |
JP2008166677A (ja) * | 2006-12-08 | 2008-07-17 | Sony Corp | 固体撮像装置とその製造方法並びにカメラ |
JP5065691B2 (ja) * | 2007-01-16 | 2012-11-07 | 富士フイルム株式会社 | 固体撮像装置 |
JP4705067B2 (ja) * | 2007-04-10 | 2011-06-22 | 日本電信電話株式会社 | 三次元交差導波路 |
JP5055033B2 (ja) * | 2007-06-14 | 2012-10-24 | 富士フイルム株式会社 | 固体撮像素子 |
JP2010123745A (ja) * | 2008-11-19 | 2010-06-03 | Sony Corp | 固体撮像装置、カメラ |
JP2010182765A (ja) * | 2009-02-04 | 2010-08-19 | Sony Corp | 固体撮像装置および電子機器 |
JP2010287636A (ja) * | 2009-06-09 | 2010-12-24 | Panasonic Corp | 固体撮像素子及びその製造方法 |
JP2011023409A (ja) * | 2009-07-13 | 2011-02-03 | Panasonic Corp | 固体撮像装置 |
JP2011023481A (ja) * | 2009-07-14 | 2011-02-03 | Panasonic Corp | 固体撮像装置及びその製造方法 |
-
2012
- 2012-01-05 JP JP2012000680A patent/JP5888985B2/ja active Active
- 2012-01-05 JP JP2012000681A patent/JP5274678B2/ja active Active
- 2012-02-07 BR BR102012002806A patent/BR102012002806B1/pt active IP Right Grant
- 2012-02-08 RU RU2012104520/28A patent/RU2497234C2/ru active
-
2013
- 2013-05-16 JP JP2013104178A patent/JP5968261B2/ja active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007305690A (ja) * | 2006-05-09 | 2007-11-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置用素子及びその製造方法 |
JP2008192951A (ja) * | 2007-02-07 | 2008-08-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置およびその製造方法 |
JP2010135465A (ja) * | 2008-12-03 | 2010-06-17 | Sony Corp | 固体撮像装置、および、その製造方法、カメラ |
JP2010278276A (ja) * | 2009-05-29 | 2010-12-09 | Sony Corp | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法および電子機器 |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107833902A (zh) * | 2013-07-05 | 2018-03-23 | 索尼公司 | 固态成像装置、其制造方法和电子设备 |
US11532762B2 (en) | 2013-07-05 | 2022-12-20 | Sony Corporation | Solid state imaging apparatus, production method thereof and electronic device |
JP2015228468A (ja) * | 2014-06-02 | 2015-12-17 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置および撮像システム |
JP2016004882A (ja) * | 2014-06-16 | 2016-01-12 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置およびその製造方法、撮像システム |
JP2016133510A (ja) * | 2015-01-16 | 2016-07-25 | パーソナル ジェノミクス タイワン インコーポレイテッドPersonal Genomics Taiwan,Inc. | 導光機能を有する光学センサー及びその製造方法 |
US10008528B2 (en) | 2015-09-30 | 2018-06-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state image sensor, method of manufacturing the same, and camera |
JP2018041810A (ja) * | 2016-09-06 | 2018-03-15 | キヤノン株式会社 | 撮像素子及び撮像装置 |
JP2019054400A (ja) * | 2017-09-14 | 2019-04-04 | 日本電信電話株式会社 | レンズ及び複眼レンズ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2013165297A (ja) | 2013-08-22 |
RU2012104520A (ru) | 2013-08-20 |
BR102012002806B1 (pt) | 2020-01-28 |
BR102012002806A2 (pt) | 2013-10-22 |
JP5274678B2 (ja) | 2013-08-28 |
JP2012182436A (ja) | 2012-09-20 |
JP5968261B2 (ja) | 2016-08-10 |
JP5888985B2 (ja) | 2016-03-22 |
RU2497234C2 (ru) | 2013-10-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5888985B2 (ja) | 光電変換素子、およびこれを用いた光電変換装置、撮像システム | |
JP5372102B2 (ja) | 光電変換装置および撮像システム | |
KR101407909B1 (ko) | 광전 변환 소자, 광전 변환 장치 및 촬상 시스템 | |
US10403664B2 (en) | Photoelectric conversion apparatus and imaging system | |
US8610228B2 (en) | Solid-state image sensor | |
WO2015119186A1 (ja) | 固体撮像装置および撮像装置 | |
JP2008091771A (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
JP2009252983A (ja) | 撮像センサー、及び撮像センサーの製造方法 | |
US20170221956A1 (en) | Solid-state imaging device and imaging apparatus | |
JP5404732B2 (ja) | 光電変換素子およびこれを用いた光電変換装置、撮像システム | |
US20110284979A1 (en) | Solid-state imaging device and method of manufacturing same | |
JP2007273586A (ja) | 固体撮像素子 | |
JP2003249633A (ja) | 固体撮像素子およびその製造方法 | |
JP6039530B2 (ja) | 光電変換装置およびこれを用いた撮像システム | |
JP2006261248A (ja) | 撮像素子 | |
JP5821400B2 (ja) | 分光センサー及び角度制限フィルター |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150105 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150105 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150917 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20151006 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20151119 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160119 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160216 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5888985 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |