SU1708097A1 - Композиция для защиты p-n-переходов высоковольтного полупроводникового прибора - Google Patents

Композиция для защиты p-n-переходов высоковольтного полупроводникового прибора

Info

Publication number
SU1708097A1
SU1708097A1 SU4774449/21A SU4774449A SU1708097A1 SU 1708097 A1 SU1708097 A1 SU 1708097A1 SU 4774449/21 A SU4774449/21 A SU 4774449/21A SU 4774449 A SU4774449 A SU 4774449A SU 1708097 A1 SU1708097 A1 SU 1708097A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
heterosiloxane
junctions
protecting
composition
semiconductor device
Prior art date
Application number
SU4774449/21A
Other languages
English (en)
Inventor
Н.Е. Шубин
О.В. Неелова
Ю.П. Сергиенко
Г.О. Дудуева
В.Д. Лобков
Л.А. Митрофанов
В.М. Сальников
Н.В. Кальнова
Original Assignee
Научно-исследовательский институт электронных материалов
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Научно-исследовательский институт электронных материалов filed Critical Научно-исследовательский институт электронных материалов
Priority to SU4774449/21A priority Critical patent/SU1708097A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1708097A1 publication Critical patent/SU1708097A1/ru

Links

Landscapes

  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)

Abstract

Изобретение относится к кремнийорганическим композициям и может быть использовано для защиты р-п-переходов полупроводниковых приборов. Цель изобретения - создание однокомпонентного состава с длительным сроком хранения, повышение электрической прочности и снижение тангенса диэлектрических потерь. Сущность изобретения заключается в том, что в композиции для защиты р-п-переходов на основе низкомолекулярного кремнийорганического каучука, кремнийорганического этоксисоединения и гетеросилоксана в качестве гетеросилоксана выбран продукт взаимодействия линейного α,ω - дигидроксиполиметилсилоксана с борной кислотой и ацетилацетонатом циркония, взятых в соотношении мас. ч., 100:16,8:0,65. 2 табл.
SU4774449/21A 1989-12-26 1989-12-26 Композиция для защиты p-n-переходов высоковольтного полупроводникового прибора SU1708097A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU4774449/21A SU1708097A1 (ru) 1989-12-26 1989-12-26 Композиция для защиты p-n-переходов высоковольтного полупроводникового прибора

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU4774449/21A SU1708097A1 (ru) 1989-12-26 1989-12-26 Композиция для защиты p-n-переходов высоковольтного полупроводникового прибора

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1708097A1 true SU1708097A1 (ru) 1996-12-27

Family

ID=60530711

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU4774449/21A SU1708097A1 (ru) 1989-12-26 1989-12-26 Композиция для защиты p-n-переходов высоковольтного полупроводникового прибора

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1708097A1 (ru)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2534563C2 (ru) * 2013-01-09 2014-11-27 Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту) Способ нанесения стекла
RU2726994C1 (ru) * 2019-08-29 2020-07-17 Акционерное общество "Радиевый институт имени В.Г. Хлопина" (АО "Радиевый институт им. В.Г. Хлопина") Способ изготовления поверхностно-барьерных детекторов на кремнии n-типа проводимости

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2534563C2 (ru) * 2013-01-09 2014-11-27 Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту) Способ нанесения стекла
RU2726994C1 (ru) * 2019-08-29 2020-07-17 Акционерное общество "Радиевый институт имени В.Г. Хлопина" (АО "Радиевый институт им. В.Г. Хлопина") Способ изготовления поверхностно-барьерных детекторов на кремнии n-типа проводимости

Similar Documents

Publication Publication Date Title
SE8800851L (sv) Material och forfarande for elektriskt overbelastningsskydd
GB945740A (ru)
JPS556887A (en) Semiconductor having high breakdown voltage
GR3017631T3 (en) Voltage protection system.
DE3786157D1 (de) Reparatur eines elektrischen litzenverteilerkabels.
GB1175780A (en) Improvements in or relating to Housings for Semiconductor Devices
ES2004587A6 (es) Composiciones de polidiorganosiloxanos bloqueados.
EP0470745A3 (en) Silicone rubber composition for high voltage electrical insulators
EP0181002A3 (en) Semiconductor device having high breakdown voltage
AR246871A1 (es) Composicion desodorante de ambientes.
MX153416A (es) Mejoras en dispositivo fotovoltaico formado de material semiconductor
IT8753019V0 (it) Boccola di protezione per cavi elettrici e simili
SU1708097A1 (ru) Композиция для защиты p-n-переходов высоковольтного полупроводникового прибора
DE3071587D1 (en) An electrical component comprising semiconductor chips
TW343372B (en) Semiconductor device with high dielectric constant insulator material
IT8548050A0 (it) Composizioni poliepossidiche e metodo per incapsulare componenti elettrici e componenti incapsulati cosi' ottenuti
JPS5555560A (en) High voltage bipolar transistor* integrated circuit containing same and method of manufacturing same
JPS55102636A (en) Highly heat-conductive resin composition
JPS5640272A (en) Semiconductor integrated circuit
JPS5438393A (en) Photo-setting organo-polysiloxane composition
EP0180315A3 (en) High breakdown voltage semiconductor device
JPS57117265A (en) Semiconductor device
IT8567673A0 (it) Dispositivo semiconduttore partico larmente tiristore con connettore elettrico discoidale
JPS5619657A (en) Semiconductor ic
ES456773A1 (es) Aislador electrico perfeccionado.