KR102019817B1 - 쿼츠 표면 처리 방법 - Google Patents

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    • H01L21/02307—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to a liquid

Abstract

본 발명은 반도체 제조 장비에 사용되는 쿼츠의 표면을 다른 물질로 용사 코팅하기 전 표면 처리를 하는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시 예에 따르면, 상기 쿼츠를 준비하는 준비 단계와 상기 쿼츠의 표면에 약액을 공급하여 상기 쿼츠의 표면에 엠보싱을 형성하도록 화학 처리하는 화학 처리 단계와 상기 화학 처리 단계 이후에 상기 쿼츠의 표면을 세정하는 세정 단계와 그리고 상기 쿼츠의 표면을 건조하는 건조 단계를 포함하며 상기 쿼츠는 반도체 제조 공정 중 플라즈마를 이용한 에칭 공정 또는 반도체 디퓨젼 공정에 사용되는 반도체 제조 장비에 제공되며, 상기 약액은 유기산(organic acid) 및 산성불화암모늄(NH4HF2)을 포함하고, 상기 화학 처리 단계에서는 상기 산성불화암모늄이 상기 쿼츠의 표면과 반응하여 상기 쿼츠의 표면 중 일부 영역에 마스크 물질을 생성하며, 상기 마스크 물질이 생성되지 않는 상기 쿼츠의 표면 영역은 상기 유기산과 반응하여 상기 쿼츠의 표면을 에칭하는 쿼츠 표면 코팅을 위한 쿼츠 표면 처리 방법을 포함한다.

Description

쿼츠 표면 처리 방법{QUARTS SURFACE TREATMENT METHOD}
본 발명은 반도체용 제조 장비에 사용되는 쿼츠의 표면을 코팅하기 전에 표면을 처리하는 방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로 쿼츠의 표면을 용사 코팅하기 전에 쿼츠의 표면을 화학 처리 하는 방법에 관한 것이다.
쿼츠(석영)제품은 고순도(99.999%)와 화학적 안정성, 내산성, 내열성(연화점 온도 1683℃), 빛 투과성이 우수하며, 열팽창이 적으며, 전기절연성이 우수하여 반도체, 광통신, 전기, 전자 등의 산업 전반에 광범위하게 적용된다.
예를 들어, 일반적으로 실리콘 웨이퍼의 처리공정에 있어서, 실리콘 웨이퍼는 CVD, 에칭, 애싱(ashing) 등과 같은 공정으로 처리되며, 이러한 공정들에서는 웨이퍼를 지지하거나 배치시키기 위하여 석영 제품이 사용된다.
상술한 공정들은 1000℃ 이상의 고온이 가해지기 때문에, 웨이퍼와 쿼츠 표면이 접하는 부분에는 쿼츠와 실리콘 웨이퍼 사이의 열 팽창계수의 차이로 인한 응력이 야기되며, 웨이퍼의 접촉 부분에 접촉 마크(mark)를 만들 수 있다.
실리콘 웨이퍼의 처리공정에서 생성되는 물질이 쿼츠 소재 제품의 표면에 부착되어 얇은 막(film)을 형성하는 경우, 쿼츠 소재 제품이 처리공정 후 냉각될 때, 얇은 막과 유리 사이의 열 팽창계수의 차이로 인하여 쿼츠 소재 제품에 균열이나 부스러짐(breaking)이 발생할 수 있다.
또한, 쿼츠 소재 제품이 냉각될 경우 쿼츠 표면상의 물질의 부착상태가 약하다면 물질은 쿼츠 표면으로부터 떨어져 나갈 것이지만, 쿼츠 표면의 거칠기(roughness)가 작다면 그 부착상태는 보다 강해지게 되어 상기 얇은 막은 실리콘 웨이퍼의 후속 처리공정까지 남아있게 되고, 쿼츠 소재 제품에 균열이나 부스러짐이 발생하지 않더라도 상기 막이 표면으로부터 떨어지기 전에 입자들을 생성시키게 된다.
접촉 마크의 발생을 피하고 웨이퍼 상에 접촉 영역을 감소시키기 위하여, 쿼츠 소재 제품의 표면을 거칠게 하고 평탄하지 않은 샌드 블라스트 처리면을 형성할 수 있도록 샌드 블라스트(sand blast) 처리가 쿼츠 소재 제품의 표면에 행해진다.
또한, 샌드 블라스트 처리면을 형성하면, 드 블라스트된 쿼츠 표면상에서 실리콘 웨이퍼를 처리한 후의 냉각단계에서 발생되는 응력이 여러 방향으로 흩어지게 되어, 쿼츠 표면에 부착된 물질이 냉각 시에 상기 표면으로부터 떨어지는 것을 막을 수 있다.
그러나 샌드 블라스트 처리된 쿼츠 표면은, 도리어 샌드 블라스트 처리면이 웨이퍼와 접촉할 때 상기 웨이퍼로부터 실리카 입자들이 긁혀져 나가게 하든가, 샌드 블라스트 처리면 내에 실리카 입자들을 붙잡아 둔 채, 쿼츠 소재 제품의 성형단계에서 샌드 블라스트 처리에 의하여 표면 영역 안에서 팽창되어, 웨이퍼 처리공정 동안 상기 표면으로부터 그 입자들을 떠오르게 하고 패턴이 형성된 웨이퍼 표면 위로 떨어지게 함으로써, 패턴 결함을 야기할 수 있다.
생성된 입자의 크기는 0.2㎛ 내지 5㎛의 범위 내에 있으며, 비록 입자 크기가 0.3㎛나 그보다 작은 미소한 크기의 것이라 할지라도, 심각한 문제가 될 수 있는데, 특히 요즈음에는 미세 반도체 공정상 0.18㎛ 이하의 와이어링 패턴(wiring pattern)이 요구되며, 이러한 미세 반도체 공정상에서는 상기 미소 입자들이 생성되지 않도록 하는 것이 중요한 문제이며, 그렇지 않으면 반도체 칩 제조에 있어서 성공률(yield) 감소를 야기할 수 있다.
다시 말해서, 기존 샌드 블라스팅 공정을 통한 쿼츠의 표면 처리는 쿼츠 소재의 특성상 취성이 높아 샌드 블라스팅 처리시 발생된 응력으로 인하여 크랙이 발생할 수 있고, 표면에 스파크가 발생할 수 있으며, 미세 구간 및 형상이 복잡한 쿼츠 소재는 작업에 어려움이 따르는 문제점이 있다. 또한, 1회 작업시 제품 1개만 처리할 수 있어 작업성 및 생산성이 떨어지고, 대형물에는 적용이 어려움이 있는 문제점이 있다.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하고자, 샌드 블라스팅 공정이 아닌 화학 처리 공정을 통하여 쿼츠의 표면을 처리하는 쿼츠 표면 처리 방법을 제공하기 위한 것이다.
본 발명은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명은 반도체 제조 장비에 사용되는 쿼츠의 표면을 다른 물질로 용사 코팅하기 전 표면 처리를 하는 방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 쿼츠 표면 코팅을 위한 쿼츠 표면 처리 방법은 상기 쿼츠를 준비하는 준비 단계와 상기 쿼츠의 표면에 약액을 공급하여 상기 쿼츠의 표면에 엠보싱을 형성하도록 화학 처리하는 화학 처리 단계와 상기 화학 처리 단계 이후에 상기 쿼츠의 표면을 세정하는 세정 단계와 그리고 상기 쿼츠의 표면을 건조하는 건조 단계를 포함하며, 상기 쿼츠는 반도체 제조 공정 중 플라즈마를 이용한 에칭 공정 또는 반도체 디퓨젼 공정에 사용되는 반도체 제조 장비에 제공되며, 상기 약액은 유기산(organic acid) 및 산성불화암모늄(NH4HF2)을 포함하고, 상기 화학 처리 단계에서는 상기 산성불화암모늄이 상기 쿼츠의 표면과 반응하여 상기 쿼츠의 표면 중 일부 영역에 마스크 물질을 생성하며, 상기 마스크 물질이 생성되지 않는 상기 쿼츠의 표면 영역은 상기 유기산과 반응하여 상기 쿼츠의 표면을 에칭할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 약액 중 상기 유기산의 조성 비율은 40 내지 70 % 이며, 상기 산성불화암모늄의 조성 비율은 5 내지 40 %일 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 약액은 불산(HF), 상기 산성불화암모늄, 상기 유기산 및 탈이온수로 이루어지고, 상기 유기산은 포름산 및 구연산을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 약액의 조성 비율은 상기 불산이 4 %, 상기 산성불화암모늄이 31 %, 상기 포름산이 44%, 상기 구연산이 4 %, 상기 탈이온수가 17%일 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 화학 처리 단계는 상기 쿼츠를 상기 약액을 공급하여 상기 쿼츠의 표면을 1차 처리하는 1차 표면 처리 단계와 상기 1차 표면 처리 단계 이후 상기 쿼츠의 표면을 세정하는 중간 세정 단계와 그리고 상기 중간 세정 단계 이후 상기 쿼츠에 상기 약액을 공급하여 상기 쿼츠의 표면을 2차 처리하는 2차 표면 처리 단계를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 화학 처리 단계 전에는 상기 쿼츠의 표면을 세정하는 준비 세정 단계가 더 포함될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 세정 단계 및 상기 중간 세정 단계는 상기 쿼츠의 표면에 생성된 상기 마스크 물질을 제거하는 단계일 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 마스크 물질은 암모늄 헥사 플루오르 실리케이트(Ammonium hexafluorosilicate, (NH4)2SiF6)일 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 의하면, 쿼츠의 표면을 약액을 통해서 기설정된 범위의 표면 거칠기를 형성하여 용사 코팅 이후에도 표면에 칩핑이나 크랙이 형성되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 이를 통해서 반도체 제조 공정 중 이물질이 생성되는 것을 방지할 수 있다.
본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 일반적으로 쿼츠의 표면을 용사 코팅하여 제작하는 공정을 순차적을 보여주는 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 쿼츠 표면을 화학 처리 하는 공정을 포함하여 쿼츠의 표면을 용사 코팅하여 제작하는 방법을 순차적으로 보여주는 플로우 차트이다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 쿼츠 표면 코팅을 위한 쿼츠 표면 처리 방법을 순차적으로 보여주는 플로우 차트이다.
도 4 내지 도 7은 쿼츠의 표면에 엠보싱이 형성되는 과정을 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 8은 쿼츠의 표면을 처리하지 않는 경우, 샌드 블라스팅 공정을 이용하여 표면 처리 하는 경우, 화학 처리 공정을 이용하는 경우에 따른 쿼츠의 표면 상태를 비교하여 보여주는 도면이다.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되게 도시된 부분도 있다. 또한, 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 안 되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다.
본 발명은 쿼츠 표면 코팅을 위한 쿼츠 표면 처리 방법을 제공한다. 본 발명에서는 반도체 제조 공정 중 플라즈마를 이용한 에칭 공정 또는 반도체 디퓨젼 공정에 사용되는 반도체 제조 장비에 제공되는 쿼츠(13)에 대한 것이다.
상기 반도체 제조 장비에 공급되는 쿼츠는 일반적으로 용사 코팅되어 제공된다.
도 1은 일반적으로 쿼츠의 표면을 용사 코팅하여 제작하는 공정을 순차적을 보여주는 도면이다.
이를 참조하면, 종래는 쿼츠의 표면을 용사 코팅하기 전에 샌드 블라스팅 공정을 이용하여 표면 처리를 하였다. 샌드 블라스팅 공정은 기계적 공정을 통하여 쿼츠의 표면에 엠보싱을 형성하는 공정이다. 다만, 샌드 블라스팅 공정을 이용하는 경우, 쿼츠의 표면에 칩핑(Chipping)이나 크랙(Crack)이 생성되는 경우가 있다.
쿼츠의 표면에 칩핑(Chipping)이나 크랙(Crack)이 형성되는 경우, 쿼츠의 표면을 용사 코팅하여도 플라즈마 에칭 공정이나 확산 공정 시 이물질이 생성되어 문제가 생길 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 쿼츠 표면을 화학 처리 하는 공정을 포함하여 쿼츠의 표면을 용사 코팅하여 제작하는 방법을 순차적으로 보여주는 플로우 차트이다.
도 2를 참고하면, 본 발명의 경우, 쿼츠의 표면을 화학 처리 한 뒤 용사 코팅을 진행할 수 있다. 이 후 세척 및 검사를 진행하여 반도체용 제조 장비에 제공된다. 일 예로, 쿼츠는 반도체용 제조 장비 중 웨이퍼를 지지하는 척의 일부나, 윈도우 창 등에 제공될 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 쿼츠 표면 코팅을 위한 쿼츠 표면 처리 방법을 순차적으로 보여주는 플로우 차트이고, 도 4 내지 도 7은 쿼츠의 표면에 엠보싱이 형성되는 과정을 개략적으로 보여주는 도면이다.
이하, 도 3 내지 도 7을 참고하여 반도체 제조 장비용 쿼츠(13)의 표면을 처리하는 방법을 설명한다. 쿼츠 표면 처리 방법은 준비 단계(S10), 준비 세정 단계(S20), 화학 처리 단계(S30), 세정 단계(S40), 그리고 건조 단계(S50)를 포함한다.
준비 단계(S10)는 쿼츠(13)를 준비하는 단계이다.
준비 세정 단계(S20)는 준비 단계(S10)에서 준비된 쿼츠(13)의 표면을 세정하는 단계이다. 일 예로, 준비 세정 단계(S20)에서는 탈이온수(DI-WATER)을 이용하여 쿼츠(13)의 표면을 세정할 수 있다. 일 예로, 쿼츠(13)의 표면 세정은 노즐을 통해 분사되는 탈이온수를 통해서 표면을 세정할 수 있다. 이와는 달리, 쿼츠(13)를 탈이온수가 차있는 세정 챔버에 담구어 세정을 진행할 수 있다.
화학 처리 단계(S30)는 쿼츠(13)의 표면에 약액을 공급하여 쿼츠(13)의 표면에 엠보싱을 형성할 수 있다.
여기서, 쿼츠(13)의 표면에 엠보싱을 형성하는 것은 쿼츠(13)의 표면을 기설정된 범위의 표면 거칠기(Ra)을 가지도록 하는 것이다.
본 발명의 경우, 쿼츠(13)의 표면 거칠기는 1~5 ㎛ 범위일 수 있다. 바람직하게는 쿼츠(13)의 표면 거칠기 값은 2~4 ㎛ 범위일 수 있다.
쿼츠(13)의 표면에 엠보싱을 형성하는 경우, 이 후 진행되는 코팅 공정 시 코팅물과 쿼츠(13)의 표면의 밀착력 확보가 용이해 질 수 있다.
약액은 불산(HF), 산성불화암모늄(NH4HF2), 유기산(organic acid) 및 탈이온수를 포함한다. 여기서, 유기산은 포름산 및 구연산을 포함한다.
약액 중 유기산의 조성 비율은 40 내지 70 % 일 수 있다. 약액 중 산성불화암모늄의 조성 비율은 5 내지 40 %일 수 있다.
바람직하게는 약액의 조성 비율은 불산(HF)이 4 %, 산성불화암모늄(NH4HF2)이 31 %, 포름산이 44%, 구연산이 4 %, 탈이온수가 17%일 수 있다.
화학 처리 단계(S30)에서 약액을 쿼츠(13)의 표면에 공급하는 경우 아래와 같은 반응식에 의해서 엠보싱을 형성할 수 있다.
SiO2 + 4HF SiF4 + 2H2O 반응식 (1)
SiO2 + 4NH4HF2 SiF4 + 2NH4F + 2H2O 반응식(2)
3NH4HF2 + SiO2 (NH4)2SiF6 + NH4OH + H2O 반응식(3)
NH4HF2 + SiO2 (NH4)2SiF6 + NH3 + 2H2O 반응식(4)
화학 처리 단계(S30)는 상기의 화학 반응을 통해서 쿼츠(13)의 표면에 엠보싱을 형성할 수 있다. 구체적으로, 약액을 공급하면 반응식 (3) 및 (4)을 통해서 쿼츠(13)의 표면에 마스크 물질(13)이 형성된다. 도 4와 같이, 마스크 물질(13)은 쿼츠(13)의 표면 중 일부 영역에 생성될 수 있다. 즉, 산성불화암모늄(NH4HF2)이 쿼츠(13)의 표면과 반응하여 마스크 물질(13)을 생성한다.
여기서, 생성된 마스크 물질(13)은 암모늄 헥사 플루오르 실리케이트(Ammonium hexafluorosilicate, (NH4)2SiF6)일 수 있다.
도 4에 도시된 바와 같이, 쿼츠(13)의 표면 중 마스크 물질(13)이 없는 영역(15)이 존재한다. 쿼츠(13)의 표면 중 마스크 물질(13)이 생성되지 않는 쿼츠(13)의 표면 영역(15)은 유기산 및 나머지 물질과 반응하여 도 5와 같이 쿼츠(13)의 표면을 에칭할 수 있다.
즉, 쿼츠(13)의 표면에 엠보싱이 형성하여, 기설정된 범위의 표면 거칠기를 얻을 수 있다.
화학 처리 단계(S30)는 1차 표면 처리 단계(S31), 중간 세정 단계(S32), 2차 표면 처리 단계(S33)를 포함한다.
1차 표면 처리 단계(S31)는 쿼츠(13)의 표면에 약액을 공급하여 쿼츠(13)의 표면을 1차 처리할 수 있다. 1차 표면 처리 과정은 상술한 과정과 유사하게 진행된다.
중간 세정 단계(S32)는 1차 표면 처리 단계(S31) 이후 수행될 수 있다. 중간 세정 단계(S32)는 쿼츠(13)의 표면을 세정한다. 일 예로, 세정은 탈이온수를 이용하여 쿼츠(13)의 표면을 세정할 수 있다. 중간 세정 단계(S32)와 후술하는 세정 단계(S40)에서는 마스크 물질(13) 및 에칭되는 쿼츠(13)를 세정할 수 있다.
2차 표면 처리 단계(S33)는 중간 세정 단계(S32) 이후 수행될 수 있다. 2차 표면 처리 단계(S33)는 쿼츠(13)에 약액을 공급하여 쿼츠(13)의 표면을 2차 처리하는 단계이다. 2차 표면 처리 단계(S33)는 상술한 1차 표면 처리 과정과 유사하게 진행될 수 있다.
화학 처리 단계(S30)는 상술한 과정을 반복하여, 도 7과 같이, 에칭되는 쿼츠(13)의 표면 영역 중 엠보싱이 형성된 영역은 완만한 단면을 가지도록 할 수 있다.
세정 단계(S40)는 화학 처리 단계(S30) 이후 수행될 수 있다. 일 예로, 세정 단계(S40)는 탈이온수를 이용하여 쿼츠(13)의 표면을 세정할 수 있다. 일 예로, 세정 단계(S40)는 쿼츠(13)의 표면에 형성된 마스크 물질(13)이나 에칭된 쿼츠(13)를 제거할 수 있다.
건조 단계(S50)는 세정 단계(S40) 이후에 수행될 수 있다. 건조 단계(S50)는 쿼츠(13)의 표면에 묻어 있는 세정액을 건조시킬 수 있다. 일 예로, 건조 단계(S50)는 불활성 가스를 쿼츠(13)의 표면에 제공하여 수행될 수 있다. 일 예로, 불활성 가스는 아르곤 또는 질소 가스로 제공될 수 있다.
도 8은 쿼츠(13)의 표면을 처리하지 않는 경우, 샌드 블라스팅 공정을 이용하여 표면 처리 하는 경우, 화학 처리 공정을 이용하는 경우에 따른 쿼츠(13)의 표면 상태를 비교하여 보여주는 도면이다.
도 8을 참조하며, 본 발명의 효과를 설명한다.
쿼츠(13)의 표면 처리 하지 않고 세라믹 코팅 시 코팅막에 박리가 일어날 수 있다. 이와는 달리, 쿼츠(13)의 표면을 샌드 블라스팅 공정 후 코팅하는 경우, 표면에 칩핑 또는 크랙을 확인할 수 있다.
이와는 달리, 쿼츠(13)의 표면을 약액을 이용하여 화학 처리 하는 경우 쿼츠(13) 표면에 칩핑 또는 크랙이 발견되지 않았다.
쿼츠(13)의 표면에 발생된 칩핑 또는 크랙은 표면의 세라믹이나 쿼츠(13)가 공정 중 기판에 붙을 수 있어 반도체 제조 공정에 문제를 발생시킬 수 있다.
이와는 달리, 본 발명의 쿼츠(13) 표면 처리 방법을 수행하는 경우 쿼츠(13)를 코팅하여도 표면에 칩핑 또는 크랙이 생성되지 않아 반도체 제조 공정 중 이물질이 발생될 가능성이 낮다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 일 실시 예의 경우 쿼츠의 표면을 약액을 통해서 기설정된 범위의 표면 거칠기를 형성하여 용사 코팅 이후에도 표면에 칩핑이나 크랙이 형성되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 이를 통해서 반도체 제조 공정 중 이물질이 생성되는 것을 방지할 수 있다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 전술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
11: 쿼츠 13: 마스크 물질

Claims (9)

  1. 반도체 제조 장비에 사용되는 쿼츠의 표면 처리 방법으로서,
    상기 쿼츠를 준비하는 준비 단계;
    상기 쿼츠의 표면에 약액을 공급하여 상기 쿼츠의 표면에 엠보싱을 형성하도록 화학 처리하는 화학 처리 단계;
    상기 화학 처리 단계 이후에 상기 쿼츠의 표면을 세정하는 세정 단계;
    상기 쿼츠의 표면을 건조하는 건조 단계 및
    상기 쿼츠의 표면을 세라믹으로 용사 코팅하는 단계를 포함하며,
    상기 용사 코팅된 쿼츠는 반도체 제조 공정 중 플라즈마를 이용한 에칭 공정 또는 반도체 디퓨젼 공정에 사용되는 반도체 제조 장비에 제공되고,
    상기 약액은 불산(HF), 산성불화암모늄(NH4HF2), 유기산(organic acid) 및 탈이온수로 이루어지고,
    상기 유기산은 포름산 및 구연산을 포함하되,
    상기 약액의 조성 비율은 상기 불산이 4%, 상기 산성불화암모늄이 31%, 상기 포름산이 44%, 상기 구연산이 4%, 상기 탈이온수가 17%이고,
    상기 화학 처리 단계에서는 상기 산성불화암모늄이 상기 쿼츠의 표면과 반응하여 상기 쿼츠의 표면 중 일부 영역에 마스크 물질을 생성하며, 상기 마스크 물질이 생성되지 않는 상기 쿼츠의 표면 영역은 상기 유기산과 반응하여 상기 쿼츠의 표면을 에칭하는 쿼츠 표면 처리 방법.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 제1항에 있어서,
    상기 화학 처리 단계는,
    상기 쿼츠에 상기 약액을 공급하여 상기 쿼츠의 표면을 1차 처리하는 1차 표면 처리 단계;
    상기 1차 표면 처리 단계 이후 상기 쿼츠의 표면을 세정하는 중간 세정 단계 및
    상기 중간 세정 단계 이후 상기 쿼츠에 상기 약액을 공급하여 상기 쿼츠의 표면을 2차 처리하는 2차 표면 처리 단계를 포함하는 쿼츠 표면 처리 방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 화학 처리 단계 전에는 상기 쿼츠의 표면을 세정하는 준비 세정 단계가 더 포함되는 쿼츠 표면 처리 방법.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 세정 단계 및 상기 중간 세정 단계는 상기 쿼츠의 표면에 생성된 상기 마스크 물질을 제거하는 단계인 쿼츠 표면 처리 방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 마스크 물질은 암모늄 헥사 플루오르 실리케이트(Ammonium hexafluorosilicate, (NH4)2SiF6)인 쿼츠 표면 처리 방법.
  9. 제1항, 제5항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 화학 처리 단계 이 후 상기 쿼츠의 표면 거칠기는 1~5 ㎛인 쿼츠 표면 처리 방법.
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