JP2016188954A - スポットサイズ変換器 - Google Patents
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Abstract
【課題】偏波分離機能を有するスポットサイズ変換器を提供する。
【解決手段】MFD変換部31と第1偏波分離部33とを含む第1光導波路コア30と、第2偏波分離部41を含む第2光導波路コア40と、第1光導波路コア及び第2光導波路コアよりも屈折率が小さい外側光導波路コア60とを備える。外側光導波路コアはMFD変換部を被覆する。MFD変換部は、MFD変換部を伝播するTE偏波の等価屈折率と、外側光導波路コアを伝播するTE偏波の等価屈折率とが一致する幅、及びMFD変換部を伝播するTM偏波の等価屈折率と、外側光導波路コアを伝播するTM偏波の等価屈折率とが一致する幅を含む。第1偏波分離部と第2偏波分離部とが並んで配置された偏波分離領域80が設定され、第1偏波分離部及び第2偏波分離部は、第1偏波分離部を伝播する一方の偏波の等価屈折率と、第2偏波分離部を伝播する一方の偏波の等価屈折率とが一致する幅を含む。
【選択図】図1
【解決手段】MFD変換部31と第1偏波分離部33とを含む第1光導波路コア30と、第2偏波分離部41を含む第2光導波路コア40と、第1光導波路コア及び第2光導波路コアよりも屈折率が小さい外側光導波路コア60とを備える。外側光導波路コアはMFD変換部を被覆する。MFD変換部は、MFD変換部を伝播するTE偏波の等価屈折率と、外側光導波路コアを伝播するTE偏波の等価屈折率とが一致する幅、及びMFD変換部を伝播するTM偏波の等価屈折率と、外側光導波路コアを伝播するTM偏波の等価屈折率とが一致する幅を含む。第1偏波分離部と第2偏波分離部とが並んで配置された偏波分離領域80が設定され、第1偏波分離部及び第2偏波分離部は、第1偏波分離部を伝播する一方の偏波の等価屈折率と、第2偏波分離部を伝播する一方の偏波の等価屈折率とが一致する幅を含む。
【選択図】図1
Description
この発明は、偏波分離機能を有するスポットサイズ変換器に関する。
近年、小型化や量産性に有利な光デバイスの開発に当たり、Si(シリコン)を細線導波路の材料として用いるSi細線導波路が注目を集めている。
Si細線導波路では、実質的に光の伝送路となる光導波路コアを、Siを材料として形成する。そして、Siよりも屈折率の低い例えばシリカ等を材料としたクラッドで、光導波路コアの周囲を覆う。このような構成により、光導波路コアとクラッドとの屈折率差が極めて大きくなるため、光導波路コア内に光を強く閉じ込めることができる。その結果、曲げ半径を例えば1μm程度まで小さくした、小型の曲線導波路を実現することができる。そのため、電子回路と同程度の大きさの光回路を作成することが可能であり、光デバイス全体の小型化に有利である。
また、Si細線導波路では、CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)等の半導体装置の製造過程を流用することが可能である。そのため、チップ上に電子機能回路と光機能回路とを一括形成する光電融合(シリコンフォトニクス)の実現が期待されている。
一方で、Si細線導波路では、シングルモード条件を達成するために、光導波路コアの幅及び厚さがそれぞれ例えば数100nm程度に設定される。これに対して、光ファイバでは、シングルモード条件を達成するために、直径が例えば10μm程度に設定される。このようにサイズの異なる、光導波路コアと光ファイバ等の外部素子との接続には、グレーティングカプラやスポットサイズ変換器が用いられる。
ここで、光ファイバを伝播する光には、TM(Transverse Magnetic)偏波及びTE(Transverse Electric)偏波が含まれる。これに対して、Si細線導波路には偏波依存性がある。そのため、光ファイバから送られる光を、Si細線導波路を用いた光デバイスで扱うに当たり、偏波依存性を解消する必要がある。偏波依存性を解消する手法として、TE偏波とTM偏波とを分離する手法がある。この場合には、偏波分離した各偏波を個別に扱うことによって、光デバイスにおける処理を、各偏波に対してそれぞれ最適化することができる。
グレーティングカプラとして、TE偏波とTM偏波とを分離する機能(偏波分離機能)を有するグレーティングカプラがある(例えば非特許文献1参照)。偏波分離機能を有するグレーティングカプラでは、光導波路コア及び光ファイバ間の接続と、光ファイバから送られる光の偏波分離とを、ともに達成することができる。
一方で、スポットサイズ変換器(例えば特許文献1〜特許文献7参照)については、偏波分離機能を有するものが従来提案されていなかった。
Technical digest of Group IV Photonics 2008, paper ThB3, 2008年9月
そこで、この発明の目的は、偏波分離機能を有するスポットサイズ変換器を提供することにある。
上述した課題を解決するために、この発明によるスポットサイズ変換器は、以下の特徴を備えている。
スポットサイズ変換器は、クラッド層と、クラッド層上に、互いに離間しかつ並んで形成された第1光導波路コア及び第2光導波路コアと、クラッド層上に形成された、第1光導波路コア及び第2光導波路コアよりも屈折率が小さく、かつクラッド層よりも屈折率が大きい外側光導波路コアとを備える。
第1光導波路コアは、順次に接続されたモードフィールド径(MFD:Mode Field Diameter)変換部と第1偏波分離部とを含み、かつ第2光導波路コアよりも、等価屈折率が小さい。第2光導波路コアは、第2偏波分離部を含む。外側光導波路コアは、少なくともMFD変換部を被覆する。
MFD変換部は、MFD変換部を伝播するTE偏波の等価屈折率と、外側光導波路コアを伝播するTE偏波の等価屈折率とが一致する幅、及びMFD変換部を伝播するTM偏波の等価屈折率と、外側光導波路コアを伝播するTM偏波の等価屈折率とが一致する幅をそれぞれ含む。
スポットサイズ変換器には、第1偏波分離部と第2偏波分離部とが互いに離間しかつ並んで配置された、偏波分離領域が設定されている。偏波分離領域において、第1偏波分離部及び第2偏波分離部のそれぞれは、第1偏波分離部を伝播する一方の偏波の等価屈折率と、第2偏波分離部を伝播する一方の偏波の等価屈折率とが一致する幅を含む。
この発明のスポットサイズ変換器では、外側光導波路コアを伝播する光を、第1光導波路コアのMFD変換部に移行させることができる。この移行によって、外側光導波路コアを伝播する光のMFDを、MFD変換部を伝播する光のMFDに変換することができる。また、偏波分離領域において、第1光導波路コアの第1偏波分離部を伝播する一方の偏波を、第2光導波路コアの第2偏波分離部に移行させることができる。この移行によって、TE偏波とTM偏波とを分離して、それぞれ異なる光導波路コアを伝播させることができる。従って、この発明のスポットサイズ変換器は、MFDを変換するスポットサイズ変換器としての機能のみならず、偏波分離機能を有するスポットサイズ変換器として使用できる。
以下、図を参照して、この発明の実施の形態について説明するが、各構成要素の形状、大きさ及び配置関係については、この発明が理解できる程度に概略的に示したものに過ぎない。また、以下、この発明の好適な構成例につき説明するが、各構成要素の材質及び数値的条件などは、単なる好適例にすぎない。従って、この発明は以下の実施の形態に限定されるものではなく、この発明の構成の範囲を逸脱せずにこの発明の効果を達成できる多くの変更又は変形を行うことができる。
(第1のスポットサイズ変換器)
図1及び図2を参照して、この発明の第1の実施の形態によるスポットサイズ変換器(第1のスポットサイズ変換器)について説明する。図1は、第1のスポットサイズ変換器を示す概略的平面図である。なお、図1では、後述する上部クラッド層を省略して示してある。図2(A)は、図1に示す第1のスポットサイズ変換器をI−I線で切り取った概略的端面図である。図2(B)は、図1に示す第1のスポットサイズ変換器をII−II線で切り取った概略的端面図である。
図1及び図2を参照して、この発明の第1の実施の形態によるスポットサイズ変換器(第1のスポットサイズ変換器)について説明する。図1は、第1のスポットサイズ変換器を示す概略的平面図である。なお、図1では、後述する上部クラッド層を省略して示してある。図2(A)は、図1に示す第1のスポットサイズ変換器をI−I線で切り取った概略的端面図である。図2(B)は、図1に示す第1のスポットサイズ変換器をII−II線で切り取った概略的端面図である。
なお、以下の説明では、支持基板の厚さに沿った方向を厚さ方向とする。また、光の伝播方向に沿った方向を長さ方向とする。また、長さ方向及び厚さ方向に直交する方向を幅方向とする。
第1のスポットサイズ変換器100は、例えば光ファイバ等の外部素子と光デバイスの光導波路コアとの間において、MFDを変換する素子として使用される。ここでは、第1のスポットサイズ変換器100を利用して、光ファイバから光デバイスへ送られる光のMFDを変換する場合の例について説明する。第1のスポットサイズ変換器100は、一方の入出力端100a側で、光ファイバと光学的に接続される。また、他方の入出力端100b側で、光デバイスの光導波路コアと光学的に接続される。
第1のスポットサイズ変換器100は、支持基板10と、下部クラッド層20と、第1光導波路コア30、第2光導波路コア40及び第3光導波路コア50と、外側光導波路コア60と、上部クラッド層70とを備えて構成されている。
支持基板10は、例えば単結晶Siを材料とした平板状体で構成されている。
下部クラッド層20は、支持基板10上に、支持基板10の上面10aを被覆して形成されている。下部クラッド層20は、例えばSiO2を材料として形成されている。また、第1光導波路コア30、第2光導波路コア40及び第3光導波路コア50を伝播する光が、支持基板10へ逃げるのを防ぐために、下部クラッド層20は、例えば1μm以上の厚さであるのが好ましい。
第1光導波路コア30、第2光導波路コア40及び第3光導波路コア50は、下部クラッド層20の上面20aに、下部クラッド層20よりも大きい屈折率を有する例えばSiを材料としてそれぞれ形成されている。
第1光導波路コア30、第2光導波路コア40及び第3光導波路コア50は、それぞれ離間しかつ並んで配置されている。第2光導波路コア40及び第3光導波路コア50は、それぞれ第1光導波路コア30を挟んで反対側に配置されている。
また、第1光導波路コア30の等価屈折率は、第1光導波路コア30と幅を等しくした場合における第2光導波路コア40及び第3光導波路コア50の等価屈折率よりも小さく設定されている。図2に示す構成例では、第1光導波路コア30が、第2光導波路コア40及び第3光導波路コア50よりも小さい厚さで形成されている。その結果、第1光導波路コア30の等価屈折率は、第2光導波路コア40及び第3光導波路コア50の等価屈折率よりも小さくなる。
第1光導波路コア30の等価屈折率が小さく設定されることによって、第1光導波路コア30と、第1光導波路コア30よりも屈折率の小さい材料で形成された外側光導波路コア60との等価屈折率が近い値となる。第1光導波路コア30をSiで形成し、外側光導波路コア60を屈折率が1.51のSiOx(xは0<x<2を満たす実数)で形成する場合には、第1光導波路コア30の厚さを例えば300nm以下、好ましくは200nm以下とする。その結果、第1光導波路コア30及び外側光導波路コア60の等価屈折率を近い値に設定することができる。
なお、第1光導波路コア30の等価屈折率を、第2光導波路コア40及び第3光導波路コア50の等価屈折率よりも小さく設定する構成は、第1光導波路コア30を薄く形成する構成に限定されない。例えば、第1光導波路コア30を、第2光導波路コア40及び第3光導波路コア50よりも屈折率の低い材料で形成することもできる。その場合には、第1光導波路コア30、第2光導波路コア40及び第3光導波路コア50を共通の厚さで形成しても、第1光導波路コア30の等価屈折率を、第2光導波路コア40及び第3光導波路コア50の等価屈折率よりも小さく設定することができる。
外側光導波路コア60は、下部クラッド層20の上面20aに、少なくとも、後述するMFD変換部31を被覆して形成されている。なお、図1及び図2に示す構成例では、MFD変換部31のみならず、後述する第1偏波分離部33及び第2偏波分離部41も被覆している。
外側光導波路コア60の屈折率は、下部クラッド層20及び上部クラッド層70の屈折率よりも大きく、かつ第1光導波路コア30、第2光導波路コア40及び第3光導波路コア50の屈折率よりも小さい屈折率を有する例えばSiOxやSiON等を材料として形成されている。
また、外側光導波路コア60は、一端60aが第1のスポットサイズ変換器100の一方の入出力端100aと一致して配置されている。外側光導波路コア60の一端60aは、光ファイバから送られる光の実質的な入力端となる。従って、外側光導波路コア60の一端60aにおける厚さ及び幅は、光ファイバのMFDに対応して設定される。
上部クラッド層70は、下部クラッド層20の上面20aに、第1光導波路コア30、第2光導波路コア40、第3光導波路コア50及び外側光導波路コア60を被覆して形成されている。上部クラッド層70は、外側光導波路コア60の屈折率よりも小さい屈折率を有する、例えばSiO2を材料として形成されている。なお、第1のスポットサイズ変換器100では、上部クラッド層70を省略することもできる。その場合には、周囲に存在する空気が、実質的な上部クラッド層70として機能する。
第1光導波路コア30は、第1のスポットサイズ変換器100の一方の入出力端100aから他方の入出力端100bへ向かう方向へ順次に接続された、MFD変換部31、第1偏波分離部33及び第1結合部35を含んでいる。
MFD変換部31は、一端31aが第1のスポットサイズ変換器100の一方の入出力端100aから離間して配置されている。なお、誤差なく形成できる場合には、一端31aと入出力端100aとを一致させることもできる。また、MFD変換部31は、他端31b側で第1偏波分離部33と接続されている。さらに、MFD変換部31は、一端31aから他端31bに向かうにつれて幅が連続的に拡大するテーパ形状とされている。
上述したように、MFD変換部31を含む第1光導波路コア30の等価屈折率は、外側光導波路コア60の等価屈折率と近い値に設定されている。さらに、MFD変換部31をテーパ形状とすることによって、MFD変換部31は、MFD変換部31を伝播するTE偏波の等価屈折率と、外側光導波路コア60を伝播するTE偏波の等価屈折率とが一致する幅、及びMFD変換部31を伝播するTM偏波の等価屈折率と、外側光導波路コア60を伝播するTM偏波の等価屈折率とが一致する幅をそれぞれ含む。その結果、光ファイバから送られた、外側光導波路コア60を伝播するTE偏波及びTM偏波が、ともにMFD変換部31へ移行する。
第1偏波分離部33は、一端33a側でMFD変換部31と接続されている。また、第1偏波分離部33は、他端33b側で第1結合部35と接続されている。第1偏波分離部33は、第1のスポットサイズ変換器100の他方の入出力端100bへ向かって、徐々に第2光導波路コア40から離間する方向に傾いて設計される。さらに、第1偏波分離部33は、一端33aから他端33bに向かうにつれて幅が連続的に拡大するテーパ形状とされている。
第1結合部35は、一端35a側で第1偏波分離部33と接続されている。第1結合部35は、第1のスポットサイズ変換器100の他方の入出力端100bへ向かって、徐々に第3光導波路コア50に近づく方向に傾いて設計される。さらに、第1結合部35は、一端35aから他端35bに向かうにつれて幅が連続的に縮小するテーパ形状である。
第2光導波路コア40は、第1のスポットサイズ変換器100の一方の入出力端100aから他方の入出力端100bへ向かう方向へ順次に接続された、第2偏波分離部41及び入出力部43を含んでいる。
第2偏波分離部41は、一端41aが第1のスポットサイズ変換器100の一方の入出力端100aから離間して配置されている。第2偏波分離部41の一端41aと第1のスポットサイズ変換器100の一方の入出力端100aとの離間距離は、MFD変換部31の一端31aと第1のスポットサイズ変換器100の一方の入出力端100aとの離間距離よりも大きく設定されている。また、第2偏波分離部41は、他端41b側で入出力部43と接続されている。さらに、第2偏波分離部41は、一端41aから他端41bに向かうにつれて幅が連続的に拡大するテーパ形状とされている。
第1のスポットサイズ変換器100では、第1光導波路コア30の第1偏波分離部31と第2光導波路コア40の第2偏波分離部41とが互いに離間しかつ並んで配置された、偏波分離領域80が設定されている。
偏波分離領域80において、第1偏波分離部33及び第2偏波分離部41のそれぞれは、第1偏波分離部33を伝播するTM偏波の等価屈折率と、第2偏波分離部41を伝播するTM偏波の等価屈折率とが一致する幅を含む。その結果、第1偏波分離部33を伝播するTM偏波と、第2偏波分離部41を伝播するTM偏波とが結合される。
なお、偏波分離領域80において、第1偏波分離部33及び第2偏波分離部41のそれぞれは、第1偏波分離部33を伝播するTE偏波の等価屈折率と、第2偏波分離部41を伝播するTE偏波の等価屈折率とが一致する幅を含まないように設計される。上述した第1偏波分離部33及び第2偏波分離部41の材料及び厚さの関係においては、第1偏波分離部33と第2偏波分離部41とでTE偏波の等価屈折率が一致する幅は、第1偏波分離部33と第2偏波分離部41とでTM偏波の等価屈折率が一致する幅よりも小さい。ここでは、第1偏波分離部33及び第2偏波分離部41は、共通の方向に向かって、幅が連続的に拡大するテーパ形状である。そして、テーパ形状の第1偏波分離部33及び第2偏波分離部41が、これら第1偏波分離部33と第2偏波分離部41とでTE偏波の等価屈折率が一致する幅を含まないように設計する。その結果、第1偏波分離部33を伝播するTE偏波と、第2偏波分離部41を伝播するTE偏波とは結合されない。
このように第1偏波分離部33及び第2偏波分離部41を設計することによって、偏波分離領域80では、第1偏波分離部33を伝播するTE偏波及びTM偏波のうち、TM偏波のみが第2偏波分離部41へ移行する。
なお、ここでは、第1偏波分離部33をテーパ形状とする構成について説明した。しかし、偏波分離領域80において、第1偏波分離部33及び第2偏波分離部41が、第1偏波分離部33と第2偏波分離部41とでTM偏波の等価屈折率が一致する幅を含み、かつ第1偏波分離部33と第2偏波分離部41とでTE偏波の等価屈折率が一致する幅を含まない設計であれば、第1偏波分離部33を一定幅で形成することもできる。
入出力部43は、一端43a側で第2偏波分離部41と接続される。また、入出力部43は、他端43b側で光デバイスの光導波路コアと接続される。入出力部43の幅及び厚さは、例えばシングルモード条件を満たすように設定される。
第3光導波路コア50は、第2結合部51を含んでいる。
第2結合部51は、一端51aが第1のスポットサイズ変換器100の一方の入出力端100aから離間して配置されている。第2結合部51の一端51aと第1のスポットサイズ変換器100の一方の入出力端100aとの離間距離は、第2偏波分離部41の一端41aと第1のスポットサイズ変換器100の一方の入出力端100aとの離間距離よりも大きく設定されている。
また、第2結合部51は、他端51b側で光デバイスの光導波路コアと接続される。さらに、第2結合部51は、一端51aから他端51bに向かうにつれて幅が連続的に拡大するテーパ形状とされている。第2結合部51の他端51bにおける幅及び厚さは、例えばシングルモード条件を満たすように設定される。
第1のスポットサイズ変換器100では、第1光導波路コア30の第1結合部35と第3光導波路コア50の第2結合部51とが互いに離間しかつ並んで配置された、結合領域90が設定されている。
結合領域90において、第1結合部35及び第2結合部51のそれぞれは、第1結合部35を伝播するTE偏波の等価屈折率と、第2結合部51を伝播するTE偏波の等価屈折率とが一致する幅を含む。その結果、第1結合部35を伝播するTE偏波と、第2結合部51を伝播するTE偏波とが結合される。従って、結合領域90では、第1結合部35を伝播するTE偏波が、第2結合部51へ移行する。
なお、ここでは、第1結合部35をテーパ形状とする構成について説明した。しかし、結合領域90において、第1結合部35及び第2結合部51が、第1結合部35と第2結合部51とでTE偏波の等価屈折率が一致する幅を含む設計であれば、第1結合部35を一定幅で形成することもできる。
第1のスポットサイズ変換器100では、光ファイバから送られる、TE偏波及びTM偏波を含む光101は、まず、外側光導波路コア60に入力される。外側光導波路コア60を伝播する光は、第1光導波路コア30のMFD変換部31に移行する。この移行によって、光のMFDが変換される。MFD変換部31を伝播する光103は、第1偏波分離部33に送られる。第1偏波分離部33を伝播する光のうちのTM偏波105は、偏波分離領域80において、第2光導波路コア40の第2偏波分離部41に移行する。第2偏波分離部41に移行したTM偏波105は、入出力部43を経て光デバイスに送られる。一方、第1偏波分離部33を伝播する光のうちのTE偏波107は、第1結合部35に送られる。第1結合部35を伝播するTE偏波109は、結合領域90において、第3光導波路コア50の第2結合部51に移行する。第2結合部51に移行したTE偏波109は、光デバイスに送られる。
このように第1のスポットサイズ変換器100では、光ファイバから送られる光のMFDを変換し、かつその光に含まれるTE偏波とTM偏波とを分離して、それぞれ異なる光導波路コア(ここでは第2光導波路コア40と第3光導波路コア50)に送ることができる。従って、第1のスポットサイズ変換器100は、MFDを変換する機能のみならず、偏波分離機能を有するスポットサイズ変換器として使用できる。
第1のスポットサイズ変換器100では、スポットサイズ変換器において偏波を分離できるため、例えば、それぞれ独立した、スポットサイズ変換器と偏波分離素子とを接続する構成と比べて、素子面積を縮小することができる。
また、外側光導波路コア60を作製するときには、MFD変換部31、第1偏波分離部33及び第2偏波分離部41をエッチングで露出した後に、外側光導波路コア60を堆積させるが、外側光導波路コア60の境界が第1偏波分離部33及び第2偏波分離部41にかかる部分での第1偏波分離部33及び第2偏波分離部41の幅が広いほど、この部分での光散乱ロスを低減することが可能である。なお、外側光導波路コア60の境界は第1偏波分離部33の一端33aと一致させることもできる。
なお、この実施の形態では、偏波分離領域80において、第1偏波分離部33を伝播するTM偏波を、第2偏波分離部41に移行する構成について説明した。しかし、第1のスポットサイズ変換器100は、偏波分離領域80において、第1偏波分離部33を伝播するTE偏波を、第2偏波分離部41に移行する構成とすることもできる。その場合には、第1偏波分離部33を、一端33aから他端33bに向かうにつれて幅が連続的に縮小するテーパ形状とするか、又は一定幅で形成する。そして、偏波分離領域80において、第1偏波分離部33を伝播するTE偏波の等価屈折率と、第2偏波分離部41を伝播するTE偏波の等価屈折率とが一致する幅を含むように、第1偏波分離部33及び第2偏波分離部41のそれぞれを設計する。また、第1偏波分離部33を伝播するTM偏波の等価屈折率と、第2偏波分離部41を伝播するTM偏波の等価屈折率とが一致する幅を含まないように、第1偏波分離部33及び第2偏波分離部41のそれぞれを設計する。
さらに、偏波分離領域80において、第1偏波分離部33を伝播するTE偏波を、第2偏波分離部41に移行させる場合には、結合領域90において、第1結合部35を伝播するTM偏波を第2結合部51に移行させる。その場合には、第1結合部35を、一端35aから他端35bに向かうにつれて幅が連続的に拡大するテーパ形状とするか、又は一定幅で形成する。そして、結合領域90において、第1結合部35を伝播するTM偏波の等価屈折率と、第2結合部51を伝播するTM偏波の等価屈折率とが一致する幅を含むように、第1結合部35及び第2結合部51のそれぞれを設計する。
(特性評価)
発明者は、図1及び図2に示す第1のスポットサイズ変換器100の特性を評価するシミュレーションを行った。このシミュレーションでは、3次元BPM(Beam Propagation Method)を用い、外側光導波路コア60から入力され、第2光導波路コア40の入出力部43から出力されるTE偏波及びTM偏波、並びに外側光導波路コア60から入力され、第3光導波路コア50から出力されるTE偏波及びTM偏波の強度を確認した。
発明者は、図1及び図2に示す第1のスポットサイズ変換器100の特性を評価するシミュレーションを行った。このシミュレーションでは、3次元BPM(Beam Propagation Method)を用い、外側光導波路コア60から入力され、第2光導波路コア40の入出力部43から出力されるTE偏波及びTM偏波、並びに外側光導波路コア60から入力され、第3光導波路コア50から出力されるTE偏波及びTM偏波の強度を確認した。
ここでは、第1のスポットサイズ変換器100を以下の条件に設定した。
第1〜第3光導波路コア30、40及び50をSiで、外側光導波路コア60を屈折率が1.51のSiOxで、下部クラッド20及び上部クラッド70をSiO2で、それぞれ形成する場合を想定した。また、第1光導波路コア30の厚さを300nmに設定した。また、外側光導波路コア60の幅及び厚さをともに3μmに設定した。
MFD変換部31は、一端31aの幅W1を80nm、他端31bの幅W2を300nm、及び長さL1を100μmに設定した。また、作製誤差の影響を少なくするため、MFD変換部31の一端31aと、第1のスポットサイズ変換器100の一方の入出力端100aとの離間距離を0μmとした。つまり、誤差なく作製できると仮定し、MFD変換部31の一端31aと第1のスポットサイズ変換器100の一方の入出力端100aとを一致させた。
第1偏波分離部33は、一端33aの幅W3を300nm、他端33bの幅W4を800nm、及び長さL2を100μmに設定した。また、第1偏波分離部33は、第2光導波路コア40から離間する方向に傾けて設計し、一端33a及び他端33bのそれぞれの中心間の距離D1を500nmに設定した。
第1結合部35は、一端35aの幅W5を800nm、他端35bの幅W6を150nm、及び長さL3を150μmに設定した。また、第1結合部35は、第3光導波路コア50へ近づく方向に傾けて設計し、一端35a及び他端35bのそれぞれの中心間の距離D2を540nmに設定した。
第2偏波分離部41は、一端41aの幅W7を80nm、他端41bの幅W8を300nm、及び長さL4を100μmに設定した。また、第2偏波分離部41の一端41aの面位置は、MFD変換部31の一端31aの面位置に対して、第1のスポットサイズ変換器100の一方の入出力端100aから離間する方向に80μmずらして配置した。また、第2偏波分離部41の一端41aの中心を、MFD変換部31の側面から360nm離間させた。
第2結合部51は、一端51aの幅W9を80nm、他端51bの幅W10を300nm、及び長さL5を100μmに設定した。また、第2結合部51の一端51aの中心を、第1結合部35の側面から450nm離間させた。
偏波分離領域80の長さL6を80μmに設定した。また、結合領域90の長さL7を90μmに設定した。
シミュレーションの結果を図3に示す。図3は、第1のスポットサイズ変換器100の特性を評価する図である。図3では、縦軸に強度をdB目盛で、また、横軸に波長をμm単位でとって示してある。図3において、曲線301は、第2光導波路コア40の入出力部43から出力されるTM偏波の強度を示している。また、曲線303は、第3光導波路コア50から出力されるTM偏波の強度を示している。また、曲線305は、第2光導波路コア40の入出力部43から出力されるTE偏波の強度を示している。また、曲線307は、第3光導波路コア50から出力されるTE偏波の強度を示している。
図3に示すように、第2光導波路コア40の入出力部43から出力されるTM偏波の強度は、第2光導波路コア40の入出力部43から出力されるTE偏波の強度、及び第3光導波路コア50から出力されるTM偏波の強度に対して、著しく大きくなる。一方、第3光導波路コア50から出力されるTE偏波の強度は、第3光導波路コア50から出力されるTM偏波の強度、及び第2光導波路コア40の入出力部43から出力されるTE偏波の強度に対して、著しく大きくなる。この結果から、第1のスポットサイズ変換器100では、TE偏波とTM偏波とを分離し、分離したTE偏波とTM偏波とを異なる光導波路コアから出力できることが確認された。
(第2のスポットサイズ変換器)
図4を参照して、この発明の第2の実施の形態によるスポットサイズ変換器(第2のスポットサイズ変換器)について説明する。図4(A)は、第2のスポットサイズ変換器を示す概略的平面図である。なお、図4では、上部クラッド層を省略して示してある。図4(B)は、図4(A)に示す第2のスポットサイズ変換器をIII−III線で切り取った概略的端面図である。
図4を参照して、この発明の第2の実施の形態によるスポットサイズ変換器(第2のスポットサイズ変換器)について説明する。図4(A)は、第2のスポットサイズ変換器を示す概略的平面図である。なお、図4では、上部クラッド層を省略して示してある。図4(B)は、図4(A)に示す第2のスポットサイズ変換器をIII−III線で切り取った概略的端面図である。
第2のスポットサイズ変換器200は、結合領域の構成が、上述した第1のスポットサイズ変換器と異なっている。その他の構成は、第1のスポットサイズ変換器と同様であるので、共通する構成要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。また、ここでは、偏波分離領域においてTM偏波を第2光導波路コアへ移行し、結合領域においてTE偏波を第3光導波路コアに移行する構成について説明する。
第2のスポットサイズ変換器200では、第1光導波路コア30の第1結合部35と、第3光導波路コア50の第2結合部51とを、平面的に重ねて配置する。
上述したように、第1光導波路コア30の等価屈折率は、第2光導波路コア40及び第3光導波路コア50の等価屈折率よりも小さく設定される。図4では、第1光導波路コア30、第2光導波路コア40及び第3光導波路コア50を共通の材料で形成し、かつ第1光導波路コア30の厚さを、第2光導波路コア40及び第3光導波路コア50の下部クラッド層20の上面20aからの厚さよりも小さく形成する構成例を示している。
第1光導波路コア30及び第3光導波路コア50を共通の材料で形成する場合には、第1結合部35及び第2結合部51を一体的に形成することができる。
第1結合部35は、第1のスポットサイズ変換器100と同様に、一端35aから他端35bに向かうにつれて幅が連続的に縮小するテーパ形状とされている。また、第2結合部51は、第1のスポットサイズ変換器100と同様に、一端51aから他端51bに向かうにつれて幅が連続的に拡大するテーパ形状とされている。
第2のスポットサイズ変換器200では、第1結合部35と第2結合部51とが重なる領域として、結合領域290が設定されている。
結合領域290において、第1結合部35及び第2結合部51のそれぞれは、第1結合部35を伝播するTE偏波の等価屈折率と、第2結合部51を伝播するTE偏波の等価屈折率とが一致する幅を含む。その結果、第1結合部35を伝播するTE偏波と、第2結合部51を伝播するTE偏波とが結合される。従って、結合領域290では、第1結合部35を伝播するTE偏波が、第2結合部51へ移行する。
なお、ここでは、第1結合部35をテーパ形状とする構成について説明した。しかし、結合領域290において、第1結合部35及び第2結合部51が、第1結合部35と第2結合部51とでTE偏波の等価屈折率が一致する幅を含む設計であれば、第1結合部35を一定幅で形成することもできる。
第2のスポットサイズ変換器200では、上述した第1のスポットサイズ変換器100と同様に、光ファイバから送られる光のMFDを変換し、かつその光に含まれるTE偏波とTM偏波とを分離して、それぞれ異なる光導波路コアに送ることができる。従って、第2のスポットサイズ変換器200は、MFDを変換する機能のみならず、偏波分離機能を有するスポットサイズ変換器として使用できる。
10:支持基板
20:下部クラッド層
30:第1光導波路コア
31:MFD変換部
33:第1偏波分離部
35:第1結合部
40:第2光導波路コア
41:第2偏波分離部
43:入出力部
50:第3光導波路コア
51:第2結合部
60:外側光導波路コア
70:上部クラッド層
80:偏波分離領域
90、290:結合領域
100:第1のスポットサイズ変換器
200:第2のスポットサイズ変換器
20:下部クラッド層
30:第1光導波路コア
31:MFD変換部
33:第1偏波分離部
35:第1結合部
40:第2光導波路コア
41:第2偏波分離部
43:入出力部
50:第3光導波路コア
51:第2結合部
60:外側光導波路コア
70:上部クラッド層
80:偏波分離領域
90、290:結合領域
100:第1のスポットサイズ変換器
200:第2のスポットサイズ変換器
スポットサイズ変換器は、クラッド層と、クラッド層上に、互いに離間しかつ並んで形成された第1光導波路コア及び第2光導波路コアと、クラッド層上に形成された第3光導波路コアと、クラッド層上に形成された、第1光導波路コア及び第2光導波路コアよりも屈折率が小さく、かつクラッド層よりも屈折率が大きい外側光導波路コアとを備える。
第1光導波路コアは、順次に接続されたモードフィールド径(MFD:Mode Field Diameter)変換部と第1偏波分離部と第1結合部とを含み、かつ第2光導波路コアよりも、等価屈折率が小さい。第1結合部は、第1偏波分離部の、MFD変換部と接続された一端とは反対側の他端と接続されている。第2光導波路コアは、第2偏波分離部を含む。外側光導波路コアは、少なくともMFD変換部を被覆する。第3光導波路コアは、第2結合部を含み、かつ前記第1光導波路コアよりも等価屈折率が大きい。
MFD変換部は、一端から第1偏波分離部と接続された他端に向かうにつれて幅が連続的に拡大するテーパ形状である。そして、MFD変換部は、MFD変換部を伝播するTE偏波の等価屈折率と、外側光導波路コアを伝播するTE偏波の等価屈折率とが一致する幅、及びMFD変換部を伝播するTM偏波の等価屈折率と、外側光導波路コアを伝播するTM偏波の等価屈折率とが一致する幅をそれぞれ含む。
スポットサイズ変換器には、第1偏波分離部と第2偏波分離部とが互いに離間しかつ並んで配置された、偏波分離領域が設定されている。偏波分離領域において、第1偏波分離部及び第2偏波分離部のそれぞれは、第1偏波分離部を伝播する一方の偏波の等価屈折率と、第2偏波分離部を伝播する一方の偏波の等価屈折率とが一致する幅を含む。
スポットサイズ変換器には、第1結合部と前記第2結合部とが互いに離間しかつ並んで配置された、結合領域が設定されている。結合領域において、第1結合部及び第2結合部のそれぞれは、第1結合部を伝播する他方の偏波の等価屈折率と、第2結合部を伝播する他方の偏波の等価屈折率とが一致する幅を含む。
第1光導波路コアは、第2光導波路コア及び第3光導波路コアよりも小さい厚さである。
なお、上述の結合領域は、第1結合部と第2結合部とが平面的に重なって配置された領域として設定することもできる。
スポットサイズ変換器には、第1結合部と前記第2結合部とが互いに離間しかつ並んで配置された、結合領域が設定されている。結合領域において、第1結合部及び第2結合部のそれぞれは、第1結合部を伝播する他方の偏波の等価屈折率と、第2結合部を伝播する他方の偏波の等価屈折率とが一致する幅を含む。
第1光導波路コアは、第2光導波路コア及び第3光導波路コアよりも小さい厚さである。
なお、上述の結合領域は、第1結合部と第2結合部とが平面的に重なって配置された領域として設定することもできる。
Claims (8)
- クラッド層と、
前記クラッド層上に、互いに離間しかつ並んで形成された第1光導波路コア及び第2光導波路コアと、
前記クラッド層上に形成された、前記第1光導波路コア及び前記第2光導波路コアよりも屈折率が小さく、かつ前記クラッド層よりも屈折率が大きい外側光導波路コアと
を備え、
前記第1光導波路コアは、順次に接続されたMFD変換部と第1偏波分離部とを含み、かつ前記第2光導波路コアよりも、等価屈折率が小さく、
前記第2光導波路コアは、第2偏波分離部を含み、
前記外側光導波路コアは、少なくとも前記MFD変換部を被覆しており、
前記MFD変換部は、前記MFD変換部を伝播するTE偏波の等価屈折率と、前記外側光導波路コアを伝播するTE偏波の等価屈折率とが一致する幅、及び前記MFD変換部を伝播するTM偏波の等価屈折率と、前記外側光導波路コアを伝播するTM偏波の等価屈折率とが一致する幅をそれぞれ含み、
前記第1偏波分離部と前記第2偏波分離部とが互いに離間しかつ並んで配置された、偏波分離領域が設定されており、
前記偏波分離領域において、前記第1偏波分離部及び前記第2偏波分離部のそれぞれは、前記第1偏波分離部を伝播する一方の偏波の等価屈折率と、前記第2偏波分離部を伝播する一方の偏波の等価屈折率とが一致する幅を含む
ことを特徴とするスポットサイズ変換器。 - 前記第1光導波路コアは、前記第2光導波路コアよりも小さい厚さであり、
前記MFD変換部は、一端から前記第1偏波分離部と接続された他端に向かうにつれて幅が連続的に拡大するテーパ形状である
ことを特徴とする請求項1に記載のスポットサイズ変換器。 - 前記第1偏波分離部及び前記第2偏波分離部は、互いに共通の方向に向かうにつれて幅が連続的に拡大するテーパ形状であり、
前記第1偏波分離部は、前記MFD変換部と接続された一端から他端に向かうにつれて幅が連続的に拡大する
ことを特徴とする請求項1又は2に記載のスポットサイズ変換器。 - 前記第1偏波分離部及び前記第2偏波分離部は、互いに反対の方向に向かうにつれて幅が連続的に拡大するテーパ形状であり、
前記第1偏波分離部は、前記MFD変換部と接続された一端から他端に向かうにつれて幅が連続的に縮小する
ことを特徴とする請求項1又は2に記載のスポットサイズ変換器。 - 前記第1偏波分離部は、一定の幅で形成されており、
前記第2偏波分離部は、前記MFD変換部から離間するにつれて幅が連続的に拡大するテーパ形状である
ことを特徴とする請求項1又は2に記載のスポットサイズ変換器。 - 前記クラッド層上に形成された第3光導波路コアをさらに備え、
前記第1光導波路コアは、第1結合部をさらに含み、
前記第1結合部は、前記第1偏波分離部の、前記MFD変換部と接続された一端とは反対側の他端と接続されており、
前記第3光導波路コアは、前記第2結合部を含み、かつ前記第1光導波路コアよりも等価屈折率が大きく設定され、
前記第1結合部と前記第2結合部とが互いに離間しかつ並んで配置された、結合領域が設定されており、
前記結合領域において、前記第1結合部及び前記第2結合部のそれぞれは、前記第1結合部を伝播する他方の偏波の等価屈折率と、前記第2結合部を伝播する他方の偏波の等価屈折率とが一致する幅を含む
ことを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載のスポットサイズ変換器。 - 前記クラッド層上に形成された第3光導波路コアをさらに備え、
前記第1光導波路コアは、第1結合部をさらに含み、
前記第1結合部は、前記第1偏波分離部の、前記MFD変換部と接続された一端とは反対側の他端と接続されており、
前記第3光導波路コアは、前記第2結合部を含み、かつ前記第1光導波路コアよりも等価屈折率が大きく設定され、
前記第1結合部と前記第2結合部とが平面的に重なって配置された、結合領域が設定されており、
前記結合領域において、前記第1結合部及び前記第2結合部のそれぞれは、前記第1結合部を伝播する他方の偏波の等価屈折率と、前記第2結合部を伝播する他方の偏波の等価屈折率とが一致する幅を含む
ことを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載のスポットサイズ変換器。 - MFD変換部と第1偏波分離部とを含んで順次接続された第1光導波路コアと、
第2偏波分離部を含んで形成された第2光導波路コアと、
少なくとも前記MFD変換部の一部を被覆して形成された外側光導波路コアと
を備え、
前記第1偏波分離部と前記第2偏波分離部とは互いに、離れて並んで形成され、
前記外側光導波路コアの屈折率は、前記第1光導波路コアの屈折率よりも小さく、
前記MFD変換部と前記外側光導波路コアとは互いに、TE偏波の等価屈折率及びTM偏波の等価屈折率のそれぞれが一致する幅を含み、
前記第1偏波分離部と前記第2偏波分離部とは互いに、TE偏波の等価屈折率またはTM偏波の等価屈折率のどちらか一方が一致する幅を含む
ことを特徴とするスポットサイズ変換器。
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