RU2011134068A - Способ увеличения поверхностного сопротивления пластины и/или уровня плотности мощности фотоэлектрического элемента - Google Patents

Способ увеличения поверхностного сопротивления пластины и/или уровня плотности мощности фотоэлектрического элемента Download PDF

Info

Publication number
RU2011134068A
RU2011134068A RU2011134068/28A RU2011134068A RU2011134068A RU 2011134068 A RU2011134068 A RU 2011134068A RU 2011134068/28 A RU2011134068/28 A RU 2011134068/28A RU 2011134068 A RU2011134068 A RU 2011134068A RU 2011134068 A RU2011134068 A RU 2011134068A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
solution
boe
water
plate
acid treatment
Prior art date
Application number
RU2011134068/28A
Other languages
English (en)
Inventor
Йоханнес Т.В. ХОГБОМ
Йоханнес А.Е. ОСТЕРХОЛТ
Сабрина РИТМЕЙЕР
Лукас М.Х. ГРУНЕВАУД
Original Assignee
Авантор Перформанс Матириалз Б.В.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Авантор Перформанс Матириалз Б.В. filed Critical Авантор Перформанс Матириалз Б.В.
Publication of RU2011134068A publication Critical patent/RU2011134068A/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/16—Organic compounds
    • C11D3/20—Organic compounds containing oxygen
    • C11D3/2075—Carboxylic acids-salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/16—Organic compounds
    • C11D3/26—Organic compounds containing nitrogen
    • C11D3/30—Amines; Substituted amines ; Quaternized amines
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/39—Organic or inorganic per-compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/39—Organic or inorganic per-compounds
    • C11D3/3947—Liquid compositions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321—After treatment
    • H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1876—Particular processes or apparatus for batch treatment of the devices
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
    • C11D2111/10—Objects to be cleaned
    • C11D2111/14—Hard surfaces
    • C11D2111/22—Electronic devices, e.g. PCBs or semiconductors
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Emergency Medicine (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Detergent Compositions (AREA)

Abstract

1. Способ обработки тонкопленочной пластины-подложки из аморфного или моно- или поликристаллического кремния для использования в фотоэлектрическом элементе, причем пластина-подложка имеет, по меньшей мере, один из pn или np-переходов и частичный слой фосфоросиликатого или боросиликатного стекла на верхней поверхности пластины-подложки для увеличения, по меньшей мере, одного параметра из (a) поверхностного сопротивления пластины и (b) плотности мощности фотоэлектрического элемента, где способ включает в себя осуществление контакта пластины-подложки с раствором для кислотной обработки в течение времени и при температуре, достаточных для увеличения, по меньшей мере, одного параметра из (а) поверхностного сопротивления пластины и (b) плотности мощности фотоэлектрического элемента, выполненного из указанной пластины, причем раствор для кислотной обработки включает в себя:забуферированный раствор для травления оксида (BOE), содержащий:от около 0,1 до около 20 вес.%, по меньшей мере, одного гидроксида тетраалкиламмония,от около 0,1 до около 5 вес.% уксусной кислоты,от около 0,1 до около 5 вес.%, по меньшей мере, одного неионогенного поверхностно-активного вещества,от около 0,1 до около 5 вес.%, по меньшей мере, одного хелатирующего металл агента,от около 0,1 до около 20 вес.% источника ионов аммония, не содержащего металлов,от около 0,01 до около 20 вес.% не содержащего металлов источника фторид-ионов,воду - до 100%,смешанный с окислителем и, необязательно, с водой при соотношении объемов (раствор окислителя/вода/раствор BOE), составляющем 0,01-10/0-100/1.2. Способ по п.1, в котором обработка происходит при температуре от около 20°С до около 70°С.3. Способ

Claims (23)

1. Способ обработки тонкопленочной пластины-подложки из аморфного или моно- или поликристаллического кремния для использования в фотоэлектрическом элементе, причем пластина-подложка имеет, по меньшей мере, один из pn или np-переходов и частичный слой фосфоросиликатого или боросиликатного стекла на верхней поверхности пластины-подложки для увеличения, по меньшей мере, одного параметра из (a) поверхностного сопротивления пластины и (b) плотности мощности фотоэлектрического элемента, где способ включает в себя осуществление контакта пластины-подложки с раствором для кислотной обработки в течение времени и при температуре, достаточных для увеличения, по меньшей мере, одного параметра из (а) поверхностного сопротивления пластины и (b) плотности мощности фотоэлектрического элемента, выполненного из указанной пластины, причем раствор для кислотной обработки включает в себя:
забуферированный раствор для травления оксида (BOE), содержащий:
от около 0,1 до около 20 вес.%, по меньшей мере, одного гидроксида тетраалкиламмония,
от около 0,1 до около 5 вес.% уксусной кислоты,
от около 0,1 до около 5 вес.%, по меньшей мере, одного неионогенного поверхностно-активного вещества,
от около 0,1 до около 5 вес.%, по меньшей мере, одного хелатирующего металл агента,
от около 0,1 до около 20 вес.% источника ионов аммония, не содержащего металлов,
от около 0,01 до около 20 вес.% не содержащего металлов источника фторид-ионов,
воду - до 100%,
смешанный с окислителем и, необязательно, с водой при соотношении объемов (раствор окислителя/вода/раствор BOE), составляющем 0,01-10/0-100/1.
2. Способ по п.1, в котором обработка происходит при температуре от около 20°С до около 70°С.
3. Способ по п.1 или 2, в котором раствор BOE имеет pH от около 3 до около 6.
4. Способ по п.3, в котором раствор BOE имеет pH от около 4,3 до около 5.
5. Способ по п.1, в котором раствор окислителя содержит перекись водорода.
6. Способ по п.1, в котором раствор BOE содержит гидроксид тетраметиламмония в качестве гидроксида тетраалкиламмония, 3,5-диметилгекс-1-ин-3-ол в качестве, по меньшей мере, одного поверхностно-активного вещества, и ЭДТК в качестве, по меньшей мере, одного хелатирующего металл агента, а раствор окислителя содержит перекись водорода и воду.
7. Способ по п.6, в котором раствор BOE содержит около 3,1% гидроксида тетраметиламмония, около 1,2% уксусной кислоты, около 2,1% HF, около 0,8% 3,5-диметилгекс-1-ин-3-ола, около 0,8% гидроксида аммония, около 0,6% ЭДТК, около 91,5% воды.
8. Способ по п.7, в котором раствор BOE смешан с раствором окислителя с соотношением BOE/вода/30% перекись водорода в интервале 1/6/0,2-1,0.
9. Способ по п.7, в котором раствор BOE смешан с раствором окислителя при соотношении BOE/вода/30% раствор перекиси водорода примерно 1/6/0,2.
10. Способ по п.7, в котором раствор BOE смешан с раствором окислителя при соотношении BOE/воды/30% раствор перекиси водорода примерно 1/6/0,8.
11. Способ по п.7, в котором раствор BOE смешан с раствором окислителя при соотношении BOE/воды/30% раствор перекиси водорода примерно 1/6/1.
12. Способ по п.7, в котором обработка происходит при температуре от около 20°С до около 70°С.
13. Способ по п.1, в котором обработка также увеличивает эффективность фотоэлектрического элемента, выполненного из этой пластины.
14. Раствор для кислотной обработки, предназначенный для обработки тонкопленочной пластины-подложки из аморфного или моно- или поликристаллического кремния для использования в фотоэлектрическом элементе, причем пластина-подложка имеет, по меньшей мере, один из pn- или np-переходов и частичный слой фосфоросиликатого или боросиликатного стекла на верхней поверхности пластины-подложки, чтобы увеличить, по меньшей мере, один параметр из (a) поверхностного сопротивления пластины и (b) плотности мощности фотоэлектрического элемента, выполненного из указанной пластины, где раствор для кислотной обработки включает в себя смесь из:
забуферированного раствора для травления оксида (BOE), содержащего:
от около 0,1 до около 20 вес.%, по меньшей мере, одного гидроксида тетраалкиламмония,
от около 0,1 до около 5 вес.% уксусной кислоты,
от около 0,1 до около 5 вес.%, по меньшей мере, одного неионогенного поверхностно-активного вещества,
от около 0,1 до около 5 вес.%, по меньшей мере, одного металл хелатирующего агента,
от около 0,1 до около 20 вес.% не содержащего металлов источника ионов аммония,
от около 0,01 до около 20 вес.% не содержащего металлов источника фторид-ионов,
воду - до 100%,
смешанного с окислителем и, необязательно, с водой при соотношении объемов окислитель/вода/раствор BOE, составляющем 0,01-10/0-100/1.
15. Раствор для кислотной обработки по п. 14, в котором раствор BOE имеет pH от около 3 до около 6.
16. Раствор для кислотной обработки по п. 15, в котором раствор BOE имеет pH от около 4,3 до около 5.
17. Раствор для кислотной обработки по п. 14, в котором раствор окислителя содержит перекись водорода.
18. Раствор для кислотной обработки по п. 14, в котором раствор BOE содержит гидроксид тетраметиламмония в качестве гидроксида тетраалкиламмония, 3,5-диметилгекс-1-ин-3-ол в качестве, по меньшей мере, одного поверхностно-активного вещества, и ЭДТК в качестве, по меньшей мере, одного хелатирующего металл агента, а раствор окислителя содержит перекись водорода и воду.
19. Раствор для кислотной обработки по п. 18, в котором раствор BOE содержит около 3,1% гидроксида тетраметиламмония, примерно 1,2% уксусной кислоты, около 2,1% HF, около 0,8% 3,5-диметилгекс-1-ин-3-ола, около 0,8% гидроксида аммония, примерно 0,6% ЭДТК, около 91,5% воды.
20. Раствор для кислотной обработки по п. 19, в котором раствор BOE смешан с раствором окислителя при соотношении BOE/вода/30% раствор перекиси водорода в интервале 1/6/0,2-1,0.
21. Раствор для кислотной обработки по п. 19, в котором раствор BOE смешан с раствором окислителя при соотношении BOE/вода/30% раствор перекиси водорода примерно 1/6/0,2.
22. Раствор для кислотной обработки по п. 19, в котором раствор BOE смешан с раствором окислителя при соотношении BOE/вода/30% раствор перекиси водорода примерно 1/6/0,8.
23. Раствор для кислотной обработки по п. 19, в котором раствор BOE смешан с раствором окислителя при соотношении BOE/вода/30% раствор перекиси водорода примерно 1/6/1.
RU2011134068/28A 2009-01-14 2010-01-11 Способ увеличения поверхностного сопротивления пластины и/или уровня плотности мощности фотоэлектрического элемента RU2011134068A (ru)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US14447909P 2009-01-14 2009-01-14
US61/144,479 2009-01-14
US22568509P 2009-07-15 2009-07-15
US61/225,685 2009-07-15
PCT/EP2010/000076 WO2010081661A2 (en) 2009-01-14 2010-01-11 Solution for increasing wafer sheet resistance and/or photovoltaic cell power density level

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2011134068A true RU2011134068A (ru) 2013-02-20

Family

ID=42272664

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2011134068/28A RU2011134068A (ru) 2009-01-14 2010-01-11 Способ увеличения поверхностного сопротивления пластины и/или уровня плотности мощности фотоэлектрического элемента

Country Status (14)

Country Link
EP (1) EP2387801A2 (ru)
JP (1) JP2012515444A (ru)
KR (1) KR20110105396A (ru)
CN (1) CN102282682B (ru)
AU (1) AU2010205945A1 (ru)
BR (1) BRPI1006176A2 (ru)
CA (1) CA2749836A1 (ru)
IL (1) IL213936A0 (ru)
MX (1) MX2011007413A (ru)
RU (1) RU2011134068A (ru)
SG (1) SG172973A1 (ru)
TW (1) TW201036058A (ru)
WO (1) WO2010081661A2 (ru)
ZA (1) ZA201105863B (ru)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102011050136A1 (de) 2010-09-03 2012-03-08 Schott Solar Ag Verfahren zum nasschemischen Ätzen einer Siliziumschicht
EP2514799A1 (en) 2011-04-21 2012-10-24 Rohm and Haas Electronic Materials LLC Improved polycrystalline texturing composition and method
DE102011103538A1 (de) 2011-06-07 2012-12-13 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zur Dotierung von Halbleitersubstraten sowie dotiertes Halbleitersubstrat und Verwendung
CN113980580B (zh) * 2021-12-24 2022-04-08 绍兴拓邦新能源股份有限公司 一种单晶硅片的碱刻蚀抛光方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2372904A1 (fr) * 1976-11-19 1978-06-30 Ibm Composition de decapage du silicium polycristallin contenant de l'hydroxyde de tetramethylammonium et procede d'application
TW263531B (ru) * 1992-03-11 1995-11-21 Mitsubishi Gas Chemical Co
KR20010066769A (ko) * 1999-04-20 2001-07-11 가네꼬 히사시 세정액
JP2003152176A (ja) * 2001-11-14 2003-05-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置の洗浄方法及びその製造方法
WO2003104901A2 (en) * 2002-06-07 2003-12-18 Mallinckrodt Baker Inc. Microelectronic cleaning and arc remover compositions
JP4319006B2 (ja) * 2003-10-23 2009-08-26 シャープ株式会社 太陽電池セルの製造方法
JP4553597B2 (ja) * 2004-01-30 2010-09-29 シャープ株式会社 シリコン基板の製造方法および太陽電池セルの製造方法
US20070099806A1 (en) * 2005-10-28 2007-05-03 Stewart Michael P Composition and method for selectively removing native oxide from silicon-containing surfaces
WO2008157345A2 (en) * 2007-06-13 2008-12-24 Advanced Technology Materials, Inc. Wafer reclamation compositions and methods

Also Published As

Publication number Publication date
CA2749836A1 (en) 2010-07-22
TW201036058A (en) 2010-10-01
CN102282682A (zh) 2011-12-14
WO2010081661A3 (en) 2010-10-07
BRPI1006176A2 (pt) 2019-09-24
ZA201105863B (en) 2012-04-25
WO2010081661A2 (en) 2010-07-22
AU2010205945A1 (en) 2011-09-01
JP2012515444A (ja) 2012-07-05
EP2387801A2 (en) 2011-11-23
MX2011007413A (es) 2011-07-21
CN102282682B (zh) 2016-07-06
KR20110105396A (ko) 2011-09-26
SG172973A1 (en) 2011-08-29
IL213936A0 (en) 2011-07-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105609571A (zh) Ibc太阳电池及其制作方法
CN102737981A (zh) 一种实现硅片单面抛光的方法
CN102064232A (zh) 一种应用于晶体硅太阳电池的单面腐蚀p-n结或绒面结构的工艺
JP2017531926A (ja) Ｎ型両面電池のウェットエッチング方法
JP2008311291A (ja) 太陽電池の製造方法
CN104037257A (zh) 太阳能电池及其制造方法、单面抛光设备
CN104752551A (zh) 一种太阳能硅片的清洗方法
CN105655424A (zh) 全背场扩散n型硅基电池及其制备方法
RU2011134068A (ru) Способ увеличения поверхностного сопротивления пластины и/или уровня плотности мощности фотоэлектрического элемента
CN103337561A (zh) 全背接触太阳电池表面场制备方法
CN109449251A (zh) 一种太阳能电池选择性发射极的制备方法
CN104143589B (zh) 一种太阳能电池的双面扩散方法
CN106328736A (zh) 一种抗lid黑硅太阳能高效电池及其生产方法
CN102244145B (zh) 阻止过镀的双层薄膜及其制备方法和应用
CN107623055B (zh) 一种准单晶电池的制备方法
CN103872183B (zh) 一种单面抛光方法
JPWO2016129372A1 (ja) 太陽電池の製造方法
CN102080244B (zh) 一种硅基介质膜的制备方法
JP2014086590A (ja) 結晶太陽電池の製造方法および結晶太陽電池
CN103311093A (zh) Pn结构的掺杂方法
CN106415783B (zh) 氧化物层的工艺和制造技术
Li et al. High-lifetime wafer cleaning method using ozone dissolved in DIW/HF/HCl solution
CN103715310B (zh) 一种太阳能电池用多晶硅片的钝化处理方法
CN108385168A (zh) 一种晶体硅表面制绒的方法
Hwang et al. Making silicon solar cells in a green, low-hazardous, and inexpensive way

Legal Events

Date Code Title Description
FA93 Acknowledgement of application withdrawn (no request for examination)

Effective date: 20130114