RU2792924C2 - Способ защиты кристаллов на основе стекла - Google Patents
Способ защиты кристаллов на основе стекла Download PDFInfo
- Publication number
- RU2792924C2 RU2792924C2 RU2021116180A RU2021116180A RU2792924C2 RU 2792924 C2 RU2792924 C2 RU 2792924C2 RU 2021116180 A RU2021116180 A RU 2021116180A RU 2021116180 A RU2021116180 A RU 2021116180A RU 2792924 C2 RU2792924 C2 RU 2792924C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- glass
- temperature
- oxide
- layer
- crystals
- Prior art date
Links
Abstract
Изобретение относится к технологии изготовления силовых кремниевых транзисторов и интегральных схем, в частности к способам защиты слоем стекла, с целью защиты поверхности кристаллов р-n-переходов от различных внешних воздействий. Сущность способа заключается в том, что на чистую полупроводниковую поверхность кристалла с р-n-переходом наносят слой защитного стекла, состоящий из смеси микропорошков со спиртом, в состав которого входят 55% окиси кремния SiO2; 13% окиси бора В2О3; 5,0 окиси лития Li2O3 и 3% окиси алюминия Al2O3. После термообработки в вакууме при температуре 230±10°С в течение 12±3 минут образуется стеклообразная пленка толщиной 0,9±1 мкм. После чего на поверхности кристаллов наращивается пленка SiO2 разложением этилокремниевой кислоты. Далее производится ее сплавление с нижним слоем стекла при температуре 700°С. Технический результат заключается в достижении стабильности и уменьшении температуры и длительности процесса.
Description
Изобретение относится к технологии изготовления силовых кремниевых транзисторов и интегральных схем (ИС), в частности к способам защиты слоем стекла, с целью защиты поверхности кристаллов р-n- переходов от различных внешних воздействий.
Известны способы защиты, сущность которых состоит в том, что поверхность полупроводниковых приборов р-n- переходов защищают различными способами: окисления (термическое, пиролитическое, химическое и анодное), защиты пленками окислов металлов и др. [1].
Основными недостатками этих способов является нестабильность, высокая температура и длительность процесса.
Целью изобретения является достижение стабильности и уменьшение температуры и длительности процесса.
Поставленная цель достигается использованием пленки стекла, состоящего из смеси микропорошков со спиртом в состав, которого входят 55% окиси кремния -SiO2; 15% окиси бора -B2O3; 5,0 окиси лития -Li2O3 и 3% окиси алюминия -Al2O3.
Сущность способа заключается в том, что на чистую полупроводниковую поверхность кристалла с р-n- переходом наносят слой защитного стекла состоящий из смеси микропорошков со спиртом, в состав которого входят 55% окиси кремния -SiO2; 13% окиси бора -B2O3; 5,0 окиси лития -Li2O3 и 3% окиси алюминия -Al2O3. После термообработки в вакууме при температуре 230±10°С в течение 12±3 минут образуется стеклообразная пленка толщиной 0,9±1 мкм. После чего на поверхности кристаллов наращивается пленка SiO2 разложением этилокремниевой кислоты. Далее производится ее сплавление с нижним слоем стекла при температуре 700°С.
Предлагаемый способ отличается от прототипа тем, что слой стекла, нанесенный на поверхность кристалла, связывает мигрирующие ионы, которое способствует улучшению стабильности приборов и его надежности. Далее этот слой стекла герметизирует активный элемент (р-n- переходов) от внешних воздействий.
Сущность изобретения подтверждается следующими примерами:
ПРИМЕР 1. Процесс проводят с предварительной очисткой поверхности кристаллов. На чистую полупроводниковую поверхность кристалла с р-n- переходом наносят слой защитного стекла, состоящий из смеси микропорошков со спиртом в состав, которого входят 55% окиси кремния -SiO2; 13% окиси бора -B2O3; 5,0 окиси лития -Li2O3 и 3% окиси алюминия -Al2O3. Процесс термообработки в вакууме ведут при температуре 250±10°С, а длительность процесса равно 10±5 минут. Температура сплавления стекла -850°С.
Толщина стеклообразной пленки -1,8±0,2 мкм.
ПРИМЕР 2. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят при следующих режимах:
Температура термообработки в вакууме -240±10°С в течение 10±5 минут.
Температура сплавления стекла -750°С.
Толщина слоя стекла -1,3±0,2 мкм.
ПРИМЕР 3. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят при следующих режимах:
Температура термообработки в вакууме -230±10°С в течение 12±3 минут.
Температура сплавления стекла -700°С. Толщина слоя стекла -1,0±0,2 мкм.
Таким образом, предлагаемый способ отличается от прототипа тем, что слой стекла, нанесенный на поверхность кристалла, связывает мигрирующие ионы, которое способствует улучшению стабильности приборов и его надежности, а также герметизирует активный элемент (р-n- переходов) от внешних воздействий.
1 п. ф.
ЛИТЕРАТУРА
1. А.И. Курносов. Материалы для полупроводниковых приборов и интегральных схем. - М.: «Высшая школа». 1980. 327 с
Claims (1)
- Способ защиты кристаллов на основе стекла, включающий защиту поверхности кристаллов р-n-переходов, отличающийся тем, что на поверхность кристалла наносят слой защитного стекла, состоящий из смеси микропорошков со спиртом, в состав которого входят 55% окиси кремния SiO2; 13% окиси бора B2O3; 5,0 окиси лития Li2O3 и 3% окиси алюминия Al2O3, после термообработки в вакууме при температуре 230±10°С в течение 12±3 минут образуется стеклообразная пленка толщиной 1,0±0,2 мкм, далее производится ее сплавление с нижним слоем стекла при температуре 700°С.
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2021116180A RU2021116180A (ru) | 2022-12-02 |
RU2792924C2 true RU2792924C2 (ru) | 2023-03-28 |
Family
ID=
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB994814A (en) * | 1961-09-29 | 1965-06-10 | Ibm | Protective cover for electrical conductor bodies |
RU2036538C1 (ru) * | 1990-07-02 | 1995-05-27 | Царева Людмила Георгиевна | Способ защиты полупроводниковых приборов перед герметизацией |
RU2625248C1 (ru) * | 2016-09-28 | 2017-07-12 | Акционерное общество "Научно-исследовательский институт физических измерений" | Способ изготовления кристаллов микроэлектромеханических систем |
CN107393821A (zh) * | 2017-07-17 | 2017-11-24 | 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂) | 一种高可靠玻璃钝化微型表贴二极管的制造方法 |
RU2688863C1 (ru) * | 2018-07-11 | 2019-05-22 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ) | Способ изготовления полупроводникового прибора |
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB994814A (en) * | 1961-09-29 | 1965-06-10 | Ibm | Protective cover for electrical conductor bodies |
RU2036538C1 (ru) * | 1990-07-02 | 1995-05-27 | Царева Людмила Георгиевна | Способ защиты полупроводниковых приборов перед герметизацией |
RU2625248C1 (ru) * | 2016-09-28 | 2017-07-12 | Акционерное общество "Научно-исследовательский институт физических измерений" | Способ изготовления кристаллов микроэлектромеханических систем |
CN107393821A (zh) * | 2017-07-17 | 2017-11-24 | 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂) | 一种高可靠玻璃钝化微型表贴二极管的制造方法 |
RU2688863C1 (ru) * | 2018-07-11 | 2019-05-22 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ) | Способ изготовления полупроводникового прибора |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101509267B1 (ko) | 유리계 기판을 제조하는 방법 및 이를 채용한 장치 | |
ES2210922T3 (es) | Composicion y metodo para grabar al acido selectivamente una pelicula de nitruro de silicio. | |
KR101320416B1 (ko) | 식각액 조성물 및 이를 이용한 습식 식각방법 | |
RU95113458A (ru) | Монокристаллический кремний на кварце | |
JPS59119733A (ja) | 半導体装置 | |
Doo | Silicon nitride, a new diffusion mask | |
Revesz | The defect structure of grown silicon dioxide films | |
KR20190060668A (ko) | 절연막 식각액 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법 | |
US20050205126A1 (en) | Photovoltaic conversion device, its manufacturing method and solar energy system | |
RU2792924C2 (ru) | Способ защиты кристаллов на основе стекла | |
JP3170445B2 (ja) | 太陽電池素子の形成方法 | |
JPS61285714A (ja) | 半導体構造の製造方法 | |
JPS63175431A (ja) | ホウケイ酸ガラスを有する半導体装置の製造方法 | |
GB925085A (en) | Packaging technique for fabrication of very small semiconductor devices | |
EP0044048A1 (en) | Glass passivated high power semiconductor devices | |
JPS60170972A (ja) | 薄膜半導体装置 | |
GB1237662A (en) | Method for manufacturing semiconductor device with passivation film | |
JPS5831519A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
RU2524147C1 (ru) | СПОСОБ ЗАЩИТЫ ПОВЕРХНОСТИ КРИСТАЛЛОВ p-n ПЕРЕХОДОВ | |
RU2011134068A (ru) | Способ увеличения поверхностного сопротивления пластины и/или уровня плотности мощности фотоэлектрического элемента | |
JPH0389519A (ja) | 半導体基板の製法 | |
RU2702412C2 (ru) | Способ защиты структур на основе алюмосиликатного стекла | |
RU2021116180A (ru) | Способ защиты кристаллов на основе стекла | |
Kamilov et al. | Role of the silicon dioxide in formation of higher manganese silicide films | |
RU2534563C2 (ru) | Способ нанесения стекла |