JP2015045789A - スポットサイズ変換器 - Google Patents
スポットサイズ変換器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015045789A JP2015045789A JP2013177696A JP2013177696A JP2015045789A JP 2015045789 A JP2015045789 A JP 2015045789A JP 2013177696 A JP2013177696 A JP 2013177696A JP 2013177696 A JP2013177696 A JP 2013177696A JP 2015045789 A JP2015045789 A JP 2015045789A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical waveguide
- waveguide core
- layer
- spot size
- size converter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 171
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims abstract description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 200
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 79
- 239000012792 core layer Substances 0.000 claims description 42
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 20
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 24
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 17
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 14
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 14
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 14
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 description 13
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 12
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 11
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 8
- 230000008859 change Effects 0.000 description 7
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 7
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 2
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
【解決手段】第1クラッド層20の上面に形成された光導波路コア30と、第1クラッド層20の上面及び光導波路コア30を被覆して形成されたスラブ層40と、スラブ層40の上面を被覆して形成された第2クラッド層50とを備える。光導波路コア30は、光導波路コア30の一方の入出力端30aに向かって連続的に幅が縮小するテーパ部31を含む。スラブ層40の屈折率は、光導波路コア30の屈折率よりも低く、かつ第1クラッド層20及び第2クラッド層50よりも高く設定されている。
【選択図】図1
Description
図1を参照して、この発明の第1の実施の形態によるスポットサイズ変換器(以下、第1のスポットサイズ変換器とも称する)について説明する。図1(A)は、第1のスポットサイズ変換器を示す概略平面図である。なお、図1(A)では、後述するスラブ層及び第2クラッド層を省略して示してある。図1(B)は、図1(A)に示す構造体をI−I線で切り取った端面図である。
第1のスポットサイズ変換器100は、順次に積層された、支持基板10と、第1クラッド層20と、光導波路コア30と、スラブ層40と、第2クラッド層50とを備えて構成されている。なお、以下の説明では、支持基板10の厚さに沿った方向を厚さ方向とする。また、光導波路コア30について、光導波路コア30を伝播する光の伝播方向に沿った方向を長さ方向とする。また、長さ方向及び厚さ方向に直交する方向を幅方向とする。
第1のスポットサイズ変換器100は、SOI(Silicon On Insulator)基板を利用することによって、簡易に製造することができる。
発明者は、第1のスポットサイズ変換器100の特性を評価するために、BPM(Beam Propagation Method)を用いてシミュレーションを行った。このシミュレーションでは、スラブ層40の屈折率を1.48、1.50又は1.52とした第1のスポットサイズ変換器100について、光導波路コア30の先端幅W1に対する結合損失の依存性を確認した。また、スラブ層40を設けない比較用のスポットサイズ変換器についてもシミュレーションを行った。比較用のスポットサイズ変換器は、スラブ層40を設けない点以外は、第1のスポットサイズ変換器100と同様の構成とした。また、このシミュレーションでは、MFDが3μmの半導体レーザと接続される場合を想定した。
図3を参照して、この発明の第2の実施の形態によるスポットサイズ変換器(以下、第2のスポットサイズ変換器とも称する)について説明する。図3は、第2のスポットサイズ変換器を示す概略平面図である。なお、図3では、スラブ層及び第2クラッド層を省略して示してある。
図4を参照して、この発明の第3の実施の形態によるスポットサイズ変換器(以下、第3のスポットサイズ変換器とも称する)について説明する。図4(A)は、第3のスポットサイズ変換器を示す概略平面図である。なお、図4(A)では、スラブ層及び第2クラッド層を省略して示してある。図4(B)は、図4(A)に示す構造体をII−II線で切り取った端面図である。
第3のスポットサイズ変換器300では、テーパ部31の延在方向(すなわち光の伝播方向)に沿ってテーパ部31を挟んだ両側に1対の溝70a及び70bが形成されている。
発明者は、第3のスポットサイズ変換器300の特性を評価するために、BPMを用いてシミュレーションを行った。このシミュレーションでは、第3のスポットサイズ変換器300について、窓領域80における伝播光の過剰損失を算出した。なお、埋め込み部75を設けず、溝70a及び70b内が空気である場合を想定した。また、ここでは、第3のスポットサイズ変換器300と比較するために、スラブ層40を設けずに溝70a及び70bを設けた構造、溝70a及び70bを設けずにスラブ層40を設けた構造、及びスラブ層40並びに溝70a及び70bを設けない構造についても、過剰損失を算出した。
図7を参照して、この発明の第4の実施の形態によるスポットサイズ変換器(以下、第4のスポットサイズ変換器とも称する)について説明する。図7は、第4のスポットサイズ変換器を、光の伝播方向に直交する面で切り取った切り口を示す端面図である。
第4のスポットサイズ変換器400は、スラブ層40上に、スラブ層40の上面40aを被覆するサブ光導波路コア層60が積層形成されている。サブ光導波路コア層60上には、サブ光導波路コア層60の上面60aを被覆する第2クラッド層50が積層形成されている。
発明者は、第4のスポットサイズ変換器400の特性を評価するために、BPMを用いて3つのシミュレーションを行った。
20:第1クラッド層
30:光導波路コア
31:テーパ部
33:細線導波路部
40:スラブ層
50:第2クラッド層
60:サブ光導波路コア層
70a、70b、90a、90b:溝
75、95:埋め込み部
80:窓領域
100:第1のスポットサイズ変換器
200:第2のスポットサイズ変換器
300:第3のスポットサイズ変換器
400:第4のスポットサイズ変換器
Claims (7)
- 第1クラッド層の上面に形成された光導波路コアと、
前記第1クラッド層上に、該第1クラッド層の上面及び前記光導波路コアを被覆して形成されたスラブ層と、
前記スラブ層上に、該スラブ層の上面を被覆して形成された第2クラッド層と
を備え、
前記光導波路コアは、該光導波路コアの一方の入出力端に向かって連続的に幅が縮小するテーパ部を含み、
前記スラブ層の屈折率は、前記光導波路コアの屈折率よりも低く、かつ前記第1クラッド層及び前記第2クラッド層よりも高い
ことを特徴とするスポットサイズ変換器。 - 前記テーパ部の延在方向に沿って該テーパ部を挟んだ両側に、少なくとも前記第1クラッド層と前記第2クラッド層との間に形成された層が除去された、1対の溝が、前記光導波路コアの一方の入出力端と対向する当該スポットサイズ変換器の側面に至るまで延在して形成されている
ことを特徴とする請求項1に記載のスポットサイズ変換器。 - 前記溝は、前記スラブ層よりも低い屈折率を有する埋め込み部によって埋め込まれている
ことを特徴とする請求項2に記載のスポットサイズ変換器。 - さらに、前記光導波路コアの一方の入出力端と、該入出力端と対向する当該スポットサイズ変換器の側面とを離間させる窓領域が設けられている
ことを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載のスポットサイズ変換器。 - 第1クラッド層の上面に形成された光導波路コアと、
前記第1クラッド層上に、該第1クラッド層の上面及び前記光導波路コアを被覆して形成されたスラブ層と、
前記スラブ層上に、該スラブ層の上面を被覆して形成されたサブ光導波路コア層と、
前記サブ光導波路コア層上に、該サブ光導波路コア層の上面を被覆して形成された第2クラッド層と、
を備え、
前記光導波路コアは、該光導波路コアの一方の入出力端に向かって連続的に幅が縮小するテーパ部を含み、
前記テーパ部の延在方向に沿って該テーパ部を挟んだ両側には、少なくとも前記第1クラッド層と前記第2クラッド層との間に形成された層が除去された、1対の溝が、前記光導波路コアの一方の入出力端と対向する当該スポットサイズ変換器の側面に至るまで延在して形成されており、
前記スラブ層の屈折率は、前記光導波路コアの屈折率よりも低く、かつ前記第1クラッド層よりも高く、
前記サブ光導波路コア層の屈折率は、前記光導波路コアの屈折率よりも低く、かつ前記スラブ層及び前記第2クラッド層よりも高い
ことを特徴とするスポットサイズ変換器。 - 前記溝は、前記スラブ層以下の屈折率を有する埋め込み部によって埋め込まれている
ことを特徴とする請求項5に記載のスポットサイズ変換器。 - さらに、前記光導波路コアの一方の入出力端と、該入出力端と対向する当該スポットサイズ変換器の側面とを離間させる窓領域が設けられている
ことを特徴とする請求項5又は6に記載のスポットサイズ変換器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013177696A JP2015045789A (ja) | 2013-08-29 | 2013-08-29 | スポットサイズ変換器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013177696A JP2015045789A (ja) | 2013-08-29 | 2013-08-29 | スポットサイズ変換器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015045789A true JP2015045789A (ja) | 2015-03-12 |
Family
ID=52671335
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013177696A Pending JP2015045789A (ja) | 2013-08-29 | 2013-08-29 | スポットサイズ変換器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2015045789A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2022510466A (ja) * | 2018-12-13 | 2022-01-26 | 中国科学院半▲導▼体研究所 | 光結合構造、システム及び光結合構造の製造方法 |
US11475770B2 (en) * | 2017-04-06 | 2022-10-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Electronic device, warning message providing method therefor, and non-transitory computer-readable recording medium |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07110415A (ja) * | 1993-10-13 | 1995-04-25 | Kyocera Corp | 光導波路、光導波路と光ファイバの接続装置 |
JP2004184986A (ja) * | 2002-11-20 | 2004-07-02 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光学素子およびその製造方法 |
JP2010139629A (ja) * | 2008-12-10 | 2010-06-24 | Oki Electric Ind Co Ltd | スポットサイズ変換器 |
US20100266288A1 (en) * | 2001-04-03 | 2010-10-21 | Little Optics, Inc | High efficiency optical mode transformer for matching a single mode fiber to a high index contrast planar waveguide |
US20110026880A1 (en) * | 2008-02-29 | 2011-02-03 | Paola Galli | Optical mode transformer, in particular for coupling an optical fiber and a high-index contrast waveguide |
JP2013064852A (ja) * | 2011-09-16 | 2013-04-11 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | スポットサイズ変換器 |
-
2013
- 2013-08-29 JP JP2013177696A patent/JP2015045789A/ja active Pending
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07110415A (ja) * | 1993-10-13 | 1995-04-25 | Kyocera Corp | 光導波路、光導波路と光ファイバの接続装置 |
US20100266288A1 (en) * | 2001-04-03 | 2010-10-21 | Little Optics, Inc | High efficiency optical mode transformer for matching a single mode fiber to a high index contrast planar waveguide |
JP2004184986A (ja) * | 2002-11-20 | 2004-07-02 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光学素子およびその製造方法 |
US20110026880A1 (en) * | 2008-02-29 | 2011-02-03 | Paola Galli | Optical mode transformer, in particular for coupling an optical fiber and a high-index contrast waveguide |
JP2010139629A (ja) * | 2008-12-10 | 2010-06-24 | Oki Electric Ind Co Ltd | スポットサイズ変換器 |
JP2013064852A (ja) * | 2011-09-16 | 2013-04-11 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | スポットサイズ変換器 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11475770B2 (en) * | 2017-04-06 | 2022-10-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Electronic device, warning message providing method therefor, and non-transitory computer-readable recording medium |
JP2022510466A (ja) * | 2018-12-13 | 2022-01-26 | 中国科学院半▲導▼体研究所 | 光結合構造、システム及び光結合構造の製造方法 |
JP7163502B2 (ja) | 2018-12-13 | 2022-10-31 | 中国科学院半▲導▼体研究所 | 光結合構造、システム及び光結合構造の製造方法 |
US11513295B2 (en) | 2018-12-13 | 2022-11-29 | Institute Of Semiconductors, Chinese Academy Of Sciences | Optical coupling structure, system and method for preparing optical coupling structure |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6289401B2 (ja) | スポットサイズ変換器 | |
JP6253105B2 (ja) | 層間光波結合デバイス | |
US9851504B2 (en) | Planar optical waveguide device, DP-QPSK modulator, coherent receiver, and polarization diversity | |
JP6175263B2 (ja) | スポットサイズ変換器、その製造方法及び光集積回路装置 | |
US8000565B2 (en) | Buried dual taper waveguide for passive alignment and photonic integration | |
US9411106B2 (en) | Polarization-independent grating coupler for silicon on insulator | |
US10852484B2 (en) | Apparatus and method for coupling light | |
JP2002022981A (ja) | フォトニック結晶多層基板およびその製造方法 | |
US9297956B2 (en) | Optical device, optical transmitter, optical receiver, optical transceiver, and method of manufacturing optical device | |
JP6402519B2 (ja) | 光導波路素子 | |
JP2015215477A (ja) | スポットサイズ変換器 | |
JP5304209B2 (ja) | スポットサイズ変換器 | |
JP2015169766A (ja) | 偏波回転回路 | |
JP5386254B2 (ja) | スポットサイズ変換光導波路部を有する光学素子 | |
JP5262639B2 (ja) | 光学素子及びマッハツェンダ干渉器 | |
JP6839381B2 (ja) | スポットサイズ変換器 | |
JP2015045789A (ja) | スポットサイズ変換器 | |
JP2016018191A (ja) | スポットサイズ変換器及びその製造方法 | |
WO2022044101A1 (ja) | 光導波路部品およびその製造方法 | |
JP6369036B2 (ja) | 光導波路及び光導波路の製造方法 | |
JP2015191029A (ja) | スポットサイズ変換器 | |
US7224868B2 (en) | Radiation-free optical cavity | |
JP6685548B2 (ja) | スポットサイズ変換器 | |
JP6325941B2 (ja) | 光回路 | |
JP2019028372A (ja) | 光接続構造 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160727 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170425 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170426 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170626 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20171205 |