RU2625248C1 - Способ изготовления кристаллов микроэлектромеханических систем - Google Patents
Способ изготовления кристаллов микроэлектромеханических систем Download PDFInfo
- Publication number
- RU2625248C1 RU2625248C1 RU2016138485A RU2016138485A RU2625248C1 RU 2625248 C1 RU2625248 C1 RU 2625248C1 RU 2016138485 A RU2016138485 A RU 2016138485A RU 2016138485 A RU2016138485 A RU 2016138485A RU 2625248 C1 RU2625248 C1 RU 2625248C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- plate
- profile
- silicon
- etching
- back sides
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title abstract description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 39
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 39
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 39
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 36
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims abstract description 34
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 claims abstract description 21
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 19
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims abstract description 16
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims abstract description 13
- 239000011253 protective coating Substances 0.000 claims abstract description 8
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 6
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 17
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 description 25
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 11
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 238000009623 Bosch process Methods 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002146 bilateral effect Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/308—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks
Landscapes
- Micromachines (AREA)
Abstract
Изобретение относится к области приборостроения и может применяться при изготовлении кремниевых кристаллов микроэлектромеханических систем, используемых в конструкциях микромеханических приборов, таких как акселерометры, гироскопы, датчики угловой скорости. В способе изготовления кристаллов микроэлектромеханических систем наносят защитные покрытия на лицевую и обратную стороны пластины, проводят фотолитографию по защитным слоям с лицевой и обратной сторон, травят кремний с лицевой и обратной сторон пластины на заданную глубину и с заданным профилем, наносят защитный слой с лицевой стороны пластины и профиля вытравленных канавок от растрава при последующем травлении с обратной стороны пластины, удаляют остатки маскирующих покрытий с лицевой и обратной сторон пластины. Согласно изобретению после травления кремния на заданную глубину и с заданным профилем удаляют защитный слой с лицевой стороны пластины и профиля вытравленных канавок, проводят обработку профиля в полирующем травителе и удаляют остатки маскирующих покрытий с лицевой и обратной сторон пластины. Кроме того, фотолитографию по защитным слоям на лицевой и обратной стороне проводят одновременно, в качестве защитного слоя с лицевой стороны пластины и профиля вытравленных канавок наносят медную пленку, в качестве маскирующих покрытий с лицевой и обратной стороны используют идентичные материалы, например нитрид кремния. Изобретение повышает чувствительность и прочность конструкций микроэлектромеханических систем за счет повышения технологичности изготовления и формирования кремниевых кристаллов с минимальной шероховатостью вертикального профиля канавок. 3 з.п. ф-лы, 4 ил.
Description
Изобретение относится к области приборостроения и может применяться при изготовлении кремниевых кристаллов микроэлектромеханических систем, используемых в конструкциях микромеханических приборов, таких как акселерометры, гироскопы, датчики угловой скорости.
Известны методы формирования [Галперин В.А. Процессы плазменного травления в микро- и нанотехнологиях: учебное пособие / В.А. Галперин, Е.В. Данилкин, А.И. Мочалов; под ред. С.П. Тимошенкова. - М: БИНОМ. Лаборатория знаний, 2010. - 283 с., стр. 108-111, 114-116] канавок в кремнии. В методах плазмохимического травления кремния необходимо обеспечить хороший теплоотвод от обрабатываемых пластин и подложкодержателя; для улучшения вертикальности профиля подают напряжение смещения на обрабатываемые пластины и управляют параметрами подводимой мощности к обрабатываемым пластинам. Некоторые методы, такие как непрерывный процесс травления, позволяет формировать неглубокие структуры с гладкими стенками и наиболее применим в технологии СБИС, где не требуется формирование структур из кремния толщиной, равной толщине исходной пластины кремния. Поэтому метод неприменим к технологии формирования микроэлектромеханических систем. Bosch-процесс и криогенный процесс формирования канавок эффективны при формировании микроэлектромеханических изделий, однако обоим методам присущ следующий недостаток - выраженная шероховатость боковых стенок профиля формируемых канавок в виде микронеровностей с острыми гранями, образующаяся после каждого шага травления. Микронеровности являются концентраторами механических напряжений, что снижает механическую прочность конструкций микроэлектромеханических систем. Помимо этого, к криогенному процессу предъявляют жесткие требования по необходимости обеспечения тщательной очистки обратной стороны пластины, что делает процесс сложным и дорогостоящим.
Известен способ изготовления электростатического силового МЭМС-ключа [Патент Российской Федерации №2527942, Н01Н 59/00, 2013]. В способе изготовления используют подложку монокристаллического кремния. Структуру микроэлектромеханического МЭМС-ключа формируют следующей последовательностью операций: формируют технологическую мембрану при помощи глубокого анизотропного травления в 33% растворе КОН, формируют выступы методом локального глубокого термического окисления кремния в парах воды с образованием и последующим удалением SiO2 методом жидкостно-химического травления, формируют микрорельеф и мембраны подвижного электрода при помощи анизотропного травления кремниевой пластины в 33% растворе КОН, осуществляют создание приповерхностного высоколегированного n+ слоя с последующим удалением образующегося фосфоросиликатного стекла, формирование изоляционного слоя путем окисления пластины с последующим осаждением нитрида кремния и формирование рисунка изоляции, формирование металлического шунта при помощи напыления золота на подслой вольфрама с использованием обратной фотолитографии, формирование подвижного электрода в виде консоли с выполненными в ней симметричными щелевидными отверстиями при помощи процесса глубокого плазмохимического травления кремния (Bosch-процесса). Данный метод применим к созданию технологических мембран толщиной 35-40 мкм и рабочих мембран толщиной 20-25 мкм и не может быть использован при формировании структур МЭМС, имеющих толщину структурных элементов, сопоставимых по толщине с исходной кремниевой пластиной. Кроме этого, применение различных режимов травления - анизотропного травления в растворе КОН и плазмохимического травления - снижает технологичность процесса.
Наиболее близким к заявляемому техническому решению является способ изготовления чувствительных элементов микромеханических систем [Патент Российской Федерации №2439741, H01L 21/308, 2010]. В способе изготовления чувствительных элементов наносят защитные покрытия на лицевую и обратную сторону пластины, проводят фотолитографию по защитным слоям с лицевой и обратной стороны, глубокое высокопрецизионное травление кремния с лицевой и обратной стороны пластины на заданную глубину и с заданным профилем, удаляют остатки маскирующих покрытий с лицевой и обратной стороны пластины, на кремниевую пластину после травления канавок с лицевой стороны и удаления остатков защитного покрытия производится операция нанесения слоя диоксида кремния для защиты лицевой стороны пластины и профиля вытравленных канавок от растрава при последующем травлении с обратной стороны пластины и механической фиксации выпадающих фрагментов конструкции. Способ предполагает проведение двух фотолитографий по защитным слоям - по нанесенному фоторезисту с лицевой стороны, по нанесенному алюминию с обратной стороны кремниевой пластины, удаление остатков маскирующих покрытий - фоторезиста с лицевой стороны, алюминия с обратной стороны пластины. Это усложняет технологический процесс изготовления, так как требует проведения раздельных операций фотолитографии с лицевой и обратной стороны пластин, применения различных маскирующих покрытий - фоторезиста с лицевой стороны и алюминия с другой стороны, требует применения различных химических реактивов для обработки и снятия указанных слоев. Применение различных по площади маскирующих покрытий с лицевой и обратной стороны приводит к появлению «загрузочного эффекта», связанного с различной скоростью травления кремния в открытых окнах разной площади. Это требует точного контроля времени травления с лицевой и обратной сторон пластины. Например, при травлении с лицевой стороны на 100 мкм, а с обратной стороны на 200 мкм (в два раза больше с обратной стороны), время травления с лицевой стороны может не быть ровно в два раза меньше времени травления с обратной стороны, что может вызвать затруднение контроля глубины травления. Кроме этого, при плазмохимическом методе формирования канавок возможно получение стенок вертикального профиля с выраженной шероховатостью, что снижает чувствительность и прочность микроэлектромеханических систем за счет возникновения концентраторов механических напряжений на микронеровностях с острыми гранями, образующих шероховатую поверхность профиля канавок. Указанное снижает технологичность изготовления кремниевых чувствительных элементов микроэлектромеханических систем.
Целью изобретения является повышение чувствительности и прочности конструкций микроэлектромеханических систем за счет повышения технологичности изготовления и формирования кремниевых кристаллов с минимальной шероховатостью вертикального профиля канавок.
Поставленная цель достигается за счет того, что в способе изготовления кристаллов микроэлектромеханических систем, включающем нанесение защитных покрытий на лицевую и обратную стороны пластины, фотолитографию по защитным слоям с лицевой и обратной сторон, травление кремния с лицевой и обратной сторон пластины на заданную глубину и с заданным профилем, нанесение защитного слоя с лицевой стороны пластины и профиля вытравленных канавок от растрава при последующем травлении с обратной стороны пластины, удаление остатков маскирующих покрытий с лицевой и обратной сторон пластины, согласно изобретению после травления кремния на заданную глубину и с заданным профилем удаляют защитный слой с лицевой стороны пластины и профиля вытравленных канавок, проводят обработку профиля в полирующем травителе, после чего удаляют остатки маскирующих покрытий с лицевой и обратной сторон пластины. Кроме того, фотолитографию по защитным слоям на лицевой и обратной стороне проводят одновременно, в качестве защитного слоя с лицевой стороны пластины и профиля вытравленных канавок наносят медную пленку, в качестве маскирующих покрытий с лицевой и обратной стороны используют идентичные материалы, например нитрид кремния.
Удаление защитного слоя с лицевой стороны пластины и профиля вытравленных канавок после травления кремния на заданную глубину и с заданным профилем перед удалением остатков маскирующих покрытий с лицевой и обратной сторон пластин позволяет провести обработку полученного профиля в полирующем травителе. Обработка в полирующем травителе снижает шероховатость вертикальных стенок профиля за счет преимущественного растворения микронеровностей, возникающих на формируемом профиле канавок при каждом шаге плазмохимического травления и являющихся концентраторами механических напряжений. Использование одновременной двусторонней фотолитографии с лицевой и обратной стороны позволяет снизить число фотолитографий по защитным слоям, сформированным на лицевой и обратной стороне и предназначенным в качестве маскирующих покрытий для процессов травления. Кроме того, применение в качестве маскирующих покрытий идентичных материалов, например нитрида кремния, требует меньшей номенклатуры применяемых химических реактивов для обработки маскирующих слоев. Кроме того, медная пленка в качестве защитного слоя с лицевой стороны и профиля вытравленных канавок позволяет получить лучшую теплопередачу от обрабатываемой пластины кремния при проведении процесса плазмохимического травления канавок и, кроме того, получить хороший электрический контакт между пластиной и подложкодержателем, что улучшает подачу напряжения смещения на пластину для управления формой профиля вертикальной канавки.
Указанное повышает технологичность изготовления и позволяет формировать кремниевые кристаллы микроэлектромеханических систем с минимальной шероховатостью вертикального профиля канавок, что приводит к повышению чувствительности и прочности конструкции.
На фиг. 1-4 показана последовательность технологических операций при изготовлении кристаллов микроэлектромеханических систем.
На фиг. 1 изображена кремниевая пластина с нанесенными защитными покрытиями на лицевой и обратной стороне пластины, где 1 - кремниевая пластина, 2 - защитные слои, сформированные одновременной двусторонней фотолитографией с лицевой и обратной стороны пластины.
На фиг. 2 изображена кремниевая пластина с вытравленными канавками с лицевой стороны пластины, где 1 - кремниевая пластина, 2 - защитные слои, сформированные одновременной двусторонней фотолитографией с лицевой и обратной стороны пластины, 3 - канавки, вытравленные с лицевой стороны пластины.
На фиг. 3 изображена кремниевая пластина с вытравленными канавками с лицевой и обратной стороны пластины, где 4 - нанесенный защитный слой с лицевой стороны пластины и профиля вытравленных канавок от растрава при последующем травлении с обратной стороны пластины, 5 - вытравленные канавки с обратной стороны пластины.
На фиг. 4 изображена кремниевая пластина с вытравленными канавками на заданную глубину и с заданным профилем, где 1 - кремниевая пластина, 6 - профиль вытравленных канавок до обработки в полирующем травителе с концентраторами механических напряжений в виде микронеровностей, 7 - профиль вытравленных канавок после обработки в полирующем травителе без концентраторов механических напряжений.
Способ изготовления кристаллов микроэлектромеханических систем заключается в следующем. На лицевую и обратную сторону пластины наносят защитное покрытие, выполняют одновременную двустороннюю фотолитографию по защитным слоям, формируя топологию будущего травления, при этом рисунок с лицевой стороны пластины повторяет рисунок с обратной стороны пластины, что позволяет исключить такое явление, как «загрузочный эффект», заключающийся в разной скорости травления кремния в разных по площади открытых окнах в маскирующих слоях, проводят операцию плазмохимического травления кремния с лицевой стороны пластины на заданную глубину и с заданным профилем травления, наносят защитный слой с лицевой стороны пластины и профиля вытравленных канавок от растрава при последующем травлении с обратной стороны пластины, защитный слой позволяет получить хороший электрический контакт между пластиной и подложкодержателем, что улучшает подачу напряжения смещения на пластину для управления формой профиля вертикальной канавки и, кроме этого, улучшает теплопередачу между пластиной и подложкодержателем, производят операцию плазмохимического травления кремния с обратной стороны пластины, доводя профиль до заданного, удаляют защитный слой с лицевой стороны пластины и профиля вытравленных канавок, проводят обработку профиля в полирующем травителе, применение полирующего травителя позволяет сглаживать шероховатость вертикальных стенок профиля за счет преимущественного растворения микронеровностей в виде раковин с острыми краями, являющихся концентраторами механических напряжений, возникающими на формируемом профиле канавок при каждом шаге плазмохимического травления, после чего удаляют остатки маскирующих покрытий с лицевой и обратной сторон пластины.
В данном способе изготовления повышение технологичности происходит за счет применения идентичных маскирующих покрытий, что снижает номенклатуру применяемых химических реактивов, применения медной пленки в качестве защитного слоя лицевой стороны и профиля вытравленных канавок, что позволяет получить хороший электрический контакт и обеспечить теплопередачу от обрабатываемой пластины и подложкодержателя для управления параметрами технологического процесса, такими как подача необходимого напряжения смещения и подводимой мощности при формировании канавок, применения двусторонней фотолитографии по защитным слоям, что сокращает количество фотолитографических операций, исключения «загрузочного эффекта» за счет формирования одинаковых топологических рисунков будущего травления с лицевой и обратной стороны пластины, возможности изготовления структурных элементов микроэлектромеханических систем, сопоставимых по толщине с исходной кремниевой пластиной, кроме того, применение полирующего травителя позволяет формировать вертикальный профиль канавок с пониженной шероховатостью по сравнению с известными аналогами, что приводит к повышению чувствительности и прочности конструкций микроэлектромеханических систем.
Пример реализации предложенного способа.
На кремниевую пластину (1) толщиной 300±10 мкм на лицевую и обратную сторону известными методами наносят защитные покрытия, одновременной двусторонней фотолитографией формируют топологию защитных слоев (2) будущего травления, при этом защитные слои (2) являются маскирующими по отношению к пластине (1) при проведении процессов травления (фиг. 1). Такими маскирующими покрытиями могут являться, например, слои нитрида кремния толщиной 0,4-0,6 мкм. После формирования одновременной фотолитографией рисунка защитных слоев (2) проводят операцию плазмохимического травления с лицевой стороны пластины (1) на глубину 150±10 мкм, формируя канавки (3) (фиг. 2). После формирования канавок (3) с лицевой стороны пластины (1) известными методами наносят защитный слой (4), например представляющий собой медную пленку толщиной 5-8 мкм с лицевой стороны пластины (1) и профиля вытравленных канавок (3) от растрава при последующем травлении с обратной стороны пластины (1), проводят плазмохимическое травление с обратной стороны пластины (1) на глубину 150±10 мкм, вытравливая канавки (5), формируя заданный профиль (фиг. 3). После этого стравливают защитный слой (4), проводят обработку пластины (1) в полирующем травителе, после этого профиль вытравленных канавок до обработки (6) в полирующем травителе отличается от профиля вытравленных канавок после обработки (7) в полирующем травителе, что выражается в снижении шероховатости поверхности профиля канавок за счет растворения микронеровностей, образующихся на поверхности вертикального профиля при операциях плазмохимического травления и являющихся концентраторами механических напряжений (фиг. 4).
Таким образом, предложенный способ повышает чувствительность и прочность конструкций микроэлектромеханических систем за счет повышения технологичности изготовления и формирования кремниевых кристаллов с минимальной шероховатостью вертикального профиля канавок.
Claims (4)
1. Способ изготовления чувствительных элементов микроэлектромеханических систем, включающий нанесение защитных покрытий на лицевую и обратную стороны пластины, фотолитографию по защитным слоям с лицевой и обратной сторон, травление кремния с лицевой и обратной сторон пластины на заданную глубину и с заданным профилем, нанесение защитного слоя с лицевой стороны пластины и профиля вытравленных канавок от растрава при последующем травлении с обратной стороны пластины, удаление остатков маскирующих покрытий с лицевой и обратной сторон пластины, отличающийся тем, что после травления кремния на заданную глубину и с заданным профилем удаляют защитный слой с лицевой стороны пластины и профиля вытравленных канавок, проводят обработку профиля в полирующем травителе, после чего удаляют остатки маскирующих покрытий с лицевой и обратной сторон пластины.
2. Способ изготовления чувствительных элементов микроэлектромеханических систем по п. 1, отличающийся тем, что фотолитографию по защитным слоям на лицевой и обратной стороне проводят одновременно.
3. Способ изготовления чувствительных элементов микроэлектромеханических систем по п. 1, отличающийся тем, что в качестве защитного слоя с лицевой стороны пластины и профиля вытравленных канавок наносят медную пленку.
4. Способ изготовления чувствительных элементов микроэлектромеханических систем по п. 1, отличающийся тем, что в качестве маскирующих покрытий с лицевой и обратной стороны используют идентичные материалы, например нитрид кремния.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2016138485A RU2625248C1 (ru) | 2016-09-28 | 2016-09-28 | Способ изготовления кристаллов микроэлектромеханических систем |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2016138485A RU2625248C1 (ru) | 2016-09-28 | 2016-09-28 | Способ изготовления кристаллов микроэлектромеханических систем |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2625248C1 true RU2625248C1 (ru) | 2017-07-12 |
Family
ID=59495195
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2016138485A RU2625248C1 (ru) | 2016-09-28 | 2016-09-28 | Способ изготовления кристаллов микроэлектромеханических систем |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2625248C1 (ru) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2672033C1 (ru) * | 2017-11-13 | 2018-11-08 | Акционерное общество "Научно-исследовательский институт физических измерений" | Способ формирования областей кремния в объеме кремниевой пластины |
| RU2792924C2 (ru) * | 2021-06-02 | 2023-03-28 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Дагестанский государственный технический университет" | Способ защиты кристаллов на основе стекла |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0283546A1 (de) * | 1987-03-27 | 1988-09-28 | Ibm Deutschland Gmbh | Verfahren zum Herstellen beliebig geformter mikromechanischer Bauteile aus planparallelen Platten aus Polymermaterial oder beliebig geformter Duchführungsöffnungen in denselben |
| RU2321101C1 (ru) * | 2006-07-06 | 2008-03-27 | ФГУП "НИИ физических измерений" | Способ изготовления полупроводниковых приборов |
| RU2439741C1 (ru) * | 2010-11-09 | 2012-01-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский университет МИЭТ" (МИЭТ) | Способ изготовления чувствительных элементов микромеханических систем |
| RU2572288C1 (ru) * | 2014-09-30 | 2016-01-10 | Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт физических измерений" | Способ изготовления глубокопрофилированных кремниевых структур |
| RU2597657C1 (ru) * | 2015-04-14 | 2016-09-20 | Общество с ограниченной ответственностью "Планар-МИФИ" | Способ изготовления чувствительных элементов датчиков концентрации газа |
-
2016
- 2016-09-28 RU RU2016138485A patent/RU2625248C1/ru active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0283546A1 (de) * | 1987-03-27 | 1988-09-28 | Ibm Deutschland Gmbh | Verfahren zum Herstellen beliebig geformter mikromechanischer Bauteile aus planparallelen Platten aus Polymermaterial oder beliebig geformter Duchführungsöffnungen in denselben |
| US4871418A (en) * | 1987-03-27 | 1989-10-03 | International Business Machines Corporation | Process for fabricating arbitrarily shaped through holes in a component |
| RU2321101C1 (ru) * | 2006-07-06 | 2008-03-27 | ФГУП "НИИ физических измерений" | Способ изготовления полупроводниковых приборов |
| RU2439741C1 (ru) * | 2010-11-09 | 2012-01-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский университет МИЭТ" (МИЭТ) | Способ изготовления чувствительных элементов микромеханических систем |
| RU2572288C1 (ru) * | 2014-09-30 | 2016-01-10 | Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт физических измерений" | Способ изготовления глубокопрофилированных кремниевых структур |
| RU2597657C1 (ru) * | 2015-04-14 | 2016-09-20 | Общество с ограниченной ответственностью "Планар-МИФИ" | Способ изготовления чувствительных элементов датчиков концентрации газа |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2672033C1 (ru) * | 2017-11-13 | 2018-11-08 | Акционерное общество "Научно-исследовательский институт физических измерений" | Способ формирования областей кремния в объеме кремниевой пластины |
| RU2792924C2 (ru) * | 2021-06-02 | 2023-03-28 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Дагестанский государственный технический университет" | Способ защиты кристаллов на основе стекла |
| RU2816085C1 (ru) * | 2023-01-24 | 2024-03-26 | Общество с ограниченной ответственностью "ДИЗАЙН-ЦЕНТР ОРБИТА" | Способ изменения радиуса кривизны поверхности пластины |
| RU2802543C1 (ru) * | 2023-04-18 | 2023-08-30 | Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук" | Способ изготовления плазмонного микротитрационного планшета |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7361524B2 (en) | Method of manufacturing floating structure | |
| US7052623B1 (en) | Method for processing silicon using etching processes | |
| Li et al. | Smooth surface glass etching by deep reactive ion etching with SF 6 and Xe gases | |
| US20150309474A1 (en) | Process for manufacturing a strengthened timepiece component and corresponding timepiece component and timepiece | |
| KR20040042003A (ko) | 글래스 웨이퍼의 비아홀 형성방법 | |
| JPH06177090A (ja) | 集積回路の製造方法およびこの方法により製造された集積回路 | |
| US7253083B2 (en) | Method of thinning a semiconductor structure | |
| US9576773B2 (en) | Method for etching deep, high-aspect ratio features into glass, fused silica, and quartz materials | |
| JP2000133638A (ja) | プラズマエッチング方法およびプラズマエッチング装置 | |
| JP2000133638A5 (ru) | ||
| JP2018207109A5 (ru) | ||
| US11524893B2 (en) | Method for manufacturing micromechanical structures in a device wafer | |
| KR20110115570A (ko) | 절연체-상-실리콘 구조의 가공 방법 | |
| RU2625248C1 (ru) | Способ изготовления кристаллов микроэлектромеханических систем | |
| TW201604993A (zh) | 高深寬比結構的蝕刻方法及mems裝置的製作方法 | |
| Li et al. | Deep reactive ion etching of Pyrex glass | |
| CN104261345A (zh) | 干法刻蚀微电机系统牺牲层的方法 | |
| KR102019817B1 (ko) | 쿼츠 표면 처리 방법 | |
| RU2692112C1 (ru) | Способ изготовления сквозных микроотверстий в кремниевой подложке | |
| RU2672033C1 (ru) | Способ формирования областей кремния в объеме кремниевой пластины | |
| RU2698486C1 (ru) | Способ изготовления интегральных преобразователей | |
| RU2687299C1 (ru) | Способ получения рельефа в диэлектрической подложке | |
| RU2804791C1 (ru) | Способ изготовления глубокопрофильных многоуровневых микроструктур в кварцевом стекле | |
| KR100372690B1 (ko) | 마이크로센서 구조물의 건식 식각방법 | |
| CN105712287B (zh) | 半导体器件的制作方法 |