TW201036058A - Solution for increasing wafer sheet resistance and/or photovoltaic cell power density level - Google Patents

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TW201036058A
TW201036058A TW099100956A TW99100956A TW201036058A TW 201036058 A TW201036058 A TW 201036058A TW 099100956 A TW099100956 A TW 099100956A TW 99100956 A TW99100956 A TW 99100956A TW 201036058 A TW201036058 A TW 201036058A
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wafer
hydrogen peroxide
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Joannes T V Hoogboom
Johannes A E Oosterholt
Sabrina Ritmeijer
Lucas M H Groenewoud
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Mallinckrodt Baker Bv
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Description

201036058 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種酸性處理組合物及該酸性處理組合物 於處理於光伏打電池中使用之薄膜非晶形或單-或多_曰1曰形 矽晶圓基材，以提供經增加之晶圓薄片電阻及/或自該晶 圓製得之光伏打電池之功率密度之方法中之用途，咳晶圓 基材具有一 pn-或ηρ·接面及位於該晶圓基材之頂部表面上 之一部分磷矽酸鹽或硼矽酸鹽玻璃層中之至少—者。 【先前技術】 基於矽之太陽能電池、或光伏打電池需要數個處理步驟 以使能將入射光轉化為冑流。必匕等步驟中之一者涉及射極 之形成，其最常藉由將磷熱驅入至摻硼矽晶圓中來實現。 此方法會導致所謂死層之形成，其會導致所產生電荷之高 重組速率且不利於太陽能電池之效率及功率密度值。此 卜此方法會於该晶圓頂部形成一所謂的填石夕酸踐玻璃 ⑽⑽，該層含㈣1及氧，且需移除此ps(j5 H續电池製造。於熱驅入方法後，視處理條件，磷深度 分佈曲線顯示自該表面延伸至數十或數百奈米深處之高濃 度=2穩狀態。理想情況下，接近表面處的濃度較高（即 102G_21原子/cm3)以使能良好地接觸電極。 夕日日形光伏打t池製造商之一主要目標係要降低由其等 陽此包池所提供旎量之成本。此—般可以以下兩種方式 之實現，即降低總電池製造成本及/或改良太陽能電池 轉化效率。於實現後-目的之—嘗試中，現有製造方法在 145744.doc 201036058 磷擴散後應用後射極蝕刻，其係藉由將晶圓浸潰於HF中來 移除PSG層。先前實驗已顯示於hF_浸潰後之額外處理可 提高電池效率（高達0.3%絕對值）。目前，於此額外步驟中 • 使用 Mallinckr〇dt Baker，Inc.之一產品（即，產品 PV-160)。 . 然而’使用此產品一般需在該產品之熱浴（7〇°c或更高）中 處理晶圓基材。 極度希望可取得與目前使用之PV_i 60產品所得結果相 ❹比’可藉由改良之PSG層殘餘物餘刻以及較深之死層钮刻 而於相等或較短處理時間内且於降低溫度下於太陽能電池 中產生較高功率密度之組合物。 【發明内容】 於本發明之第一實施例中，提供一種處理於光伏打電池 中使用之薄膜非晶形或單-或多-晶形石夕晶圓基材，以增加 (a)晶圓薄片電阻及（b)自該晶圓製得之光伏打電池之功率 ίδ度中之至少一者之方法，該晶圓基材具有一 或np_接 〇 面及/或位於晶圓基材之一頂部表面上之部分填石夕酸鹽及/ 或侧石夕酸鹽玻璃層，該處理方法包含在足以增加（a)晶圓薄 片電阻及（b)自該晶圓製得之光伏打電池之功率密度中至少 •一者的時間内及溫度下使該晶圓基材與一酸性處理溶液接 •觸’該溶液包含： 一以下組份之緩衝氧化物蝕刻（BOE)溶液： 約〇. 1至約20重量％之至少一氫氧化四燒銨、 約0· 1至約5重量。/〇之乙酸、 約〇. 1至約5重量％之至少一非離子表面活性劑、 145744.doc 201036058 約0.1至約5重量％之至少一金屬螯合劑、 約0.1至約20重量％之無金屬銨離子源、 約0.01至約20重量％之無金屬氟化物離子源、 補足至100%之水， 其以0.01至10/0至100/1之氧化劑/水/B〇E溶液之體積比 與氧化劑及視情況之水混合。具有射極之晶圓包含口_及 n_源矽型兩者。 雖然該處理可增加晶圓薄片電阻或光伏打電池之功率密 度，然而其較佳可增加該兩者。此外，該處理亦可增加自 此晶圓製得之光伏打電池之效率。 於本發明之另一貫施例中，提供一種用於處理於光伏打 電池中使用之薄膜非晶形或單-或多-晶形矽晶圓基材，以 增加（a)晶圓薄片電阻及（b)自該晶圓製得之光伏打電池之 功率密度中至少一者之酸性處理溶液，該晶圓基材具有一 pn-或np-接面及/或位於該晶圓基材之一頂部表面上之部分 磷矽酸鹽及/或硼矽酸鹽玻璃層，其中該酸性處理溶液包 含以下組份之混合物： 一以下組份之緩衝氧化物蝕刻（BOE)溶液： 約〇·1至約20重量％之至少一氫氧化四烷銨、 約0.1至約5重量％之乙酸、 約〇. 1至約5重量％之至少一非離子表面活性劑、 約0.1至約5重量％之至少一金屬螯合劑、 約0.1至約2〇重量％之無金屬銨離子源、 約〇.〇1至約20重量。/。之無金屬氟化物離子源、 145744.doc 201036058 補足至100%之水， 其以0.01至10/0至100/1之氧化劑/水/B〇E溶液之體積比 與氧化劑及視情況之水混合。具有射極之晶圓包含P _及 • η-源矽型兩者。 • 於此兩實施例中，於ΒΟΕ溶液中之氯化四烷銨重量百分 里較佳係0.5至15%，更佳係1至1 〇%，甚佳係1.5至8%，且 最佳係2至4%，且尤其係3.1%。 0 乙酸之重量百分量較佳係〇·5至4% ’更佳係〇.8至3%，甚 佳係1至2%，最佳係1至1 ·5%，且尤其係丨至2〇/〇。 就非離子表面活性劑而言，其重量百分量較佳係〇2至 4%，更佳係0.3至2%，甚佳係〇.5至1%，最佳係〇7至 0-9% ’且尤其係〇.8%。 就螯合劑而言，其重量百分量較佳係〇2至4% ,更佳係 〇_3至3/。’甚佳係〇 4至1%，最佳係〇 5至〇篇，且尤其係 0.6%。 ® 就叙離子源而§，其重量百分量較佳係G.2至1G%，更佳 系3至5 /〇 ’甚佳係〇 5至2%，最佳係〇石至ι〇/〇，且尤其係 0.8%。 ' 就氣化物離子源而言，其重量百分量較佳係1至10%， 係0.5至5 /〇 ’甚佳係i 至3%，最佳係！ 5至2 ，且 尤其係2.1 %。 雖然該處理可增加晶圓薄片電阻或自該晶圓製得之光伏打 之力率密度中任-者，但其較佳可增加該兩者。此 外，該處理亦可增加自該晶圓製得之光伏打電池之效率。 145744.doc 201036058 於本發明之—&处& 平乂佳實施例中，該處理係於約20至低於 7〇C之溫度下進行。 於本孓月之另—較佳實施例中，該Β〇Ε溶液具有約3至 小於7之pH ’較佳約3至約6之阳’且更佳約至約$之 pH。 名各日月之 7 _ . —較佳實施例中，該氧化劑包含過氧化 氫 般而Q，該氧化劑係呈任何適用比例之水與過氧化 氫之水冷液（〇.〇!%至5〇%，更佳，及甚至更佳 約30%之水溶液）’但_般而言其比例係約2至約^。 於本勒明之再—較佳實施例中，該BOE溶液包含作為氫 氧化四烧4*之氫氧化四甲基敍、作為至少—表面活性劑之 3.5- 二甲基己小炔_3_醇、及作為至少一金屬螯合劑之 EDTA ’且該氧化劑溶液包含過氧化氫及水： 於本發明之又再—較佳實施例中，該BOE溶液包含約 1 /〇氫氧化四曱基錢、約i 2%乙酸、約2. 、約〇篇 3.5- —甲基己小块_3_醇、約〇 8%氫氧化銨約〇 謝八、約91.5%水，其中百分數係重量百分數。 於本發明之另一較佳實施例中，該BOL·溶液係以約 1/6/0.2之BOE/水/過氧化氫比例與氧化劑溶液混合。於本 發明之另一較佳實施例中，該BOE溶液係以約1/6/0.8之 BOE/水/過氧化氫比例與氡化劑溶液混合。於本發明之另 車又仏貫靶例中’該B〇E溶液係以約1/以1之B〇E/水/過氧 化氫比例與氧化劑溶液混合。 於本發明之又再其他較佳實施例中，該等實施例包含上 145744.doc 201036058 述較佳實施例之一或多種組合。 此外’本發明可於約20°C至约40°c之處理溫度下使用， 該溫度係低於7 0 °C之現有工業標準。 【實施方式】 • 本發明提供一種處理於光伏打電池中使用之薄膜非晶形 或單-或多-晶形矽晶圓基材，以改良（a)晶圓薄片電阻及（]?) 自该晶圓製得之光伏打電池之功率密度中至少一者之方 0 法’ 5亥晶圓基材具有一 Pn-或np-接面及/或位於該晶圓基材 之 員。卩表面上之部分鱗碎酸鹽及/或蝴碎酸鹽玻璃層， 該方法包含於足以增加（a)薄片電阻及（b)光伏打電池之功 率密度中至少一者之時間内及溫度下使該晶圓基材與一酸 性處理溶液接觸，該酸性處理溶液包含： 一以下組份之緩衝氧化物姓刻（B〇E)溶液： 約0 _ 1至約2 0重量％之至少一氫氧化四院録、 約〇· 1至約5重量％之乙酸、 〇 約0.1至約5重量％之至少一非離子表面活性劑、 約〇· 1至約5重量％之至少一金屬螯合劑、 約0.1至約20重量％之無金屬銨離子源、 約0.01至約20重量❶之無金屬氟化物離子源、 補足至100%之水， 其以〇·(Η至聊至100/1之氧化劑/水/B〇E溶液體積比與 氧化劑及視情況之水混合。具有射極之晶圓包含p_h_ 源矽型兩者。 雖然該處理可增加晶圓薄片電阻或自該晶圓製得之光伏打 145744.doc 201036058 電池之功率密度，但其較佳可增加該兩者。此外，該處理 亦可增加自該晶圓製得之光伏打電池之效率。 同樣地，本發明提供一種用於處理於光伏打電池中使用 之薄膜非晶形或單·或多-晶形矽晶圓基材，以增加（a)晶圓 薄片電阻及（b)自該晶圓製得之光伏打電池之功率密度中至 )者之溶液，该晶圓基材具有一Pn-或np-接面及/或位於 该晶圓基材之一頂部表面上之部分磷矽酸鹽及/或硼矽酸 鹽玻璃層，其中該酸性處理溶液包含以下組份之混合物： 一以下組份之緩衝氧化物蝕刻（B〇E)溶液： 約〇· 1至約20重量。/。之至少一氫氧化四烷銨、 約0.1至約5重量％之乙酸、 約0.1至約5重量❶/。之至少一非離子表面活性劑、 約〇. 1至約5重量％之至少一金屬螯合劑、 約0 · 1至約2 〇重量％之無金屬録離子源、 約〇.〇1至約20重量％之無金屬氟化物離子源、 補足至100%之水， 其以0.01至10/0至100/1之氧化劑/水/B〇E溶液之比與氧 化劑及視情況之水混合。具有射極之晶圓包含p-及卜源 發型兩者。 雖然該處理可增加晶圓薄片電阻或自該晶圓製得之光伏打 電池之功率密度，但其較佳可增加該兩者。此外，該處理 亦可增加自該晶圓製得之光伏打電池之效率。 於本發明之方法中，使用酸性處理溶液之步驟係於利用 HF將磷矽酸鹽或硼矽酸鹽玻璃移除（非完全移除）後及緊接 145744.doe 201036058 Ο Ο 另一 HF浸潰及隨後的抗反射塗層（ARC)(如（例如）SiNxH)沈 積之前，於光伏打電池晶圓基材上實行。該方法包含使晶 圓基材暴露至酸性處理溶液，諸如藉由於足以增加（a)晶圓 薄片電阻及（b)自該晶圓製得之光伏打電池之功率密度中至 少一者之時間内及溫度下將晶圓基材浸泡於該溶液之熱浴 中。晶圓基材與酸性處理溶液之接觸一般將持續約〇〇 j至 約20分鐘’較佳約〇.5至約5分鐘’且更佳約！分鐘之時 長。溶液之溫度一般係約20°C至低於約70。(：，較佳係約 20 C至約60°C，更佳係約20°C至約40°C，甚佳係約4(Tc。
適宜用於本發明之酸性處理組合物中者，可提及氫氧化 四烷銨或式[(RhNiprq]之鹽，其中每一 R獨立地係經取 代或未經取代之烷基，較佳係1至22，且更佳1至6，最佳i 個石反原子之烷基；且χ=〇Η或適宜的鹽陰離子，如碳酸根 等；P&q相等且係丨至3的整數。此等中之最佳者係氫氧化< 四甲基銨及氫氧化三乙基料祕）。其他可用的 氫氧化第四1安之實例包括：氫氧化三甲基-3-經丙基銨、氣 二化三甲基_3_經丁基錄、氫氧化三甲基_4,丁基銨、氫 ，化三乙基-2-經乙基錢、氫氧化三丙基_2_經乙基銨、氫 乳化三丁基_2_羥乙基銨、氫氧化二，基乙基奸乙美 錄、氣氧化二甲基二（2·經乙基）録、氫氧化單甲基三（M η 氧化四乙基銨、氣氧化四丙基鍵、氣氧化四 ^基錄、職化單甲基三乙基鍵、氫氧化單甲基 銨、虱氧化單甲基三丁基銨 '氫 土 氧化單乙基：…早乙基三甲基錢、氫 干u丞—丁基銨、虱氧化 - Τ基―乙基銨、氫氧化二 145744.doc 201036058 f基二丁基銨等及其等混合物。 無金屬録離子源可為任何適料無金屬銨鹽，如（例如） 氫氧化錢、氟化銨、氯化銨、頌酸錢等，但較佳係氫氧化 銨。無金屬氟化物離子源可為任何適用的無金屬氣化物化 合物’如⑽如）氟化氫、敦化錄、a化第喊如說化四甲 基叙。無金屬氟化物離子源較佳係册。於另—較佳實施例 中’錢離子及氟化物離子兩者可由一化合物（即氟化錢）提 供。 本發明之酸性處理組合物可含有任何適用的非離子表面 活性劑。在可用於本發明處難合物之各種相非離子表 面活性劑中，可提及(例如)低發泡非離子表面活性劑如炔 醇表面活性劑、氟化表面活性劑如氟化烧基院氧化物如 Fh^ad® FC_171、氟化烷基醋如FC_43〇及fc_43i及氟化 聚氧伸乙基烷醇如Flu〇rad® FC_17〇c、乡元醇之脂族酸 酯、聚氧伸乙基單烷基醚 '聚氧伸乙基二醇、矽氧烷型表 面活性劑及烷二醇單烷基醚如丁氧基丙醇。於本發明之鹼 性處理溶液中用作非離子表面活性劑之較佳者係块醇表面 活性劑’尤其係3,5-二曱基己小块小醇咖咖^⑧-叫或 任何其他Surfynol®表面活性劑；氟化烷基聚氧伸乙基乙 醇，尤其係Fluorad® FC-HOC及烷二醇單烷基醚，尤其係 丁氧基丙醇。 可於本發明之酸性處理組合物中採用任何可增加調配物 使金屬保留於溶液中之能力的適用金屬螯合劑。用於此目 的之螯合劑之一般實例係以下有機酸及其等鹽：乙二胺四 145744.doc 12 201036058 乙酸（EDTA)、丁二胺四乙酸、環己烧_ 1,2-二胺四乙酸 (CyDTA)、二伸乙三胺五乙酸、乙二胺四丙酸、（羥乙基） 乙二胺三乙酸（HEDTA)、甲基亞胺二乙酸、伸丙二胺四乙 酸、氮基三乙酸（NTA)、檸檬酸、酒石酸、葡萄糖酸、葡 萄糖二酸、甘油酸、草酸、苯二甲酸、順丁烯二酸、苯乙 醇酸、丙二酸、乳酸、水楊酸、鄰苯二酚、8_羥基喹啉、 N，N，N’，N’-乙二胺四（亞甲基膦酸）等。 可採用任何適用的氧化劑，如（例如）氧化陰離子如（例 如）過氧化物、硝酸及其鹽及銨之硝酸鹽、過硫酸鹽、過 碘酸鹽、過溴酸鹽、過氣酸鹽、碘酸鹽、溴酸鹽、及氯酸 鹽。較佳者係過氧化物且尤其係過氧化氫。 可藉由於適合容器中混合所需組份形成組合物來製備本 表明之酸性處理組合物。較佳地，將該組合物之所需組份 以驗/酸/鹼/酸之次序添加至衮 王谷窃中，以使來自組份反應之 任何可能熱量最小化。 〇 、/然而，於太陽能電池製造中，產物不僅需敍刻氧化石夕， 亚且亦需钮刻石夕及鱗。為實現此目的，將BOE與作為氧化 劑之過氧化氫組合。此意味於钮刻·氧化之連續製程中， =刻掉氧切，而氧化劑在表面上形成新 2 ’氧_會氧㈣Μ在之璘’藉此將其溶解。經_ 的種類（包括但非限於金屬雜質）藉由添加螯合劍 保留於溶液中，而表面的可濕性(即，氧化 °刀 之效率潘由添加表面活性劑獲得 化表面 雙重緩衝系統，其有助於製程穩定性。心乙酸可確保 145744.doc -13- 201036058 藉由（但不限於）以下實例說明本發明。於該等實例中， 百分數係重量百分數。 於工業類型線上光伏打電池製造序列中處理一組尺寸約 15.6><15·6 cm2且具有約180至200 μηι厚度之25個相鄰多晶 形石夕晶圓。於射極沈積且藉由HF移除含填玻璃後，晶圓於 該晶圓基材之一頂部表面上具有部份磷;5夕酸鹽玻璃層，使 該等晶圓與（1 )40°C下之本發明酸性處理溶液接觸，（？）先 前技術PV-160溶液在該溶液所需之7(TC下接觸，或（3)不與 處理溶液接觸以作對照。本發明之酸性處理溶液包含具有 約3.1%氫氧化四甲基銨、約12%乙酸、約21% hf、約 〇篇3,5-二曱基己炔_3_醇、約〇 8%氯氧化銨約〇 6% 丑〇丁八、約91.5%水的8(^溶液。以約1/6/〇2之；6〇£/水/3〇% 過氧化氫溶液比將此B〇E溶液與過氧化氫氧化劑溶液混 合二亦使用以約UWOJiBOE/水/3〇%過氧化氫溶液比與 過氧化氫氧化劑溶液混合的先前技術pv_16〇溶液。然後使 =處理之晶圓於室溫下於i重量％之册溶液中經受濕式化 :?理1分鐘，接著進行一般習知的光伏打製造步驟，以
^传所*的光伏打電池。當處理不同組別時將電極燃燒設 疋值保持传定 B 。〜疋且政疋於先前技術組的最佳燃燒設定值 ^測定電池之功率密度（單位mW/cm2，定義為短路電流 U1路電壓之乘積，jscxv〇c)。結果顯示於下表1中。 145744.doc 201036058 表1 處理組合物 短路電流密度 (Jsc) mA/cm2 開路電壓 (Voc) V 功率密度 (JscxVoc) mAV/cm2 薄片電阻之 增加 (歐姆/平方） 本發明組合物 33.37 0.607 20.25 5 PY-160 33.33 0.608 20.27 3 無 32.96 0.604 19.91 0 實例2 於工業類型線上光伏打電池製造序列中處理一組尺寸約 15.6x15.6 cm2且具有約180至200 μιη厚度之25個相鄰的多 晶形矽晶圓。於射極沈積及藉由HF移除含磷玻璃後，晶圓 於該晶圓基材之一頂部表面上具有部份磷矽酸鹽玻璃層， 使該等晶圓與（1)40°C下之本發明酸性處理溶液接觸，（2) 先前技術PV-160溶液於該溶液所需之70°C下接觸。本發明 之處理溶液包含具有約3.1%氫氧化四甲基銨、約1.2%乙 酸、約 2.1% HF、約 0.8% 3,5-二曱基己-1-炔-3-醇、約 0.8% 氫氧化銨、約0.6°/。£〇丁八、約91.5%水的6〇£溶液。以約 1/6/0.8之BOE/水/3 0%過氧化氫之比例將此BOE溶液與過氧 化氳氧化劑溶液混合。亦使用以約1/6/0.2之BOE/水/30% 過氧化氫溶液比與過氧化氫氧化劑溶液混合的先前技術 PV-160溶液。然後，使經處理之晶圓於室溫下在1重量。/〇 之HF溶液中經受濕式化學處理1分鐘，接著進行一般習知 的光伏打製造步驟以製得所需的光伏打電池。當處理不同 組別時使電極燃燒設定值維持不變，且設定在先前技術組 之最佳燃燒設定值下。測定該等電池之功率密度（單位 mW/cm2，定義為短路電流密度與開路電壓之乘積， 145744.doc -15- 201036058
JscxVoc)。結果顯示於下表2中。 表2 處理組合物 短路電流密度 Λ (Jsc) mA/cm 開路電壓 (Voc) V 功率密度 (JscxVoc) mAV/cm2 薄片電阻之增加 (歐姆/平方） 發明組合物 33.50 0.600 20.10 8.5 PV-160 33.33 0.598 19.93 1.5 實例3 於工業類型線上光伏打電池製造序列中處理一組尺寸約 15.6x15.6 cm2且具有約180至200 μιη厚度之25個相鄰的多 晶形矽晶圓。於射極沈積及藉由HF移除含磷玻璃後，該等 晶圓於晶圓基材之一頂部表面上具有部份磷矽酸鹽玻璃 層，使該等晶圓與（1)25°C、30°C及40°C下之本發明酸性處 理溶液接觸，（2)先前技術PV-160溶液於該溶液所需之70°C 下接觸，或（3)不與溶液接觸以作對照。本發明之酸性處理 溶液包含具有約3.1 %氫氧化四甲基銨、約1.2%乙酸、約 2.1% HF、約0.8% 3,5-二曱基己-1-炔-3-醇、約0.8%氫氧化 銨、約0.6%£〇丁人、約91.5%水的3〇£溶液。以約1/6/1之 B0E/水/3 0%過氧化氫溶液比將此BOE溶液與過氧化氫氧化 劑溶液混合。亦使用以約1/6/0·2之B0E/水/過氧化氫溶液 比與過氧化氫氧化劑溶液混合的先前技術PV-160溶液。然 後，使經處理之晶圓於室溫下在1重量％之HF溶液中經受 濕式化學處理1分鐘，接著進行一般習知的光伏打製造步 驟以製得所需的光伏打電池。當處理不同組別時使電極燃 燒設定值維持不變，且設定於先前技術組之最佳燃燒設定 145744.doc -16· 201036058 值下。結果顯示於下表3中。 表3 處理組合物 效率(％) 開路電壓 (V〇c)V 短路電 流密度 (Jsc) mA/cm2 填充 因子 (%) 平均 功率密度 (JscxVoc) mAV/cm2 薄片電阻 之增加 (歐姆/平方） PV-160 14.74 0.60 7.93 74.81 4.80 1.10 無 14.75 0.60 7.89 75.55 4.75 0.70 25°C下之發明 組合物 1486 0.60 7.91 75.58 4.78 1.80 30 °C下之發明 組合物 14.71 0.60 7.91 74.85 4.78 2.20 40°C下之發明 組合物 14.74 0.61 7.94 74.56 4.81 4.50 如結果所顯示，本發明組合物使薄片電阻及/或電池功 率密度顯著地增加超過對照組。藉由改變混合比，尤其係 藉由增加過氧化氫之量，本發明組合物展現等於或優於 PV-160之功率密度。然而，本發明組合物能於20°C至40°C 之溫度範圍内達成，而PV-160組合物則需在70°C溫度下才 能達成。 〇 雖然本文已參考其具體實施例描述本發明，但應瞭解在 不脫離本文所揭示之本發明概念之精神及範圍下可進行改 變、修改及變化。因此，意欲涵蓋隨附專利申請範圍之精 神及範圍内之所有此等改變、修改及變化。 145744.doc 17

Claims (1)

  1. 201036058 七、申請專利範圍： 一種處理於光伏打電池中使用之薄膜非晶形或單_或多_ 晶形矽晶圓基材之方法，用以增加（a)薄片電阻及（b)該光 伏打電池之功率密度中至少一者，其中該晶圓基材具有 一 Pn-或np-接面及位於該晶圓基材之一頂部表面上之一 部份磷矽酸鹽或硼矽酸鹽玻璃層中至少一者，該方法包 含於足以增加（a)該晶圓薄片電阻及（b)自該晶圓製得之光 伏打包池之功率岔度中之至少一者之時間内及溫度下使 該晶圓基材與一酸性處理溶液接觸，該酸性處理溶液包 含： 具有以下組份之緩衝氧化物蝕刻（B〇E)溶液： 約〇.1至約20重量％之至少一氫氧化四烷基銨、 約〇. 1至約5重量％之乙酸、 約〇.1至約5重量％之至少—非離子表面活性劑、 約ο. 1至約5重量％之至少一金屬螯合劑、 〇 '、’勺0.1至約2〇重篁％之無金屬録離子源、 約0.01至約20重量％之無金屬銳化物離子源、 補足至100%之水， 其係以〇.〇1至謂至麵i之氧化劑溶液/水/B〇E溶液比 與氧化劑溶液及視情況之水混合。 2. h月求項1之方法’其中該處理係於約2〇。〇至約赋之 溫度下進行。 3.如明求項1或2之方法，其中該B〇E溶液具有約3至約6之 145744.doc 201036058 4.如請求項3 $古 . ^ 項·3之方法，其中該B〇E溶液具有約43 pH。 5·如上述請求項中任—項之方法，其中該氧化劑溶液包含 過氧化氫。 6.如上述請求項中任一項之方法，其中該b〇e溶液包含作 為虱氧化四燒基狀氫氧化四甲基銨、作為該至少一表 面活性劑之3,5-二甲基己领_3_醇、及作為該至少一金 螯口 ％丨之EDTA ’且該氧化劑溶液包含過氧化氫及 水。 月长項6之方法，其中該B〇E溶液包含約3.1 %氫氧化 四曱基銨、約12%乙酸、約2 l% hf、約〇篇二甲 基己小炔-3-醇、約〇,8%氫氧化錢、約〇 6% Ε〇τΑ、約 9 1.5 % 水。 月求員7之方法，其中該B〇E溶液係以1/6/0.2至1.0範 圍1之BOE/水/3〇%過氧化氫比與氧化劑溶液混合。 月长項7之方法，其中該BOE溶液係以約i/6/0.2之 良/30 /。過氧化氫溶液比與氧化劑溶液混合。 月长項7之方法’其中該BOE溶液係以約1/6/0.8之 BO^/水/3G%過氧化氫溶液比與氧化劑溶液混合。 士 〇月求項7之方法’其令該BOE溶液係以約i/6/l之BOE/ 水/30%過氧化氫溶液比與氧化劑溶液混合。 12. 如明求項9之方法，其中該處理係於約at至約7〇。〇之 溫度下進行。 13. 如上述請求項中任—項之方法，其中該處理亦改良自該 145744.doc 201036058 日日圓製仔之光伏打電池之效率。 14. 一種用於處理於光伏打電池中使用之薄膜非晶形或單-或 夕_晶形矽晶圓基材之酸性處理溶液，用以增加（a)該晶 圓薄片電阻及（b)自該晶圓製得之光伏打電池之功率密度 中至夕―者’其中該晶圓基材具有一 pn-或np接面及一位 於忒晶圓基材之頂部表面上之部份磷矽酸鹽或硼矽酸鹽 Ο 玻璃層中之至少一者，該酸性處理溶液包含以下組份之 混合物： 一具有以下組份之緩衝氧化物蝕刻（B〇E)溶液： 約〇· 1至約20重量％之至少一氫氧化四烷基銨、 約0.1至約5重量％之乙酸、 約0.1至約5重量％之至少一非離子表面活性劑、 約〇· 1至約5重量％之至少一金屬螯合劑、 約〇. 1至約2〇重量％之無金屬銨離子源、 約0.01至約20重量❶/。之無金屬氟化物離子源、 Q 補足至1〇〇%之水， 其係以0.01至10/0至100Π之氧化劑溶液/水/B〇E溶液 比與氧化劑溶液及視情況之水混合。 ’ 15_如請求項14之酸性處理溶液，其中該B〇E溶液具有約3至 約6之pH。 16. 如請求項15之酸性處理溶液，其中該B〇E溶液具有約4.3 至約5之pH。 17. 如請求項14或15之酸性處理溶液，其中該氧化劑溶液包 含過氧化氫。 145744.doc 201036058 18. 如明求項14至17中任一項之酸性處理溶液，其中該B〇E 溶液包含作為該氫氧化四烧基敍之氫氧化四甲基敍、作 為該至少一表面活性劑之3,5_二甲基己-卜炔―％醇、及作 為該至少一金屬螯合劑之EDTA，且該氧化劑溶液包含 過氧化氳及水。 19. 如請求項18之酸性處理溶液，其中該b〇e溶液包含約 3.1 /〇氣氧化四曱基錢、約1 ·2〇/0乙酸、約2.1 % hf、約 〇·8% 3,5-二曱基己_1_炔_3_醇、約〇 8%氫氧化銨、約 0.6°/(^〇丁入、約91.5%水。 20. 如請求項19之酸性處理溶液，其中該B〇E溶液係以 1/6/0.2至1 .〇範圍内之boe/水/30%過氧化氫溶液比與該 氧化劑溶液混合。 ’ 21. 如請求項19之酸性處理溶液，其中該b〇e溶液係以約 1/6/0.2之BOE/水/3 0%過氧化氫溶液比與該氧化劑溶液混 合0 22. 如請求項19之酸性處理溶液，其中該B〇E溶液係以約 1/6/0.8之BOE/水/30%過氧化氫溶液比與該氧化劑溶液混 合0 23. 如請求項19之酸性處理溶液，其中該β〇Ε溶液係以約 W6/1之B0E/水/30%過氧化氫溶液比與該氧化劑溶液混 合0 145744.doc 201036058 四、指定代表圖： (一) 本案指定代表圖為：（無） (二) 本代表圖之元件符號簡單說明： 五、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學式： (無）
    145744.doc
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