RU2534563C2 - Способ нанесения стекла - Google Patents
Способ нанесения стекла Download PDFInfo
- Publication number
- RU2534563C2 RU2534563C2 RU2013100543/28A RU2013100543A RU2534563C2 RU 2534563 C2 RU2534563 C2 RU 2534563C2 RU 2013100543/28 A RU2013100543/28 A RU 2013100543/28A RU 2013100543 A RU2013100543 A RU 2013100543A RU 2534563 C2 RU2534563 C2 RU 2534563C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- borate
- glass
- zinc
- borate glass
- layer
- Prior art date
Links
Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем, в частности к способам защиты поверхности кристаллов p-n переходов от различных внешних воздействий. Техническим результатом изобретения является достижение стабильности и снижение проникновения ионов натрия. В способе нанесения стекла для защиты поверхности кристаллов p-n переходов от различных внешних воздействий на чистую поверхность полупроводниковой подложки наносят слой боратного стекла, в состав которого входят следующие компоненты: 25% окиси кремния, 40% бората цинка, 20% окиси алюминия и 15% окиси цинка ZnO. При температуре процесса 700°C образуется пленка боратного стекла толщиной 1,2 мкм.
Description
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем (ИС), в частности к способам защиты поверхности кристаллов p-n-переходов от различных внешних воздействий.
Известны способы защиты, сущность которых состоит в том, что поверхность полупроводниковых приборов p-n-переходов защищают различными методами: стеклянной пленкой, порошкообразными стеклами, нитридом кремния, пленками окислов металлов и др. [1].
Основными недостатками этих способов является проникновение ионов натрия из стекла через окисный слой к поверхности p-n- перехода, чувствительной к воздействию ионов, при этом образуются каналы, которые увеличивают нестабильность прибора.
Целью изобретения является достижение стабильности и снижения проникновения ионов натрия.
Поставленная цель достигается использованием боратного стекла, в состав которого входят следующие компоненты: 25% окиси кремния -SiO2; 35% бората цинка; 15% окиси алюминия - Аl2О3 и 20% окиси цинка ZnO.
Сущность способа заключается в том, что на чистую поверхность полупроводниковой подложки с окисным слоем наносят слой защитного боратного стекла, в состав которого входят следующие компоненты: 25% окиси кремния - SiO2; 40% бората цинка; 20% окиси алюминия - Аl2О3 и 15% окиси цинка - ZnO. При температуре процесса 700°C образуется пленка боратного стекла толщиной 1,2 мкм.
Боратное стекло характеризуется низкой проводимостью и малыми диэлектрическими потерями, высокой механической прочностью, термической и климатической стойкостью. Оно имеет структуру, отличающуюся от силикатных стекол, способно выдерживать умеренные концентрации моновалентных катионов (катионов до 0,1) без увеличения при этом проводимости.
Предлагаемый способ отличается от прототипа тем, что боратное стекло, нанесенное на поверхность полупроводниковой подложки, способствует улучшению стабильности приборов и их надежности.
Сущность изобретения подтверждается следующими примерами.
ПРИМЕР 1. Процесс проводят с предварительной очисткой поверхности кристаллов. На чистую поверхность полупроводниковой подложки с окисным слоем наносят слой защитного боратного стекла, в состав которого входят следующие компоненты: 35%> окиси кремния - SiO2; 50% бората цинка; 20%> окиси алюминия - Аl2О3 и 25% окиси цинка - ZnO. Нанесение стекла проводят при температуре процесса 820°C, при этом образуется пленка боратного стекла толщиной 2,0 мкм.
ПРИМЕР 2. Способ осуществляют аналогично примеру 1. На чистую полупроводниковую поверхность подложки наносят защитный слой боратного стекла, в состав которого входят следующие компоненты: 30% окиси кремния - SiO2; 45% бората цинка; 20% окиси алюминия - Аl2О3 и 20% окиси цинка ZnO.
Температура процесса 800°C.
Толщина слоя боратного стекла равна 1,5 мкм.
ПРИМЕР 3. Способ осуществляют аналогично примеру 1. На чистую полупроводниковую поверхность подложки наносят защитный слой боратного стекла, в состав которого входят следующие компоненты: 25% окиси кремния - SiO2; 40% бората цинка; 20% окиси алюминия - Аl2О3 и 15% окиси цинка ZnO.
Температура процесса 700°C.
Толщина слоя боратного стекла равна 1,2 мкм.
Таким образом, предлагаемый способ отличается от прототипа тем, что слой боратного стекла, нанесенный на поверхность полупроводниковой подложки, который способствует улучшению стабильности приборов и его надежности.
ЛИТЕРАТУРА
1. А.И.Курносов, В.В.Юдин. Технология производства полупроводниковых приборов. - М: «Высшая школа», 1980, с.400.
Claims (1)
- Способ нанесения стекла, включающий защиту поверхности кристаллов p-n-переходов от различных внешних воздействий, отличающийся тем, что на чистую полупроводниковую поверхность подложки наносят слой боратного стекла, в состав которого входят следующие компоненты: 25% окиси кремния - SiO2; 40% бората цинка; 20% окиси алюминия - Аl2О3 и 15% окиси цинка - ZnО, при температуре процесса 700°С, при этом образуется пленка боратного стекла толщиной 1,2 мкм.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2013100543/28A RU2534563C2 (ru) | 2013-01-09 | 2013-01-09 | Способ нанесения стекла |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2013100543/28A RU2534563C2 (ru) | 2013-01-09 | 2013-01-09 | Способ нанесения стекла |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2013100543A RU2013100543A (ru) | 2014-07-20 |
RU2534563C2 true RU2534563C2 (ru) | 2014-11-27 |
Family
ID=51215027
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2013100543/28A RU2534563C2 (ru) | 2013-01-09 | 2013-01-09 | Способ нанесения стекла |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2534563C2 (ru) |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2382094B1 (fr) * | 1977-02-24 | 1985-07-19 | Rca Corp | Passivation d'une interception de surface d'une jonction pn |
EP0311173A1 (en) * | 1987-10-02 | 1989-04-12 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method of manufacturing a semiconductor device comprising a silicon oxide layer protecting a PN junction |
SU633389A1 (ru) * | 1976-08-23 | 1994-02-28 | В.Н. Глущенко | Способ стабилизации p-n-переходов |
RU1664083C (ru) * | 1988-09-23 | 1995-01-27 | Производственное объединение "Изотоп" | Компаунд для защиты поверхности p-n-переходов кремниевых высоковольтных столбов |
SU1708097A1 (ru) * | 1989-12-26 | 1996-12-27 | Научно-исследовательский институт электронных материалов | Композиция для защиты p-n-переходов высоковольтного полупроводникового прибора |
RU2370852C1 (ru) * | 2008-07-17 | 2009-10-20 | Государственное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту) | МЕТОД ЗАЩИТЫ ПОВЕРХНОСТИ КРИСТАЛЛОВ p-n-ПЕРЕХОДОВ НА ОСНОВЕ ЛЕГКОПЛАВКОГО СТЕКЛА |
RU2009149647A (ru) * | 2009-12-30 | 2011-07-10 | Государственное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Универс | Способ защиты кристаллов на основе легкоплавкого стекла |
-
2013
- 2013-01-09 RU RU2013100543/28A patent/RU2534563C2/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SU633389A1 (ru) * | 1976-08-23 | 1994-02-28 | В.Н. Глущенко | Способ стабилизации p-n-переходов |
FR2382094B1 (fr) * | 1977-02-24 | 1985-07-19 | Rca Corp | Passivation d'une interception de surface d'une jonction pn |
EP0311173A1 (en) * | 1987-10-02 | 1989-04-12 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method of manufacturing a semiconductor device comprising a silicon oxide layer protecting a PN junction |
RU1664083C (ru) * | 1988-09-23 | 1995-01-27 | Производственное объединение "Изотоп" | Компаунд для защиты поверхности p-n-переходов кремниевых высоковольтных столбов |
SU1708097A1 (ru) * | 1989-12-26 | 1996-12-27 | Научно-исследовательский институт электронных материалов | Композиция для защиты p-n-переходов высоковольтного полупроводникового прибора |
RU2370852C1 (ru) * | 2008-07-17 | 2009-10-20 | Государственное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту) | МЕТОД ЗАЩИТЫ ПОВЕРХНОСТИ КРИСТАЛЛОВ p-n-ПЕРЕХОДОВ НА ОСНОВЕ ЛЕГКОПЛАВКОГО СТЕКЛА |
RU2009149647A (ru) * | 2009-12-30 | 2011-07-10 | Государственное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Универс | Способ защиты кристаллов на основе легкоплавкого стекла |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
А.И.Курносов. Материалы для полупроводниковых приборов и интегральных схем. М. Высшая школа. 1980, стр.178-184. * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
RU2013100543A (ru) | 2014-07-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2013110393A5 (ru) | ||
JP2014135478A5 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
ATE482471T1 (de) | Verfahren zur reinigung einer solarzellenoberflächenöffnung mit einer solarätzungspaste | |
TW201830618A (zh) | 半導體裝置 | |
JP2010251731A5 (ru) | ||
JP2012199527A5 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
EP1978553A3 (en) | SOI substrate, method for manufacturing the same, and semiconductor device | |
JP2014013917A5 (ru) | ||
EP2575179A3 (en) | Compound semiconductor device and manufacturing method therefor | |
MY172634A (en) | Semiconductor device and heat dissipation mechanism | |
JP2011249684A5 (ru) | ||
JP2014116591A5 (ru) | ||
WO2013188574A3 (en) | Multilayer substrate structure | |
JP2019033253A5 (ja) | 半導体装置 | |
JP2018002544A5 (ru) | ||
JP2007036211A5 (ru) | ||
BR112015016455A8 (pt) | Dispositivo de proteção contra raios, estrutura sensível a raios, e, método para fabricar um dispositivo de proteção contra raios | |
RU2370852C1 (ru) | МЕТОД ЗАЩИТЫ ПОВЕРХНОСТИ КРИСТАЛЛОВ p-n-ПЕРЕХОДОВ НА ОСНОВЕ ЛЕГКОПЛАВКОГО СТЕКЛА | |
RU2534563C2 (ru) | Способ нанесения стекла | |
JP2014007398A5 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
RU2524147C1 (ru) | СПОСОБ ЗАЩИТЫ ПОВЕРХНОСТИ КРИСТАЛЛОВ p-n ПЕРЕХОДОВ | |
RU2702412C2 (ru) | Способ защиты структур на основе алюмосиликатного стекла | |
JP2016171141A5 (ru) | ||
TWI690035B (zh) | 具有高機械強度的半導體封裝及半導體晶圓 | |
KR20160018700A (ko) | 태양 전지 열화 억제용의 도공액 및 그의 박막, 및 태양 전지 열화 억제 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20150110 |