JP2010135465A - 固体撮像装置、および、その製造方法、カメラ - Google Patents

固体撮像装置、および、その製造方法、カメラ Download PDF

Info

Publication number
JP2010135465A
JP2010135465A JP2008308295A JP2008308295A JP2010135465A JP 2010135465 A JP2010135465 A JP 2010135465A JP 2008308295 A JP2008308295 A JP 2008308295A JP 2008308295 A JP2008308295 A JP 2008308295A JP 2010135465 A JP2010135465 A JP 2010135465A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
color filter
optical waveguide
core portion
receiving surface
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2008308295A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4730429B2 (ja
Inventor
Akiko Ogino
明子 荻野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP2008308295A priority Critical patent/JP4730429B2/ja
Priority to TW098137446A priority patent/TWI424556B/zh
Priority to KR1020090109594A priority patent/KR20100063649A/ko
Priority to US12/629,264 priority patent/US8890055B2/en
Priority to CN2009102536243A priority patent/CN101753862B/zh
Publication of JP2010135465A publication Critical patent/JP2010135465A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4730429B2 publication Critical patent/JP4730429B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/42Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
    • G01J1/44Electric circuits
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/02Details
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/02Details
    • G01J1/0204Compact construction
    • G01J1/0209Monolithic
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/02Details
    • G01J1/04Optical or mechanical part supplementary adjustable parts
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/02Details
    • G01J1/04Optical or mechanical part supplementary adjustable parts
    • G01J1/0407Optical elements not provided otherwise, e.g. manifolds, windows, holograms, gratings
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/02Details
    • G01J1/04Optical or mechanical part supplementary adjustable parts
    • G01J1/0407Optical elements not provided otherwise, e.g. manifolds, windows, holograms, gratings
    • G01J1/0411Optical elements not provided otherwise, e.g. manifolds, windows, holograms, gratings using focussing or collimating elements, i.e. lenses or mirrors; Aberration correction
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/02Details
    • G01J1/04Optical or mechanical part supplementary adjustable parts
    • G01J1/0407Optical elements not provided otherwise, e.g. manifolds, windows, holograms, gratings
    • G01J1/0422Optical elements not provided otherwise, e.g. manifolds, windows, holograms, gratings using light concentrators, collectors or condensers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/1462Coatings
    • H01L27/14621Colour filter arrangements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/14625Optical elements or arrangements associated with the device
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14683Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • H01L27/14685Process for coatings or optical elements
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/10Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof for generating image signals from different wavelengths

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Abstract

【課題】カラーフィルタを高精度にパターン加工することが可能であって、感光性樹脂膜の残渣を減少する。
【解決手段】カラーフィルタ301の形成工程にて露光処理を実施する際に、感光性樹脂膜に照射する露光光を、光導波路コア部131が吸収するように、光導波路コア部131を形成する。
【選択図】図4

Description

本発明は、固体撮像装置、および、その製造方法、カメラに関する。特に、本発明は、光を受光面で受光し、当該受光面にて受光した光を光電変換することによって信号電荷を生成する光電変換部と、その受光面へ光を導く光導波路とを具備する固体撮像装置、および、その製造方法、カメラに関する。
デジタルビデオカメラ、デジタルスチルカメラなどのカメラは、固体撮像装置を含む。たとえば、CMOS(Complementary Metal Oxicide Semiconductor)型イメージセンサ、CCD(Charge Coupled Device)型イメージセンサを、固体撮像装置として含む。
固体撮像装置においては、複数の画素が形成されている撮像領域が、半導体基板の面に設けられている。この撮像領域においては、被写体像による光を受光し、その受光した光を光電変換することによって信号電荷を生成する光電変換部が、その複数の画素に対応するように、複数形成されている。たとえば、フォトダイオードが、この光電変換部として形成されている。
このような固体撮像装置では、多画素化に伴って、各画素のセルサイズが小さくなってきている。その結果、各画素当たりの受光量が減少して、感度が低下する場合がある。
このため、光の集光効率を高めて、感度を向上するために、光導波路が、各画素に形成されている。
具体的には、光導波路は、高い屈折率の光学材料で形成され、光を導くコア部を有しており、このコア部よりも低い屈折率であるクラッド部が、そのコア部の周囲に設けられている。このため、光導波路においては、入射した光を、コア部とクラッド部との界面において全反射させることができる。よって、光導波路を設けることで、集光効率を高めて、感度を向上することができる。たとえば、コア部は、有機樹脂材料を用いて形成されている(たとえば、特許文献1,特許文献2参照)。
また、固体撮像装置においては、光導波路のコア部の上層に、カラーフィルタが設けられている。このカラーフィルタにおいては、光が着色されて光導波路へ出射される。このカラーフィルタは、フォトリソグラフィ技術を用いて形成される。
具体的には、たとえば、色素を含む感光性樹脂膜を塗布した後に、その感光性樹脂膜について、露光処理,現像処理を、順次、実施することによって、このカラーフィルタが形成される。
特開2006−222270号公報 特開2006−156799号公報
上記のように、フォトリソグラフィ技術によってカラーフィルタを形成する際においては、カラーフィルタを高精細にパターン加工する場合が困難な場合がある。このため、撮像画像の画像品質が低下する場合がある。
また、フォトリソグラフィ技術によってカラーフィルタを形成する際に残る感光性樹脂膜の残渣の影響によって、上記のような不具合が顕在化する場合がある。このような不具合は、主に、感光性樹脂膜を露光処理する際に、その下層にて露光光が反射することに起因する。
この他に、カラーフィルタと、その下方の光導波路との間の密着力が十分でないために、装置の信頼性が低下する場合がある。
このため、上記の不具合を改善するために、反射防止機能と密着機能とを付加する下地平坦化膜を、感光性樹脂膜の下層に設けることが考えられる。
しかしながら、下地平坦化膜を設ける場合には、製造工程が増加するため、製造効率が低下する場合がある。また、この下地平坦化膜に起因して、光電変換素子が受光する受光量が減少し、感度が低下する場合がある。
このため、上述した不具合を十分に改善することが困難な場合がある。
したがって、本発明は、撮像画像の画像品質を向上させることができ、また、製造効率を向上可能な、固体撮像装置、および、その製造方法、カメラを提供する。
本発明は、光を受光面で受光し、当該受光面にて受光した光を光電変換することによって信号電荷を生成する光電変換部を形成する光電変換部形成工程と、前記受光面へ光を導く光導波路を、前記受光面の上方に形成する光導波路形成工程と、光を着色し、当該着色した光が前記光導波路へ出射されるカラーフィルタを、前記光導波路の上方に形成するカラーフィルタ形成工程とを含み、前記カラーフィルタ形成工程においては、色素を含む感光性樹脂膜について露光処理を実施後に現像処理を実施することによって、前記カラーフィルタを形成し、前記光導波路形成工程においては、前記カラーフィルタ形成工程にて露光処理を実施する際に前記感光性樹脂膜に照射する露光光を、前記光導波路のコア部が吸収するように、当該コア部を形成する、固体撮像装置の製造方法である。
好適には、前記光導波路形成工程においては、前記露光光を吸収する色素を含むように、前記コア部を形成する。
好適には、前記光導波路形成工程においては、前記露光光を吸収する樹脂を含むように、前記コア部を形成する。
好適には、前記光導波路形成工程においては、前記樹脂は、共役二重結合を含む。
好適には、前記光導波路形成工程は、前記コア部にて前記カラーフィルタに対面する表面において、当該コア部を形成する樹脂が前記露光光を吸収するように、当該樹脂の共役二重結合を切断する表面処理を実施する表面処理工程を含む。
好適には、前記カラーフィルタと前記光導波路のコア部とを密着させる密着強化層を形成する密着強化層形成工程を、さらに含み、前記密着強化層形成工程は、前記光導波路形成工程と前記カラーフィルタ形成工程との間に実施され、当該密着強化層形成工程においては、前記カラーフィルタを形成する際に用いる樹脂を含むように、前記密着強化層を形成する。
本発明は、光を受光面で受光し、当該受光面にて受光した光を光電変換することによって信号電荷を生成する光電変換部を形成する光電変換部形成工程と、前記受光面へ光を導く光導波路を、前記受光面の上方に形成する光導波路形成工程と、光を着色し、当該着色した光が前記光導波路へ出射されるカラーフィルタを、前記光導波路の上方に形成するカラーフィルタ形成工程とを含み、前記カラーフィルタ形成工程においては、色素を含む感光性樹脂膜について露光処理を実施後に現像処理を実施することによって、前記カラーフィルタを形成し、前記光導波路形成工程においては、前記カラーフィルタ形成工程にて露光処理を実施する際に前記感光性樹脂膜に照射する露光光を、前記光導波路のコア部にて前記カラーフィルタに対面する表面において拡散反射するように、当該コア部の表面に凹凸を形成する表面処理を実施する固体撮像装置の製造方法である。
本発明は、光を受光面で受光し、当該受光面にて受光した光を光電変換することによって信号電荷を生成する光電変換部と、前記受光面へ光を導く光導波路と、光を着色し、当該着色した光が前記光導波路へ出射されるカラーフィルタとを含み、前記カラーフィルタは、色素を含む感光性樹脂膜について露光処理を実施後に現像処理を実施することによって形成され、前記光導波路は、前記カラーフィルタの形成にて露光処理を実施する際に感光性樹脂膜に照射する露光光を吸収する材料を用いて、コア部が形成されている固体撮像装置である。
本発明は、光を受光面で受光し、当該受光面にて受光した光を光電変換することによって信号電荷を生成する光電変換部と、前記受光面へ光を導く光導波路と、光を着色し、当該着色した光が前記光導波路へ出射されるカラーフィルタとを含み、前記カラーフィルタは、色素を含む感光性樹脂膜について露光処理を実施後に現像処理を実施することによって形成され、前記光導波路は、前記カラーフィルタの形成にて露光処理を実施する際に前記感光性樹脂膜に照射する露光光を、当該光導波路のコア部にて前記カラーフィルタに対面する表面において拡散反射するように、当該コア部の表面に、凹凸が形成されている固体撮像装置である。
本発明は、光を受光面で受光し、当該受光面にて受光した光を光電変換することによって信号電荷を生成する光電変換部と、前記受光面へ光を導く光導波路と、光を着色し、当該着色した光が前記光導波路へ出射されるカラーフィルタとを含み、前記カラーフィルタは、色素を含む感光性樹脂膜について露光処理を実施後に現像処理を実施することによって形成され、前記光導波路は、前記カラーフィルタの形成にて露光処理を実施する際に感光性樹脂膜に照射する露光光を吸収する材料を用いて、コア部が形成されているカメラである。
本発明は、光を受光面で受光し、当該受光面にて受光した光を光電変換することによって信号電荷を生成する光電変換部と、前記受光面へ光を導く光導波路と、光を着色し、当該着色した光が前記光導波路へ出射されるカラーフィルタとを含み、前記カラーフィルタは、色素を含む感光性樹脂膜について露光処理を実施後に現像処理を実施することによって形成され、前記光導波路は、前記カラーフィルタの形成にて露光処理を実施する際に前記感光性樹脂膜に照射する露光光を、当該光導波路のコア部にて前記カラーフィルタに対面する表面において拡散反射するように、当該コア部の表面に、凹凸が形成されているカメラである。
本発明によれば、カラーフィルタを形成する工程にて露光処理を実施する際に、感光性樹脂膜に照射する露光光を、光導波路のコア部が吸収または拡散反射するように、そのコア部を形成する。
本発明によれば、撮像画像の画像品質を向上させることができ、また、製造効率を向上可能な、固体撮像装置、および、その製造方法、カメラを提供することができる。
以下に、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。
<実施形態1>
[装置構成]
図1は、本発明にかかる実施形態1において、カメラ40の構成を示す構成図である。
図1に示すように、カメラ40は、固体撮像装置1と、光学系42と、駆動回路43と、信号処理回路44とを有する。各部について、順次、説明する。
固体撮像装置1は、光学系42を介して、被写体像による光を受光することによって、その被写体像による光を光電変換し、信号電荷を生成する。ここでは、固体撮像装置1は、駆動回路43から出力される駆動信号に基づいて、駆動する。具体的には、信号電荷が読み出されて、ローデータとして出力される。この固体撮像装置1の詳細内容については、後述する。
光学系42は、たとえば、光学レンズを含み、被写体像を固体撮像装置1の撮像面へ結像させる。
駆動回路43は、各種の駆動信号を固体撮像装置1と信号処理回路44とに出力し、固体撮像装置1と信号処理回路44とのそれぞれを駆動させる。
信号処理回路44は、固体撮像装置1から出力されたローデータについて信号処理を実施することによって、被写体像についてデジタル画像を生成する。
固体撮像装置1の全体構成について説明する。
図2は、本発明にかかる実施形態1において、固体撮像装置1の全体構成の概略を示す平面図である。
本実施形態の固体撮像装置1は、CMOS型イメージセンサであり、図2に示すように、基板101を含む。この基板101は、たとえば、シリコンからなる半導体基板であり、図2に示すように、基板101の面においては、撮像領域PAと、周辺領域SAとが設けられている。
この基板101の面において撮像領域PAは、図2に示すように、矩形形状であり、複数の画素Pがx方向とy方向とのそれぞれに、配置されている。つまり、画素Pがマトリクス状に並んでいる。そして、この撮像領域PAにおいては、その中心が、図1に示した光学系42の光軸に対応するように配置されている。
また、基板101の面において周辺領域SAは、図2に示すように、撮像領域PAの周囲に位置している。そして、この周辺領域SAにおいては、画素Pにおいて生成された信号電荷を処理する周辺回路が設けられている。
具体的には、図2に示すように、この周辺回路としては、垂直選択回路13と、カラム回路14と、水平選択回路15と、水平信号線16と、出力回路17と、タイミングジェネレータ(TG)18とが、設けられている。
垂直選択回路13は、たとえば、シフトレジスタを含み、画素Pを行単位で選択駆動する。
カラム回路14は、たとえば、S/H(サンプルホールド)回路およびCDS(Correlated Double Sampling;相関二重サンプリング)回路を含む。そして、カラム回路14は、列単位で画素Pから読み出した信号について信号処理を実施する。
水平選択回路15は、たとえば、シフトレジスタを含み、カラム回路14によって各画素Pから読み出した信号を、順次、選択して出力する。そして、水平選択回路15の選択駆動によって、順次、画素Pから読み出した信号を、水平信号線16を介して出力回路17に出力する。
出力回路17は、たとえば、デジタルアンプを含み、水平選択回路15によって出力された信号について、増幅処理などの信号処理が実施後、外部へ出力する。
タイミングジェネレータ18は、各種のタイミング信号を生成し、垂直選択回路13、カラム回路14、水平選択回路15に出力することで、各部について駆動制御を行う。
図3は、本発明にかかる実施形態1において、撮像領域PAにおいて設けられた画素Pの要部を示す回路図である。
撮像領域PAにおいて設けられた画素Pは、図3に示すように、フォトダイオード21と、転送トランジスタ22と、増幅トランジスタ23と、アドレストランジスタ24と、リセットトランジスタ25とを含む。つまり、フォトダイオード21と、このフォトダイオード21から信号電荷を読み出す動作を実施する画素トランジスタとが、設けられている。
画素Pにおいて、フォトダイオード21は、被写体像による光を受光し、その受光した光を光電変換することによって信号電荷を生成し蓄積する。フォトダイオード21は、図3に示すように、転送トランジスタ22を介して、増幅トランジスタ23のゲートに接続されている。そして、フォトダイオード21においては、増幅トランジスタ23のゲートに接続されているフローティングディフュージョンFDへ、その蓄積した信号電荷が、転送トランジスタ22によって出力信号として転送される。
画素Pにおいて、転送トランジスタ22は、図3に示すように、フォトダイオード21とフローティングディフュージョンFDとの間において介在するように設けられている。そして、転送トランジスタ22は、転送線26からゲートに転送パルスが与えられることによって、フォトダイオード21において蓄積された信号電荷を、フローティングディフュージョンFDに出力信号として転送する。
画素Pにおいて、増幅トランジスタ23は、図3に示すように、ゲートがフローティングディフュージョンFDに接続されており、フローティングディフュージョンFDを介して出力される出力信号を増幅する。ここでは、増幅トランジスタ23は、アドレストランジスタ24を介して垂直信号線27に接続され、撮像領域PA以外に設けられている定電流源Iとソースフォロアを構成している。このため、増幅トランジスタ23においては、アドレストランジスタ24にアドレス信号が供給されることによって、フローティングディフュージョンFDから出力された出力信号が増幅される。
画素Pにおいて、アドレストランジスタ24は、図3に示すように、アドレス信号が供給されるアドレス線28にゲートが接続されている。アドレストランジスタ24は、アドレス信号が供給された際にはオン状態になり、上記のように増幅トランジスタ23によって増幅された出力信号を、垂直信号線27に出力する。そして、その出力信号は、垂直信号線27を介して、上述したカラム回路14のS/H・CDS回路に出力される。
画素Pにおいて、リセットトランジスタ25は、図3に示すように、リセット信号が供給されるリセット線29にゲートが接続され、また、電源VddとフローティングディフュージョンFDとの間において介在するように接続されている。そして、リセットトランジスタ25は、リセット線29からリセット信号がゲートに供給された際に、フローティングディフュージョンFDの電位を、電源Vddの電位にリセットする。
上記のように画素を駆動する動作は、転送トランジスタ22と、アドレストランジスタ24と、リセットトランジスタ25との各ゲートが、水平方向に並ぶ複数の画素からなる行単位で接続されていることから、その行単位にて並ぶ複数の画素について同時に行われる。具体的には、上述した垂直選択回路13によって供給されるアドレス信号によって、水平ライン(画素行)単位で垂直方向に順次選択される。そして、タイミングジェネレータ18から出力される各種タイミング信号によって各画素のトランジスタが制御される。これにより、各画素における出力信号が垂直信号線27を通して画素列毎にカラム回路14のS/H・CDS回路に読み出される。
本実施形態にかかる固体撮像装置1の詳細内容について説明する。
図4は、本発明にかかる実施形態1において、固体撮像装置1の要部を示す断面図である。図4は、画素Pに対応する主要部の断面を示している。なお、撮像領域PAにおいては、上記したように、基板101上に、画素Pが配置されているが、主要部を除き、図示を省略している。
図4に示すように、固体撮像装置1においては、フォトダイオード21と、オンチップレンズ111と、光導波路コア部131と、カラーフィルタ301とが、画素Pに対応して形成されている。
各部について順次説明する。
フォトダイオード21は、図4に示すように、基板101の面に設けられている。フォトダイオード21は、光を受光面JSで受光し、その受光した光を光電変換することによって信号電荷を生成する。フォトダイオード21においては、図4に示すように、基板101の面において、この受光面JSに対して垂直なz方向に、オンチップレンズ111と、光導波路コア部131と、カラーフィルタ301とが配置されている。ここでは、受光面JSの側から、光導波路コア部131、カラーフィルタ301、オンチップレンズ111が、順次、配置されている。このため、本実施形態においては、フォトダイオード21は、この各部を介して、入射する光を、受光面JSで受光し、光電変換することによって信号電荷を生成する。そして、このフォトダイオード21に隣接するように、基板101上に、転送トランジスタ22が形成されている。
オンチップレンズ111は、いわゆるマイクロレンズであって、図4に示すように、基板101の面の上方に設けられており、入射した光を集光する。図4に示すように、基板101の面には、フォトダイオード21が設けられており、オンチップレンズ111は、光軸KJが、このフォトダイオード21の受光面JSの中心に対して垂直になるように配置されている。そして、オンチップレンズ111は、光軸KJの方向において、カラーフィルタ301と光導波路コア部131とを介在して、フォトダイオード21の受光面JSに対面している。このオンチップレンズ111は、フォトダイオード21の受光面JSから光導波路コア部131へ向かう方向にて、中心が縁よりも厚く形成されている。このため、オンチップレンズ111によって集光された光は、カラーフィルタ301と光導波路コア部131とを介在して、フォトダイオード21の受光面JSにおいて受光される。
光導波路コア部131は、図4に示すように、基板101の面の上方に設けられており、入射した光をフォトダイオード21の受光面JSへ導くように構成されている。図4に示すように、光導波路コア部131は、カラーフィルタ301と、フォトダイオード21の受光面JSとの間に介在しており、オンチップレンズ111とカラーフィルタ301とを、順次、介した光を、フォトダイオード21の受光面JSへ導く。
ここでは、光導波路コア部131は、図4に示すように、フォトダイオード21の受光面JSに沿った面の面積が、オンチップレンズ111からフォトダイオード21へ向かう方向にて小さくなる形状で形成されている。すなわち、光導波路コア部131は、テーパー状に形成されている。
この光導波路コア部131は、図4に示すように、側面および底面が、クラッドとして機能する層間絶縁膜Szで囲われている。そして、図4に示すように、光導波路コア部131の側面部分に位置する層間絶縁膜Szの内部には、複数の配線Hが設けられている。たとえば、層間絶縁膜Szに配線用の溝を形成し、その溝の表面にバリアメタル層BMの形成した後に、その溝を、銅などの導電材料で埋めることで、配線Hを形成する。そして、配線Hを構成する銅の拡散を防止するために、複数の層間絶縁膜Szの層間に、拡散防止層KBが形成されている。
本実施形態においては、光導波路コア部131は、図4に示すように、第1のコア部131aと、第2のコア部131bとを含む。
光導波路コア部131において、第1のコア部131aは、図4に示すように、各層間絶縁膜Szの一部を除去して形成された孔Kの表面、および、複数の層間絶縁膜Szの最上面上に形成されている。この第1のコア部131aは、パッシベーション膜として機能する。ここでは、第1のコア部131aは、クラッドとして機能する各層間絶縁膜Szよりも屈折率が高い光学材料にて形成されている。また、第1のコア部131aは、その内部に設けられている第2のコア部131bよりも屈折率が高い光学材料にて形成されている。たとえば、層間絶縁膜Szがシリコン酸化膜によって形成されている。そして、第1のコア部131aは、プラズマCVD法によってシリコン窒化(SiN)膜を成膜することで、各層間絶縁膜Szよりも屈折率が高くなるように形成される。この他に、プラズマCVD法によって成膜されたプラズマSiON膜、フォトレジスト膜、酸化チタン膜によって形成することが好適である。
光導波路コア部131において、第2のコア部131bは、図4に示すように、埋め込み層であって、第1のコア部131aの内部に埋め込まれている。この第2のコア部131bは、各層間絶縁膜Szの一部を除去して形成された孔Kに、第1のコア部131aを介在して、光学材料を埋め込んで形成される。ここでは、第2のコア部131bは、図4に示すように、オンチップレンズ111の光軸KJに対応しており、オンチップレンズ111の光軸KJが中心を貫いている。また、第2のコア部131bは、層間絶縁膜Szの最上面の上にて、第1のコア部131aを介在して設けられており、表面を平坦化している。この第2のコア部131bは、第1のコア部131aよりも屈折率が小さい光学材料を用いて形成されている。たとえば、第2のコア部131bは、スピンコート法によってアクリル系樹脂を成膜することで形成される。この他に、ポリイミド樹脂、Si膜、DLC(Diamond Like Carbon)膜、ポリシロキサン樹脂膜を用いて形成することが好適である。
詳細については後述するが、この第2のコア部131bは、カラーフィルタ301の形成にて露光処理を実施する際に感光性樹脂膜に照射する露光光を吸収する色素を含むように形成されている。
カラーフィルタ301は、図4に示すように、基板101の面の上方にて受光面JSに対面して配置されている。カラーフィルタ301は、図4に示すように、光導波路コア部131を構成する第2のコア部131bの上に形成されており、被写体像による光を受けた後、この光が着色されて、その着色した光が第2のコア部131bへ出射される。詳細については後述するが、このカラーフィルタ301は、色素を含む感光性樹脂膜について露光処理を実施後に現像処理を実施することによって形成される。たとえば、第2のコア部131bと同様に、アクリル系樹脂を、感光性樹脂として用いて、カラーフィルタ301を形成する。カラーフィルタ301と、第2のコア部131bとが、同様にアクリル系樹脂を用いて形成されているため、両者は、好適に密着して形成される。
本実施形態においては、図4に示すように、カラーフィルタ301は、グリーンフィルタ層301Gと、レッドフィルタ層301Rと、ブルーフィルタ層301Bとを含む。
カラーフィルタ301において、グリーンフィルタ層301Gは、緑色に対応する波長帯域において高い光透過率になるように形成されており、被写体像による光が緑色光として透過される。つまり、グリーンフィルタ層301Gは、被写体像による光を分光することによって、その光を緑色に着色する。ここでは、グリーンフィルタ層301Gは、図4に示すように、オンチップレンズ111の光軸KJの方向において、光導波路コア部131を介在して、フォトダイオード21の受光面JSに対面するように配置されている。このグリーンフィルタ層301Gは、たとえば、緑色の着色顔料と感光性樹脂とを含む塗布液を、スピンコート法などのコーティング方法によって塗布して塗膜を形成後、リソグラフィ技術によって、その塗膜をパターン加工して形成される。
カラーフィルタ301において、レッドフィルタ層301Rは、赤色に対応する波長帯域において高い光透過率になるように形成されており、被写体像による光が赤色光として透過される。つまり、レッドフィルタ層301Rは、被写体像による光を分光することによって、その光を赤色に着色する。図4においては図示を省略しているが、グリーンフィルタ層301Gの部分と同様に、レッドフィルタ層301Rの部分においても、フォトダイオード21と、オンチップレンズ111と、光導波路コア部131とが設けられている。すなわち、レッドフィルタ層301Rは、グリーンフィルタ層301Gと同様に、オンチップレンズ111の光軸KJの方向において、光導波路コア部131を介在して、フォトダイオード21の受光面JSに対面するように配置されている。このレッドフィルタ層301Rは、たとえば、赤色の着色顔料と感光性樹脂とを含む塗布液を、スピンコート法などのコーティング方法によって塗布して塗膜を形成後、リソグラフィ技術によって、その塗膜をパターン加工して形成される。
カラーフィルタ301において、ブルーフィルタ層301Bは、青色に対応する波長帯域において高い光透過率になるように形成されており、被写体像による光が青色光として透過される。つまり、ブルーフィルタ層301Bは、被写体像による光を分光することによって、その光を青色に着色する。図4においては図示を省略しているが、グリーンフィルタ層301Gの部分と同様に、ブルーフィルタ層301Bの部分においても、フォトダイオード21と、オンチップレンズ111と、光導波路コア部131とが設けられている。すなわち、ブルーフィルタ層301Bは、グリーンフィルタ層301Gと同様に、オンチップレンズ111の光軸KJの方向において、光導波路コア部131を介在して、フォトダイオード21の受光面JSに対面するように配置されている。このブルーフィルタ層301Bは、たとえば、青色の着色顔料と感光性樹脂とを含む塗布液を、スピンコート法などのコーティング方法によって塗布して塗膜を形成後、リソグラフィ技術によって、その塗膜をパターン加工して形成される。
なお、図示していないが、上記のレッドフィルタ層301Rとグリーンフィルタ層301Gとブルーフィルタ層301Bとのそれぞれは、基板101の面に対応する面において、たとえば、ベイヤー配列で並ぶように配置されている。
[製造方法]
以下より、上記の固体撮像装置1を製造する製造方法について説明する。
図5から図9は、本発明にかかる実施形態1において、固体撮像装置1を製造する方法の各工程にて設けられた要部を示す断面図である。
まず、図5に示すように、フォトダイオード21と、層間絶縁膜Szとの形成が行われる。
たとえば、p型シリコン基板である基板101にn型不純物をイオン注入することで、フォトダイオード21が形成される。
そして、転送トランジスタ22など、画素Pを構成する各部が形成される。
その後、この基板101の面において、フォトダイオード21を被覆するように複数の層間絶縁膜Szが形成される。たとえば、CVD法によって、酸化シリコン膜を成膜することによって、各層間絶縁膜Szが形成される。
この複数の層間絶縁膜Szの形成においては、層間絶縁膜Szの間に、たとえば、ダマシンプロセスによって、配線Hを形成する。
ここでは、層間絶縁膜Szに配線用の溝を形成し、その溝の表面にバリアメタル層BMの形成した後に、そのバリアメタル層BMが形成された溝を導電材料で埋めることで、配線Hを形成する。たとえば、スパッタリング法によって、タンタル膜と窒化タンタル膜とを順次積層させてバリアメタル層BMを形成する。そして、たとえば、銅のシード層(図示なし)を形成後に電界メッキ処理の実施によって銅膜を成膜し、CMP処理の実施にて表面を平坦化することによって、この配線Hを形成する。
そして、配線Hを構成する銅の拡散を防止するために、複数の層間絶縁膜Szの層間に、拡散防止層KBを形成する。たとえば、配線Hの上層になるように、CVD法によって炭化シリコン膜を成膜することによって、この拡散防止層KBを形成する。
つぎに、図6に示すように、孔Kを形成する。
ここでは、層間絶縁膜Szの一部をエッチング処理にて除去することで、孔Kを形成する。
具体的には、図6に示すように、複数の層間絶縁膜Sz等においてフォトダイオード21の受光面JSの中心部分に対応する部分についてエッチングする。本実施形態においては、孔Kにおいて受光面JSに沿った面が、受光面JSから上方へ向かうに伴って、順次、大きな面積になるように、この孔Kを形成する。つまり、孔Kの側面が受光面JSに垂直なz方向に対して傾斜するように、孔Kがテーパー状に形成される。たとえば、ドライエッチング処理などの異方性のエッチング処理を実施することで、この孔Kを形成する。
つぎに、図7に示すように、第1のコア部131aを形成する。
ここでは、上記にて形成された孔Kの表面に、第1のコア部131aを形成する。たとえば、プラズマCVD法によってシリコン窒化(SiN)膜を、その孔Kの表面を被覆するように成膜することで、この第1のコア部131aを形成する。
具体的には、たとえば、0.5μmの膜厚で、孔Kの表面を被覆するように、この第1のコア部131aを形成する。
つぎに、図8に示すように、第2のコア部131bを形成する。
ここでは、上記のように、孔Kの表面に第1のコア部131aを成膜後に、その孔Kに光学材料で埋め込むことで、第2のコア部131bを形成する。たとえば、スピンコート法によって、アクリル樹脂膜を成膜することで、この第2のコア部131bを形成する。
本実施形態においては、カラーフィルタ301の形成にて露光処理を実施する際に感光性樹脂膜に照射する露光光を吸収する材料を含むように、第2のコア部131bを形成する。
たとえば、上記の露光光を吸収する色素を含むように、この第2のコア部131bを形成する。
具体的には、後述するように、カラーフィルタ301の形成の際に行う露光処理の際には、感光性樹脂膜に照射する露光光として、i線を用いる。つまり、i線をフォトマスクに照射して、マスクパターン像を感光性樹脂膜に転写する。このため、第2のコア部131bの形成においては、このi線を多く吸収する色素を含有させる。たとえば、波長が350nm以下の光を吸収するように、第2のコア部131bを形成する。
これにより、露光処理時に露光光が反射することを防止できるので、カラーフィルタ301を高精細にパターン加工して、形成することができる。ここでは、フォトダイオード21で受光する中心波長の光よりも、露光光であるi線(波長370nm)を多く吸収する色素を、第2のコア部131bに含有させることが好適である。つまり、カラーフィルタ301を透過した光の中心波長における透過率が、i線の透過率よりも高い色素を用いることが好適である。
図10は、本発明にかかる実施形態1において、第2のコア部131bに含有させる色素の例を示す図である。図10においては、左側に、色素の化学式を示しており、右側に、光の波長と透過率との関係を示すグラフを示している。
具体的には、(a)に示すようなフタロシアニン系の色素、(b)に示すようなトリアリルメタン系の色素、(c)のようなキサンテン系の色素を用いることができる。各色素については、適宜、添加量を調整することで、i線の吸収をさせてカラーフィルタ301を高精細にパターン加工できると共に、可視光の吸収を低減させて、効率的にフォトダイオード21が、可視光を受光可能にすることができる。
上記のようにして、第1のコア部131aと第2のコア部131bとからなる光導波路コア部131を形成する。
つぎに、図9に示すように、カラーフィルタ301を形成する。
ここでは、色素と感光性樹脂とを含む塗布液を、スピンコート法によって塗布して塗膜を形成後、リソグラフィ技術によって、その塗膜をパターン加工することで、カラーフィルタ301を構成する各色のフィルタ層を、順次、形成する。
具体的には、露光光として、i線を、フォトマスクに照射して、マスクパターン像を、その成膜後の感光性樹脂膜に転写することによって、露光処理を実施する。その後、露光処理された感光性樹脂膜について、現像処理を実施する。この各処理を、各色ごとに実施する。これにより、グリーンフィルタ層301Gと、レッドフィルタ層301Rと、ブルーフィルタ層301Bとを、順次、設けて、カラーフィルタ301を形成する。
この後、図4に示すように、オンチップレンズ111を形成して、固体撮像装置1を完成させる。
以上のように、本実施形態は、光導波路コア部131の形成工程においては、カラーフィルタ301の形成工程にて露光処理を実施する際に、感光性樹脂膜に照射する露光光を、光導波路の第2のコア部131bが吸収するように形成している。ここでは、その露光光を吸収する色素を含むように、第2のコア部131bを形成している。
図11は、本発明にかかる実施形態1において形成されたカラーフィルタ301の一部を示す図である。図11において、(a)は、本実施形態において形成したカラーフィルタ301のSEM写真である。一方、(b)は、本実施形態に対して、露光光を吸収する色素をコア部131bに含有させずに形成したカラーフィルタ301のSEM写真である。
図11に示すように、(a)は、(b)の場合と比較して、カラーフィルタ301が、高精度に形成されており、また、感光性樹脂膜の残渣についても、減少している。
第2のコア部131bにおいては、色素が露光光を吸収し、露光光が、第2のコア部131bによって感光性樹脂膜へ反射することを防止している。
具体的には、本実施形態において形成したカラーフィルタ301の反射率は、以下であった。
・グリーンフィルタ層301Gの反射率:4.8%
・レッドフィルタ層301Rの反射率:2.9%
・ブルーフィルタ層301Bの反射率:12.6%
これに対して、露光光を吸収する色素を第2のコア部131bに含有させずに形成したカラーフィルタ301の場合には、反射率は、以下であった。
・グリーンフィルタ層301Gの反射率:6.6%
・レッドフィルタ層301Rの反射率:8.5%
・ブルーフィルタ層301Bの反射率:16.2%
さらに、第2のコア部131bの表面における反射率は、27%であった。これに対して、第2のコア部131bにおいて、露光光を吸収する色素を第2のコア部131bに含有させない場合には、その表面の反射率が、31%であった。
したがって、本実施形態においては、上記のように第2のコア部131bでの反射率を低下させることができるため、カラーフィルタを高精度にパターン加工することが可能であって、感光性樹脂膜の残渣を減少できるので、撮像画像の画像品質を向上させることができる。
また、本実施形態においては、下地平坦化膜を、別途、感光性樹脂膜の下層に設ける工程がない。このため、本実施形態においては、製造工程の増加を防止できるので、製造効率が低下することを防止できる。
さらに、下地平坦化膜がないために、下地平坦化膜に起因して、フォトダイオード21が受光する受光量が減少し、感度が低下する不具合の発生を防止することができる。
図12は、本発明にかかる実施形態1において、下地平坦化膜の有無における結果を示す図である。図12においては、グリーンフィルタ層(GRN),レッドフィルタ層(RED),ブルーフィルタ層(BLU)とのそれぞれを介して入射する平行光を、フォトダイオードが受光する感度を示している。ここでは、下地平坦化膜を設けた場合の感度を、「1」として、下地平坦化膜を設けない本実施形態の場合の感度を示している。
図12に示すように、下地平坦化膜を設けない本実施形態の方が、界面反射の影響が小さくなるために、高い受光感度を得ることができる。具体的には、グリーンフィルタ層(GRN)を介して入射する光に対する感度は、約2.3%、向上する。また、レッドフィルタ層(RED)を介して入射する光に対する感度は、約4%、向上する。また、ブルーフィルタ層(BLU)を介して入射する光に対する感度は、約0.9%、向上する。
なお、上記の実施形態においては、カラーフィルタ301の形成にて露光処理を実施する際に感光性樹脂膜に照射する露光光を吸収する色素を含むように、第2のコア部131bを形成しているが、これに限定されない。たとえば、第1のコア部131aと第2のコア部131bとの両者に、上記の色素を含有させてもよい。また、第1のコア部131aのみに、上記の色素を含有させてもよい。
<実施形態2>
図13は、本発明にかかる実施形態2において、固体撮像装置1bの要部を示す断面図である。図13は、図4の場合と同様に、画素Pの断面を示している。
図13に示すように、本実施形態においては、固体撮像装置1bは、実施形態1の固体撮像装置1と異なり、密着強化層121を、さらに有する。また、第2のコア部131bが、ポリイミド樹脂を用いて形成されている。この点を除き、本実施形態は、実施形態1と同様である。このため、重複する部分については、記載を省略する。
密着強化層121は、図13は、カラーフィルタ301と、第2のコア部131bとの間に設けられており、カラーフィルタ301と、第2のコア部131bとを密着させている。
この密着強化層121は、カラーフィルタ301を形成する際に用いた樹脂と同じ樹脂を含むように形成されている。この密着強化層121は、第2のコア部131bの形成工程と、カラーフィルタ301の形成工程との間において、たとえば、スピンコート法によって、上記の樹脂を含む塗布液を塗布し、乾燥させることで形成される。そして、密着強化層121は、第2のコア部131bの表面に設けられており、第2のコア部131bの色素等によって生ずる、微小な表面の凹凸を被覆して、平坦化している。
上記のように、第2のコア部131bが、カラーフィルタ301を構成するアクリル系樹脂と異なるポリイミド樹脂によって形成されている場合には、第2のコア部131bとカラーフィルタ301とにおいては、互いの密着性が十分でない場合がある。しかし、本実施形態では、カラーフィルタ301を形成する際に用いた樹脂と同じ樹脂を含む密着強化層121が、両者の間に介在している。また、密着強化層121が、第2のコア部131bの表面を平坦化している。このため、本実施形態は、カラーフィルタ301と、第2のコア部131bとを、好適に密着させることができる。
なお、密着強化層121は、上記の他に、さまざまな樹脂材料を用いて形成することができる。たとえば、カラーフィルタ301がアクリル系樹脂で形成され、第2のコア部131bがポリシロキサンで形成されている場合には、密着強化層121を、エポキシ基を含む、アクリル系樹脂で形成することが好適である。具体的には、ベンジルメタクリレートのようなメタクリル酸エステル共重合体、ジオールと酸二無水物との付加重合体である。ジオールと酸二無水物との付加重合体としては、エポキシアクリレートのようなジオール成分と、酸ニ無水物とを付加重合したハーフエステル構造を主鎖としているもの等を用いることができる。
<実施形態3>
本実施形態は、第2のコア部131bを形成する工程の一部が、実施形態1と異なっている。この点を除き、本実施形態は、実施形態1と同様である。このため、重複する部分については、記載を省略する。
本実施形態において、第2のコア部131bを形成する際には、実施形態1の場合と異なり、カラーフィルタ301の形成工程にて露光処理を実施する際に感光性樹脂膜に照射する露光光を吸収する色素を含めずに、第2のコア部131bを形成する。そして、その第2のコア部131bの表面において、その露光光が拡散反射するように、その表面に凹凸を形成する。
具体的には、実施形態1において図7に示したように、孔Kの表面に第1のコア部131aを成膜する。
つぎに、実施形態1において図8に示したように、その孔Kに光学材料で埋め込むことで、第2のコア部131bを形成する。たとえば、スピンコート法によって、色素を含有しないアクリル樹脂膜を成膜することで、この第2のコア部131bを形成する。
つぎに、第2のコア部131bの表面について、表面処理を実施する。
ここでは、後工程であるカラーフィルタ301の形成工程にて露光処理を実施する際に感光性樹脂膜に照射する露光光を、第2のコア部131bの表面が拡散反射するように、その表面に凹凸を形成する。
具体的には、第2のコア部131bの表面について灰化するアッシング処理を、表面処理として実施することで、第2のコア部131bの表面に凹凸を形成する。
たとえば、酸素プラズマにて、このアッシング処理を実施する。具体的には、ガス種がOであって、その流量を100sccmとし、圧力が1.0Paであって、RFパワーが、100Wの条件の下で、アッシング処理をする。これにより、中心線表面粗さ(Ra)が、0.317nmであって、二乗平均粗さ(RMS)が、0.424nmである表面を、第2のコア部131bに形成することができた。
本実施形態の第2のコア部131bにおいては、露光光が、第2のコア部131bによって感光性樹脂膜へ反射することを防止している。
具体的には、本実施形態において形成したカラーフィルタ301の反射率は、以下であった。
・グリーンフィルタ層301Gの反射率:4.9%
・レッドフィルタ層301Rの反射率:3.0%
・ブルーフィルタ層301Bの反射率:11.4%
これに対して、本実施形態と異なり、第2のコア部131bの表面についてアッシング処理を実施せずに、凹凸を形成しなかった場合には、反射率は、以下であった。
・グリーンフィルタ層301Gの反射率:6.6%
・レッドフィルタ層301Rの反射率:8.5%
・ブルーフィルタ層301Bの反射率:16.2%
これは、アッシング処理によって凹凸を形成した場合の方が、アッシング処理無しの場合よりも、第2のコア部131bの表面の反射率が低いために、カラーフィルタ301の反射率も低くなっている。
このため、本実施形態においては、カラーフィルタを高精度にパターン加工することが可能であって、感光性樹脂膜の残渣を減少できるので、撮像画像の画像品質を向上させることができる。
上記の表面処理の実施においては、中心線表面粗さ(Ra)が、たとえば、0.4nm以上、0.8nm以下になるように、第2のコア部131bの表面を形成する(RMSについては、0.7〜1.1nm)。上記の範囲の上限以下であれば、第2のコア部131bの光透過率が低下する不具合の発生を防止できる。具体的には、Raが、0.8nmを超えた場合には、波長400nmの光の光透過率(60nm換算)は、97%であるのに対して、Raが、0.3〜0.5nm程度であるときには、その光透過率は、100%であるため、特に、好適である。
以上のように、本実施形態においては、第2のコア部131bの表面に凹凸を形成している。ここでは、カラーフィルタ301の形成工程にて露光処理を実施する際に感光性樹脂膜に照射する露光光が、第2のコア部131bの表面において、拡散反射されるように、その凹凸を形成している。このため、本実施形態においては、上記の露光光が第2のコア部131bにて反射された反射光が、感光性樹脂膜へ与える影響が減少する。
したがって、本実施形態においては、実施形態1の場合と同様に、カラーフィルタを高精度にパターン加工することが可能であって、感光性樹脂膜の残渣を減少できるので、撮像画像の画像品質を向上させることができる。
なお、本実施形態においては、表面処理を実施することで、第2のコア部131bの表面を変質させているが、これに限定されない。たとえば、第2のコア部131bの表面だけでなく、その内部を含む全体を変質させてもよい。
また、第2のコア部131bの表面に凹凸を形成する際には、上記の他に、CFをガス種として用いて、エッチング処理を実施することができる。
また、第2のコア部131bについてイオン注入処理を実施することで、第2のコア部131bの表面について、表面処理を実施しても良い。この場合には、たとえば、加速エネルギーが80〜140KeVの下において、不純物濃度が、1×1013〜1×1014/cmになるように、PやNについてイオン注入処理を行う。
<実施形態4>
本実施形態では、第2のコア部131bを形成する工程の一部が、実施形態1と異なっている。この点を除き、本実施形態は、実施形態1と同様である。このため、重複する部分については、記載を省略する。
本実施形態において、第2のコア部131bを形成する際には、実施形態1の場合と異なり、カラーフィルタ301の形成工程にて露光処理を実施する際に感光性樹脂膜に照射する露光光を吸収する色素を、第2のコア部131bが含まないように形成する。
そして、本実施形態においては、カラーフィルタ301の形成工程にて露光処理を実施する際に感光性樹脂膜に照射する露光光を吸収する樹脂を、第2のコア部131bが含むように、第2のコア部131bを形成する。
ここでは、共役二重結合を含む樹脂を用いて、第2のコア部131bを形成する。
具体的には、実施形態1において図7に示したように、孔Kの表面に第1のコア部131aを成膜する。
つぎに、実施形態1において図8に示したように、その孔Kに光学材料で埋め込むことで、第2のコア部131bを形成する。たとえば、スピンコート法によって、共役二重結合を含む樹脂を成膜することで、この第2のコア部131bを形成する。
具体的には、共役二重結合を含む樹脂としては、ポリエン(polyene)[H−(CH=CH)−H]や、ポリアセン(poryacene)を含む樹脂を用いることができる。たとえば、ポリエンや、ポリアセンを含む、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリシロキサン樹脂を用いる。
ここでは、フォトダイオード21で受光する中心波長の可視光よりも、i線(波長365nm)等のように、露光光として用いる紫外線を多く吸収する樹脂を用いて、第2のコア部131bを形成することが好適である。
このため、本実施形態では、下記のポリエンを用いることが好適である(http://www.ecosci.jp/color/mol_color1.htmlを参照)。
・1,3−Butadiene(吸収波長λmax=217nm)
・1,3,5-Hexatriene(吸収波長λmax=268nm)
・1,3,5,7-octatertaene(吸収波長λmax=304nm)
・1,3,5,7,9-decapentaene(吸収波長λmax=334nm)
・1,3,5,7,9,11-dodecahexaene(吸収波長λmax=364nm)
また、同様な理由で、下記のポリアセンを用いることが好適である。
・Benzene(吸収波長λmax=203nm)
・Naphthalene(吸収波長λmax=314nm)
・Anthracene(吸収波長λmax=370nm)
以上のように、本実施形態においては、カラーフィルタ301の形成工程にて露光処理を実施する際に、感光性樹脂膜に照射する露光光を、光導波路の第2のコア部131bが吸収するように形成している。ここでは、その露光光を吸収する樹脂を含むように、第2のコア部131bを形成している。
したがって、本実施形態においては、実施形態1の場合と同様に、カラーフィルタを高精度にパターン加工することが可能であって、感光性樹脂膜の残渣を減少できるので、撮像画像の画像品質を向上させることができる。
なお、本実施形態においては、実施形態2の場合と同様に、密着強化層を、さらに設けても良い。
また、本実施形態においては、表面処理を実施することで、第2のコア部131bの表面を変質させているが、これに限定されない。たとえば、第2のコア部131bの表面だけでなく、その内部を含む全体を変質させてもよい。
また、下記のポリエン[H−(CH=CH)−H]や、ポリアセンのように、可視光線よりもi線の吸収が低い共役二重結合を含む樹脂を用いて、第2のコア部131bを形成する場合は、第2のコア部131bについて表面処理を実施することが好適である。
・1,3,5,7,9,11,13-tetradecaheptaene(吸収波長λmax=390nm)
・1,3,5,7,9,11,13,15-hexadecaoctaene(吸収波長λmax=410nm)
・1,3,5,7,9,11,13,15,17,19-icosadecaene (吸収波長λmax=422nm)
・Naphthacene(吸収波長λmax=460nm)
この表面処理においては、後工程であるカラーフィルタ301の形成工程にて露光処理を実施する際に感光性樹脂膜に照射する露光光を、第2のコア部131bを構成する樹脂が吸収するように、第2のコア部131bについて、表面処理を実施する。
この表面処理においては、共役二重結合を含む樹脂が、上記の露光光を吸収するように、その樹脂の共役二重結合を切断する。
具体的には、第2のコア部131bの表面についてアッシング処理を実施することで、この表面処理を実施する。たとえば、酸素プラズマにて、このアッシング処理を実施する。
また、第2のコア部131bにイオンを注入するイオン注入処理を実施することで、第2のコア部131bの表面について、表面処理を実施しても良い。
このように、上記の表面処理の実施にて、上記の樹脂に含まれる共役二重結合を切断することによって、露光光として用いるi線を多く吸収するように、樹脂を変質させてもよい。
本発明の実施に際しては、上記した実施形態に限定されるものではなく、種々の変形例を採用することができる。
上記の実施形態においては、CMOSイメージセンサに適用する場合について説明したが、これに限定されない。たとえば、CCDイメージセンサについて、適用可能である。
なお、上記の実施形態において、固体撮像装置1は、本発明の固体撮像装置に相当する。また、上記の実施形態において、フォトダイオード21は、本発明の光電変換部に相当する。また、上記の実施形態において、密着強化層121は、本発明の密着強化層に相当する。また、上記の実施形態において、光導波路コア部131は、本発明の光導波路コア部に相当する。また、上記の実施形態において、カラーフィルタ301は、本発明のカラーフィルタに相当する。また、上記の実施形態において、受光面JSは、本発明の受光面に相当する。
図1は、本発明にかかる実施形態1において、カメラの構成を示す構成図である。 図2は、本発明にかかる実施形態1において、固体撮像装置の全体構成の概略を示す平面図である。 図3は、本発明にかかる実施形態1において、撮像領域において設けられた画素Pの要部を示す回路図である。 図4は、本発明にかかる実施形態1において、固体撮像装置の要部を示す断面図である。 図5は、本発明にかかる実施形態において、固体撮像装置を製造する方法の各工程にて設けられた要部を示す断面図である。 図6は、本発明にかかる実施形態において、固体撮像装置を製造する方法の各工程にて設けられた要部を示す断面図である。 図7は、本発明にかかる実施形態において、固体撮像装置を製造する方法の各工程にて設けられた要部を示す断面図である。 図8は、本発明にかかる実施形態において、固体撮像装置を製造する方法の各工程にて設けられた要部を示す断面図である。 図9は、本発明にかかる実施形態において、固体撮像装置を製造する方法の各工程にて設けられた要部を示す断面図である。 図10は、本発明にかかる実施形態1において、第2のコア部131bに含有させる色素の例を示す図である。 図11は、本発明にかかる実施形態1において形成されたカラーフィルタの一部を示す図である。 図12は、本発明にかかる実施形態1において、下地平坦化膜の有無における結果を示す図である。 図13は、本発明にかかる実施形態2において、固体撮像装置の要部を示す断面図である。
符号の説明
1,1b:固体撮像装置,13:垂直選択回路,14:カラム回路,15:水平選択回路,16:水平信号線,17:出力回路,18:タイミングジェネレータ,21:フォトダイオード,22:転送トランジスタ,23:増幅トランジスタ,24:アドレストランジスタ,25:リセットトランジスタ,26:転送線,27:垂直信号線,28:アドレス線,29:リセット線,40:カメラ,42:光学系,43:駆動回路,44:信号処理回路,101:基板,111:オンチップレンズ,121:密着強化層,131:光導波路コア部,131a:第1のコア部,131b:第2のコア部,301:カラーフィルタ,JS:受光面,K:孔

Claims (12)

  1. 光を受光面で受光し、当該受光面にて受光した光を光電変換することによって信号電荷を生成する光電変換部を、基板に形成する光電変換部形成工程と、
    前記受光面へ光を導く光導波路を、前記受光面の上方に形成する光導波路形成工程と、
    光を着色し、当該着色した光が前記光導波路へ出射されるカラーフィルタを、前記光導波路の上方に形成するカラーフィルタ形成工程と
    を含み、
    前記カラーフィルタ形成工程においては、着色剤を含む感光性樹脂膜について露光処理を実施後に現像処理を実施することによって、前記感光性樹脂膜から前記カラーフィルタを形成し、
    前記光導波路形成工程においては、前記カラーフィルタ形成工程にて露光処理を実施する際に前記感光性樹脂膜に照射する露光光を、前記光導波路のコア部が吸収するように、当該コア部を形成する、
    固体撮像装置の製造方法。
  2. 前記光導波路形成工程においては、前記露光光を吸収する色素を含むように、前記コア部を形成する、
    請求項1に記載の固体撮像装置の製造方法。
  3. 前記光導波路形成工程においては、前記露光光を吸収する樹脂を含むように、前記コア部を形成する、
    請求項1に記載の固体撮像装置の製造方法。
  4. 前記光導波路形成工程においては、前記樹脂は、共役二重結合を含む、
    請求項3に記載の固体撮像装置の製造方法。
  5. 前記光導波路形成工程は、
    前記コア部にて前記カラーフィルタに対面する表面において、当該コア部を形成する樹脂が前記露光光を吸収するように、当該樹脂の共役二重結合を切断する表面処理を実施する表面処理工程
    を含む、
    請求項4に記載の固体撮像装置の製造方法。
  6. 前記カラーフィルタと前記光導波路のコア部とを密着させる密着強化層を形成する密着強化層形成工程
    を、さらに含み、
    前記密着強化層形成工程は、前記光導波路形成工程と前記カラーフィルタ形成工程との間に実施される、
    請求項1から5のいずれかに記載の固体撮像装置の製造方法。
  7. 前記密着強化層形成工程においては、前記カラーフィルタを形成する際に用いる樹脂を含むように、前記密着強化層を形成する、
    請求項6に記載の固体撮像装置の製造方法。
  8. 光を受光面で受光し、当該受光面にて受光した光を光電変換することによって信号電荷を生成する光電変換部を、基板に形成する光電変換部形成工程と、
    前記受光面へ光を導く光導波路を、前記受光面の上方に形成する光導波路形成工程と、
    光を着色し、当該着色した光が前記光導波路へ出射されるカラーフィルタを、前記光導波路の上方に形成するカラーフィルタ形成工程と
    を含み、
    前記カラーフィルタ形成工程においては、色素を含む感光性樹脂膜について露光処理を実施後に現像処理を実施することによって、前記感光性樹脂膜から前記カラーフィルタを形成し、
    前記光導波路形成工程においては、前記カラーフィルタ形成工程にて露光処理を実施する際に前記感光性樹脂膜に照射する露光光を、前記光導波路のコア部にて前記カラーフィルタに対面する表面において拡散反射するように、当該コア部の表面に凹凸を形成する表面処理を実施する
    固体撮像装置の製造方法。
  9. 光を受光面で受光し、当該受光面にて受光した光を光電変換することによって信号電荷を生成する光電変換部と、
    前記受光面へ光を導く光導波路と、
    光を着色し、当該着色した光が前記光導波路へ出射されるカラーフィルタと
    を含み、
    前記カラーフィルタは、色素を含む感光性樹脂膜について露光処理を実施後に現像処理を実施することによって形成され、
    前記光導波路は、前記カラーフィルタの形成にて露光処理を実施する際に感光性樹脂膜に照射する露光光を吸収する材料を用いて、コア部が形成されている
    固体撮像装置。
  10. 光を受光面で受光し、当該受光面にて受光した光を光電変換することによって信号電荷を生成する光電変換部と、
    前記受光面へ光を導く光導波路、
    光を着色し、当該着色した光が前記光導波路へ出射されるカラーフィルタと
    を含み、
    前記カラーフィルタは、色素を含む感光性樹脂膜について露光処理を実施後に現像処理を実施することによって形成され、
    前記光導波路は、前記カラーフィルタの形成にて露光処理を実施する際に前記感光性樹脂膜に照射する露光光を、当該光導波路のコア部にて前記カラーフィルタに対面する表面において拡散反射するように、当該コア部の表面に、凹凸が形成されている
    固体撮像装置。
  11. 光を受光面で受光し、当該受光面にて受光した光を光電変換することによって信号電荷を生成する光電変換部と、
    前記受光面へ光を導く光導波路と、
    光を着色し、当該着色した光が前記光導波路へ出射されるカラーフィルタと
    を含み、
    前記カラーフィルタは、色素を含む感光性樹脂膜について露光処理を実施後に現像処理を実施することによって形成され、
    前記光導波路は、前記カラーフィルタの形成にて露光処理を実施する際に感光性樹脂膜に照射する露光光を吸収する材料を用いて、コア部が形成されている
    カメラ。
  12. 光を受光面で受光し、当該受光面にて受光した光を光電変換することによって信号電荷を生成する光電変換部と、
    前記受光面へ光を導く光導波路と、
    光を着色し、当該着色した光が前記光導波路へ出射されるカラーフィルタと
    を含み、
    前記カラーフィルタは、色素を含む感光性樹脂膜について露光処理を実施後に現像処理を実施することによって形成され、
    前記光導波路は、前記カラーフィルタの形成にて露光処理を実施する際に前記感光性樹脂膜に照射する露光光を、当該光導波路のコア部にて前記カラーフィルタに対面する表面において拡散反射するように、当該コア部の表面に、凹凸が形成されている
    カメラ。
JP2008308295A 2008-12-03 2008-12-03 固体撮像装置、および、その製造方法、カメラ Expired - Fee Related JP4730429B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008308295A JP4730429B2 (ja) 2008-12-03 2008-12-03 固体撮像装置、および、その製造方法、カメラ
TW098137446A TWI424556B (zh) 2008-12-03 2009-11-04 固態成像裝置,其製造方法以及照相機
KR1020090109594A KR20100063649A (ko) 2008-12-03 2009-11-13 고체 촬상 장치, 및, 그 제조 방법, 카메라
US12/629,264 US8890055B2 (en) 2008-12-03 2009-12-02 Solid-state imaging device, method of producing the same, and camera
CN2009102536243A CN101753862B (zh) 2008-12-03 2009-12-03 固态成像装置,其制造方法和照相机

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008308295A JP4730429B2 (ja) 2008-12-03 2008-12-03 固体撮像装置、および、その製造方法、カメラ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2010135465A true JP2010135465A (ja) 2010-06-17
JP4730429B2 JP4730429B2 (ja) 2011-07-20

Family

ID=42221913

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008308295A Expired - Fee Related JP4730429B2 (ja) 2008-12-03 2008-12-03 固体撮像装置、および、その製造方法、カメラ

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8890055B2 (ja)
JP (1) JP4730429B2 (ja)
KR (1) KR20100063649A (ja)
CN (1) CN101753862B (ja)
TW (1) TWI424556B (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012182435A (ja) * 2011-02-09 2012-09-20 Canon Inc 光電変換素子、およびこれを用いた光電変換装置、撮像システム
US8773558B2 (en) 2011-02-09 2014-07-08 Canon Kabushiki Kaisha Photoelectric conversion element, and photoelectric conversion apparatus and image sensing system
JP2015038979A (ja) * 2013-07-18 2015-02-26 富士フイルム株式会社 イメージセンサー及びその製造方法

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8728949B2 (en) * 2010-08-09 2014-05-20 United Microelectronics Corp. Method for fabricating a semiconductor device
JP2012038986A (ja) * 2010-08-10 2012-02-23 Sony Corp 固体撮像装置とその製造方法、並びに電子機器
JP2012069574A (ja) * 2010-09-21 2012-04-05 Toshiba Corp 不純物層の形成方法、露光用マスクおよび固体撮像装置の製造方法
JP5857399B2 (ja) * 2010-11-12 2016-02-10 ソニー株式会社 固体撮像装置及び電子機器
TWI424746B (zh) * 2011-02-14 2014-01-21 Ind Tech Res Inst 影像感測器及其感測方法
US20120267741A1 (en) * 2011-04-21 2012-10-25 Panasonic Corporation Solid-state imaging device and method for manufacturing the same
JP6465545B2 (ja) 2013-09-27 2019-02-06 ソニー株式会社 撮像素子およびその製造方法ならびに電子機器
JP2017022293A (ja) * 2015-07-13 2017-01-26 キヤノン株式会社 固体撮像装置の製造方法
US20170162621A1 (en) * 2015-12-02 2017-06-08 Omnivision Technologies, Inc. Light channels with multi-step etch

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06342896A (ja) * 1993-06-01 1994-12-13 Matsushita Electron Corp 固体撮像装置およびその製造方法
JP2006222270A (ja) * 2005-02-10 2006-08-24 Sony Corp 固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4447720A (en) * 1979-09-25 1984-05-08 Matsuchita Electric Industrial Co., Ltd. Solid-state image pickup element and process for fabricating the same
JPS57105472A (en) * 1980-12-19 1982-06-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd Adhesive for optical device
JPS62127735A (ja) * 1985-11-29 1987-06-10 Toshiba Corp 感光性樹脂組成物及びこれを用いたカラ−フイルタ−の製造方法
US5250378A (en) * 1991-10-16 1993-10-05 E. I. Du Pont De Nemours And Company Charge transfer complexes and photoconductive compositions containing fullerenes
JPH06276762A (ja) * 1993-03-15 1994-09-30 Sumitomo Heavy Ind Ltd 圧電リニアアクチュエータ
JPH08139300A (ja) * 1994-11-10 1996-05-31 Olympus Optical Co Ltd 固体撮像装置
US5943463A (en) * 1996-06-17 1999-08-24 Sharp Kabushiki Kaisha Color image sensor and a production method of an optical waveguide array for use therein
EP1109049A1 (en) * 1999-12-16 2001-06-20 Corning Incorporated Photothermal optical switch and variable attenuator
EP1377974A1 (de) * 2001-03-28 2004-01-07 Bayer Chemicals AG Optischer datenträger enthaltend in der informationsschicht einen xanthenfarbstoff als lichtabsorbierende verbindung
JP4822683B2 (ja) * 2004-10-08 2011-11-24 パナソニック株式会社 固体撮像装置およびその製造方法
JP2006156799A (ja) 2004-11-30 2006-06-15 Fuji Photo Film Co Ltd 固体撮像素子及びその製造方法
US7298955B2 (en) * 2005-03-30 2007-11-20 Fujifilm Corporation Solid-state image pickup element and method of producing the same
WO2006115142A1 (ja) * 2005-04-22 2006-11-02 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 固体撮像素子およびその製造方法ならびに光導波路形成装置
JP2007291195A (ja) * 2006-04-24 2007-11-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd コンポジット材料、およびこれを用いた光学部品
JP4657147B2 (ja) * 2006-05-24 2011-03-23 住友化学株式会社 着色感光性樹脂組成物、カラーフィルタ、イメージセンサおよびカメラシステム
US20070284687A1 (en) * 2006-06-13 2007-12-13 Rantala Juha T Semiconductor optoelectronics devices
JP2008218650A (ja) 2007-03-02 2008-09-18 Fujifilm Corp 固体撮像素子
JP2009175451A (ja) * 2008-01-24 2009-08-06 Sumitomo Chemical Co Ltd 着色感光性組成物、並びにそれを用いた色フィルタアレイ及び固体撮像素子

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06342896A (ja) * 1993-06-01 1994-12-13 Matsushita Electron Corp 固体撮像装置およびその製造方法
JP2006222270A (ja) * 2005-02-10 2006-08-24 Sony Corp 固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012182435A (ja) * 2011-02-09 2012-09-20 Canon Inc 光電変換素子、およびこれを用いた光電変換装置、撮像システム
JP2013165297A (ja) * 2011-02-09 2013-08-22 Canon Inc 光電変換素子、およびこれを用いた光電変換装置、撮像システム
US8773558B2 (en) 2011-02-09 2014-07-08 Canon Kabushiki Kaisha Photoelectric conversion element, and photoelectric conversion apparatus and image sensing system
JP2015038979A (ja) * 2013-07-18 2015-02-26 富士フイルム株式会社 イメージセンサー及びその製造方法
JP2018110270A (ja) * 2013-07-18 2018-07-12 富士フイルム株式会社 イメージセンサー及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
TW201030948A (en) 2010-08-16
TWI424556B (zh) 2014-01-21
CN101753862B (zh) 2012-08-22
JP4730429B2 (ja) 2011-07-20
KR20100063649A (ko) 2010-06-11
US20100133420A1 (en) 2010-06-03
US8890055B2 (en) 2014-11-18
CN101753862A (zh) 2010-06-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4730429B2 (ja) 固体撮像装置、および、その製造方法、カメラ
JP5504695B2 (ja) 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法および電子機器
JP4743296B2 (ja) 固体撮像装置、および、その製造方法、カメラ
US8853758B2 (en) Solid-state imaging device, method of manufacturing solid-state imaging device, and electronic apparatus
JP5428400B2 (ja) 固体撮像装置、および、その製造方法、電子機器
KR100672699B1 (ko) 씨모스 이미지 센서의 제조방법
TWI416715B (zh) A solid-state imaging device, a manufacturing method of a solid-state imaging device, and an electronic device
KR100731128B1 (ko) 씨모스 이미지 센서의 제조방법
US20060292731A1 (en) CMOS image sensor and manufacturing method thereof
US20060292734A1 (en) Method for manufacturing CMOS image sensor
JP2010267770A (ja) 固体撮像装置、および、その製造方法、電子機器
TW201214687A (en) Solid-state imaging element, process for producing solid-state imaging element, and electronic device
US20140306360A1 (en) Method of forming dual size microlenses for image sensors
JP2013165216A (ja) 撮像素子
US8030117B2 (en) Image sensor and method for manufacturing the same
KR100720509B1 (ko) 이미지 센서 및 이의 제조 방법
TWI392350B (zh) 固態攝像元件及其製造方法
JP2010278272A (ja) 固体撮像素子および固体撮像素子の製造方法
JP2010123745A (ja) 固体撮像装置、カメラ
KR20060041549A (ko) 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법
JP2012186396A (ja) 固体撮像装置およびその製造方法
KR100866675B1 (ko) 씨모스 이미지 센서의 제조방법
JP2008060464A (ja) マイクロレンズ用材料、マイクロレンズおよびその製造方法
JP2000307090A (ja) 固体撮像素子用マイクロレンズアレイ及びそれを用いた固体撮像素子並びにそれらの製造方法
JP2010283082A (ja) 固体撮像装置、電子機器および固体撮像装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20101025

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20101102

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20101228

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110322

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110404

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140428

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140428

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees