JP2004133446A - 光モジュール及び製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】光ファイバとの接続損失を低減する。
【解決手段】光モジュールは、平板状のアンダークラッド14と、このアンダークラッド上に配置された断面が四角形のシリコンからなる第1のコア16と、この第1のコアの終端部17を覆うように配置された第2のコア18と、第1コアの終端部と第2のコアとを覆うように配置されたオーバークラッド15とを備え、アンダークラッドと第1のコアとは、第1の光導波路10を構成し、アンダークラッドと第1のコアの終端部と第2のコアとオーバークラッドとは、モードフィールドサイズ変換部11を構成し、アンダークラッドと第2のコアとオーバークラッドとは、第2の光導波路12を構成している。
【選択図】 図1
【解決手段】光モジュールは、平板状のアンダークラッド14と、このアンダークラッド上に配置された断面が四角形のシリコンからなる第1のコア16と、この第1のコアの終端部17を覆うように配置された第2のコア18と、第1コアの終端部と第2のコアとを覆うように配置されたオーバークラッド15とを備え、アンダークラッドと第1のコアとは、第1の光導波路10を構成し、アンダークラッドと第1のコアの終端部と第2のコアとオーバークラッドとは、モードフィールドサイズ変換部11を構成し、アンダークラッドと第2のコアとオーバークラッドとは、第2の光導波路12を構成している。
【選択図】 図1
Description
本発明は、オプトエレクトロニクス分野、光通信分野において使用される光導波路型フィルターなどの平面光波回路において、SOI基板上に構築されるシリコン細線光導波路に係り、特にシリコン細線光導波路よりモードフィールド径が大きい光導波路とシリコン細線光導波路とを光学的に接続するモードフィールドサイズ変換部を備えた光モジュールとその製造方法に関するものである。
近年、光回路の小型化を目指して、SOI(Silicon On Insulator)基板を利用したシリコン細線光導波路やフォトニック結晶導波路の種々の研究開発が行われている。これらの光導波路と光ファイバ、発光素子、受光素子等との接続で問題となるのが、それぞれのモードフィールドサイズ(径)である。これらの光導波路ではモードフィールドサイズがサブミクロンのオーダーとなるが、光ファイバ等のモードフィールドサイズは、数ミクロンのオーダーとなる。したがって、光導波路とモードフィールドサイズの大きい通常の光ファイバ等とを効率的に直接接続することは困難であり、低損失で接続を行うためには、モードフィールドサイズの変換が必要である。
このため、各種のモードフィールドサイズ変換構造が試みられてきた。その一例として、シリコン細線からなる第1の光導波路を形成したSOI基板上に、この光導波路と接続される石英系もしくはポリマーからなる第2の光導波路を設け、この第2の光導波路と先端をテーパ状に加工した第1の光導波路とをオーバーラップさせることで、効率の高いモードフィールドサイズ変換を実現することができる(例えば、非特許文献1参照)。
図12(a)はモードフィールドサイズ(スポットサイズ)変換部を備えた従来の光導波路の平面図、図12(b)は図12(a)の光導波路の断面図である。同図において、10はシリコン細線からなる第1光導波路、11はモードフィールドサイズ変換部、12は第1の光導波路と接続される第2の光導波路、13はシリコン基板、14はシリコン基板13上に形成された酸化シリコンよりなるアンダークラッド、16はアンダークラッド14上に形成されたシリコンよりなる細線状コア、17はこのコア16から延在しているシリコンよりなるテーパ部、18はテーパ部17上に配置されたポリマーよりなるコアである。これらのコア16、テーパ部17、コア18はシリコン基板13とアンダークラッド14を共通基板として配置され、これにより第1の光導波路10と第2の光導波路12がモードフィールドサイズ変換部11を介して接続されていることになる。
光通信にもっとも良く使用されている1.55μm帯の光を通す場合、第1の光導波路10を構成するコア16の断面の高さと幅は共に0.3μmである。また、この第1の光導波路10と接続される光導波路12のコア18は、アンダークラッド14よりも数%程度大きな屈折率を持ち、断面の高さと幅は共に数μm程度である。16はテーパ構造17をもつシリコンからなるコアであり、長さは200μm、テーパ先端幅は0.06μmである。コア16及びおよびテーパ部17は、電子線リソグラフィとエッチングで形成され、ポリマーからなるコア18は光リソグラフィで形成される。
なお、出願人は、本明細書に記載した先行技術文献情報で特定される先行技術文献以外には、本発明に関連する先行技術文献を出願時までに発見するには至らなかった。
荘司他,「SOI基板上に形成したSi細線光導波路の外部結合構造」,春季講演会予稿集,社団法人応用物理学会,2001年,No.3,30a−YK−11
荘司他,「SOI基板上に形成したSi細線光導波路の外部結合構造」,春季講演会予稿集,社団法人応用物理学会,2001年,No.3,30a−YK−11
図12に示した光導波路において、光ファイバと低損失で接続するためには、細線状の第1の光導波路と接続される第2の光導波路のモードフィールド径は光ファイバのモードフィールド径(9μm)に近いことが求められる。しかしながら、図12の光導波路では、屈折率1の空気がオーバークラッドの役割をしているため、接続される第2の光導波路12のコア18との屈折率差が大きく、シングルモード条件を満たす第2の光導波路12のコアサイズは3μm角より大きくできず、光ファイバとの接続損失を低減できないという問題があった。さらに、シリコン細線からなる第1の光導波路10のコア16の周りも特にオーバークラッド層がないため、光導波路10のコア16が傷つけられやすく、伝搬損失が増加するという問題もあった。
また、図12に示した光導波路において、モードフィールドサイズ変換効率を高めるためには、テーパ先端部の幅が0.1μm以下、理想的には0.06μm程度かさらに小さいことが求められる。このような微細な加工は、電子線ビーム描画等の極めて高度なリソグラフィ技術やエッチング技術を要するなどし、経済的に加工することが困難であった。
また、図12に示した光導波路において、モードフィールドサイズ変換効率を高めるためには、テーパ先端部の幅が0.1μm以下、理想的には0.06μm程度かさらに小さいことが求められる。このような微細な加工は、電子線ビーム描画等の極めて高度なリソグラフィ技術やエッチング技術を要するなどし、経済的に加工することが困難であった。
本発明は、上記状況に鑑みてなされたものであり、その主目的は、光ファイバとの接続損失を従来よりも低減できる光モジュール及び製造方法を提供することにある。
また、本発明の他の目的は、コアが傷つくことによる伝搬損失の増加を防止することができる光モジュール及び製造方法を提供することにある。
また、本発明の他の目的は、モードフィールドサイズ変換部の微細なテーパ部を精度良く経済的に加工することができる光モジュール及び製造方法を提供することにある。
また、本発明の他の目的は、コアが傷つくことによる伝搬損失の増加を防止することができる光モジュール及び製造方法を提供することにある。
また、本発明の他の目的は、モードフィールドサイズ変換部の微細なテーパ部を精度良く経済的に加工することができる光モジュール及び製造方法を提供することにある。
本発明の光モジュールは、全体として平板状のアンダークラッドと、このアンダークラッド上に配置された断面が四角形のシリコンからなる第1のコアと、この第1のコアの終端部を覆うように配置された第2のコアと、前記第1コアの終端部と前記第2のコアとを覆うように配置されたオーバークラッドとを備え、前記アンダークラッドと前記第1のコアとは、第1の光導波路を構成し、前記アンダークラッドと前記第1のコアの終端部と前記第2のコアと前記オーバークラッドとは、モードフィールドサイズ変換部を構成し、前記アンダークラッドと前記第2のコアと前記オーバークラッドとは、第2の光導波路を構成し、前記第1のコアと前記第2のコアの断面形状が異なっていることを特徴とするものである。アンダークラッドは、第1のコア及び第2のコアよりも屈折率が小さい材料、例えばシリコン酸化膜からなる。第2のコアは、アンダークラッドよりも屈折率が大きい材料、例えばポリマーからなる。第1のコアは、第2のコアよりも屈折率が大きいシリコンからなる。
また、本発明の光モジュールの1構成例において、前記第1コアの終端部は、先端に向かうに従って漸次断面積が小さくなるテーパ部によって構成されるものである。
また、本発明の光モジュールの1構成例において、前記オーバークラッドは、前記第2のコアの上とその周囲に加えて前記第1コアの上とその周囲にも配置されるものである。
また、本発明の光モジュールの1構成例において、前記第2のコアは、前記アンダークラッドより屈折率が高く、かつ前記第1のコアのシリコンより屈折率が低い材料によって形成されるものである。
また、本発明の光モジュールの1構成例は、前記第1のコアと前記終端部との少なくとも側面を、シリコン酸化膜で覆うようにしたものである。
また、本発明の光モジュールの1構成例において、前記終端部上の第2のコアは、前記シリコン酸化膜上に配置されるものである。
また、本発明の光モジュールの1構成例において、前記アンダークラッドは、シリコン酸化膜からなるものである。
また、本発明の光モジュールの1構成例において、前記第1コアの終端部は、先端に向かうに従って漸次断面積が小さくなるテーパ部によって構成されるものである。
また、本発明の光モジュールの1構成例において、前記オーバークラッドは、前記第2のコアの上とその周囲に加えて前記第1コアの上とその周囲にも配置されるものである。
また、本発明の光モジュールの1構成例において、前記第2のコアは、前記アンダークラッドより屈折率が高く、かつ前記第1のコアのシリコンより屈折率が低い材料によって形成されるものである。
また、本発明の光モジュールの1構成例は、前記第1のコアと前記終端部との少なくとも側面を、シリコン酸化膜で覆うようにしたものである。
また、本発明の光モジュールの1構成例において、前記終端部上の第2のコアは、前記シリコン酸化膜上に配置されるものである。
また、本発明の光モジュールの1構成例において、前記アンダークラッドは、シリコン酸化膜からなるものである。
また、本発明の光モジュールの製造方法は、アンダークラッドの上に細線状で断面が四角形のシリコンからなる第1のコアを選択的に形成する工程と、前記第1コアの終端部を覆うように第2のコアを前記アンダークラッド上に選択的に形成する工程と、前記第1コアの終端部と前記第2のコアとを覆うようにオーバークラッドを形成する工程とを備え、前記アンダークラッドと前記第1のコアとは、第1の光導波路を構成し、前記アンダークラッドと前記第1のコアの終端部と前記第2のコアと前記オーバークラッドとは、モードフィールドサイズ変換部を構成し、前記アンダークラッドと前記第2のコアと前記オーバークラッドとは、第2の光導波路を構成し、前記第1のコアと前記第2のコアの断面形状が異なっていることを特徴とするものである。
また、本発明の光モジュールの製造方法の1構成例は、前記第1コアを形成する工程と前記第2のコアを形成する工程との間に、前記第1のコアと前記終端部との少なくとも側面を酸化する工程を備えるものである。
また、本発明の光モジュールの製造方法の1構成例において、前記第1のコアの終端部は、前記第1のコアの先端に向かうに従って漸次断面積が小さくなるシリコンからなるテーパ部によって構成されるものである。
また、本発明の光モジュールの製造方法の1構成例において、前記第1のコアと前記終端部との少なくとも側面を酸化する工程は、熱酸化処理である。
また、本発明の光モジュールの製造方法の1構成例において、前記第1のコアと前記終端部との少なくとも側面を酸化する工程は、前記終端部先端の酸化前の幅寸法の半分以上を酸化する工程である。
また、本発明の光モジュールの製造方法の1構成例は、前記第1コアを形成する工程と前記第2のコアを形成する工程との間に、前記第1のコアと前記終端部との少なくとも側面を酸化する工程を備えるものである。
また、本発明の光モジュールの製造方法の1構成例において、前記第1のコアの終端部は、前記第1のコアの先端に向かうに従って漸次断面積が小さくなるシリコンからなるテーパ部によって構成されるものである。
また、本発明の光モジュールの製造方法の1構成例において、前記第1のコアと前記終端部との少なくとも側面を酸化する工程は、熱酸化処理である。
また、本発明の光モジュールの製造方法の1構成例において、前記第1のコアと前記終端部との少なくとも側面を酸化する工程は、前記終端部先端の酸化前の幅寸法の半分以上を酸化する工程である。
本発明によれば、第2のコアの上とその周囲にアンダークラッドと同程度の屈折率のポリマーからなるオーバークラッドを形成することで、モードフィールドサイズ変換部および第2の光導波路の光の閉じこめをオーバークラッドの屈折率で調整することができるため、第2の光導波路の第2のコアのサイズを大きくすることができる。その結果、光ファイバとの接続損失を低減することができる。
また、第2のコアの上とその周囲に加えて第1コアの上とその周囲にもオーバークラッドを配置することにより、第1のコアを傷つけることがなくなる。その結果、第1のコアが傷つくことによる伝搬損失の増加を防止することができ、光モジュールの光導波路を長期間安定に使用することができる。
また、第1の光導波路の第1のコアと終端部との少なくとも側面を酸化するようにしたので、終端部の先端幅寸法が0.06μm程度以下のシリコンコアを、0.1μm以下の解像度を持たないリソグラフィプロセスを用いて、精度良く経済的に加工することができる。
また、第1のコアと終端部との少なくとも側面を酸化する工程を、終端部先端の酸化前の幅寸法の半分以上を酸化する工程とすることにより、原理的に最も変換効率が高くなる先端幅寸法0μmの終端部を実現することができる。
また、第1のコアと終端部との側面だけを酸化することにより、酸化により減少するシリコンの厚さと酸化前の終端部の先端幅寸法のみを考慮して酸化を行えばよいので、形状制御を容易にすることができる。
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。なお図中の各構成要素の大きさ、形状及び配置関係は本発明が理解できる程度に概略的に示してあるに過ぎず、また、以下に説明する数値的条件は一つの例に過ぎない。
[第1の実施の形態]
図1(a)は本発明の第1の実施の形態となるモードフィールドサイズ変換部を備えた光モジュールの平面図、図1(b)は図1(a)の光モジュールのA−A線断面図である。同図において、10は第1の光導波路、11はモードフィールドサイズ変換部、12は第1の光導波路10と接続される第2の光導波路、13はシリコン基板、14はシリコン基板上に形成されたシリコン酸化膜よりなるアンダークラッド、15は例えばポリマーのような材料よりなるオーバークラッドであり、本発明によって特徴づけられる部分である。16はアンダークラッド14上に形成されたシリコンよりなる細線状の第1のコア、17は第1のコア16の終端部であるシリコンよりなるテーパ部、18は第1のコア16のテーパ部17上に少なくとも一部が配置されたポリマーよりなる第2のコアである。第2のコア18の主部はオーバークラッド15,アンダークラッド14とともに第2の光導波路を構成している。テーパ部17は、第1のコア16の先端方向に向かうに従って漸次断面積がちいさくなるように形成されている。
図1(a)は本発明の第1の実施の形態となるモードフィールドサイズ変換部を備えた光モジュールの平面図、図1(b)は図1(a)の光モジュールのA−A線断面図である。同図において、10は第1の光導波路、11はモードフィールドサイズ変換部、12は第1の光導波路10と接続される第2の光導波路、13はシリコン基板、14はシリコン基板上に形成されたシリコン酸化膜よりなるアンダークラッド、15は例えばポリマーのような材料よりなるオーバークラッドであり、本発明によって特徴づけられる部分である。16はアンダークラッド14上に形成されたシリコンよりなる細線状の第1のコア、17は第1のコア16の終端部であるシリコンよりなるテーパ部、18は第1のコア16のテーパ部17上に少なくとも一部が配置されたポリマーよりなる第2のコアである。第2のコア18の主部はオーバークラッド15,アンダークラッド14とともに第2の光導波路を構成している。テーパ部17は、第1のコア16の先端方向に向かうに従って漸次断面積がちいさくなるように形成されている。
第1の光導波路10と第2の光導波路12は、シリコン基板13とアンダークラッド14を共通基板として形成され、モードフィールドサイズ変換部11を介して光学的に接続されている。
また、フィールドサイズ変換部11はアンダークラッド14、テーパ部17、テーパ部17上に配置された第2コア18およびこの第2のコアの上およびその周囲に配置されるオーバークラッド15によって構成されている。また、第1の光導波路10はアンダークラッド14とこの上に配置されるコア16とオーバークラッド15とによって構成される。第1の光導波路10では、オーバークラッド15は必ず必要というわけではない。その理由は、シリコンをコアとする第1の光導波路10は光の閉じ込めが強く、オーバークラッドがない場合でも下の基板に光が漏れることはないからである。
また、フィールドサイズ変換部11はアンダークラッド14、テーパ部17、テーパ部17上に配置された第2コア18およびこの第2のコアの上およびその周囲に配置されるオーバークラッド15によって構成されている。また、第1の光導波路10はアンダークラッド14とこの上に配置されるコア16とオーバークラッド15とによって構成される。第1の光導波路10では、オーバークラッド15は必ず必要というわけではない。その理由は、シリコンをコアとする第1の光導波路10は光の閉じ込めが強く、オーバークラッドがない場合でも下の基板に光が漏れることはないからである。
光通信に最も良く使用されている1.55μm帯の光を通す場合、第1の光導波路10のコア16は、断面の厚さおよび幅が0.3μm程度である。第2光導波路12のコア18は、アンダークラッド14及びオーバークラッド15のいずれよりも数%程度大きな屈折率を持ち、断面の厚さと幅は共に数μm程度である。テーパ部17は、長さが300μm、テーパ先端部の幅が0.06μmである。第1の光導波路10、モードフィールドサイズ変換部11及び第2の光導波路12に共通のオーバークラッド15は、アンダークラッド14とほぼ同じあるいは大きめの屈折率を持つ。第1のコア16及びテーパ部17は、電子線リソグラフィとエッチングで形成され、第2のコア18は、光リソグラフィとエッチングで形成される。
次に、図1に示した光モジュールの製造方法を図2、図3を用いて説明する。まず、シリコン基板13と、シリコン基板13上に形成されたシリコン酸化膜からなる全体として平板状のアンダークラッド14と、アンダークラッド14上に形成されたシリコン層161とからなるSOI基板を用意し、シリコン層161の上に、エッチング加工用マスクとなるシリコン酸化膜162を化学気相成長法あるいはスパッタ法等を用いて形成する(図2(a))。この場合、アンダークラッド14の厚さは3.0μm、シリコン層161の厚さは0.2μ〜0.5μmである。
続いて、シリコン酸化膜162の上面に電子線用のレジストを塗布した後、このレジストを電子線リソグラフィにより加工して、シリコン酸化膜パターン形成用のレジストマスク163を形成する(図2(b))。このレジストマスク163は、シリコン酸化膜162を加工してエッチング加工用マスクを形成するためのものである。このマスクを用いてシリコン層161を加工して第1光導波路10の断面四角形のコア16及びこの終端部となるテーパ部17が形成される。形成後の第1の光導波路のコア16及びテーパ部17の平面形状は、レジストマスク163の形状と同一である。
次に、レジストマスク163を用いてシリコン酸化膜162をエッチングして、第1のコア16及びテーパ部17をエッチングするためのマスク164を形成する。この後、レジストマスク163をアッシングにより除去する(図2(c))。そして、マスク164を用いてシリコン層161をエッチングして、細線状の第1光導波路10の第1のコア16及びテーパ部17を形成し(図2(d))、ついでウエットエッチングによりマスク164を除去する(図2(e))。このとき、マスク164は厚みが薄ければ影響がないので除去せずに残しておいてもよい。
続いて、第1のコア16およびテーパ部17を形成したSOI基板上に、アンダークラッド14より屈折率が2%程度高いシリコン酸化膜あるいはポリマー系材料を化学気相成長法あるいはスピンコーティング法などにより3.5μm程度堆積する。そして、このシリコン酸化膜あるいはポリマー系材料をフォトリソグラフィとエッチングにより加工して、モードフィールドサイズ変換部11及び光導波路12のコア18を形成する(図3(a))。
最後に、第1コア16、テーパ部17及び第2のコア18を形成したSOI基板上に、アンダークラッド14と同じ屈折率を持つシリコン酸化膜あるいはポリマー系材料を6μm以上堆積して、オーバークラッド15を形成する(図3(b))。こうして、図1の光モジュールが完成する。この例では第2光導波路のコアにアンダークラッド、オーバークラッドより屈折率が2%程度高いポリマーを用いたが、この屈折率差がさらに小さいポリマーを用いれば第2光導波路のコアサイズをさらに大きくすることができる。
本実施の形態によれば、第1の光導波路の第1のコア、第2光導波路の第2のコア上にアンダークラッドと同程度の屈折率のポリマーからなるオーバークラッドを形成することで、コアを傷つけることがなくなり、また第2の光導波路の光の閉じこめをオーバークラッドの屈折率で調整することができるため第2の光導波路の第2のコアのサイズを大きくすることができる。したがって、この光モジュールの光導波路を長期に安定に使えることを可能にし、かつ光ファイバとの接続損失をさらに下げることを可能にする。
[第2の実施の形態]
図4(a)は本発明の第2の実施の形態となる光モジュールの平面図、図4(b)は図4(a)の光モジュールのA−A線断面図、図4(c)は図4(a)の光モジュールのB−B線断面図である。これらの図において、20はシリコンからなる細線状の第1の光導波路、21はモードフィールドサイズ変換部、22は第1の光導波路20に接続される第2の光導波路、23はシリコン基板、24はシリコン基板23の上に配置されたシリコン酸化膜からなるアンダークラッド、25はポリマーからなるオーバークラッド、26は第1の光導波路20を構成するシリコンからなる第1のコア、27は第1のコア26と同様にシリコンからなり、コア26の端部に、コア26の断面高さ(厚さ)を維持した状態で幅寸法が先端に向かって細くなるように形成されたテーパ部、28はポリマーからなる、モードフィールドサイズ変換部21及び第2の光導波路22の第2のコア、30はシリコン酸化膜である。
図4(a)は本発明の第2の実施の形態となる光モジュールの平面図、図4(b)は図4(a)の光モジュールのA−A線断面図、図4(c)は図4(a)の光モジュールのB−B線断面図である。これらの図において、20はシリコンからなる細線状の第1の光導波路、21はモードフィールドサイズ変換部、22は第1の光導波路20に接続される第2の光導波路、23はシリコン基板、24はシリコン基板23の上に配置されたシリコン酸化膜からなるアンダークラッド、25はポリマーからなるオーバークラッド、26は第1の光導波路20を構成するシリコンからなる第1のコア、27は第1のコア26と同様にシリコンからなり、コア26の端部に、コア26の断面高さ(厚さ)を維持した状態で幅寸法が先端に向かって細くなるように形成されたテーパ部、28はポリマーからなる、モードフィールドサイズ変換部21及び第2の光導波路22の第2のコア、30はシリコン酸化膜である。
テーパ部27は、その表面に形成されたシリコン酸化膜30とともに、第2のコア28の端面からコア28内に挿入された状態で、コア28により覆われている。第1の光導波路の第1のコア26の軸線に沿って配置されたテーパ部27と第2のコア28がシリコン酸化膜30を介して接する区間がモードフィールドサイズ変換部21となり、ここでは、シリコン酸化膜30を介してテーパ部27と第2のコア28とが光学的に結合する状態となっている。テーパ部27と第2のコア28との位置関係は、軸線同士が一致していることが望ましいが、第2のコア28の幅内にテーパ部27が収まる程度の状態であれば良く、厳密な整合性を必要とするものではない。この場合、テーパ部27の一部に第2のコア28が載置されていればよい。
次に、本実施の形態の光モジュールにおける光の伝搬状態を説明する。図4(a)、図4(b)に示した第1の光導波路20の第1のコア26の左端面から入射した光は、コア26を伝搬し、テーパ部27の左端位置に到達する。光がテーパ部27を図4(a)の右方向に伝搬するにつれて、コア幅が徐々に狭まり光の閉じこめが弱くなり、モードフィールドサイズが周囲に広がろうとする。ところが、このときアンダークラッド24より屈折率の高い第2のコア28が隣接して存在するため、光パワーの分布は第1の光導波路20の第1のコア26から第2の光導波路22の第2のコア28へ徐々に移っていく。
前記とは逆に図4(a)、図4(b)に示した第2コア28の右端部から光が入射した場合には、右から左へ光が進行するにつれてコア28、テーパ部27を介して、第1の光導波路20の第1のコア26へ光の分布が移動する。この移動はテーパにより断熱的に行われるのでその効率は非常に高い。このように、テーパ部27を介して第1の光導波路20の第1のコア26と第2の光導波路22の第2のコア28とを接続することで、効率の高いモードフィールドサイズ変換を実現することができる。
次に、本実施の形態の光モジュールの製造方法を図5、図6を用いて説明する。まず、シリコン基板23と、シリコン基板23上に形成されたシリコン酸化膜からなる全体として平板状のアンダークラッド24と、アンダークラッド24上に形成されたシリコン層31とからなるSOI基板を用意し、シリコン層31の上に、エッチング加工用マスクとなるシリコン酸化膜32を化学気相成長法あるいはスパッタ法等を用いて形成する(図5(a))。この場合、アンダークラッド24の厚さは3.0μm、シリコン層31の厚さは0.2μ〜0.5μmである。
続いて、シリコン酸化膜32の上面に電子線用のレジストを塗布した後、このレジストを電子線リソグラフィにより加工して、シリコン酸化膜パターン形成用のレジストマスク33を形成する(図5(b))。このレジストマスク33は、シリコン酸化膜32を加工してエッチング加工用マスクを形成するためのものである。このマスクを用いてシリコン層31を加工して第1光導波路20の断面四角形のコア26及びこの終端部となるテーパ部27が形成される。形成後の第1の光導波路コア26及びテーパ部27の平面形状は、レジストマスク33の形状と同一である。
ただし、断面が四角形の第1のコア26及びテーパ部27の形成後に、後述する酸化工程によってシリコンの幅を減少させるので、図7に示すように、酸化後の最終作製目標値に対して、酸化で減少する量だけ第1のコア26及びテーパ部27の幅(すなわち、レジストマスク33の幅)を大きく設定しておく必要がある。
例えば、コア26の幅の最終作製目標値を0.3μm、テーパ部27の先端部の幅の最終作製目標値を0.06μm、酸化により減少するシリコンの厚さを0.05μmとすると、酸化前の第1光導波路20のコア26の幅が0.4μm、酸化前のテーパ部27の先端部の幅が0.16μmとなるように、レジストマスク33を形成する。テーパ部27の先端部は、図7に示すように台形状に形成しておく。
なお、幅方向と同様に、第1のコア26及びテーパ部27の厚さも酸化によって減少するので、酸化で減少する量だけシリコン層31を予め厚くしておく必要がある。例えば、第1のコア26及びテーパ部27の厚さの最終作製目標値を0.3μmとすれば、シリコン層31の厚さを0.35μmにしておけばよい。
次に、レジストマスク33を用いてシリコン酸化膜32をエッチングして、第1のコア26及びテーパ部27をエッチングするためのマスク29を形成する。この後、レジストマスク33をアッシングにより除去する(図5(c))。そして、マスク29を用いてシリコン層31をエッチングして、細線状の第1光導波路20の第1のコア26及びテーパ部27を形成し(図5(d))、ついでウエットエッチングによりマスク29を除去する(図5(e))。
次に、第1の光導波路20の第1のコア26及びテーパ部27を形成したSOI基板全体を酸素雰囲気中900度で加熱して、第1のコア26及びテーパ部27を酸化させ、シリコン酸化膜30を形成する(図5(f))。このとき、シリコンは酸化されてシリコン酸化膜30に変化するので、第1光導波路のコア26及びテーパ部27の幅と厚さは酸化時間と共に減少する。図7に示したように、テーパ部27が第1のコア26から先端に向かって漸次細くなるように酸化前の形をテーパ状に形成しておけば、酸化後の形もテーパ状となる。
続いて、第1のコア26、テーパ部27及びシリコン酸化膜30を形成したSOI基板上に、アンダークラッド24より屈折率が1%程度高いポリマー系材料を化学気相成長法あるいはスピンコーティング法などにより7.0μm程度堆積する。そして、このポリマー系材料をフォトリソグラフィとエッチングにより加工して、モードフィールドサイズ変換部21及び光導波路22のコア28を形成する(図6(a))。
最後に、第1コア26、テーパ部27、シリコン酸化膜30及び第2のコア28を形成したSOI基板上に、アンダークラッド24と同じ屈折率を持つポリマー系材料を15.0μm以上堆積して、オーバークラッド25を形成する(図6(b))。こうして、図4の光モジュールが完成する。本実施の形態では第2光導波路のコアにアンダークラッド、オーバークラッドより屈折率が1%程度高いポリマーを用いたが、この屈折率差がさらに小さいポリマーを用いれば第2光導波路のコアサイズをさらに大きくすることができる。
本実施の形態によれば、第1の光導波路の第1のコア、第2光導波路の第2のコア上にアンダークラッドと同程度の屈折率のポリマーからなるオーバークラッドを形成することで、コアを傷つけることがなくなり、また第2の光導波路の光の閉じこめをオーバークラッドの屈折率で調整することができるため第2の光導波路の第2のコアのサイズを大きくすることができる。したがって、この光モジュールの光導波路を長期に安定に使えることを可能にし、かつ光ファイバとの接続損失をさらに下げることを可能にする。
また、本実施の形態によれば、シリコンからなるテーパ部27を酸化させて細くするので、酸化量とテーパ部27の先端部の初期幅の設定により、先端部の初期幅が0.1μm以上の場合でも、先端部の幅を最終的に0.06μm以下にすることができる。したがって、本実施の形態の方法によれば、リソグラフィの解像限界を超えて0.1μm以下の解像度のパターン形成をすることが可能である。さらに、シリコン酸化膜30がシリコンからなるテーパ部27の両側に固着して存在するため、コア27の先端部においてシリコンの幅がいかほど狭くなっても、コア27が倒れることを防止することができる。
また、本実施の形態によれば、シリコンからなるテーパ部27を酸化させて細くするので、酸化量とテーパ部27の先端部の初期幅の設定により、先端部の初期幅が0.1μm以上の場合でも、先端部の幅を最終的に0.06μm以下にすることができる。したがって、本実施の形態の方法によれば、リソグラフィの解像限界を超えて0.1μm以下の解像度のパターン形成をすることが可能である。さらに、シリコン酸化膜30がシリコンからなるテーパ部27の両側に固着して存在するため、コア27の先端部においてシリコンの幅がいかほど狭くなっても、コア27が倒れることを防止することができる。
なお、本実施の形態では、テーパ部27の先端部の幅を0.06μm程度にしているが、図8に示すように、酸化前のテーパ先端部の幅をL、酸化により減少させるシリコンの厚さをDとしたとき、D≧L/2、すなわち酸化により減少させるシリコンの厚さDを酸化前のテーパ先端部の幅Lの半分と等しいかそれよりも大きな量とすることにより、原理的に最も変換効率が高くなるテーパ先端部幅0μmのシリコンからなるテーパ部27を実現することが可能である。
本実施の形態では、シリコン酸化膜を形成するために熱酸化処理を使用したが他の酸化方法でもよい。
本実施の形態では、シリコン酸化膜を形成するために熱酸化処理を使用したが他の酸化方法でもよい。
[第3の実施の形態]
図9(a)は本発明の第3の実施の形態となる光モジュールの平面図、図9(b)は図9(a)の光モジュールのA−A線断面図、図9(c)は図9(a)の光モジュールのB−B線断面図であり、図4と同様の構成には同一の符号を付してある。本実施の形態において特徴づけられる部分は、テーパ部27の側面にのみ隣接してシリコン酸化膜30を形成したことにある。これによって、テーパ部27を精度よく形状加工することができる。
図9(a)は本発明の第3の実施の形態となる光モジュールの平面図、図9(b)は図9(a)の光モジュールのA−A線断面図、図9(c)は図9(a)の光モジュールのB−B線断面図であり、図4と同様の構成には同一の符号を付してある。本実施の形態において特徴づけられる部分は、テーパ部27の側面にのみ隣接してシリコン酸化膜30を形成したことにある。これによって、テーパ部27を精度よく形状加工することができる。
以下、本実施の形態の光モジュールの製造方法を図10、図11を用いて説明する。まず、図10(a)〜図10(d)までの工程は、第2の実施の形態の図5(a)〜図5(d)までの工程と全く同じである。次に、第2の実施の形態では、マスク29を使ってシリコン層31をエッチングすることにより第1の光導波路20の第1のコア26およびこのコア26に連なるテーパ部27を形成し、マスク29を除去した後酸化工程を行っているが、本実施の形態では、マスク29を残したまま、第2の実施の形態と同様の酸化工程を行う。これにより、第1のコア26及びテーパ部27は、断面形状が四角形であって、上面が酸化されずに側面のみが酸化され、第1のコア26及びテーパ部27の側面にのみシリコン酸化膜30が形成される(図10(e))。
図10(f)、図11(a)の工程は、それぞれ図6(a)、図6(b)の工程と同様である。以上のように、本実施の形態では、マスク29を残し、第1の光導波路の第1のコア26及びテーパ部27の側面のみを酸化することで、形状加工制御を容易にすることができる。
なお、第2、第3の実施の形態では、テーパ部27と第2のコア28とがシリコン酸化膜30を介して接しているが、通信に使用される光の波長(例えば1.55μm)に対してシリコン酸化膜30は十分に薄いため、第1のコア26と第2のコア28との間の光学的接続にシリコン酸化膜30が影響を与えることはない。
なお、第2、第3の実施の形態では、テーパ部27と第2のコア28とがシリコン酸化膜30を介して接しているが、通信に使用される光の波長(例えば1.55μm)に対してシリコン酸化膜30は十分に薄いため、第1のコア26と第2のコア28との間の光学的接続にシリコン酸化膜30が影響を与えることはない。
以上述べたように、第2、第3の実施の形態によれば、第1の光導波路の第1のコア26とこの第1のコアの端部に一体に連結したテーパ部27を酸化するようにしたので、テーパ部27の先端幅寸法が0.06μm程度以下のシリコンコアを、0.1μm以下の解像度を持たないリソグラフィプロセスを用いて、精度良く経済的に加工することができる。
なお、上述した各実施の形態において、アンダークラッドの1例としてシリコン酸化膜を例に挙げて説明したが、シリコン窒化膜や石英でも同様の効果が得られることは言うまでもない。
また、上述した各実施の形態において、基板としてシリコン基板を用いる例を挙げたが、シリコンに限らずガラス、石英あるいは他の材料を用いた基板であってもよく、多層基板の上に本発明の光モジュールを形成するようにしてもよい。
また、上述した各実施の形態では、モードフィールドサイズ変換部の入出力側に接続される第1および第2のコアは、モードフィールドサイズが異なるものとして説明したが、実際には各コアの断面積あるいは断面形状が異なることと等価である。
また、上述した各実施の形態において、基板としてシリコン基板を用いる例を挙げたが、シリコンに限らずガラス、石英あるいは他の材料を用いた基板であってもよく、多層基板の上に本発明の光モジュールを形成するようにしてもよい。
また、上述した各実施の形態では、モードフィールドサイズ変換部の入出力側に接続される第1および第2のコアは、モードフィールドサイズが異なるものとして説明したが、実際には各コアの断面積あるいは断面形状が異なることと等価である。
本発明は、オプトエレクトロニクス分野、光通信分野に適用することができる。
10、20…第1の光導波路、11、21…モードフィールドサイズ変換部、12、22…第2の光導波路、13、23…シリコン基板、14、24…アンダークラッド、15、25…オーバークラッド、16、26…第1のコア、17、27…テーパ部、18、28…第2のコア、29、164…マスク、30…シリコン酸化膜。
Claims (12)
- 全体として平板状のアンダークラッドと、
このアンダークラッド上に配置された断面が四角形のシリコンからなる第1のコアと、
この第1のコアの終端部を覆うように配置された第2のコアと、
前記第1コアの終端部と前記第2のコアとを覆うように配置されたオーバークラッドとを備え、
前記アンダークラッドと前記第1のコアとは、第1の光導波路を構成し、
前記アンダークラッドと前記第1のコアの終端部と前記第2のコアと前記オーバークラッドとは、モードフィールドサイズ変換部を構成し、
前記アンダークラッドと前記第2のコアと前記オーバークラッドとは、第2の光導波路を構成し、
前記第1のコアと前記第2のコアの断面形状が異なっていることを特徴とする光モジュール。 - 請求項1記載の光モジュールにおいて、
前記第1コアの終端部は、先端に向かうに従って漸次断面積が小さくなるテーパ部によって構成されていることを特徴とする光モジュール。 - 請求項1記載の光モジュールにおいて、
前記オーバークラッドは、前記第2のコアの上とその周囲に加えて前記第1コアの上とその周囲にも配置されていることを特徴とする光モジュール。 - 請求項1記載の光モジュールにおいて、
前記第2のコアは、前記アンダークラッドより屈折率が高く、かつ前記第1のコアのシリコンより屈折率が低い材料によって形成されることを特徴とする光モジュール。 - 請求項1記載の光モジュールにおいて、
前記第1のコアと前記終端部との少なくとも側面は、シリコン酸化膜で覆われていることを特徴とする光モジュール。 - 請求項5記載の光モジュールにおいて、
前記終端部上の第2のコアは、前記シリコン酸化膜上に配置されていることを特徴とする光モジュール。 - 請求項1記載の光モジュールにおいて、
前記アンダークラッドは、シリコン酸化膜からなることを特徴とする光モジュール。 - アンダークラッドの上に細線状で断面が四角形のシリコンからなる第1のコアを選択的に形成する工程と、
前記第1コアの終端部を覆うように第2のコアを前記アンダークラッド上に選択的に形成する工程と、
前記第1コアの終端部と前記第2のコアとを覆うようにオーバークラッドを形成する工程とを備え、
前記アンダークラッドと前記第1のコアとは、第1の光導波路を構成し、
前記アンダークラッドと前記第1のコアの終端部と前記第2のコアと前記オーバークラッドとは、モードフィールドサイズ変換部を構成し、
前記アンダークラッドと前記第2のコアと前記オーバークラッドとは、第2の光導波路を構成し、
前記第1のコアと前記第2のコアの断面形状が異なっていることを特徴とする光モジュールの製造方法。 - 請求項8記載の光モジュールの製造方法において、
前記第1コアを形成する工程と前記第2のコアを形成する工程との間に、前記第1のコアと前記終端部との少なくとも側面を酸化する工程を備えたことを特徴とする光モジュールの製造方法。 - 請求項8記載の光モジュールの製造方法において、
前記第1のコアの終端部は、前記第1のコアの先端に向かうに従って漸次断面積が小さくなるシリコンからなるテーパ部であることを特徴とする光モジュールの製造方法。 - 請求項9記載の光モジュールの製造方法において、
前記第1のコアと前記終端部との少なくとも側面を酸化する工程は、熱酸化処理であることを特徴とする光モジュールの製造方法。 - 請求項9記載の光モジュールの製造方法において、
前記第1のコアと前記終端部との少なくとも側面を酸化する工程は、前記終端部先端の酸化前の幅寸法の半分以上を酸化する工程であることを特徴とする光モジュールの製造方法。
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