RU2688863C1 - Способ изготовления полупроводникового прибора - Google Patents
Способ изготовления полупроводникового прибора Download PDFInfo
- Publication number
- RU2688863C1 RU2688863C1 RU2018125546A RU2018125546A RU2688863C1 RU 2688863 C1 RU2688863 C1 RU 2688863C1 RU 2018125546 A RU2018125546 A RU 2018125546A RU 2018125546 A RU2018125546 A RU 2018125546A RU 2688863 C1 RU2688863 C1 RU 2688863C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- argon
- temperature
- semiconductor device
- argon flow
- production
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 10
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 29
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 7
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 6
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 5
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims abstract description 5
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims abstract description 5
- 230000036284 oxygen consumption Effects 0.000 claims description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 abstract description 3
- RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N arsane Chemical compound [AsH3] RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910000070 arsenic hydride Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract 1
- 238000004870 electrical engineering Methods 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления защитной изолирующей пленки с низкой дефектностью. Изобретение обеспечивает снижение значений тока утечки, повышение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличение процента выхода годных. Способ изготовления полупроводникового прибора включает формирование на кремниевой подложке арсенид силикатного стекла со скоростью осаждения 5 нм/мин, окислением при подаче в реактор 1% силана SiHв потоке аргона 380 см/мин, 1% AsHв потоке аргона 40 см/мин и расходе кислорода O80 см/мин при температуре 500°С с последующей термообработкой при температуре 1100°С в течение 5 часов в среде аргона.
Description
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления защитной изолирующей пленки с низкой дефектностью.
Известен способ изготовления полупроводникового прибора [Патент 5306945 США, МКИ H01L 29/34] предотвращающий влияние подвижных ионов на функциональные характеристики и надежность микросхем, покрытой тонким оксидным слоем и слоем борофосфоросиликатным стеклом, формируется рамка из вольфрама W или сплава W, расположенная в соответствующей прямоугольной канавке на периферии кристалла. Нижняя поверхность рамки контактирует с легированной полоской р+ или п+ типа, расположенной в подложке. В таких приборах при различных температурных режимах и в различных средах повышается дефектность структуры и ухудшаются электрические параметры изделий
Известен способ изготовления полупроводникового прибора [Патент 5362686 США, МКИ H01L 21/02] с защитной изолирующей пленкой. На полупроводниковой подложке выполняют разводку межсоединений для данного прибора, после чего наносят на подложку и систему межсоединений пленку оксинитрида кремния, используя метод осаждения из паровой фазы силана и азотосодержащего газа.
Недостатками этого способа являются:
- повышенные значения тока утечки
- высокая плотность дефектов;
- низкая технологичность.
Задача, решаемая изобретением: снижение значений тока утечки, обеспечение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличение процента выхода годных.
Задача решается формированием на кремниевой подложке арсенид силикатного стекла со скоростью осаждения 5 нм/мин, окислением при подаче в реактор 1% силана SiH4 в потоке аргона 380 см3/мин, 1% AsH3 в потоке аргона 40 см3/мин и расхода кислорода O2 80 см3/мин при температуре 500°С с последующей термообработкой при температуре 1100°С в течение 5 часов в среде аргона.
Технология способа состоит в следующем: на пластинах кремния р - проводимости с удельным сопротивлением 10 Ом*см, ориентацией (100) формировали арсенид силикатное стекло со скоростью осаждения 5 нм/мин, окислением при подаче в реактор 1% силана SiH4 в потоке аргона 380 см3/мин, 1% AsH3 в потоке аргона 40 см3/мин и расхода кислорода O2 80 см3/мин при температуре 500°С с последующей термообработкой при температуре 1100°С в течение 5 часов в среде аргона. Низкая скорость осаждения обеспечивает более высокую плотность слоя арсенид силикатного стекла и способствует снижению значений токов утечек.
По предлагаемому способу были изготовлены и исследованы полупроводниковые приборы. Результаты обработки представлены в таблице.
Экспериментальные исследования показали, что выход годных структур на партии пластин, сформированных в оптимальном режиме, увеличился на 12,4%.
Технический результат: снижение токов утечек, обеспечение технологичности, улучшение параметров структур, повышение качества и увеличения процента выхода годных.
Предложенный способ изготовления полупроводникового прибора путем формирования на кремниевой подложке арсенид силикатного стекла со скоростью осаждения 5 нм/мин, окислением при подаче в реактор 1% силана SiH4 в потоке аргона 380 см3/мин, 1% AsH3 в потоке аргона 40 см3/мин и расхода кислорода O2 80 см3/мин при температуре 500°С с последующей термообработкой при температуре 1100°С в течение 5 часов в среде аргона, позволяет повысит процент выхода годных приборов и улучшит их надежность.
Claims (1)
- Способ изготовления полупроводникового прибора, включающий подложку, разводку межсоединений, процессы формирования изолирующей пленки, отличающийся тем, что изолирующую пленку формируют из арсенид силикатного стекла со скоростью осаждения 5 нм/мин, окислением при подаче в реактор 1% силана SiH4 в потоке аргона 380 см3/мин, 1% AsH3 в потоке аргона 40 см3/мин и расхода кислорода О2 80 см3/мин при температуре 500°С с последующей термообработкой при температуре 1100°С в течение 5 часов в среде аргона
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2018125546A RU2688863C1 (ru) | 2018-07-11 | 2018-07-11 | Способ изготовления полупроводникового прибора |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2018125546A RU2688863C1 (ru) | 2018-07-11 | 2018-07-11 | Способ изготовления полупроводникового прибора |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2688863C1 true RU2688863C1 (ru) | 2019-05-22 |
Family
ID=66636979
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2018125546A RU2688863C1 (ru) | 2018-07-11 | 2018-07-11 | Способ изготовления полупроводникового прибора |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2688863C1 (ru) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2792924C2 (ru) * | 2021-06-02 | 2023-03-28 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Дагестанский государственный технический университет" | Способ защиты кристаллов на основе стекла |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5306945A (en) * | 1992-10-27 | 1994-04-26 | Micron Semiconductor, Inc. | Feature for a semiconductor device to reduce mobile ion contamination |
| US5362686A (en) * | 1990-06-05 | 1994-11-08 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Manufacturing method for protective silicon oxynitride film |
| SU1790316A3 (ru) * | 1990-12-06 | 1995-09-27 | Научно-исследовательский институт электронной техники | Способ изготовления структур больших интегральных кмоп схем |
| RU2497234C2 (ru) * | 2011-02-09 | 2013-10-27 | Кэнон Кабусики Кайся | Фотоэлектрический преобразующий элемент, фотоэлектрическое преобразующее устройство и система для считывания изображений |
-
2018
- 2018-07-11 RU RU2018125546A patent/RU2688863C1/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5362686A (en) * | 1990-06-05 | 1994-11-08 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Manufacturing method for protective silicon oxynitride film |
| SU1790316A3 (ru) * | 1990-12-06 | 1995-09-27 | Научно-исследовательский институт электронной техники | Способ изготовления структур больших интегральных кмоп схем |
| US5306945A (en) * | 1992-10-27 | 1994-04-26 | Micron Semiconductor, Inc. | Feature for a semiconductor device to reduce mobile ion contamination |
| RU2497234C2 (ru) * | 2011-02-09 | 2013-10-27 | Кэнон Кабусики Кайся | Фотоэлектрический преобразующий элемент, фотоэлектрическое преобразующее устройство и система для считывания изображений |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2792924C2 (ru) * | 2021-06-02 | 2023-03-28 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Дагестанский государственный технический университет" | Способ защиты кристаллов на основе стекла |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW201742256A (zh) | 半導體裝置及其製造方法 | |
| TW201239990A (en) | Method of manufacturing a base substrate for a semi-conductor on insulator type substrate | |
| JPS63184340A (ja) | 半導体装置 | |
| US5236869A (en) | Method of producing semiconductor device | |
| JP4548280B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| CN108461583B (zh) | 一种紫外led芯片的制作方法 | |
| TWI251349B (en) | Method of forming thin film transistor | |
| RU2688863C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| JP2015195277A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| RU2677500C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| JPH06168944A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| CN103730190B (zh) | 复合铜导电薄膜及其制备方法以及金属布线电路 | |
| RU2694160C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| RU2734094C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| RU2688881C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| RU2591237C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| RU2688864C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| RU2654819C1 (ru) | Способ изготовления полупроводниковых структур | |
| RU2698540C1 (ru) | Способ изготовления контактно-барьерной металлизации | |
| RU2733941C2 (ru) | Способ изготовления полупроводниковой структуры | |
| RU2755175C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| RU2805132C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| RU2769276C1 (ru) | Способ изготовления нитрида кремния | |
| RU2680989C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| RU2752125C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20200712 |