RU2702412C2 - Способ защиты структур на основе алюмосиликатного стекла - Google Patents
Способ защиты структур на основе алюмосиликатного стекла Download PDFInfo
- Publication number
- RU2702412C2 RU2702412C2 RU2017136950A RU2017136950A RU2702412C2 RU 2702412 C2 RU2702412 C2 RU 2702412C2 RU 2017136950 A RU2017136950 A RU 2017136950A RU 2017136950 A RU2017136950 A RU 2017136950A RU 2702412 C2 RU2702412 C2 RU 2702412C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- aluminosilicate glass
- oxide
- carried out
- semiconductor structure
- protecting
- Prior art date
Links
Landscapes
- Glass Compositions (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
Abstract
Изобретение относится к технологии изготовления мощных транзисторных приборов, в частности к способам защиты поверхности полупроводниковой структуры от различных внешних воздействий. Сущность способа защиты структур на основе алюмосиликатного стекла заключается в том, что на чистую поверхность полупроводниковой структуры с p-n-переходом наносят слой на основе алюмосиликатного стекла, состоящего из смеси в состав которого входят: 45±5% окиси кремния -SiO2; 15±5% окиси алюминия -Al2O3; 30±5% окиси бария -ВаО и 0,09±0,01% оксида натрия -Na2O. Процесс проводят при рабочей температуре -750±50°С. Толщина стекла составляет 1,0±0,2 мкм. Алюмосиликатные стекла обладают высокими температурами размягчения, низкими диэлектрическими потерями и в некоторых случаях являются конкурентами керамике. Изобретение обеспечивает повышение стабильности приборов и уменьшение температуры и длительности процесса.
Description
Изобретение относится к технологии изготовления мощных транзисторных приборов, в частности к способам защиты поверхности полупроводниковой структуры от различных внешних воздействий.
Состояние поверхности полупроводникового материала, на которую имеет выход р-n-перехода, оказывает более сильное влияние на электрические параметры изделий микроэлектроники, чем физические свойства объема полупроводника, в котором расположен p-n-переход. Если часть p-n-перехода, расположенная внутри полупроводникового кристалла, надежно защищена от внешних воздействий окружающей среды, то часть, выходящая на поверхность кристалла, не может без дополнительной защиты противостоять им. При длительной работе прибора происходит изменение состояния поверхности полупроводникового материала, обусловленное характером окружающей среды и ее воздействием. Поэтому от качества защиты поверхности полупроводниковой структуры с p-n-переходом зависят не только электрические параметры готовых изделий, но и их надежность, а также срок службы.
Известны способы защиты, сущность которых состоят в том, что поверхность полупроводникового материала p-n-переходов защищают: вазелином, лаком, эмалями, пленками окислов металлов, боросиликатными и др. стеклами [1].
Основными недостатками этих способов является нестабильность приборов, высокая температура и длительность процесса.
Целью изобретения является достижение стабильности приборов и уменьшение температуры и длительности процесса.
Поставленная цель достигается использованием алюмосиликатного стекла, состоящего из смеси в состав, которого входят: 45±5% окиси кремния -SiO2; 15±5% окиси алюминия -Al2O3; 30±5% окиси бария -ВаО и 0,09±0,01% оксид натрия -Na2O.
Сущность способа заключается в том, что на чистую поверхность полупроводниковой структуры с p-n-переходом наносят алюмосиликатное стекло состоящий из смеси, в состав которого входят пленки на основе алюмосиликатного стекла, состоящего из смеси в состав, которого входят: 45±5% окиси кремния -SiO2; 15±5% окиси алюминия -Al2O3; 30±5% окиси бария -ВаО и 0,09±0,01% оксид натрия - Na2O. Процесс проводят при рабочей температуре -750±50°С. Толщина стекла -1,0±0,2 мкм. Алюмосиликатные стекла обладают высокими температурами размягчения, низкими диэлектрическими потерями и в некоторых случаях являются конкурентами керамике.
Контроль осуществляется с помощью микроскопа МИИ-4.
Сущность изобретения подтверждается следующими примерами:
ПРИМЕР 1. Процесс проводят с предварительной очисткой поверхности структуры. На чистую поверхность полупроводниковой структуры с p-n-переходом наносят слой защитного стекла, состоящий из смеси в состав, которого входят которого входят: 45±5% окиси кремния -SiO2; 15±5% окиси алюминия -Al 2О3; 30±5% окиси бария -ВаО и 0,09±0,01% оксид натрия -Na2O. Процесс проводят при рабочей температуре -950±50°С. Толщина стекла -1,6±0,2 мкм.
Контроль осуществляется с помощью микроскопа МИИ-4.
ПРИМЕР 2. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят при следующих режимах:
Температура рабочая -850±50°С.
Контроль осуществляется с помощью микроскопа МИИ-4.
Толщина стекла -1,4±0,2 мкм.
ПРИМЕР 3. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят при следующих режимах:
Температура рабочая -800±50°.
Контроль осуществляется с помощью микроскопа МИИ-4.
Толщина стекла -1,2±0,2 мкм.
ПРИМЕР 4. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят при следующих режимах:
Температура рабочая -750±50°С.
Контроль осуществляется с помощью микроскопа МИИ-4.
Толщина стекла -1,0±0,2 мкм.
Таким образом, предлагаемый способ отличается от прототипа тем, что защитный слой на основе алюмосиликатного стекла, состоящего из смеси в состав, которого входят: 45±5% окиси кремния -SiO2; 15±5% окиси алюминия -Al2O3; 30±5% окиси бария -ВаО и 0,09±0,01% оксид натрия -Na2O способствует улучшению стабильности приборов и его надежности, а также уменьшению температуры и длительности процесса. Алюмосиликатные стекла обладают высокими температурами размягчения, низкими диэлектрическими потерями и в некоторых случаях являются конкурентами керамике.
ЛИТЕРАТУРА
1. А.И. Курносов, В.В. Юдин. Технология производства полупроводниковых приборов. - М.: «Высшая школа». 1980. с. 400.
Claims (1)
- Способ защиты структур на основе алюмосиликатного стекла, включающий защиту поверхности кристаллов р-n переходов, отличающийся тем, что на поверхность полупроводниковой структуры наносят слой на основе алюмосиликатного стекла, состоящего из смеси, в состав которого входят: 45±5% окиси кремния - SiO2; 15±5% окиси алюминия - Al2O3; 30±5% окиси бария - ВаО и 0,09±0,01% оксида натрия - Na2O, процесс проводят при рабочей температуре -750±50°С, где толщина стекла составляет 1,0±0,2 мкм.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2017136950A RU2702412C2 (ru) | 2017-10-19 | 2017-10-19 | Способ защиты структур на основе алюмосиликатного стекла |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2017136950A RU2702412C2 (ru) | 2017-10-19 | 2017-10-19 | Способ защиты структур на основе алюмосиликатного стекла |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2017136950A RU2017136950A (ru) | 2019-04-19 |
RU2017136950A3 RU2017136950A3 (ru) | 2019-06-20 |
RU2702412C2 true RU2702412C2 (ru) | 2019-10-08 |
Family
ID=66168056
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2017136950A RU2702412C2 (ru) | 2017-10-19 | 2017-10-19 | Способ защиты структур на основе алюмосиликатного стекла |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2702412C2 (ru) |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2046452C1 (ru) * | 1992-03-17 | 1995-10-20 | Завод "Искра" | Способ защиты поверхности полупроводниковых приборов свинцово-силикатным стекловидным покрытием |
SU1316501A1 (ru) * | 1985-09-13 | 2000-06-20 | Всесоюзный Электротехнический Институт Им.В.И.Ленина | Способ получения исходного материала для изготовления низкотемпературных стекловидных покрытий для защиты поверхности полупроводниковых приборов |
SU1127483A1 (ru) * | 1983-07-13 | 2000-06-20 | Всесоюзный Электротехнический Институт Им.В.И.Ленина | Раствор для осаждения пленок алюмосиликатного стекла |
RU2318740C1 (ru) * | 2006-07-05 | 2008-03-10 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Обнинское научно-производственное предприятие "Технология" | Щелочеустойчивое высокопрочное алюмосиликатное стекло |
RU2534229C2 (ru) * | 2013-02-19 | 2014-11-27 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Российский химико-технологический университет им. Д.И. Менделеева" (РХТУ им. Д.И. Менделеева) | Композит на основе алюмосиликатной стеклокерамики и способ его получения (варианты) |
RU2645028C2 (ru) * | 2013-02-18 | 2018-02-15 | Ас Валмиерас Стикла Скиедра | Термостойкое алюмосиликатное стекловолокно, а также способ его изготовления и применения |
-
2017
- 2017-10-19 RU RU2017136950A patent/RU2702412C2/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SU1127483A1 (ru) * | 1983-07-13 | 2000-06-20 | Всесоюзный Электротехнический Институт Им.В.И.Ленина | Раствор для осаждения пленок алюмосиликатного стекла |
SU1316501A1 (ru) * | 1985-09-13 | 2000-06-20 | Всесоюзный Электротехнический Институт Им.В.И.Ленина | Способ получения исходного материала для изготовления низкотемпературных стекловидных покрытий для защиты поверхности полупроводниковых приборов |
RU2046452C1 (ru) * | 1992-03-17 | 1995-10-20 | Завод "Искра" | Способ защиты поверхности полупроводниковых приборов свинцово-силикатным стекловидным покрытием |
RU2318740C1 (ru) * | 2006-07-05 | 2008-03-10 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Обнинское научно-производственное предприятие "Технология" | Щелочеустойчивое высокопрочное алюмосиликатное стекло |
RU2645028C2 (ru) * | 2013-02-18 | 2018-02-15 | Ас Валмиерас Стикла Скиедра | Термостойкое алюмосиликатное стекловолокно, а также способ его изготовления и применения |
RU2534229C2 (ru) * | 2013-02-19 | 2014-11-27 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Российский химико-технологический университет им. Д.И. Менделеева" (РХТУ им. Д.И. Менделеева) | Композит на основе алюмосиликатной стеклокерамики и способ его получения (варианты) |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
RU2017136950A3 (ru) | 2019-06-20 |
RU2017136950A (ru) | 2019-04-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2019050364A (ja) | 半導体デバイスの製造中にシリコン−ゲルマニウム/シリコン積層体からシリコン−ゲルマニウム合金に対してシリコンを選択的に除去するためのエッチング液 | |
TW200731291A (en) | Method of manufacture of semiconductor device and conductive compositions used therein | |
US10025152B2 (en) | Anti-electrostatic device and method for manufacturing the same, and array substrate | |
US20040188385A1 (en) | Etching agent composition for thin films having high permittivity and process for etching | |
WO2007133894A3 (en) | Low dimensional thermoelectrics fabricated by semiconductor wafer etching | |
MY165631A (en) | Aqueous polishing composition and process for chemically mechanically polishing substrates containing silicon oxide dielectric and polysilicon films | |
KR20140113297A (ko) | 쇼트키 장벽을 감소시키기 위한 금속-절연체-반도체 접촉 구조체를 구비한 금속-산화물-반도체 전계-효과 트랜지스터 | |
KR20100057243A (ko) | 박막 트랜지스터 및 그의 제조 방법 | |
WO2012021025A3 (ko) | 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물 및 텍스쳐 에칭 방법 (2) | |
RU2702412C2 (ru) | Способ защиты структур на основе алюмосиликатного стекла | |
JP2015172567A (ja) | 光センサ装置 | |
CN101585660A (zh) | 一种半导体钝化封装用铅硅铝系玻璃粉及其制备方法 | |
BRPI0411618A (pt) | eletrodo, processo para sua fabricação e uso do mesmo | |
Zhou et al. | High-performance and operationally stable organic thin-film transistors using bi-buffer layers with low-cost electrodes | |
RU2702411C2 (ru) | Способ защиты кремниевых структур на основе свинцово-силикатного стекла | |
CN101488454A (zh) | 氮氧化硅栅极电介质的形成方法 | |
RU2524147C1 (ru) | СПОСОБ ЗАЩИТЫ ПОВЕРХНОСТИ КРИСТАЛЛОВ p-n ПЕРЕХОДОВ | |
KR102629576B1 (ko) | 절연막 식각액 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법 | |
KR20130105365A (ko) | 반도체 기판 제품의 제조 방법 및 에칭액 | |
WO2016206268A1 (zh) | 阵列基板及其制造方法、显示面板和显示装置 | |
RU2534563C2 (ru) | Способ нанесения стекла | |
RU2792924C2 (ru) | Способ защиты кристаллов на основе стекла | |
KR20120074760A (ko) | 알루미늄 산화물 게이트 절연막이 형성된 산화물 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 | |
WO2014200985A3 (en) | Chemical compositions for semiconductor manufacturing processes and/or methods, apparatus made with same | |
KR101669723B1 (ko) | 게르마늄이 도핑된 InZnO 활성층을 적용한 박막 트랜지스터 및 이의 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20191020 |