JP6839381B2 - スポットサイズ変換器 - Google Patents
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Description
<材料の組み合わせ例>
基板1:Si(n=3.5)、またはSOI
第1クラッド層2:SiO2(n3=1.45)、SOI基板を用いた場合、SiO2(n3=1.45)として基板中の埋め込み酸化膜(BOX)を利用
第1コア3:Si(n1=3.5)
第2コア5:SiNx(n2=2.0)
第2クラッド層4:SiOx(n3=1.47)
<パラメータ値>
L1=L2=20μm
L3=30μm
W1=0.31μm
W2=0.08μm
W3=0.42μm
D1=3.0μm
D2=0.22μm
2:第1クラッド層
3:第1コア
4、25:第2クラッド層
5、26:第2コア
6、7:端面
13:テーパ構造
15:断面
20:ファイバ
21:クラッド
22:コア
100:スポットサイズ変換器
Claims (5)
- 基板上に第1クラッド層を挟んで設けられた第1コアと、
前記第1コアの鉛直上方に第2クラッド層を挟んで設けられ、前記基板及び前記第1コアと平行に延びる第2コアと、を備え、
前記第2クラッド層は前記第1コア及び第2コアを覆っており、
前記第1コアは前記基板の第1端面から離間した第1位置から前記基板の第2端面まで延び、
前記第2コアは前記基板の第1端面から前記基板の第2端面の手前の第2位置まで延び、
前記第1コアは、前記第1コアが延びる方向と垂直な断面のサイズが前記基板の第1端面から離れるにつれて大きくなるテーパ構造を有し、
前記第2コアは、前記第2コアが延びる方向と垂直な断面のサイズが前記基板の第1端面から前記第2位置まで一定であり、
前記第2コアの屈折率は、前記第1コアの屈折率よりも小さく前記第1クラッド層及び第2クラッド層の屈折率よりも大きく、
前記第2コアの断面は、各辺が0.26〜0.34μmの正方形または長方形からなり、
前記第1コアはSiからなり、前記第2コアはSiN X またはa−Si:Hからなり、
前記第1クラッド層はSiO 2 からなり、前記第2クラッド層は、SiO X 、SiOCH、又はSiONからなる
スポットサイズ変換器。 - 前記第2コアの前記第2位置は、少なくとも前記第1コアの前記テーパ構造の端部と同じ位置あるいは当該位置よりも前記基板の第2端面に近い位置にある、請求項1に記載のスポットサイズ変換器。
- 前記第1コアと前記第2コアの間隔は、0.75μm以上である、請求項1に記載のスポットサイズ変換器。
- 前記第1コアの前記テーパ構造は、300μm以上の長さを有する、請求項3に記載のスポットサイズ変換器。
- 前記基板は、Si基板またはSOI基板である、請求項1に記載のスポットサイズ変換器。
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