RU2733941C2 - Способ изготовления полупроводниковой структуры - Google Patents
Способ изготовления полупроводниковой структуры Download PDFInfo
- Publication number
- RU2733941C2 RU2733941C2 RU2019109624A RU2019109624A RU2733941C2 RU 2733941 C2 RU2733941 C2 RU 2733941C2 RU 2019109624 A RU2019109624 A RU 2019109624A RU 2019109624 A RU2019109624 A RU 2019109624A RU 2733941 C2 RU2733941 C2 RU 2733941C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- temperature
- silicon film
- structures
- semiconductor structure
- heat treatment
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
- H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
- H01L21/7624—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology
- H01L21/76264—SOI together with lateral isolation, e.g. using local oxidation of silicon, or dielectric or polycristalline material refilled trench or air gap isolation regions, e.g. completely isolated semiconductor islands
- H01L21/76291—Lateral isolation by field effect
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Изобретение относится к области технологии изготовления полупроводниковой структуры, в частности к технологии изготовления эпитаксиальной пленки кремния с низкой дефектностью. Предложенный способ изготовления полупроводниковых структур путем формирования пленки кремния на кремниевой подложке со скоростью роста 20 нм/мин, при температуре 750°С, давлении 1,33⋅10-5 Па, при скорости подачи силана 14,3 см3/мин с последующей термообработкой при температуре 1100°С в течение 15 с в среде аргона позволяет повысить процент выхода годных структур и улучшит их надежность. 1 табл.
Description
Изобретение относится к области технологии изготовления полупроводниковой структуры, в частности к технологии изготовления эпитаксиальной пленки кремния с низкой дефектностью.
Известен способ изготовления [Патент №5395481 США, МКИ H01L 21/306] кремниевых слоев на стеклянной подложке. Процесс реализуется путем осаждения тонкой пленки кремния на подложке с последующим формированием излучением эксимерного лазера и фотолитографии.
В таких структурах из-за различия параметров кристаллической решетки кремния и стекла повышается дефектность структуры и ухудшаются электрофизические параметры полупроводниковых структур.
Известен способ изготовления [Заявка №2165620 Япония, МКИ H01L 21/20] полупроводниковых тонких пленок путем приведения в контакт аморфной кремниевой пленки с плоским графитовым основанием, содержащим на своей поверхности точечные выступы, которые располагаются на фиксированном расстоянии друг от друга. Затем структуру подвергают отжигу при температуре 500-700°С для роста твердой фазы и структуру окисляют.
Недостатками этого способа являются: высокая плотность дефектов, повышенные значения тока утечки, низкая технологичность.
Задача, решаемая изобретением: снижение дефектности, обеспечение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличение процента выхода годных.
Задача решается формированием пленки кремния на кремниевой подложке со скоростью роста 20 нм/мин при температуре 750°С, давлении 1,33*10-5 Па и скорости подачи силана 14,3 см3/мин. с последующей термообработкой при температуре 1100°С в течение 15 сек в среде аргона.
Технология способа состоит в следующем: на пластинах кремния р - типа проводимости, с удельным сопротивлением 10 Ом*см, ориентацией (111) формировали пленку кремния со скоростью роста 20 нм/мин при температуре 750°С, давлении 1,33*10-5 Па, при скорости подачи силана 14,3 см3/мин с последующей термообработкой при температуре 1100°С в течение 15 сек в среде аргона
По предлагаемому способу были изготовлены и исследованы полупроводниковые приборы. Результаты обработки представлены в таблице.
Экспериментальные исследования показали, что выход годных структур на партии пластин, сформированных в оптимальном режиме, увеличился на 13,9%.
Технический результат: снижение дефектности, обеспечение технологичности, улучшение параметров структур, повышение качества и увеличения процента выхода годных.
Claims (1)
- Способ изготовления полупроводниковой структуры с подложкой, включающий процессы формирования слоя кремния, термообработку, отличающийся тем, что пленку кремния формируют на кремниевой подложке со скоростью роста 20 нм/мин, при температуре 750°С, давлении 1,33⋅10-5 Па, при скорости подачи силана 14,3 см3/мин с последующей термообработкой при температуре 1100°С в течение 15 с в среде аргона.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2019109624A RU2733941C2 (ru) | 2019-04-01 | 2019-04-01 | Способ изготовления полупроводниковой структуры |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2019109624A RU2733941C2 (ru) | 2019-04-01 | 2019-04-01 | Способ изготовления полупроводниковой структуры |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2019109624A3 RU2019109624A3 (ru) | 2020-10-01 |
| RU2019109624A RU2019109624A (ru) | 2020-10-01 |
| RU2733941C2 true RU2733941C2 (ru) | 2020-10-08 |
Family
ID=72927158
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2019109624A RU2733941C2 (ru) | 2019-04-01 | 2019-04-01 | Способ изготовления полупроводниковой структуры |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2733941C2 (ru) |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1199920A (zh) * | 1997-03-27 | 1998-11-25 | 佳能株式会社 | 半导体衬底及其制备方法 |
| RU2134467C1 (ru) * | 1997-10-14 | 1999-08-10 | Научно-исследовательский институт измерительных систем | Способ геттерирующей обработки подложек кремния |
| KR20020002399A (ko) * | 1999-03-04 | 2002-01-09 | 게르트 켈러 | 얇은 에피택셜층으로 이루어진 반도체웨이퍼 및 그의제조방법 |
| RU2258764C1 (ru) * | 2001-04-16 | 2005-08-20 | Технише Университет Эйндховен | Способ и устройство для осаждения по меньшей мере частично кристаллического кремниевого слоя на подложку |
| WO2006083821A1 (en) * | 2005-02-04 | 2006-08-10 | Asm America, Inc. | Selective deposition of silicon-containing films |
| US7863163B2 (en) * | 2005-12-22 | 2011-01-04 | Asm America, Inc. | Epitaxial deposition of doped semiconductor materials |
| RU2521142C2 (ru) * | 2012-09-21 | 2014-06-27 | Общество с ограниченной ответственностью "СИКЛАБ" | Способ получения гетероэпитаксиальных пленок карбида кремния на кремниевой подложке |
-
2019
- 2019-04-01 RU RU2019109624A patent/RU2733941C2/ru active
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1199920A (zh) * | 1997-03-27 | 1998-11-25 | 佳能株式会社 | 半导体衬底及其制备方法 |
| RU2134467C1 (ru) * | 1997-10-14 | 1999-08-10 | Научно-исследовательский институт измерительных систем | Способ геттерирующей обработки подложек кремния |
| KR20020002399A (ko) * | 1999-03-04 | 2002-01-09 | 게르트 켈러 | 얇은 에피택셜층으로 이루어진 반도체웨이퍼 및 그의제조방법 |
| RU2258764C1 (ru) * | 2001-04-16 | 2005-08-20 | Технише Университет Эйндховен | Способ и устройство для осаждения по меньшей мере частично кристаллического кремниевого слоя на подложку |
| WO2006083821A1 (en) * | 2005-02-04 | 2006-08-10 | Asm America, Inc. | Selective deposition of silicon-containing films |
| US7863163B2 (en) * | 2005-12-22 | 2011-01-04 | Asm America, Inc. | Epitaxial deposition of doped semiconductor materials |
| RU2521142C2 (ru) * | 2012-09-21 | 2014-06-27 | Общество с ограниченной ответственностью "СИКЛАБ" | Способ получения гетероэпитаксиальных пленок карбида кремния на кремниевой подложке |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2019109624A3 (ru) | 2020-10-01 |
| RU2019109624A (ru) | 2020-10-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20130230722A1 (en) | Conductive thin film and transparent conductive film comprising graphene | |
| TW202027139A (zh) | 氮化物半導體晶圓之製造方法及氮化物半導體晶圓 | |
| JP2012243792A (ja) | ＧａＮ薄膜貼り合わせ基板およびその製造方法、ならびにＧａＮ系高電子移動度トランジスタおよびその製造方法 | |
| RU2733941C2 (ru) | Способ изготовления полупроводниковой структуры | |
| RU2466476C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| RU2539801C1 (ru) | Способ изготовления тонкого слоя диоксида кремния | |
| JP2022510159A (ja) | ダイヤモンド基板の製造方法 | |
| RU2688851C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| RU2654819C1 (ru) | Способ изготовления полупроводниковых структур | |
| RU2680606C1 (ru) | Способ изготовления полупроводниковых структур | |
| RU2688881C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| RU2819702C1 (ru) | Способ изготовления тонкопленочного транзистора | |
| JP4576201B2 (ja) | 三酸化モリブデン層の作製方法 | |
| RU2333567C2 (ru) | Способ изготовления тонких кристаллических пленок кремния для полупроводниковых приборов | |
| RU2646942C1 (ru) | Способ изготовления полупроводниковой структуры | |
| RU2726904C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| JP3090847B2 (ja) | 半導体基板の製造方法および半導体装置の製造方法 | |
| RU2796455C1 (ru) | Способ изготовления полупроводниковой структуры | |
| RU2688863C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| RU2755774C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| RU2698538C1 (ru) | Способ формирования гетероструктуры | |
| RU2755175C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| RU2738772C1 (ru) | Способ изготовления полупроводниковых структур | |
| RU2621370C2 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| RU2749493C1 (ru) | Способ изготовления тонкопленочного транзистора |